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1、第四讲 单结晶体管复习双向晶闸管工作原理。掌握单结晶体管导通关断的条件。了解单结晶体管触发电路工作原理。单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数。单结晶体管触发电路工作原理。双向晶闸管工作原理。单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数。 党智乾复习： 1、晶闸管选用。2、双向晶闸管工作原理触发方式：+触发：T1为正，T2为负；门极为正，T2为负。-触发：T1为正，T2为负；门极为负，T2为正。+触发：T1为负，T2为正；门极为正，T2为负。-触发：T1为负，T2为正；门极为负，T2为正。常用触发 方式：+ 、- 新知识： 单结晶体管一、单结晶体管1、单结晶体管的结构（a）结构 （b）等效电路 （c）图
2、形符号 （d）外形管脚排列 2、伏安特性当两基极b1和b2间加某一固定直流电压时，发射极电流与发射极正向电压Ue之间的关系曲线称为单结晶体管的伏安特性f（Ue）。（a）单结晶体管实验电路 （b）单结晶体管伏安特性 （c）特性曲线族截止区aP段当开关Q闭合，电压Ubb通过单结晶体管等效电路中的rbl和rb2分压，得A点电位UA，可表示为式中:分压比，是单结晶体管的主要参数，一般为0.30.9。负阻区PV段当UeUp时，等效二极管VD导通，增大，这时大量的空穴载流子从发射极注入A点到b1的硅片，使rbl迅速减小，导致UA下降，因而Ue也下降。UA的下降，使PN结承受更大的正偏，引起更多的空穴载流子
3、注入到硅片中，使rbl进一步减小，形成更大的发射极电流，这是一个强烈的增强式正反馈过程。当增大到一定程度，硅片中载流子的浓度趋于饱和，rbl已减小至最小值，A点的分压UA最小，因而Ue也最小，得曲线上的V点。V点称为谷点，谷点所对应的电压和电流称为谷点电压Uv和谷点电流Iv。这一区间称为特性曲线的负阻区。饱和区VN段当硅片中载流子饱和后，欲使继续增大，必须增大电压Ue，单结晶体管处于饱和导通状态。改变，器件由等效电路中的UA和特性曲线中Up也随之改变，从而可获得一族单结晶体管伏安特性曲线，如图（c）所示。3、单结晶体管的主要参数有：单结晶体管的主要参数有基极间电阻rbb、分压比、峰点电流IP、谷点电压UV、谷点电流IV及耗散功率等。国产单结晶体管的型号主要有BT31、BT33、BT35等，BT，其主要参数如表14所示。表14 单结晶体管的主要参数课后小结：单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数。板书设计：1.1单结晶体管的结构、伏安特性及主要参数。一、单结晶体管的结构与符号： 二、单结晶体管的伏安特性 截止区aP段负阻区PV段饱和区VN段；三、单结晶体管的的主要参数基极间电阻rbb分压比峰点电流IP谷点电压UV谷点电流IV耗散功率等。4615 1515重点15重点128