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1、外界作用外界作用u温度、电场、力折射率（介电常数）光率体各双折射、光传播特性改变电光效光效应uPockels效应，线性电光效应uKerr效应，二次电光效应 中心对称晶体中仅存在二次电光效应电光效光效应uPockels用逆介电张量来描述晶体的光学性质，外界作用前后，晶体光学性质的变化表现为的变化。电光效光效应u线性电光效应的机理外加电场引起的附加电极化是和离子点阵的微弱畸变即电荷再分布相联系。电光效光效应u晶体对称性的影响具有压电性的晶体都具有线性电光效应，非压电晶体（含432点群）都不具有线性电光效应。线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化uKDP晶体-42m点群光率体
2、方程线性电光系数矩阵为施加电场后，新光率体方程线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化uLiNbO3晶体3m点群其电光系数为施加电场后，光率体方程为线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化uKDP晶体的纵向电光调制KDP晶体纵向电光效应，沿x3方向（光轴方向）传播的光双折射率之差为线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化uKDP晶体的纵向电光调制入射光经起偏器后，成为x1方向偏振光，在晶体中分解成x1和x2方向的两束光，折射率不同，产生相位差。线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化uKDP晶体的纵向电光调
3、制若相位差为，所施加电压称为半波电压。KDP晶体半波电压为9300V。可通过测量半波电压来测量电光系数。线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化u铁电材料，线性电光系数大，折射率也大，因此n3较大，线性电光效应显著。线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化u二次电光效应即Kerr效应，存在于任何晶体中，一般条件下远小于线性电光效应（如果有的话）在某些铁电晶体接近居里点时效应显著。线性性电光效光效应引起晶体光率体引起晶体光率体对称性称性变化化u二次电光效应二次电光系数的矩阵有6x6=36个分量，但独立分量个数和弹性系数独立分量个数（21个）不同。光折光折变效效应u极强激光作用下，局部的折射率改变成为光折变效应。u机理解释与电光效应有关，激光作用下产生传导电子在极性晶体中的定向移动，建立局部电场，通过电光效应改变折射率。弹光效光效应力、声折射率（介电常数）光率体双折射、光传播特性改变应力云纹实验，声光光栅热光效光效应uPockel表述法=热光效光效应u温度引起的折射率变化，可以改变折射率的大小，或者光率体的形状。u石膏在升温过程中，从双轴晶变成单轴晶，再变成双轴晶。=