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1、概概 述述 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲品，并且在后续的工艺中被去掉。本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。金属和金属化合物薄膜的淀积将在第13章中介绍。第1页/共67页目目 标标通过本章的学习，将能够：通过本章的学习，将能够：1.描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。2.提供对不同薄膜淀积技术的慨况。3.列举并描述化学气相
2、淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。4.描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。5.描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。6.解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。7.讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。8.解释旋涂绝缘介质。第2页/共67页MSI时代时代nMOS晶体管的各层膜晶体管的各层膜p+silicon substratep-epi layer场氧化层n+n+p+p+n-wellILD氧化硅垫氧化层氧化硅氮化硅顶层栅氧化层侧墙氧化层金属前氧化层Poly金属多晶金属Figure
3、11.1第3页/共67页引引 言言 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较为直接，上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀积层。图中器件的特征尺寸远大于1m。如图所示，由于特征高度的变化，硅片上各层并不平坦，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片制造的限制因素。随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接（第六页的图），各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一个重要工艺步骤。第4页/共67页ULSI硅片上的多层金属化硅片上的多层金属化Figure 11.3钝化层压点金属p+Sil
4、icon substrateViaILD-2ILD-3ILD-4ILD-5M-1M-2M-3 M-4p-Epitaxial layerpp+ILD-6LI oxideSTIn-wellp-wellILD-1Poly gaten+pp+pp+n+n+LI metal第5页/共67页芯片中的金属层芯片中的金属层Photo 11.1 第6页/共67页薄膜淀积薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄膜，薄膜的种类和制备方法在第四章中已作过简单介绍。薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一层膜的工艺，属于薄膜制造的一种工艺，所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体 材 料。比 如 二 氧 化 硅
5、（SiO2）、氮 化 硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W）.第7页/共67页固态薄膜固态薄膜Silicon substrateOxide宽长厚与衬底相比薄膜非常薄Figure 11.4第8页/共67页薄膜特性薄膜特性好的台阶覆盖能力填充高的深宽比间隙的能力好的厚度均匀性高纯度和高密度受控制的化学剂量高度的结构完整性和低的膜应力好的电学特性对衬底材料或下层膜好的黏附性第9页/共67页膜对台阶的覆盖膜对台阶的覆盖 我们期望膜在硅片表面上厚度一致，但由于硅片表面台阶的存在，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。应力还可能导致衬底发生凸起或
6、凹陷的变形。共形台阶覆盖非共形台阶覆盖均匀厚度第10页/共67页高的深宽比间隙高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔）可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值，深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见见下图下图)深宽比 =深度 宽度=2 1深宽比 =500 250 500 D250 WFigure 11.6第11页/共67页高的深宽比间隙高的深宽比间隙Photograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringPhoto 11.2第12页/共67页薄膜生长的步骤薄膜生长的步骤连续的膜气体分子成核凝聚S
7、ubstrateFigure 11.7第13页/共67页膜淀积技术膜淀积技术Table 11.1第14页/共67页化学气相淀积化学气相淀积 化学气相淀积（CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。包括：1.产生化学变化，这可以通过化学反应或热分解；2.膜中所有的材料物质都源于外部的源；3.化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。第15页/共67页化学气相淀积的设备化学气相淀积的设备Photo 11.3第16页/共67页CVD 化学过程化学过程1.高温分解：高温分解：通常在无氧的条件下，通过加热化 合物分解（
8、化学键断裂）；2.光分解：光分解：利用辐射使化合物的化学键断裂分解；3.还原反应：还原反应：反应物分子和氢发生的反应；4.氧化反应：氧化反应：反应物原子或分子和氧发生的反应；5.氧氧化化还还原原反反应应：反应3与4地组合，反应后形成两 种新的化合物。第17页/共67页 以上5中基本反应中，有一些特定的化学气相淀积反应用来在硅片衬底上淀积膜。对于某种特定反应的选择通常要考虑淀积温度、膜的特性以及加工中的问题等因素。例如，用硅烷和氧气通过氧化反应淀积SiO2膜。反应生成物SiO2淀积在硅片表面，副产物事是氢。SiH4+O2 SiO2 +2H2第18页/共67页CVD 反应反应CVD 反应步骤反应步
9、骤 基本的化学气相淀积反应包含8个主要步骤，以解释反应的机制。1）气体传输至淀积区域；2）膜先驱物的形成；3）膜先驱物附着在硅片表面；4）膜先驱物黏附；5）膜先驱物扩散；6）表面反应；7）副产物从表面移除；8）副产物从反应腔移除。第19页/共67页CVD 传输和反应步骤图传输和反应步骤图CVD 反应室Substrate连续膜 8)副产物 去除 1)反应物的质量传输副产物 2)薄膜先驱 物反应 3)气体分 子扩散 4)先驱物 的吸附 5)先驱物扩散 到衬底中 6)表面反应 7)副产物的解 吸附作用排气气体传送Figure 11.8第20页/共67页 在化学气相淀积中，气体先驱物传输到硅片表面进行
10、吸附作用和反应。列入，下面的三个反应。反应1）显示硅烷首先分解成SiH2先驱物。SiH2先驱物再和硅烷反应形成Si2H6。在中间CVD反应中，SiH2随着Si2H6被吸附在硅片表面。然后Si2H6分解形成最终需要的固态硅膜。1)SiH4(气态)SiH2(气态)+H2(气态)（高温分解）2)SiH4(气态)+SiH2(气态)Si2H6(气态)（反应半成品形成）3)Si2H6(气态)2Si(固态)+3H2(气态)（最终产品形成）以上实例是硅气相外延的一个反应过程第21页/共67页速度限制阶段速度限制阶段 在实际大批量生产中，CVD反应的时间长短很重要。温度升高会促使表面反应速度增加。基于CVD反应
11、的有序性，最慢的反应阶段会成为整个工艺的瓶颈。换言之，反应速度最慢的阶段将决定整个淀积过程的速度。CVD的反应速度取决于质量传输和表面反应两个因素。在质量传输阶段淀积工艺对温度不敏感，这意味着无论温度如何，传输到硅片表面加速反应的反应气体的量都不足。在此情况下，CVD工艺通常是受质量传输所限制的。第22页/共67页 在更低的反应温度和压力下，由于只有更少的能量来驱动表面反应，表面反应速度会降低。最终反应物达到硅片表面的速度将超过表面化学反应的速度。在这种情况下。淀积速度是受化学反应速度限制的，此时称表面反应控制限制。CVD 气流动力学气流动力学 CVD气流动力学对淀积出均匀的膜很重要。所谓气体
12、流动，指的是反应气体输送到硅片表面的反应区域（见下图）。CVD气体流动的主要因素包括，反应气体从主气流中到硅片表面的输送以及在表面的化学反应速度。第23页/共67页CVD 中的气流中的气流气流淀积的膜 硅衬底反应副产物反应物的扩散Figure 11.9第24页/共67页硅片表面的气流硅片表面的气流 气流 边界层 气流滞留层Figure 11.10第25页/共67页CVD 反应中的压力反应中的压力 如果CVD发生在低压下，反应气体通过边界层达到表面的扩散作用会显著增加。这会增加反应物到衬底的输运。在CVD反应中低压的作用就是使反应物更快地到达衬底表面。在这种情况下，速度限制将受约于表面反应，即在
13、较低压下CVD工艺是反应速度限制的。CVD 过程中的掺杂过程中的掺杂 CVD淀积过程中，在SiO2中掺入杂质对硅片加工来说也是很重要。例如，在淀积SiO2的过程中，反应气体中加入PH3后，会形成磷硅玻璃。化学反应方程如下：SiH4(气)+2PH3(气)+O2(气)SiO2(固)+2P(固)+5H2(气)第26页/共67页 在磷硅玻璃中，磷以P2O5的形式存在，磷硅玻璃由P2O5和SiO2的混合物共同组成；对于要永久黏附在硅片表面的磷硅玻璃来说，P2O5 含量（重量比）不超过4，这是因为磷硅玻璃（PSG）有吸潮作用。应用高密度等离子体CVD可以在600650的温度下淀积PSG，由于它的淀积温度、
14、相对平坦的表面、好的间隙填充能力，近 来 也 常 采 用 PSG作 为 第 一 层 层 间 介 质（ILD-1）。在SiO2中引入P2O5可以减小膜应力，进而改进膜的完整性。掺杂会增加玻璃的抗吸水性。PSG层还可以有效地固定离子杂质。离子会吸附到磷原子上，因而不能通过PSG层扩散达到硅片表面。第27页/共67页CVD 淀积系统淀积系统CVD 设备设计CVD 反应器的加热CVD 反应器的配置CVD 反应器的总结常压 CVD（APCVD）低压 CVD（LPCVD）等离子体辅助 CVD等离子体增强 CVD（PECVD）高密度等离子体 CVD（HDPCVD）第28页/共67页CVD 反应器类型反应器类
15、型Figure 11.11第29页/共67页各种类型各种类型 CVD 反应器及其主要特点反应器及其主要特点Table 11.2第30页/共67页连续加工的连续加工的APCVD 反应炉反应炉硅片膜反应气体 2反应气体 1惰性分隔气体(a)气体注入类型N2反应气体加热器N2N2N2N2N2硅片(b)通气类型Figure 11.12第31页/共67页APCVD TEOS-O3改善后的台阶覆盖改善后的台阶覆盖Figure 11.3第32页/共67页用用TEOSO3淀积淀积SiO2 TEOS是 正 硅 酸 乙 脂。分 子 式 为Si(C2H5O4)，是一种液体。臭氧（O3）包含三个氧原子，比氧气有更强的
16、反应活性，因此，这步 工 艺 可 以 不 用 等 离 子 体，在 低 温 下（如400）进行，因为不需要等离子体，O3就能是TEOS分解，因此反应可以在常压（APCVD,760托）或者亚常压(SACVD，600托)下。淀积的二氧化硅薄膜改善了台阶覆盖轮廓，均匀性好，具有作为绝缘介质优异的电学特性。优点：对于高的深宽比槽有良好的覆盖填充能力。缺点：SiO2膜多孔，因而通常需要回流来去掉潮气并增加膜密度。第33页/共67页PSG 回流后平坦化的表面回流后平坦化的表面回流后PSG回流前PSG金属或多晶硅Figure 11.14第34页/共67页LPCVD 与APCVD相比，LPCVD系统有更低的成本
17、、更高的产量及更好的膜性能，因此应用更为广泛。为了获得低压，必须在中等真空度下阿（约0.15托），反应温度一般在300900，常规的氧化炉设备就可以应用。LPCVD的反应室通常是反应速度限制的。在这种低压条件下，反应气体的质量传输不再限制反应的速度。不同于APCVD的是，LPCVD反应中的边界层由于低压的缘故，距离硅片表面更远（见下图）。边界层的分子密度低，使得进入的气体分子很容易通过这一层扩散，是硅片表面接触足够的反应气体分子。一般来说，LPCVD具有优良的台阶覆盖能力。第35页/共67页硅片表面的边界层硅片表面的边界层连续气流淀积膜 硅衬底边界层反应物扩散Figure 11.15第36页/
18、共67页LPCVD Reaction Chamber for Deposition of Oxides,Nitrides,or Polysilicon三温区加热部件钉式热电偶(外部，控制)压力表抽气至真空泵气体入口热电偶(内部)Figure 11.16第37页/共67页用用 TEOS LPCVD 淀积氧化硅淀积氧化硅压力控制器三温区加热器加热器TEOSN2O2真空泵气流控制器LPCVD炉温度控制器计算机终端工作接口炉温控制器尾气Figure 11.17第38页/共67页Key Reasons for the Use of Doped Polysilicon in the Gate Struct
19、ure1.通过掺杂可得到特定的电阻；2.和二氧化硅优良的界面特性；3.和后续高温工艺的兼容性；4.比金属电极（如AI）更高的可靠性；5.在陡峭的结构上淀积的均匀性；6.实现栅的自对准工艺。第39页/共67页Doped Polysilicon as a Gate electrodep+p+p+n+n+n+Figure 11.18 第40页/共67页等离子体辅助等离子体辅助CVDCVD 过程中使用等离子体的好处过程中使用等离子体的好处1.更低的工艺温度(250 450)；2.对高的深宽比间隙有好的填充能力(用高密度等离子体)；3.淀积的膜对硅片有优良的黏附能力；4.高的淀积速率；5.少的针孔和空洞
20、，因为有高的膜密度；6.工艺温度低，因而应用范围广。第41页/共67页在等离子体辅助在等离子体辅助 CVD 中膜的形成中膜的形成PECVD 反应室连续膜 8)副产物 去除 1)反应物进 入反应室衬底 2)电场使反 应物分解 3)薄膜初始 物形成 4)初始物吸附 5)初始物扩散到衬底中 6)表面反应 7)副产物的解 吸附作用排气气体传送RF 发生器副产物电极电极RF 场Figure 11.19 第42页/共67页General Schematic of PECVD for Deposition of Oxides,Nitrides,Silicon Oxynitride or TungstenPr
21、ocess gasesGas flow controllerPressure controllerRoughingpumpTurbopumpGas panelRF generatorMatching networkMicrocontroller operator InterfaceExhaustGas dispersion screenElectrodesFigure 11.20 第43页/共67页用用LPCVD 和和 PECVD 氮化硅的性质氮化硅的性质Table 11.3 第44页/共67页高密度等离子体淀积腔高密度等离子体淀积腔Photo 11.4 第45页/共67页淀积刻蚀淀积工艺淀积
22、刻蚀淀积工艺用 PECVD 淀积的膜在间隙入口处产生夹断现象，导致在间隙填充中的空洞钥匙孔效应面包块效应MetalSiO2在这里开始分开1)离子诱导薄膜初始产物的淀积2)氩离子溅射刻蚀掉间隙入口处多余的膜，在膜上导致斜面外形3)再淀积被刻蚀的材料。重复该过程，最终形成上下一致的形貌CapFigure 11.21 第46页/共67页HDPCVD 工艺的五个步骤工艺的五个步骤1.离子诱导淀积：指离子被托出等离子体并淀积形成间隙填充的现象；2.溅射刻蚀：具有一定能量的Ar和因为硅片偏置被吸引到薄膜的反应离子轰击表面并刻蚀原子；3.再次淀积：原子从间隙的底部被剥离，通常会再次淀积到侧壁上；4.热中性
23、CVD：这对热能驱动的一些淀积反应有很小的贡献；5.反射：离子反射出侧壁，然后淀积，是另一种贡献。第47页/共67页在涡轮泵出口放置硅片的在涡轮泵出口放置硅片的 HDPCVD机械泵微波2.45 GHz电磁涡轮泵阀门气体喷头静电吸盘上的硅片Figure 11.22 第48页/共67页介质及其性能介质及其性能介电常数间隙填充芯片性能低k值介电常数高k值介电常数器件隔离局部氧化（LOCOS）浅曹隔离（STI）第49页/共67页介质间隙填充的三个过程介质间隙填充的三个过程2)PECVD 帽帽1)HDPCVD 间隙填充SiO2铝3)化学机械 平坦化Figure 11.23 第50页/共67页ULSI 互
24、连中可能的低互连中可能的低K值值ILD材料材料Table 11.4 第51页/共67页互连延迟互连延迟(RC)与特征尺寸的关系与特征尺寸的关系(m)Figure 11.24 2.52.01.51.00.500.51.01.52.0特征尺寸(mm)延迟时间(10-9 sec)互连延迟(RC)门延迟第52页/共67页芯片性能芯片性能 芯片性能的一项指标是信号的传输速度。芯片的不断缩小导致互联线宽度减小，使得传输信号导线电阻（R）增大。而且，导线间距的缩小产生了更多的寄生电容（C）。最终增加了RC信号延迟（RC信号延迟降低芯片速度，减弱芯片性能）。这是在亚0.25m中凸现的问题，通常称为互连延迟（如
25、上图所示）。从本质上讲，减小互连尺寸带来的寄生电阻和电容效应而导致更大的信号延迟。这与晶体管的发展正好相反，对晶体管而言，随着栅长变小，延迟变小，晶体管的速度增加。线电容C正比于绝缘介质的k 值，低K值的绝缘介质可以减小芯片总的互连电容，减小RC信号延迟 ，提供芯片性能。第53页/共67页总互连线电容总互连线电容电容(10-12 Farads/cm)7654321000.51.01.52.02.53.0间距(mm)K=4K=3K=2K=1Figure 11.25 第54页/共67页低低-k 值绝缘介质要求值绝缘介质要求Table 11.5 第55页/共67页DRAM 叠层电容的示意图叠层电容的
26、示意图SiO2 介质掺杂多晶硅电容极板掺杂多晶硅电容极板埋接触孔扩散SiO2 dielectricDoped polysiliconcapacitor plateDoped polysiliconcapacitor plateBuried contact diffusionFigure 11.26 第56页/共67页浅槽隔离浅槽隔离Photo 11.5 第57页/共67页旋涂绝缘介质旋涂绝缘介质旋涂玻璃(SOG)旋涂绝缘介质(SOD)外延外延生长方法气相外延（VEP）金属有机 CVD分子束外延(MBE)CVD质量测量CVD 检查及故障排除 第58页/共67页用用 Spin-On-Glass 填
27、充间隙填充间隙2)处理后的SOG1)最初的SOG 间隙填充3)CVD 氧化硅帽CapFigure 11.27 第59页/共67页HSQ 低低-k 值绝缘介质工艺参数值绝缘介质工艺参数Table 11.6 第60页/共67页外外 延延外延生长模型外延生长方法气相外延(VPE)金属有机CVD(MOCVD)分子束外延(MBE)第61页/共67页 外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层（见下图），新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层厚度、掺杂浓度、轮廓，而这些因素是与硅片衬底无关的。外延层还可以减少CMOS器件的闩锁效应。IC制造中最普通的外
28、延反应是高温CVD系统。如果外延生长膜和衬底材料相同（例如硅衬底上生长硅），这样的膜生长称为同质外延。膜材料与衬底材料不一致的情况（例如硅衬底上生长氧化铝），称为异质外延。外延反应可用的气体源包括SiCl4/SiH2Cl2/SiHCl3 淀积温度为：10501250第62页/共67页硅片上外延生长硅硅片上外延生长硅SiSiClClHHSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiSiClHClH化学反应副产物淀积的硅外延层多晶硅衬底Figure 11.28 第63页/共67页气相外延示意图气相外延示意图掺杂剂(AsH3 or B2 H3)H2SiH2 Cl2RF 感应加热线圈感应基座硅片真空泵Figure 11.29 第64页/共67页硅气相外延炉硅气相外延炉排气排气排气RF加热RF 加热气体入口气体入口卧式反应炉桶式反应炉立式反应炉Figure 11.30 第65页/共67页CVD质量测量质量测量ILD 中钥匙孔的效果（金属台阶覆盖上）中钥匙孔的效果（金属台阶覆盖上）b)平坦化的SiO2 c)被淀积的下一层铝在 SiO2上由钥匙孔引起的金属空洞a)由 PECVD淀积的SiO2 SiO2在层间介质中的钥匙孔缺陷铝Figure 11.31 第66页/共67页感谢您的观看！第67页/共67页