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1、电压P+N-时，耗尽层变窄，导通电压P-N+时，耗尽层变宽，截止PN结具有单向导电性正偏反偏影响工作频率的原因 PN 结的电容效应第1页/共32页判断二极管工作状态的方法：判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。假设二极管断开，分析二极管两端电位高低第2页/共32页最大，独立方向NPN 型PNP 型ecbecb1.15 放大电路中，直流电位判断方法：NPN：c 最高；e最低，b次低PNP：e最高；c最低；b次高第3页/共32页晶体管电路的基本问题和分析方法状态状态电流关系电流关系 条条 件件放大I C=IB发射结正偏集电结反偏饱和 I C IB两个结正偏ICS=IBS 集电结零偏临界截止IB
2、 Uon 则导通以 NPN为 例：UBE IBS 则饱和IB u时，uo=Uomaxu+u 时,uo=UOmax2)i+i 0 (虚断虚断)传输特性传输特性理想线线性性区区OuiduoUomaxUomax实际第23页/共32页影响工作频率的原因 PN 结的电容效应1.低频，影响很小，可以忽略 高频，因容抗减小，单向导电性变差2.结面积小的，结电容小，工作频率可以高PN结存在扩散电容Cd和势垒电容CbPN 结的电容数量级：PF，10-12Fh12很小，一般为10-3 10-2 1/h22=rce很大，约为105，可忽略，得到简化电路b ebcrbb rb erb cCb cCb e我们曾经：第2
3、4页/共32页晶体管的混合模型的简化弥勒等效第25页/共32页密勒补偿 在获得同样补偿的情况下，补偿电容比简单滞后补偿的电容小得多。在最低的上限频率所在回路加补偿电容。补偿前补偿后第26页/共32页频率特性的波特图f/fH020lg|Au|/dB20045 90 fH400.1 1 10 1000.1 1 10f/fH频率特性频率特性波特图波特图90 f0|Au|10.71045 fHf 3 dB 20 dB/十倍频十倍频 45/十倍频十倍频横轴是对数坐标，表频率低通：第27页/共32页相频特性：以fL对应+450、fH对应-450，连接前后10倍频，450，得 “线”。幅频特性：忽略-3dB
4、的误差，以fL、fH为拐点，得 “折线”P225第28页/共32页第29页/共32页特点：忽略了-3dB的误差，以fL、fH为拐点，得 “折线”作幅频特性波特图的方法：1、横轴上标出0.1fL、fL 和 fH、10 fH 点，2、纵轴上标出-20dB点，3、点(0.1fL，-20dB)与(fL，0dB)，点(10 fH，-20dB)与(fH，0dB)，连线。第30页/共32页作相频特性波特图的方法：1、横轴上标出0.1fL、fL、10fL点，在纵轴上标出00、+450、+900点，(0.1fL、+900)(fL、+450)(10fL、00)连线。2、横轴上标出0.1fH、fH、10 fH点，在纵轴上标出00、-450、-900点，(0.1fH、00)(fH、-450)(10fH、-900)连线。第31页/共32页感谢您的欣赏第32页/共32页