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1、第四章 双极型三极管及放大电路基础4.1 4.1 半导体三极管（半导体三极管（BJTBJT双结晶体管）双结晶体管）4.2 4.2 共射极放大电路共射极放大电路4.3 4.3 放大电路放大电路分析方法分析方法4.4 4.4 放大电路的稳定工作点问题放大电路的稳定工作点问题4.5 4.5 共集电极和共基极放大电路共集电极和共基极放大电路4.7 4.7 放大电路的频率特性放大电路的频率特性4.6 4.6 组合放大电路组合放大电路第第44章章 半导体三极管及放大电路基础半导体三极管及放大电路基础按频率：按频率：高频管、低频管按功率：按功率：按材料：按材料：小、中、大功率管硅管、锗管按类型：按类型：NP
2、N型、PNP型半导体三极管:是具有电流放大功能的元件三极管分类：4.1 半导体三极管半导体三极管（BJTBJT双结晶体管双结晶体管）4.1.1 4.1.1 基本结构基本结构N N PNPN型becbbeeccPNP型P P P PN N基极 基极发射极 发射极集电极 集电极beciBiEiCbeciBiEiCNPN型三极管符号 PNP型三极管符号发射极箭头表示：当发射结正偏时，电流的流向。发射极集电极基极集电极电流发射极电流基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结 发射结Je Je集电结JcbbeeccNNNNPP基极发射极集电极集电区：面积最大问题：c、e两极可否互换？BJT结构特
3、点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图BJT结构剖面图：三极管的基本接法共集电极接法：c作为公共端；b为输入端，e为输出端；共基极接法：b作为公共端，e为输入端，c为输出端。共发射极接法：e作为公共端；b为输入端，c为输出端；4.1.2 BJT的电流分配和放大原理b bec cN NN NP PEBRBE EC CRC在三极管内部：在三极管内部：发射结正偏、集电结反偏PNP PNP管 管发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB即VCVBVE（EB来实现）集电结反偏 集电结反偏：VCVB（EC来实现）即
4、VCVBVE共射放大电路组成4.1.2 BJT的电流分配与放大原理2.内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件操作下，通过载流子传输表达出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。发射区：发射载流子 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT(Bipolar Junction Transistor)。（以NPN为例）放大状态下BJT中载流子的传输过程集电区：收集载流子基区：传送和操作 载流子IE=IB+IC、为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 1，几十。3.三极管电流分配关系IEIC IB（3）（4
5、）（2）（1）4.三极管的电流分配关系总结（5）电流放大系数发射极是输入回路、输出回路的公共端 发射极是输入回路、输出回路的公共端 1.共发射极电路输入回路 输出回路ICVBBmAAVCEVBERBIBVC C+注意：T的类型与VBE、IB、VCE、IC极性ebc4.1.3 BJT的特性曲线vCE=0V+-bce共射极放大电路VBBVCCvBEiCiB+-vCE iB=f(vBE)vCE=常数vCE=0VvCE 1V(1)当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。（以共射极放大电路为例）1.输入特性曲线(2)当vCE1V时，vCB=vCE-vBE0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的vBE 下 IB减小，特性曲线右移。