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1、晶体管器件本讲稿第一页，共二十页二极管外形本讲稿第二页，共二十页发光二极管（LED）本讲稿第三页，共二十页本讲稿第四页，共二十页大功率二极管本讲稿第五页，共二十页三极管的外形本讲稿第六页，共二十页三极管的外形本讲稿第七页，共二十页三极管的外形本讲稿第八页，共二十页三极管的外形本讲稿第九页，共二十页三极管的外形本讲稿第十页，共二十页场效应管的外形o与晶体三极管类似本讲稿第十一页，共二十页晶体管的符号o二极管符号o三极管符号o场效应管符号本讲稿第十二页，共二十页半导体元件的命名方法半导体元件的命名方法 o国产半导体器件型号由五部分组成，场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号
2、命名只有第三、四、五部分。第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。如表3-4-1第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。本讲稿第十三页，共二十页半导体器件的型号含义 第二部分第三部分AN型锗材料P普通管D低频大功率管（f1W)BP型锗材料V微波管CN型硅材料W稳压管A高频大功率管（f3MHz Pc1W)DP型硅材料C参量管APNP型锗材料Z整流管T半导体晶闸管（可控整流器）BNPN型锗材料L整流堆Y体效应器件CPNP型硅材料S隧道管B雪崩管DNPN型硅
3、材料N阻尼管J阶跃恢复管U光电器件CS场效应管K开关管BT半导体特殊器件X低频小功率管(F3MHz Pc3MHz Pc1W)JG激光器件例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。本讲稿第十四页，共二十页晶体管的参数o参数很多，分为常规和极限参数 比如：二极管平均正向电流二极管反向击穿电压三极管直流/交流电流放大倍数三极管集电结反向击穿电压BVCBO三极管集电极发射极反向击穿电压BVCEO本讲稿第十五页，共二十页晶体管的测试晶体管的测试o二极管的测试 一般用万用表电阻挡R1K、R100测量；用表笔分别与二极管的两极相连，两次测得电阻应一大一小；且以阻值较小的那一次为准，黑表笔所接的一端为正极
4、，红表笔所接的一端则为负极。如果两次测得电阻均很大或很小，说明二极管已损坏。本讲稿第十六页，共二十页三极管的测试o（1）判别基极和管子的类型o先判别基极 选用欧姆挡的R100（或R1K）挡，先任意假定一个管脚为基极，用红表笔接该管脚，黑表笔分别接另两个管脚，可测出两个电阻值，然后再对换表笔做同样的测量，又测得一组电阻值，若两次测得的电阻值都是同大同小，则假定的基极正确，若两次测得的电阻值都是一大一小，则假定的基极不是基极，真正的基极必然在其他两个管脚中，再假定其他两个管脚中的任意一个为基极，重复上述步骤，这样最多假定3次，就可以找出基极。o判别管型 准确找到基极后，用黑表笔接基极，红表笔分别接
5、其他两个管脚，若测得的阻值都小，则该管为NPN型，反之，若测得的阻值都很大，则该管为PNP型。本讲稿第十七页，共二十页三极管的测试o（2）判别集电极、发射级 因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设除基极以外的任意一个管脚为集电极，用欧姆挡R1K测量，（正确接法：对NPN型管，发射极接红表笔，集电极接黑表笔；而PNP型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极（两极不能接触），若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。o（3）电流放大系数的估测 选用欧姆挡的R100（或R1K）挡，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，值越高。本讲稿第十八页，共二十页晶体管的常见故障o开路o击穿o某项参数指标下降，如：频率特性本讲稿第十九页，共二十页休息一会儿休息一会儿!稍后继续稍后继续本讲稿第二十页，共二十页