《第4章 存储器 (2).ppt》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第4章 存储器 (2).ppt（21页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、第四章 存储器【本章内容】本章主要讨论构成微型计算机主存的半导体存储器（SRAM、DRAM、ROM）的种类、工作原理、性能，存储器扩展技术以及计算机存储系统的体系结构并介绍常用的半导体存储器和外部存储器。【本章重点难点】本章要求重点掌握存储器的分类、微型计算机存储系统的体系结构以及存储器的扩展技术。4.1 存储器概述n4.1.1 存储器的分类n1按照存储器所处的位置可分为n内部存储器：位于主机内部，通常简称为内存。n外部存储器：位于主机外部，通常简称为外存。n外存是不直接和CPU相联系的存储器，CPU必须通过I/O接口电路才能访问外部存储器。外存存储容量大，但存取速度慢，常用来存放当前暂时不用
2、的程序和数据。n2按照存储器使用的存储材料分类412 存储器的性能指标n1存储容量n存储容量=字数字长n2存取时间n3可靠性n可靠性是指存储器抗外界电磁场、温度等因素变化的能力。n4功耗n5价格413 存储器的基本工作原理n1.半导体存储器的一般结构和组成n（1）存储矩阵n能够存储二进制信息的基本电路的集合体称为存储体。n（2）地址译码器n地址译码器的功能是将CPU发送来的地址信号进行译码，产生地址译码信号，以便选中存储矩阵中某一个存储单元。存储矩阵中基本存储电路的地址编码产生方式有两种：单译码方式和双译码方式。（3）存储器控制电路（4）输入/输出控制电路2.存储器的基本操作4.2 存储系统的
3、体系结构421 高速缓存技术422 虚拟存储技术其实现原则是：（1）把程序中最近常用的部分驻留在高速的内存中。（2）随着程序的运行，一旦这部分变得不常用了，便把它们送回到低速的外存储器中（3）主存与外存的信息的换入换出由硬件或操作系统完成，操作过程对用户是透明的。（4）力图使存储系统的性能接近内存，价格接近外存。4.3 常用半导体存储器n4.3.1 随机存储器n1.静态读写存储器(SRAM)n（1）SRAM6264的引脚功能n2.动态读写存储器(DRAM)nDRAM的结构和工作原理与SRAM完全不同。DRAM的一个存储单元由一个晶体管和一个电容组成，使用电容上是否有电荷来代表二进制数。类别 记
4、忆元件 电路 集成度 功耗 存取速度 价格 刷新 SRAM 触发器 复杂 低 大 快 高 否 DRAM 电容 简单 高 小 慢 低 要 DRAM的刷新方式主要有定时集中刷新和分散刷新两种。n定时集中刷新是指将一个刷新周期分做两段来使用，第一段时间用n于读/写操作，第二段时间专门用于对存储器的所有行逐一进行刷新，n刷新时CPU不能对存储器进行读/写操作。n定时集中刷新较适用于高速存储器，但由于对存储器的读/写操作和刷n新是分别在固定的时间段内集中完成的，执行读/写操作时不刷新，刷n新时不进行读写，CPU不能访问存储器的时间过长，影响了系统的工作速度。n分散刷新n分散刷新的缺点是在一个刷新周期内需要频繁地对存储器进行多次刷n新。4.3.2 只读存储器4.3.3 微处理器与存储器的连接1存储器的扩展存储器的扩展（1）位扩展方式）位扩展方式n（2）字扩展方式n（3）字位扩展方式2片选译码方式片选信号的译码方式有三种：全译码法、部分译码法和线选法三种。全译码方式n部分译码法n线选法n直接用高位地址线作为存储器芯片的片选信号，无需译码器，此种译码方式称为线选法。38086与存储器的连接n(1)存储器标准结构(2)8086 CPU最小工作模式下与存储器接口(3)8086最大工作模式下与存储器接口