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1、半导体二极管及其电路分析备第1页，此课件共75页哦温故知新温故知新内容：回路总电压和为零。内容：回路总电压和为零。方法：方法：1、选择合适回路。、选择合适回路。2、标出回路中各元件电压方向、标出回路中各元件电压方向3、若元件电压方向和回路绕行方向相、若元件电压方向和回路绕行方向相同则电压为正，反之为负。同则电压为正，反之为负。4、列回路方程解题。、列回路方程解题。5、学会用工程观点解决问题（估算法）、学会用工程观点解决问题（估算法）第2页，此课件共75页哦第一章第一章 半导体二极管及其电路分析半导体二极管及其电路分析 半导体器件是构成电路的基本元半导体器件是构成电路的基本元件，构成半导体器件的
2、材料是经过加件，构成半导体器件的材料是经过加工的半导体材料，因此半导体材料的工的半导体材料，因此半导体材料的性质在很大程度上决定了半导体器件性质在很大程度上决定了半导体器件的性能。的性能。新语新知新语新知第3页，此课件共75页哦1.1 1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识1.2 1.2 半导体二极管及其特性半导体二极管及其特性1.3 1.3 二极管基本应用电路二极管基本应用电路及其分析方法及其分析方法1.4 1.4 特殊二极管特殊二极管第4页，此课件共75页哦1.1 1.1 半导体的基础知识半导体的基础知识 自然界中的物体，根据导电能力自然界中的物体，根据导电能力(电阻率电阻率)可可分为：
3、导体、绝缘体、半导体。分为：导体、绝缘体、半导体。常见的半导体材料为硅（常见的半导体材料为硅（SiSi）和锗（）和锗（GeGe）。）。价电子价电子价电子价电子惯性核惯性核第5页，此课件共75页哦1.1.1 1.1.1 本征半导体本征半导体共价键：共价键：半导体的基础知识半导体的基础知识对电子束缚较强对电子束缚较强电子电子 -空穴空穴 载流子载流子1 1、本征半导体中电子空穴成对出现，且、本征半导体中电子空穴成对出现，且数量少数量少 结论：结论：2 2、半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电、半导体中有电子和空穴两种载流子参与导电3 3、本征半导体导电能力、本征半导体导电能力弱弱，并与，并与光照
4、和温度光照和温度有关有关。第6页，此课件共75页哦 制造半导体器件的材料不是本征半制造半导体器件的材料不是本征半导体，而是人为的掺入杂质的半导体，导体，而是人为的掺入杂质的半导体，目的是为了提高半导体的导电能力目的是为了提高半导体的导电能力 1.1.2 1.1.2 杂质半导体杂质半导体1 1、掺入、掺入5 5价元素（价元素（磷、砷、锑磷、砷、锑）2 2、掺入、掺入3 3价元素（价元素（硼、铝、铟硼、铝、铟）第7页，此课件共75页哦1 1 掺入掺入5 5价元素（磷）价元素（磷）自由电子电子电子为多数载流子为多数载流子多多子子空穴空穴为少数载流子为少数载流子少少子子掺杂磷掺杂磷产生的自由电子数产生
5、的自由电子数本征激发本征激发产生产生 的电子数的电子数自由电子数自由电子数空穴数空穴数N N型半导体型半导体载流子数载流子数 电子数电子数磷原子：磷原子：施主原子施主原子杂质半导体杂质半导体第8页，此课件共75页哦N N型半导体的简化图示型半导体的简化图示多子少子第9页，此课件共75页哦2 2 掺入掺入3 3价元素（硼）价元素（硼）掺杂硼产生的空穴数掺杂硼产生的空穴数热激发产生的空穴热激发产生的空穴空穴数空穴数自由电子自由电子空穴空穴为为多子多子电子电子为为少子少子P P型半导体型半导体硼原子：硼原子：受主原子受主原子载流子数载流子数 空穴数空穴数第10页，此课件共75页哦P P型半导体的简化
6、图示型半导体的简化图示多子少子第11页，此课件共75页哦3 3 半导体的导电性半导体的导电性 空空 穴穴 自由电子I=IP+IN本征半导体电流很弱。本征半导体电流很弱。N N型半导体：型半导体：IINP P型半导体：型半导体：IIP第12页，此课件共75页哦 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响。的影响。一些典型的数据如下一些典型的数据如下:T T=300K=300K室温下室温下,本征硅的电子和空穴浓度本征硅的电子和空穴浓度:n n=p p=1.410=1.4101010/cm/cm3 3掺杂后掺杂后 N N 型半导体中的自由电子浓度型半导体中的自由电子浓
7、度:n=n=5105101616/cm/cm3 3以上两个浓度基本上依次相差以上两个浓度基本上依次相差10106 6/cm/cm3 34 4杂质对半导体导电性的影响杂质对半导体导电性的影响第13页，此课件共75页哦 N N型半导体：电子为多子，空穴为少子型半导体：电子为多子，空穴为少子 载流子数载流子数自由电子数自由电子数 施主原子提供电子，不能移动，带正电。施主原子提供电子，不能移动，带正电。总结：总结：P P型半导体：空穴为多子，电子为少子型半导体：空穴为多子，电子为少子 载流子数载流子数空穴数空穴数 受主原子提供空穴，不能移动，带负电。受主原子提供空穴，不能移动，带负电。第14页，此课件
8、共75页哦1.1.3 PN1.1.3 PN结及其单向导电性结及其单向导电性一一 PNPN结的结的形成形成PN电子电子空穴空穴由于载流子的由于载流子的浓度差浓度差引起多子的引起多子的扩散运动扩散运动由于由于复合复合使交界面形成使交界面形成空间电荷区（空间电荷区（耗尽区耗尽区）空间电荷区空间电荷区内建电场内建电场阻碍多子的扩散运动阻碍多子的扩散运动有利于少子的漂移运动有利于少子的漂移运动第15页，此课件共75页哦引起载流子定向移动的类型引起载流子定向移动的类型1 1、扩散电流扩散电流：载流子的浓度差引起：载流子的浓度差引起2 2、漂移电流漂移电流：由于电场引起的定向移动：由于电场引起的定向移动在在
9、PNPN结中扩散和漂移最后达到结中扩散和漂移最后达到动态平衡动态平衡即扩散电流漂移电流，总电流即扩散电流漂移电流，总电流0 0PNPN结结第16页，此课件共75页哦PNPN结结二、二、PN PN 结的单向导电性结的单向导电性1 1 正向偏置正向偏置（P P区接电源正极，区接电源正极，N N区接电源负极）区接电源负极）内电场内电场外电场外电场 外电场的作用使空间电荷区变外电场的作用使空间电荷区变窄窄，扩散运动，扩散运动加剧，漂移运动减弱，从而形成加剧，漂移运动减弱，从而形成正向电流正向电流。此时此时PNPN结呈现低阻态，结呈现低阻态，PNPN结处于结处于导通导通状态，理想模状态，理想模型为闭合开
10、关。型为闭合开关。第17页，此课件共75页哦PNPN结结2 2 反向偏置反向偏置（P P区接电源负极，区接电源负极，N N区接电源正极）区接电源正极）内电场内电场外电场外电场 外电场的作用使空间电荷区变外电场的作用使空间电荷区变宽宽，扩散运，扩散运动变弱，漂移运动加强，从而形成动变弱，漂移运动加强，从而形成反向电流，反向电流，也称为漂移电流也称为漂移电流。此时此时PNPN结呈现高阻态，漂移电流很小，此时结呈现高阻态，漂移电流很小，此时PNPN结处于结处于截止截止状态，模型相当于开关打开。状态，模型相当于开关打开。第18页，此课件共75页哦结论结论 PNPN结结反向偏置反向偏置时，呈现高电阻，具
11、有很时，呈现高电阻，具有很小的小的反向漂移电流反向漂移电流，且和温度有关。且和温度有关。PNPN结结正向偏置正向偏置时，呈现低电阻，具有较时，呈现低电阻，具有较大的大的正向扩散电流正向扩散电流；由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单向导电结具有单向导电性性。PNPN结结第19页，此课件共75页哦1 1、N N型半导体带负电，型半导体带负电，P P型半导体带正电。这种说法型半导体带正电。这种说法是否正确？是否正确？3 3、N N型半导体的多子是（），型半导体的多子是（），P P型半导体的多子是型半导体的多子是（）。（）。4 4、PNPN结中扩散电流的方向是从（结中扩散电流的方向是从
12、（）区指向（）区指向（）区，）区，漂移电流的方向是（漂移电流的方向是（）区指向（）区指向（）区。）区。温故知新温故知新2 2、SiSi参杂（参杂（）形成）形成N N型半导体，掺杂（型半导体，掺杂（）形）形成成P P型半导体。型半导体。第20页，此课件共75页哦5 5、解释、解释PNPN结结正向偏置正向偏置。9 9、PNPN结单向导电性是指什么？结单向导电性是指什么？PNPN结结温故知新温故知新6 6、PNPN结结正向偏置正向偏置后所具有的特点后所具有的特点。7 7、解释、解释PNPN结结反向偏置反向偏置。8 8、PNPN结结反向偏置反向偏置后所具有的特点。后所具有的特点。第21页，此课件共75
13、页哦1.2.1 1.2.1 二极管的结构与类型二极管的结构与类型构成：构成：PN PN 结结 +管壳管壳 +引线引线=二极管二极管(Diode)(Diode)1.2 1.2 半导体二极管及其特性半导体二极管及其特性第22页，此课件共75页哦二极管的符号：二极管的符号：正极（阳极）正极（阳极）负极（阴极）负极（阴极）半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第23页，此课件共75页哦分类：分类：按材料分按材料分硅二极管硅二极管锗二极管锗二极管按结构分按结构分点接触型点接触型面接触型面接触型平面型平面型半导体二极管的类型半导体二极管的类型稳压二极管稳压二极管按用途分按用途分整流二极管整流二极
14、管开关二极管开关二极管检波二极管检波二极管第24页，此课件共75页哦点接触型点接触型 PNPN结面积小，结电容小，用于检结面积小，结电容小，用于检波和变频等波和变频等高频小电流高频小电流电路。电路。半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第25页，此课件共75页哦面接触型面接触型 PNPN结面积大，结面积大，用于工频大电流用于工频大电流整流电路。整流电路。半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第26页，此课件共75页哦平面型二极管平面型二极管 往往用于集成往往用于集成电路制造工艺中。电路制造工艺中。PN PN 结面积可大可小，结面积可大可小，用于高频整流和开用于高频整流和开关
15、电路中。关电路中。半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第27页，此课件共75页哦tiaotiao第28页，此课件共75页哦1.2.2 1.2.2 二极管的伏安特性二极管的伏安特性半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管二极管的伏安特性曲线可用下式表示二极管的伏安特性曲线可用下式表示正向特性正向特性Uth死区电压反向特性反向特性ISOuD/ViD/mA-U(BR)反反向向击击穿穿U第29页，此课件共75页哦一一 正向特性正向特性iD=0Uth=0.5V 0.1V(硅管硅管)(锗管锗管)U Uthi iD D 急剧上升急剧上升0 U UthUD(on)=(0.6 0.8)V硅管
16、硅管0.7V(0.1 0.3)V锗管锗管0.2VOuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth反向特性反向特性IS-U(BR)反反向向击击穿穿第30页，此课件共75页哦-U(BR)U 0iD=IS(硅硅)0.1 0.1 A A (锗锗)几十几十 A AU-U(BR)反向电流急剧增大反向电流急剧增大(反向击穿反向击穿)二二 反向特性反向特性OuD/ViD/mA正向特性正向特性Uth反向特性反向特性IS-U(BR)反反向向击击穿穿第31页，此课件共75页哦硅管的伏安特性硅管的伏安特性锗管的伏安特性锗管的伏安特性6040200.020.040 0.4 0.82550iD/mAuD/ViD/mAuD/V0
17、.20.42550510150.010.020第32页，此课件共75页哦三三 反向击穿特性：反向击穿特性：电击穿电击穿热击穿热击穿反向击穿原因反向击穿原因：齐纳击穿齐纳击穿：(Zener)(Zener)反向电场太强，将电子强行拉出共价键。反向电场太强，将电子强行拉出共价键。(击穿电压击穿电压 6 V 6 V 6 V)第33页，此课件共75页哦四四 温度对二极管特性的影响：温度对二极管特性的影响：606040402020 0.02 0.020 00.40.425255050i iD D /mA/mAu uD D/V/V2020 C C9090 C C随着温度的升高，随着温度的升高，正向正向特性曲
18、线特性曲线左移左移，即，即正向压降减小；正向压降减小；反向反向特性曲线特性曲线下移下移，即反向电流增大。即反向电流增大。一般在室温附近，温度每一般在室温附近，温度每升高升高11，其，其正向压正向压降减小降减小2-2.5mV2-2.5mV；温度每；温度每升高升高1010，反向电流反向电流大约大约增大增大1 1倍左右。倍左右。半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第34页，此课件共75页哦1.2.3 1.2.3 二极管的参数二极管的参数1.1.I IF F 最大整流电流最大整流电流(二极管长期连二极管长期连续工作时允许通过的最大正向平续工作时允许通过的最大正向平均电流均电流 )2 2.U
19、 UBR BR 管子反向击穿时的电压管子反向击穿时的电压半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管3 3.U URM RM 最高反向工作电压最高反向工作电压，实际上只实际上只按照按照U U(BR)(BR)的一半来计算的一半来计算第35页，此课件共75页哦4 4.I IR R 反向电流反向电流(管子未被击穿前的反管子未被击穿前的反 向电流，该值越小单向导电性越好向电流，该值越小单向导电性越好)6 6.f fM M 最高工作频率最高工作频率(二极管工作的二极管工作的 上限频率，超过该频率时，结电容起上限频率，超过该频率时，结电容起 作用，不能很好的体现单相导电性作用，不能很好的体现单相导电性
20、)。5 5.U UD(on)D(on)导通电压：导通电压：二极管在正向电压工二极管在正向电压工作时，管两端会产生正向电压降，其作时，管两端会产生正向电压降，其压降值越小管越好。硅为压降值越小管越好。硅为0.7V0.7V，锗，锗为为0.2V0.2V。半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第36页，此课件共75页哦一、理想二极管一、理想二极管特性曲线特性曲线uDiD符号及等效模型：符号及等效模型：S正偏导通，正偏导通，u uD D=0=0；反偏截止，反偏截止，i iD D=0=0S1.3 1.3 二极管基本应用电路及其分析方法二极管基本应用电路及其分析方法半导体二极管半导体二极管半导体二
21、极管半导体二极管第37页，此课件共75页哦二、二极管的恒压降模型二、二极管的恒压降模型uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7V(Si)0.2V(Ge)iDuDU(BR)IFURMO半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第38页，此课件共75页哦硅二极管基本电路如图所示，试求电流硅二极管基本电路如图所示，试求电流I1,I2,IO,和和UO例例半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第39页，此课件共75页哦1 1、二极管符号、二极管符号温故知新温故知新温故知新温故知新半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管2 2、二极管的正向恒压特性、二极管的正向恒压特性3 3、
22、二极管的导通电压、二极管的导通电压4 4、理想模型二极管的导通、截止条件、理想模型二极管的导通、截止条件5 5、恒压降模型二极管的导通、截止条件、恒压降模型二极管的导通、截止条件6 6、二极管基本电路的解题步骤、二极管基本电路的解题步骤第40页，此课件共75页哦温故知新温故知新半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管6 6、二极管基本电路的解题步骤、二极管基本电路的解题步骤1)1)标出二极管正负极标出二极管正负极2)2)去掉二极管，判断去掉二极管，判断V V+和和V V-3)3)利用不同的模型判断二极管状态（导通或截利用不同的模型判断二极管状态（导通或截止），在二极管不同的状态下解题止
23、），在二极管不同的状态下解题第41页，此课件共75页哦二极管基本电路如图所示，二极管基本电路如图所示，V VDDDD=10=10V V，应用理，应用理想模型求解电路的想模型求解电路的U UD D和和I ID D。例例1ID=（VDD-UD）R=（10-0）V10K=1mAUD=0V解：解：半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第42页，此课件共75页哦1 1、限幅电路：、限幅电路：它是用来让信号在预置的电平范围它是用来让信号在预置的电平范围内，有选择地传输一部分。内，有选择地传输一部分。例例：一限幅电路如图所示，：一限幅电路如图所示，R R=1K=1K，V VREFREF=3V=3V
24、。当。当U Ui i=6sint(V)=6sint(V)时，利用时，利用恒压降模型恒压降模型绘出相应的输出绘出相应的输出电压电压U UO O的波形。二极管的恒压降为的波形。二极管的恒压降为0.7V0.7V。Ui3.7V时时D导通，导通，UO=0.7+3=3.7VUi0V时时D2、D3导通，导通，UO=UiUi0V时时D4、D1导通，导通，UO=-Ui半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第49页，此课件共75页哦半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第50页，此课件共75页哦 二极管的单向导电性应用很二极管的单向导电性应用很广，可用于：限幅、整流、开关、广，可用于：限幅、整
25、流、开关、检波、元件保护等。检波、元件保护等。应用应用半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第51页，此课件共75页哦三、二极管的折线近似模型三、二极管的折线近似模型uDiDUONUI斜率斜率1/1/r rD DrDUONiDuDU(BR)IFURMO半导体二极管半导体二极管半导体二极管半导体二极管第52页，此课件共75页哦三三 小信号模型小信号模型 如果二极管工作在如果二极管工作在V-IV-I特特性的某一小范围内工作时，性的某一小范围内工作时，则可以把则可以把V-IV-I特性看成一条特性看成一条直线，其斜率的倒数就是动直线，其斜率的倒数就是动态电阻态电阻 r rd d半导体二极管半
26、导体二极管半导体二极管半导体二极管第53页，此课件共75页哦例例:如图所示如图所示,输入电压输入电压UI为为10V,分析当分析当UI变变化化1V时时,输出电压输出电压UO的相应变化量和输出电的相应变化量和输出电压量压量.第54页，此课件共75页哦1.4 1.4 特殊二极管特殊二极管1.4.1稳压管稳压管 稳压管又称齐稳压管又称齐纳二极管，它是纳二极管，它是一种特殊工艺制一种特殊工艺制造的半导体二极造的半导体二极管。它的符号如管。它的符号如图所示。图所示。第55页，此课件共75页哦 当反向电压加到某当反向电压加到某一定值时一定值时UZ ，产生反，产生反向击穿，反向电流急向击穿，反向电流急剧增加，
27、剧增加，只要控制反只要控制反向电流不超过一定值向电流不超过一定值，管子就不会损坏。管子就不会损坏。1 1、稳压管的伏安特性、稳压管的伏安特性工作在反向击穿特性区工作在反向击穿特性区_第56页，此课件共75页哦2 2、稳压管的主要参数、稳压管的主要参数 稳定电压稳定电压U UZ Z 指规定电流下稳压管的反向击穿电压。稳压指规定电流下稳压管的反向击穿电压。稳压管的稳定电压低的为管的稳定电压低的为3V，高的可达，高的可达300V，它的，它的正向电压约为正向电压约为0.6V。稳定电流稳定电流I IZ Z（I Izminzmin-I-Izmaxzmax ）指稳压管工作在稳压状态时的参考电流。电流低指稳压
28、管工作在稳压状态时的参考电流。电流低于于Izmin时稳压效果变坏，甚至根本不稳压。时稳压效果变坏，甚至根本不稳压。_第57页，此课件共75页哦 额定功耗额定功耗P PZMZM 指稳压管的稳定电压与最大稳定电流的乘积。指稳压管的稳定电压与最大稳定电流的乘积。温度系数温度系数 指温度每变化指温度每变化1 1时稳压值的变化量。时稳压值的变化量。VZ小于小于4V的管子具有负温度系数，的管子具有负温度系数，VZ大于大于7V的管子具有正温的管子具有正温度系数。度系数。4V至至7V的管子温度系数非常小。的管子温度系数非常小。动态电阻动态电阻r rz z 指稳压管两端的电压变化与电流变化之比。曲线越指稳压管两
29、端的电压变化与电流变化之比。曲线越陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好。陡，动态电阻愈小，稳压管的稳压性能愈好。第58页，此课件共75页哦稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻 电阻的作用一是起电阻的作用一是起限流限流作用，以保护稳压管；其次作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以压降的变化，取出误差信号以调节调节稳压管的工作电稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。流，从而起到稳压作用。注意注意第59页，此课件共75页哦接法：接法：反接反接电阻电阻R的作用
30、：的作用：限流限流RL代表：代表：负载负载工作区：工作区：反向击穿反向击穿3 3、稳压管的基本电路、稳压管的基本电路第60页，此课件共75页哦三、应用三、应用 例例1 1：电路如图，求流过稳压管的电流电路如图，求流过稳压管的电流I IZ Z，R R是否是否合适？合适？解：解：故，故，R R是合适的。是合适的。第61页，此课件共75页哦例例2 2：电路如图，电路如图，I IZmaxZmax=50mA=50mA，R R=0.15K,=0.15K,UIUI =24V,=24V,I IZ Z=5mA,=5mA,U UZ Z=12V=12V，问当，问当 R RL L=0.2K =0.2K 时，电时，电路
31、能否稳定，为什么？当路能否稳定，为什么？当 R RL L =0.8K =0.8K 时，电路能时，电路能否稳定，为什么？否稳定，为什么？解：解：第62页，此课件共75页哦例例3 3、电路如图，电路如图，U UI I=1212V V，U UZ Z=6 6V V，R=R=0.150.15K K，I IZ Z=5 5mAmA，I IZMAXZMAX=3030mAmA,问保证电路正常工作时问保证电路正常工作时RLRL 的取值范围的取值范围解：解：第63页，此课件共75页哦例例4 4：已知已知u=10sin(t)V,UZ=6V,IZ=10mA，Izmax=30mA,画出画出uouo的波形，并求限流电阻的波
32、形，并求限流电阻R R的最小值。的最小值。第64页，此课件共75页哦例例5 5：已知：已知u=10sin(t)V,UZ=+6V,IZ=10mA，Izmax=30mA,画出画出uouo的波形，并求限流电阻的波形，并求限流电阻R R的的最小值。最小值。第65页，此课件共75页哦例例6 6：已知已知u=3sin(t)V,UZ=6V,IZ=10mA，Izmax=30mA,画出画出uouo的波形，并求限流电阻的波形，并求限流电阻R R的最小的最小值。值。第66页，此课件共75页哦例例7 7 稳压电路如图所示，直流输入电压稳压电路如图所示，直流输入电压V VI I的电压在的电压在12V13.6V之间。负载
33、为之间。负载为9V的收音机，当它的音量最的收音机，当它的音量最大时，需供给的功率为大时，需供给的功率为0.5W。稳压管的。稳压管的VZ=9V，稳，稳定电流定电流IZmin=5mA，额定功率为，额定功率为1W，R=51。试分。试分析稳压管电路能否正常工作。析稳压管电路能否正常工作。第67页，此课件共75页哦收音机所需电流收音机所需电流流过流过R R的电流为的电流为流过稳压管的电流为流过稳压管的电流为第68页，此课件共75页哦由于收音机音量最大时，稳压管流过的由于收音机音量最大时，稳压管流过的电流电流稳压管的稳定电流范围为：稳压管的稳定电流范围为：所以所以稳压管失去了稳压作用。稳压管失去了稳压作用
34、。第69页，此课件共75页哦其它类型二极管发光二极管光电二极管第70页，此课件共75页哦发光二极管发光二极管 发光二极管是通过电流时发光的一种器件，这发光二极管是通过电流时发光的一种器件，这是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。是由于电子与空穴直接复合而放出能量的结果。发出的光的波长由所使用的基本材料而定。它的发出的光的波长由所使用的基本材料而定。它的符号如图所示。符号如图所示。第71页，此课件共75页哦工作区：工作区：正向偏置正向偏置接法：接法：正接正接作用：作用：把电信号转换成光信号把电信号转换成光信号主要应用：主要应用：作为显示器件作为显示器件第72页，此课件共75页哦光电二极管光电二极管 光电二极管的结构与普通二极管类似，光电二极管的结构与普通二极管类似，但在它的但在它的PNPN结处，通过管壳上的一个玻璃窗口结处，通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。这种器件的能接收外部的光照。这种器件的PNPN结在结在反向偏反向偏置状态置状态下运行，它的反向电流随光照度的增加而下运行，它的反向电流随光照度的增加而上升。它的符号如图所示。上升。它的符号如图所示。第73页，此课件共75页哦接法：接法：反接反接工作区：工作区：反向偏置反向偏置作用：作用：把光信号转换成电把光信号转换成电信号信号第74页，此课件共75页哦光电二极管的伏安特性光电二极管的伏安特性第75页，此课件共75页哦