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1、3.表面电荷的测量 a.接触感应法lLb.表面电位Vs与表面电荷 的关系L上电极驻极体下电极QCVsL当lL，V=0第1页/共15页例：c.非接触法测Vsi)表面电位法 大面积平均（平均）小面积分布（均匀值）上式振动式 旋转式ii)抵消法校正电压100VV外激励输入驻极体输出0时，Vs=V外输出第2页/共15页4.不应混淆的几个概念 ：驻极体表面电位 ：不满足 时的驻极体表面电位 ：驻极体话筒等效偏压 ：电容话筒极化偏压 ：前置电路阻抗变换器的直流偏压用表面电位计测得是VS0，VG与他们均无关系lL第3页/共15页五、ECM设计中的有关问题：(1).振模式(2).背极式(3).前背极式(4).
2、无背极式驻极体?驻极体?驻极体?外壳?上述问题需要深入讨论才能给出答案！1.几种形式ECM电位特性的讨论(均为负电晕极化)第4页/共15页2.模型简化分析首先对n沟道J-FET来说(i)它应工作在 电压状态下；(ii)其夹断电压应为几伏，最多在10伏左右；(iii)二极管两极间的电压为0.7V左右，对振膜式ECM来说，可简化成下列模型：驻极体背极VSC1C2C1C2一般电容器现在情况E1E2VSV对C1对C2第5页/共15页第6页/共15页(1)以豪恩的振膜式咪头来说：振膜厚度 ，材料为FEP，其气隙垫圈以 9系列为例：一般为 等因此，我们取 则若取 则都在J-FET工作范围内2.02.2e=
3、第7页/共15页确定加在G的工作电压就是确定工作点，由于有二极管正电位箝位作用则信号受其作用用示意图来表示则是：若电压负半周太高，则被整流掉J-FET工作情况简图为：DGGS-0.7V+0.7V第8页/共15页(2)若为背极式则模型可简化为：金属金属L驻极体VVSV=0根据豪恩的 6背极式咪头，三个月前使用了 的垫片，所以 。背极式材料一般为FEP，则 ，厚度以 计算，则：(V是在背极驻极体中的电压)由此可见，振模式与背极式咪头的电场提供是有区别的，不能凭推测而想当然。有关ECM设计中击穿问题以后再来介绍。第9页/共15页六、电容传声器的电容量计算1.平板电容器电容的计算(1)理想特性(2)平行度误差引起的容量误差yxdLLd总电容 (并联效果)令第10页/共15页利用公式：取前两项当当第11页/共15页2.若考虑成圆膜(1)*为简化计算只考虑L方向上(x方向)圆弧变形，不考虑L方向(y方向)上的变形*不考虑体积变形RLd0利用上述推导可得：第12页/共15页注意：振动过程中 一直在变化第13页/共15页(2)振膜装配时不平行沿用3中的假设，只认为是积分限有了变化该计算还可进一步精确化第14页/共15页感谢您的观看！第15页/共15页