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1、电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）第第 2 2 章章半导体电力开关器件半导体电力开关器件电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2 2 半导体电力开关器件半导体电力开关器件2.1 2.1 电力二极管电力二极管2.2 2.2 双极结型电力三极管双极结型电力三极管2.3 2.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件2.4 2.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTOGTO2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFETMOSFET2.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT *2.7*2.8*2.7*2.8 自学自学2.9 2.9 半导体电
2、力开关模块和功率集成电路半导体电力开关模块和功率集成电路本章小结本章小结22电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1 2.1 电力二极管电力二极管33 3电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1.1半导体半导体PN结结44电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1.2半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性单向导电性正向接法时内电场被正向接法时内电场被削弱，扩散运动强于削弱，扩散运动强于漂移运动，掺杂形成漂移运动，掺杂形成的多数载流子导电，的多数载流子导电，等效电阻较小。等效电阻较小。反向接法时内电场被增反向接法时内电场被增强，漂移运动强于扩散强，漂移运动强于扩
3、散运动，光热激发形成的运动，光热激发形成的少数载流子导电，等效少数载流子导电，等效电阻很大电阻很大。555电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1.2半导体二极管基本特性半导体二极管基本特性单向导电性单向导电性PN结高频等效电路结高频等效电路66电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1.3半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极半导体电力二极管的重要参数主要用来衡量二极管使用过程中：管使用过程中：q是否被过压击穿q是否会过热烧毁q开关特性77电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）额定电流的定义：额定电流的定义：其额定发热所允
4、许的正弦半波电流的平均值其额定发热所允许的正弦半波电流的平均值。当正弦半波电流的峰值为当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：时，它可用下式计算：88电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）当正弦半波电流的峰值为当正弦半波电流的峰值为Im时，它可用下式计算：时，它可用下式计算：最大允许全周期均方根正向电流的定义：最大允许全周期均方根正向电流的定义：当二极管流过半波正弦电流的平均值为当二极管流过半波正弦电流的平均值为IFR时，与其时，与其发热等效的全周期均方根正向电流发热等效的全周期均方根正向电流IFMS称为最大允称为最大允许全周期均方根正向电流。许全周期均方根正向电流。9 9电力电子学
5、电力电子变换和控制技术（第二版）二极管电流定额的含义二极管电流定额的含义如手册上某电力二极管的额定电流为100A，说明：q允许通过平均值为允许通过平均值为100A的正弦半波电流；的正弦半波电流；q允许通过正弦半波电流的幅值为允许通过正弦半波电流的幅值为314A；q允许通过任意波形的有效值为允许通过任意波形的有效值为157A的电流；的电流；q在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。在以上所有情况下其功耗发热不超过允许值。由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：由额定电流和最大允许全周期均方根正向电流的公式，得：1010电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）选择二极管电流定额的过程
6、：选择二极管电流定额的过程：求出电路中二极管电流的有效值求出电路中二极管电流的有效值IFrms；求二极管电流定额求二极管电流定额IFR，有效值有效值IFrms 除以除以1.57；将选定的定额放大将选定的定额放大1.5到到2倍以保证安全。倍以保证安全。1111电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）半导体电力二极管的开关特性半导体电力二极管的开关特性开关过程，由导通状态转为阻断状开关过程，由导通状态转为阻断状态并不是立即完成，它要经历一个态并不是立即完成，它要经历一个短时的过渡过程；短时的过渡过程；此过程的长短、过渡过程的波形对不同此过程的长短、过渡过程的波形对不同性能的二极管有很大差异；性能
7、的二极管有很大差异；理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解开关过程对今后选用电力电子器件，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，理解电力电子电路的运行是很有帮助的，因此应对二极管的开关特性有较清晰的因此应对二极管的开关特性有较清晰的了解。了解。状态状态过程过程导通、阻断开通、关断1212电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）半导体电力二极管的开关特性（续）半导体电力二极管的开关特性（续）二极管开通及反向恢复过程二极管开通及反向恢复过程1313电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）半导体电力二极管的开关特性（续）半导体电力二极管的开关特性（续）二极管关断过程二极管关断过程1414电力电子
8、学电力电子变换和控制技术（第二版）半导体电力二极管重要参数半导体电力二极管重要参数有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重有关半导体电力二极管使用特性和准则的几个重要参数是：要参数是：q最大允许反向重复峰值电压最大允许反向重复峰值电压q额定电流额定电流q最大允许的全周期均方根正向电流最大允许的全周期均方根正向电流q最大允许非重复浪涌电流最大允许非重复浪涌电流q最大允许的最大允许的PN结结温和管壳温度结结温和管壳温度q结壳、壳散热器热阻结壳、壳散热器热阻q反向恢复时间反向恢复时间1515电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.1.4二极管的基本应用二极管的基本应用整流整流续流续流1616
9、电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.2.1 2.2.1 晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用2.2.2 2.2.2 静态特性静态特性 2.2.3 2.2.3 电力三极管使用参数和特性电力三极管使用参数和特性BJT(BipolarJunctionTransistor)或或GTR(GiantTransistor)2.2 2.2 双极结型电力三极管双极结型电力三极管1717电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用三极管的结构和符号1818电力电子学电力电子变换和控制技术（
10、第二版）2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续续1)1919电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.2.1晶体管基极电流对集电极电流的控制作用晶体管基极电流对集电极电流的控制作用(续续2)基极电流控制集电极电流2020电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.2.2三极管的静态特性三极管的静态特性三极管输入、输出特性2121电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.2.3电力三极管使用参数和特性电力三极管使用参数和特性图2.9 不同基极状态时，集射极击穿电压 1.集电极额定电压集电极额定电压2.集电极额定电流（最大允许电流）集电极额
11、定电流（最大允许电流）3.饱和压降饱和压降4.基极电流的最大允许值基极电流的最大允许值5.开通和关断时间开通和关断时间6.安全工作区安全工作区2222电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）电力三极管的主要特点电力三极管的主要特点是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三是电流驱动器件，控制基极电流就可控制电力三极管的开通和关断；极管的开通和关断；开关速度较快；开关速度较快；饱和压降较低；饱和压降较低；有二次击穿现象；有二次击穿现象；能控制较大的电流和较高的电压；能控制较大的电流和较高的电压；电力三极管由于结构所限其耐压难于超过电力三极管由于结构所限其耐压难于超过1500V，现今商品化的电力
12、三极管的额定电压、电流大都不超现今商品化的电力三极管的额定电压、电流大都不超过过1200V、800A;已经淘汰已经淘汰2323电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.3 2.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及其派生器件2424电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.3.1 2.3.1 逆阻型晶闸管逆阻型晶闸管SCRSCR两个三极管正反馈两个三极管正反馈2.3.2 2.3.2 逆导型晶闸管逆导型晶闸管RCTRCT2.3.3 2.3.3 光控晶闸管光控晶闸管LCTLCT2.3.4 2.3.4 双向双向晶闸管晶闸管TRIACTRIACIGBTIGBT2.3 2.3 晶闸管及其派生器件晶闸管及
13、其派生器件2525电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.3.1逆阻型晶闸管逆阻型晶闸管SCR两个三极管正反馈两个三极管正反馈晶闸管的结构、符号和结构模型2626电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）AGKVsRIAIC1IgVgRgIC2ICT1T2P1J1N1J2J3J2P2P2N1N2iB2(d)等效电路可控开通关断？强迫其电流 下降到维持电流以下通态时晶闸管的等值电路晶闸管的等值电路2727电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）静态伏安特性静态伏安特性 及及dv/dt 防护防护2828电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）图中画斜线部分为一个图中画斜线部分为一个2 周
14、期中晶闸管的电流波形。周期中晶闸管的电流波形。若各波形的最大值为若各波形的最大值为Im=100A，试计算各波形电流的平均，试计算各波形电流的平均值值Id1、Id2、Id3和电流有效值和电流有效值I1、I2、I3。若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为若考虑二倍的电流安全裕量，选择额定电流为100A的晶的晶闸管能否满足要求？闸管能否满足要求？例例2-12929电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.3.2逆导型晶闸管逆导型晶闸管RCT图2.13逆导晶闸管等值电路和符号3030电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.3.3光控晶闸管光控晶闸管LCT图2.14 光控晶闸管符号及等值电路
15、3131电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）图2.15 双向晶闸管符号、等效电路和伏安特性2.3.4双向晶闸管双向晶闸管TRIAC3232电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）图2.16 GTO符号及关断原理图GTO（Gate Turn-Off Thyristor）为什么能靠反向触发电流关断？为什么能靠反向触发电流关断？T2的电流分配系数较大；T1、T2饱和深度较浅2.4 2.4 门极可关断晶闸管门极可关断晶闸管GTOGTO 3333电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFET MOSFET P-MOSFET基本结构、符
16、号和外接电路3434电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFETMOSFET（续（续1 1）目前流行的结构具有垂直导电双扩散具有垂直导电双扩散MOS结构的结构的N沟增强型沟增强型VDMOS3535电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFETMOSFET（续（续2 2）l关断l导通3636电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）图2.17 P-MOSFET特性曲线IDVGSVGSth(d)转移特性IDVDSVGS=0VGS1=4VGS2=8VGS3=10(e)输出特性
17、VBRPMOSFET的工况可用其转移特性和输出特性表述：2.5 2.5 电力场效应晶体管电力场效应晶体管P PMOSFET MOSFET（续（续3 3）3737电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT工作原理GCERdrRbrT2T1AB3838电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）ICVCEVGE=0VGE1VGE2VGE3VRM0(c)输出特性正向阻断区VGEVBRIcVGEVGEth(d)转移特性(a)符号ICGECGCEVgVSR(b)电路RdrRbrT2T1ICABRg符号、电路及静态特性 2.6 2.6
18、绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT（续（续1 1）3939电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）2.6 2.6 绝缘门极双极型晶体管绝缘门极双极型晶体管IGBTIGBT（续（续2 2）GCEVgVRRdrRbrT2T1ICABRg什么是擎住效应：什么是擎住效应：v 集电极电流iC过大；v 集电极电压过高；v 关断速度过快；Rbr上的电压过大，可使T2导通，使IGBT失去关断能力。产生擎住效应的原因：产生擎住效应的原因：4040电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）l二极管和晶闸管模块二极管和晶闸管模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路半导体电力开关模
19、块和功率集成电路4141电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）l达林顿三极管功率模块达林顿三极管功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续1 1）4242电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）lMOSFET功率模块功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续2 2）4343电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）lAC-DC-AC变频功率模块变频功率模块2.9 2.9 半导体电力开关模块和功率集成电路（续半导体电力开关模块和功率集成电路（续3 3）4444电力电子学电力电子变换和
20、控制技术（第二版）小小 结结根据开关器件开通、关断可控性的不同，开关器件可以分为三类：不可控器件不可控器件：仅二极管：仅二极管D是不可控开关器件。是不可控开关器件。半控器件半控器件：仅普通晶闸管仅普通晶闸管SCR属于半控器件。可以控制属于半控器件。可以控制其导通起始时刻，一旦其导通起始时刻，一旦SCR导通后，导通后，SCR仍继续处于通态。仍继续处于通态。全控型器件全控型器件：三极管：三极管BJT、可关断晶闸管、可关断晶闸管GTO、电力场效、电力场效应晶体管应晶体管P-MOSFET、绝缘门极晶体管、绝缘门极晶体管IGBT都是全控型器都是全控型器件，即通过门极（或基极或栅极）是否施加驱动信号既能控
21、件，即通过门极（或基极或栅极）是否施加驱动信号既能控制其开通又能控制其关断制其开通又能控制其关断4545电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）小小 结（续结（续1 1）根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开根据开通和关断所需门极（栅极）驱动信号的不同要求，开关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件关器件又可分为电流控制型开关器件和电压控制型开关器件两大类：两大类：SCR、BJT和和GTO为电流驱动控制型器件为电流驱动控制型器件PMOSFET、IGBT均为电压驱动控制型器件均为电压驱动控制型器件三极管三极管BJT要求有正的、持续的基极电流开通并保持为通态，要求有正的
22、、持续的基极电流开通并保持为通态，当基极电流为零后当基极电流为零后BJT关断。为了加速其关断，最好能提供关断。为了加速其关断，最好能提供负的脉冲电流。负的脉冲电流。P-MOSFET和和IGBT要求有正的持续的驱动电压使其开通要求有正的持续的驱动电压使其开通并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持并保持为通态，要求有负的、持续的电压使其关断并保持为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流为可靠的断态。电压型驱动器件的驱动功率都远小于电流型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。型开关器件，驱动电路也比较简单可靠。4646电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）可控性可控性驱动信号驱
23、动信号额定电压、额定电压、电流电流工作频率工作频率饱和压降饱和压降二极管二极管不可控不可控无无最大最大有高有高有低有低小小晶闸管晶闸管半控半控脉冲电流（开脉冲电流（开通）通）最大最大最低最低小小GTO全控全控正脉冲电流开正脉冲电流开通、负脉冲电通、负脉冲电流关断流关断大大较低较低中中BJT全控全控持续正电流开持续正电流开通否则断通否则断中中中中小小IGBT全控全控持续正电压开持续正电压开通否则断通否则断较大较大较高较高较小较小MOSFET全控全控持续正电压开持续正电压开通否则断通否则断小小最高最高大大常用电力半导体开关器件性能对比常用电力半导体开关器件性能对比4747电力电子学电力电子变换和控制技术（第二版）最近十年电力电子器件发展的一个重要趋势是将半导体电最近十年电力电子器件发展的一个重要趋势是将半导体电力开关器件与其驱动、缓冲、监测、控制和保护等所有硬件集力开关器件与其驱动、缓冲、监测、控制和保护等所有硬件集成一体，构成一个功率集成电路成一体，构成一个功率集成电路PICPIC。PICPIC实现了电能与信息的实现了电能与信息的集成，如果能妥善解决集成，如果能妥善解决PICPIC内部的散热、隔离等技术难题，今内部的散热、隔离等技术难题，今后后PICPIC将使电力电子技术发生革命性的变革将使电力电子技术发生革命性的变革。大大趋趋势势4848