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1、第1章 半导体二极管及其应用电路第1页，此课件共87页哦第第1 1章章 半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路 l本章主要内容：本章主要内容：l1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识 l1.2 半导体二极管半导体二极管 l1.3 特殊二极管特殊二极管 l1.4 半导体二极管的应用半导体二极管的应用 l1.5 本章小结本章小结第2页，此课件共87页哦1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识l1.1.1 半导体的导电特性l1.1.2 PN结 第3页，此课件共87页哦1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性 自然界中的各种物质按其导电性能的不同可划分为：导体、半导体和绝缘
2、体。l一、半导体的特点l（1）热敏性l（2）光敏性l（3）掺杂性第4页，此课件共87页哦二、本征半导体 半导体按其是否掺入杂质来划分，又可分为：本征半导体和杂质半导体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第5页，此课件共87页哦（1）本征半导体的原子结构及共价键 共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。图1-1所示为硅和锗的原子结构和共价键结构。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第6页，此课件共87页哦图1.1 硅和锗的原子结构和共价键结构 1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性
3、半导体的导电特性第7页，此课件共87页哦（2）本征激发现象 当温度升高或受光照射时，共价键中的价电子获得足够能量，从共价键中挣脱出来，变成自由电子；同时在原共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴。在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，所以称之为电子空穴对。本征激发所产生的电子空穴对如图1-2所示。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第8页，此课件共87页哦图1-2 本征激发产生电子空穴对1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第9页，此课件共87页哦在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子和空穴产生相对的填补运动。这样，电子和空穴就产生了相对
4、移动，它们的运动方向相反，而形成的电流方向是一致的。由此可见，本征半导体中存在两种载流子：电子和空穴，而导体中只有一种载流子：自由电子，这是半导体与导体的一个本质区别。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第10页，此课件共87页哦图1-3 束缚电子填补空穴的运动1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性电子和空穴产生了相对移动，虽然运动方向相反，但产生电流的方向一致，因而半导体中有两种载流子参与导电。这是半导体与导体的本质区别。第11页，此课件共87页哦三、杂质半导体 在本征半导体中加入微量杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两
5、类：电子型（N型）半导体和空穴型（P型）半导体。（1）P型半导体 在纯净的半导体材料硅（或锗）中掺入微量的三价元素（如硼），则可构成P型半导体。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第12页，此课件共87页哦 因3价元素只有3个价电子，在与相邻的硅（或锗）原子组成共价键时，由于缺少一个价电子，在晶体中便产生一个空位，邻近的束缚电子如果获取足够的能量，有可能填补这个空位，使原子成为一个不能移动的负离子，半导体仍然呈现电中性。如果满足本征激发条件，半导体中也会产生电子空穴对。如图1-4所示。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第13页，此课件共87页哦图1-4
6、 P型半导体共价键结构与简化示意图 电子-空穴对1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第14页，此课件共87页哦P型半导体的特点：多数载流子为空穴；少数载流子为自由电子。（2）N型半导体 在纯净的半导体材料硅（或锗）中掺入微量的五价元素（如磷），则可构成N型半导体。因磷原子有5个价电子，它取代硅（或锗）原子，而与相邻的4个硅（或锗）原子组成4个共价键时，因多出的一个价电子，这个电子便成为自由电子。如图1-5所示。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第15页，此课件共87页哦图1-5 N型半导体的共价键结构及其简化示意图 电子空穴对1.1.1 1.1.1 半
7、导体的导电特性半导体的导电特性第16页，此课件共87页哦N型半导体的特点：多数载流子为自由电子；少数载流子为空穴。结论：v杂质半导体中的多数载流子的浓度与掺杂浓度有关；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关。1.1.1 1.1.1 半导体的导电特性半导体的导电特性第17页，此课件共87页哦1.1.21.1.2 PN结结一PN结的形成 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动，如图1-6所示。第18页，此课件共87页哦图1-6 P型和N型半导体交界处载流子的扩散 1.1.21.1.2 PN结结第19页，此课件共87页哦 因电子与空穴在扩散过程中会产生复
8、合，所以扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面靠近P区一侧留下了不能移动负离子，靠近N区一侧留下了等量的正离子。P区和N区交界面两侧形成的正、负离子薄层，称为空间电荷区。1.1.21.1.2 PN结结第20页，此课件共87页哦 由于空间电荷区的出现，建立了PN结的内电场。电场的出现阻碍了扩散运动的进行，却有利于少数载流子的漂移运动，当两种运动达到动态平衡时，形成的稳定空间电荷区就是所谓的PN结。如图1-7所示。PN结内部载流子运动动态演示1.1.21.1.2 PN结结第21页，此课件共87页哦图1-7 PN结的形成 1.1.21.1.2 PN结结第22页，此课件共87页哦二PN结的
9、单向导电性 PN结最基本的特性就是单向导电性，即外加正向电压时，PN结导通；外加反向电压时，PN结截止。（1）外加正向电压 当PN结加上正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极。此时，称PN结加正向偏置电压，简称“正偏”，如图1-8所示。1.1.21.1.2 PN结结第23页，此课件共87页哦图1.8 PN结外加正向电压 1.1.21.1.2 PN结结第24页，此课件共87页哦（2）外加反向电压 P区接电源的负极，N区接电源的正极，称为PN结外加反向电压，又称为PN结反向偏置，简称“反偏”，如图1-9所示。在常温下，由于少数载流子有限，因而反向电流十分微弱，近似为零，所以称为反向截止。1.1
10、.21.1.2 PN结结当温度一定，增加外加反向电压增加而通过PN结的反向电流几乎不随着改变的这种现象，称之为饱和，这时形成的反向电流称为反向饱和电流。第25页，此课件共87页哦图1-9 PN结外加反向电压 1.1.21.1.2 PN结结第26页，此课件共87页哦三PN结的反向击穿特性 所谓反向击穿，是指当PN结的反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大的现象。PN结的击穿现象有下列两类：1.1.21.1.2 PN结结第27页，此课件共87页哦（1）雪崩击穿 当外加反向电压超过某一值时，PN结内的少数载流子受电场力的加速作用，获取较大的动能，在前进过程中与原子核发生碰撞，因碰撞出产生新的电子
11、空穴对，造成载流子的猛增，使反向电流急剧增大，这种形式的PN结击穿称为雪崩击穿。1.1.21.1.2 PN结结第28页，此课件共87页哦（2）齐纳击穿 在掺杂浓度较大的PN结中，空间电荷区极窄（微米数量级），这样较小的反向电压就能使空间电荷区形成很强的电场，强电场足以破坏共价键，将束缚电子从共价键中分离出来，产生大量的电子空穴对，形成较大的反向电流，这种击穿称为齐纳击穿。必须注意：上述两种电击穿过程是可逆的，前提是反向电流和反向电压的乘积不超过PN结允许的耗散功率。否则，管子将因结温过高而烧毁。1.1.21.1.2 PN结结第29页，此课件共87页哦综上所述，可总结为以下几个方面：本征半导体中
12、，电子与空穴总是成对出现。杂质半导体有：P型和N型。在P型半导体中，多子是空穴，少子是电子；在N型半导体中，多子是电子，少子是空穴。多子的浓度只与掺杂浓度有关，少子的浓度只与温度等激发条件有关。1.1.21.1.2 PN结结第30页，此课件共87页哦因浓度差的存在，多子产生扩散运动，形成较大的扩散电流；在内电场的作用下，少子产生漂移运动，形成很小的漂移电流（反向饱和电流）。PN结的主要特性就是单向导电性。1.1.21.1.2 PN结结第31页，此课件共87页哦1.2 半导体二极管半导体二极管l1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号l1.2.2 二极管的伏安特性曲线l1.2.3 二极管的主要
13、参数l1.2.4 二极管的命名与分类l1.2.5 二极管的判别 第32页，此课件共87页哦1.2.1 1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号二极管的结构及其在电路中的符号半导体二极管是在一个PN结的两个区引出两个电极引线，并用一定的外壳封装而制成的。其结构示意图、常用电路符号及常见外型符号如图1-10所示。第33页，此课件共87页哦图1-10 二极管的结构示意图和电路符号 1.2.1 1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号二极管的结构及其在电路中的符号第34页，此课件共87页哦二极管的分类：按其材料可分为：锗二极管、硅二极管。其中，硅二极管的热稳定性比锗二极管的热稳定性要好的多。按用途
14、可分为：普通二极管、整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管等。按其结构不同可分为：点接触型、面接触型和平面型3类。分别如图1-11（a）、（b）和（c）所示。1.2.1 1.2.1 二极管的结构及其在电路中的符号二极管的结构及其在电路中的符号第35页，此课件共87页哦图1-11 半导体二极管的常用结构 第36页，此课件共87页哦1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线 所谓伏安特性是指二极管两端的电压U与流过二极管电流I的关系。一正向特性 是指二极管两端外加正向电压时，电流和电压的关系称为二极管的正向特性，如图1-12中曲线A所示。第37页，此课件共
15、87页哦图1-12 硅二极管的典型特性曲线 死区正向特性反向特性反向击穿特性ISui第38页，此课件共87页哦二反向特性 二极管外加反向电压时，电流和电压的关系称为二极管的反向特性。由图1-12可见，二极管外加反向电压时，反向电流很小（I-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。小功率硅管的反向饱和电流IS一般小于0.1A，而锗管的IS约为几个微安。此外，温度对特性曲线有较大影响。1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线第39页，此课件共87页哦三二极管的等效电路模型（1）理想电路模型 如图1-13所示。在正向偏置
16、时，其管压降为0V，相当于开关闭合（短路）；反偏时，反向电流为零，相当于开关断开（开路）。通常把这种特性称为二极管的开关特性。在实际电路中，当二极管的正向压降远小于与之串联电阻上电压降时，可用此模型来近似分析。1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线第40页，此课件共87页哦图1-13 理想模型 第41页，此课件共87页哦（2）恒压降模型当二极管正向导通时的压降不能忽略时，其理想化伏安特性如图1-14（a）所示。通常硅管的正向导通电压Uth取值约为0.7V，锗管的正向导通电压Uth取值约为0.3V。二极管正向导通，相当于短路；二极管截止，相当于开路。图1-14（b）是其
17、等效电路。1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线第42页，此课件共87页哦图1-14 考虑恒压降的理想模型 第43页，此课件共87页哦（3）二极管的小信号模型 如果二极管工作在静态工作点附近很小的范围内，则可以把在Q点附近的伏安特性曲线看成一条直线，其斜率的倒数就是所要求的小信号模型的微变等效电阻rd，如图1-15（a）所示。1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线第44页，此课件共87页哦图1-15 小信号模型 1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性曲线二极管的伏安特性曲线如果二极管的工作频率较高，结电容不能忽略时，其交流等效电路如图1-1
18、5（b）所示。必须注意，rd和Cj均与工作点有关。第45页，此课件共87页哦1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数 器件的参数是对其特性的定量描述，是正确使用和合理选择器件的依据。普通二极管的主要参数有以下几个：一、二极管的直流参数（1）最大整流电流IFM（2）最高反向工作电压URM（3）反向电流IR（4）直流电阻RD（物理意义如图1-16a所示）第46页，此课件共87页哦2二极管的交流参数（1）交流电阻rd 交流电阻rd是工作点Q附近电压与电流的变化量之比，即：1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第47页，此课件共87页哦图1-16 二极管电阻的几何意义
19、 第48页，此课件共87页哦（2）结电容Cj PN结的结电容Cj由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。势垒电容CB 势垒电容的影响主要表现在反向偏置状态时。1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第49页，此课件共87页哦扩散电容CD 该等效电容是由载流子的扩散运动随外加电压的变化引起的，所以称为扩散电容，用CD表示。如果外加电压发生变化，引起电容效应可以认为是CB与CD的并联。因此，PN结总的结电容Cj为：Cj=CB+CD 1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第50页，此课件共87页哦 PN结正向偏置时，结电容主要取决于扩散电容，即CjCD。而反向偏置
20、时，结电容主要取决于势垒电容，即有CjCB。（3）最高工作频率fM 二极管的最高工作频率fM主要由结电容的大小来决定。若工作频率超过了最高工作频率fM，则二极管的单向导电性变坏。1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第51页，此课件共87页哦1.2.4 1.2.4 二极管的命名与分类二极管的命名与分类一、半导体二极管的命名方法 二极管的种类繁多，国内外都采用各自的命名方法加以区别。我国国产半导体器件的命名方法采用国家GB249-74标准。半导体的型号由5部分组成，其型号组成部分及各部分的表示符号和其意义见附录一。如2AP6，“2”表示电极数为2，“A”表示N型锗材料，“P”表
21、示普通管，“6”表示序号。第52页，此课件共87页哦二、导体二极管的分类（1）按材料分：有硅、锗二极管和砷化镓二极管等。（2）按结构分：有点接触型、面接触型二极管。（3）按用途分：有整流、稳压、开关、检波、变容等二极管。（4）按封装分：有塑料封及金属封等二极管。（5）按功率分：有大功率、小功率等二极管。1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第53页，此课件共87页哦1.2.5 1.2.5 二极管的判别二极管的判别一、判别方法：识别法：通过二极管管壳上的符号、标志来识别。如果管壳上没有符号或标志不清，就需要用万用表进行检测。检测法：选用万用表的欧姆档，量程为R100或R1k档测
22、量其正反向电阻（一般不用R1档，因为电流太大；而R10k档的电压太高，管子有被击穿的危险）。测试方法见图1-17。第54页，此课件共87页哦图1-17 二极管极性及好坏的测试1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第55页，此课件共87页哦二、检测法判别步骤（1）二极管好坏的判别 若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第56页，此课件共87页哦（2）二极管正、负
23、极性的判断 将万用表红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。1.2.3 1.2.3 二极管的主要参数二极管的主要参数第57页，此课件共87页哦1.3 特殊二极管特殊二极管l1.3.1 硅稳压二极管l1.3.2 光电二极管和光电池l1.3.3 发光二极管和光电耦合器 第58页，此课件共87页哦1.3.1 1.3.1 硅稳压二极管硅稳压二极管 稳压二极管是一种特殊工艺制造的结面型硅二极管。它是利用PN结反向击穿时，流过
24、PN结的电流在很大的范围内变化，而管子两端的电压基本不变的特点来实现稳压的。稳压二极管通常工作在反向击穿状态。第59页，此课件共87页哦一、稳压管及其伏安特性 稳压二极管简称稳压管，它的伏安特性曲线及其电路符号如图1-18所示。1.3.1 1.3.1 硅稳压二极管硅稳压二极管第60页，此课件共87页哦图1-18 稳压二极管的特性曲线和符号 第61页，此课件共87页哦二、稳压管的主要参数（1）稳定电压UZ（2）最小稳定电流IZmin（3）最大稳定电流IZmax（4）额定功耗PZ（5）动态电阻rZ（6）温度系数z1.3.1 1.3.1 硅稳压二极管硅稳压二极管第62页，此课件共87页哦三、稳压管的
25、应用 最常用的并联型稳压电路如图1-19所示。图1-19 稳压管并联型稳压电路 1.3.1 1.3.1 硅稳压二极管硅稳压二极管第63页，此课件共87页哦 所谓稳压，就是当输入电压ui或负载电阻RL发生变化时，输出电压uo要基本保持不变。该电路的稳压原理是：当ui或RL发生变化时，稳压二极管VD的电流发生相应的变化，使uo基本保持不变。例如：若uiuoIZI（=IZ+IL）uRuo（=uiuR）基本不变，当ui下降时，稳压过程相同，但各电量变化趋势相反。同理，当ui一定，RL发生变化时，稳压管两端的电压仍然基本保持不变。1.3.1 1.3.1 硅稳压二极管硅稳压二极管第64页，此课件共87页哦
26、1.3.2 1.3.2 光电二极管和光电池光电二极管和光电池一、光电二极管 光电二极管又称光敏二极管，是一种将光信号转换成电信号的特殊二极管，可用作为光的检测。它的结构与普通二极管类似，但和普通二极管不同的是，它的PN结是在反向偏置状态下运行。图1-20中，图（a）是光电二极管的代表符号，图（b）是它的特性曲线。其主要特点是：它的反向电流与照度成正比。第65页，此课件共87页哦图1-20 光电二极管 第66页，此课件共87页哦图1-21 光电二极管的简单使用 1.3.2 1.3.2 光电二极管和光电池光电二极管和光电池第67页，此课件共87页哦二、光电池 硅光电池是一种将光能直接转换成电能的半
27、导体器件，又叫太阳能电池。图1-22所示电路是由光电池控制的直流电源开关电路。1.3.2 1.3.2 光电二极管和光电池光电二极管和光电池第68页，此课件共87页哦图1-22 光电池控制电路 1.3.2 1.3.2 光电二极管和光电池光电二极管和光电池当光电池PC1、PC2受到光照射而产生电势时，单向晶闸管SK导通，若开关K1合，则此时便有9V直流电压加于负载上。第69页，此课件共87页哦1.3.3 发光二极管和光电耦合器一、发光二极管 发光二极管是一种将电能转换成光能的特殊二极管，简写成LED（英文Light Emitting Diode的缩写），其代表符号如图1-23所示。发光二极管是一种
28、电流控制器件，发光二极管常用作显示器件。应用电路举例如图1-24所示：图1-23 发光二极管的代表符号 第70页，此课件共87页哦图1-24 发光二极管应用电路（一）1.3.3 发光二极管和光电耦合器第71页，此课件共87页哦图1-24 发光二极管应用电路（二）1.3.3 发光二极管和光电耦合器第72页，此课件共87页哦二、光电耦合器 光电耦合器是由发光二极管器件与光敏器件组成的，因而其结构中的两大部分就是发光二极管和光敏器件。光电耦合的结构如图1-25（a）所示。图1-25（b）所示，是一个电流、电压分别为10A、25V的直流固态继电器电路。当控制电压（+3V+5V）加在光电耦合输入端后，光
29、敏三极管导通，经过放大后就可以控制高压直流端负载与电源接通。1.3.3 发光二极管和光电耦合器第73页，此课件共87页哦图1-25 光电耦合器的结构及其应用 1.3.3 发光二极管和光电耦合器第74页，此课件共87页哦1.4 1.4 半导体二极管的应用半导体二极管的应用l1.4.1 整流电路l1.4.2 检波电路l1.4.3 限幅电路l1.4.4 钳位电路 第75页，此课件共87页哦 将交流电转换成单向脉动直流电的过程称为整流。简单的半波整流电路如图1-26（a）所示。将二极管视为理想二极管，假设输入电压ui为正弦波，在ui的正半周（即ui0）时，二极管因正向偏置而导通，输出电压uo=ui；在
30、ui的负半周（即ui 0）时，二极管因反向偏置而截止，输出电压uo=0。该整流电路的输入、输出电压波形如图1-26（b）所示。1.4.1 1.4.1 整流电路整流电路第76页，此课件共87页哦图1-26 二极管半波整流电路1.4.1 1.4.1 整流电路整流电路第77页，此课件共87页哦1.4.2 1.4.2 检波电路检波电路 在接收机中，将低频信号从高频调制信号中检取出来的过程，称为检波，实现检波的电路称为检波电路。最简单的检波电路如图1-27（a）所示。其基本工作原理：就是利用二极管的单向导电性和电容两端的电压不能突变的特性。假设电容的初始电压为零，输入信号足够大且为单一频率正弦波信号，检
31、波电路对应的输出波形如图1-27（b）所示。第78页，此课件共87页哦1.4.2 1.4.2 检波电路检波电路图1-27 二极管包络检波电路 第79页，此课件共87页哦1.4.3 1.4.3 限幅电路限幅电路l 将输出电压的电平限制在预置的电平范围内，用于限制输入信号的峰值，有选择地传输一部分电压的电路，称为限幅电路，如图1-28所示（a）。l若图中硅二极管VD采用具有恒压降的理想电路模型，则当输入电压uiUREF+Uth=5.7V时，二极管VD导通，管压降为0.7V，输出电压uo保持在5.7V的限幅电平上；当输入电压ui UREF+Uth=5.7V时，二极管VD截止，二极管相当于开路，则输出
32、电压uo=ui，输入、输出波形如图1-28（b）所示。第80页，此课件共87页哦图1-28 二极管限幅电路 1.4.3 1.4.3 限幅电路限幅电路第81页，此课件共87页哦1.4.4 1.4.4 钳位电路钳位电路l将输入信号的顶部或底部钳位于某一直流电平上的电路，称为钳位电路。l图1-29（a）所示为一个二极管钳位电路。当输入信号为一脉冲电压时，对应的输出波形如图1-29（b）所示。第82页，此课件共87页哦图1-29 二极管钳位电路 1.4.4 1.4.4 钳位电路钳位电路第83页，此课件共87页哦1.5 1.5 本章小结本章小结 l1基础知识l（1）常用的半导体材料有硅、锗等。本征半导体
33、的特点是电导率低，具有热敏性、光敏性、掺杂性等。而且掺杂性对导电性能影响很大。l（2）半导体的载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子带负电，空穴带正电。第84页，此课件共87页哦（3）杂质半导体的特点是电导率高。杂质半导体有两种类型：N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子。（4）多子的浓度与掺杂浓度有关，少子的浓度与温度等激发因素有关。（5）PN结具有单向导电性，它是构成各种半导体器件的基础。1.5 1.5 本章小结本章小结 第85页，此课件共87页哦2二极管的基本特性（1）二极管的特点是：单向导电性。（2）二极管的伏安特性是非线性关系。（3）二极管的参
34、数主要包括：性能参数和极限参数。极限参数主要有：最高工作频率、最大允许反向工作电压、最大允许电流和额定耗散功率等。性能参数有：直流电阻和交流电阻。两者不仅含义不同，而且与使用条件有关。1.5 1.5 本章小结本章小结 第86页，此课件共87页哦3二极管的应用 二极管的应用主要是利用了二极管的单向导电性，是整流、检波、限幅、钳位等应用中的主要器件。判断二极管在电路是否导通，一般采用的判断方法是：假设二极管从电路中断开，看二极管两端正向开路电压是否大于其导通电压（理想情况下与0比较）。若正向电压大于其导通电压（或0），则二极管接入后必将导通；反之，二极管接入后必将处于截止状态。1.5 1.5 本章小结本章小结 第87页，此课件共87页哦