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1、半导体的基本知识半导体的基本知识（1）自然界的物体根据其导电能力自然界的物体根据其导电能力(电阻率电阻率)的不的不同，可划分为导体、绝缘体和半导体。同，可划分为导体、绝缘体和半导体。u半导体半导体 SemiconductorSemiconductoru半导体的特性半导体的特性 1 1）当受外界热和光的作用时，它的）当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。导电能力明显变化。2 2）往纯净的半导体中掺入某些杂质，）往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变会使它的导电能力明显改变。第1页/共49页GeSiu半导体半导体材料材料：导电性能介于导体与绝缘体之间的材导电性能介于导体与绝
2、缘体之间的材料称为半导体材料。料称为半导体材料。典型的半导体有典型的半导体有硅硅SiSi和和锗锗GeGe以及以及砷化镓砷化镓GaAsGaAs等。等。半导体的基本知识（半导体的基本知识（2）第2页/共49页在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成形成共价键共价键，共用一对价电子。，共用一对价电子。硅和锗的硅和锗的晶晶体体结构：结构：u 半导体的共价键结构半导体的共价键
3、结构半导体的基本知识（半导体的基本知识（3）第3页/共49页共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。构成稳定结构。半导体的基本知识（半导体的基本知识（4）第4页/共49页共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子自由电子，因此半导体，因此半导体中的自由电子极少，所以半导体在常温下几乎不导电。中的自由电子极
4、少，所以半导体在常温下几乎不导电。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成则排列，形成晶体晶体。+4+4+4+4半导体的基本知识（半导体的基本知识（5）第5页/共49页本征半导体本征半导体（1）本征半导体本征半导体(Intrinsic Semiconductors)(Intrinsic Semiconductors)完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理在绝对在绝对0 0（T T=0K=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时,价电子完全价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒
5、被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即子（即载流子载流子），它的导电能力为），它的导电能力为 0 0，相当于绝缘体，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发（在常温下，由于热激发（本征激发本征激发），），使一些价电使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。第6页/共49页+4+4+4+4自由电子空穴束缚电子本征半导体本征半导体中存在中存在数量相等数量相等的自由电子和空穴。的自由电子和空穴。电子空穴对电子空穴对由热激发而产生的自由电子和空穴对。由热激发
6、而产生的自由电子和空穴对。本征半导体本征半导体（2）第7页/共49页+4+4+4+4在其它力的作用下，空在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴动，因此可以认为空穴是载流子。是载流子。本征半导体本征半导体（3）第8页/共49页温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。的外
7、部因素，这是半导体的一大特点。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成：1.1.自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。2.2.空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。本征半导体本征半导体（4）第9页/共49页杂质半导体（杂质半导体（1）u 杂质半导体杂质半导体(Extrinsic Semiconductors)(Extrinsic Semiconductors)在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质可使半
8、导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是主要是三价三价或或五价五价元素。掺入杂质的本征半导体元素。掺入杂质的本征半导体称为称为杂质半导体杂质半导体。N N型半导体型半导体掺入掺入五价五价杂质元素（如磷）的半导体。杂质元素（如磷）的半导体。P P型半导体型半导体掺入掺入三价三价杂质元素（如硼）的半导体。杂质元素（如硼）的半导体。第10页/共49页杂质半导体（杂质半导体（2）u N N型半导体型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很
9、容易形成自由电子。价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。在在N N型半导体中型半导体中自由电子自由电子是是多数载流子多数载流子(多子多子），），它主要由杂质原子提供；它主要由杂质原子提供；空穴空穴是是少数载流子少数载流子（少子少子）,由热激发形成。由热激发形成。提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子正离子，因此五价杂质原子也称为，因此五价杂质原子也称为施主杂质施主杂质。电子空穴对电子第11页/共49页正电荷量正电荷量=施主原子施主原子+本征激发的空穴本征激发的空穴负电荷量负电荷量=施主释放的电子施主释放的电子+本征激发的本征激发的电子电子
10、电子空穴对（平衡）不能移动不能移动N N型半导体整体呈型半导体整体呈电中性电中性，电子是多数载流子，电子是多数载流子第12页/共49页杂质半导体（杂质半导体（3）uP P型半导体型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。在在P P型半导体中型半导体中空穴空穴是是多数载流子，多数载流子，它主要由掺杂它主要由掺杂形成；形成；自由自由电子电子是是少数载流子，少数载流子，由热激发形成。由热激发形成。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子
11、。三价杂质三价杂质 因而也称为因而也称为受主杂质受主杂质。空穴电子空穴对第13页/共49页负电荷量负电荷量=受主原子受主原子+本征激发的本征激发的电子电子正电荷量正电荷量=硅失电子释放的硅失电子释放的空穴+本征激发的本征激发的空穴电子空穴对（平衡）不能移动不能移动P P型半导体整体呈型半导体整体呈电中性电中性，空穴空穴是多数载流子是多数载流子第14页/共49页PNPN结的形成结的形成 在在N N型半导体和型半导体和P P型半型半导体的结合面上形成如下导体的结合面上形成如下物理过程物理过程:因浓度差因浓度差空间电荷区空间电荷区形成形成内电场内电场 内电场促使内电场促使少子漂移少子漂移 内电场阻止
12、内电场阻止多子扩散多子扩散 多子的多子的扩散扩散和少子的和少子的漂移漂移达到达到动态平衡动态平衡，PNPN结形成。结形成。多子的多子的扩散扩散运动运动由由杂质离子形成杂质离子形成空间电荷区空间电荷区 P区N区空间电荷区内电场第15页/共49页1.1.空间电荷区中没有载流子空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P 区中的空穴区中的空穴.N N区区中的电子（中的电子（都是多子都是多子）向对方运动（）向对方运动（扩散扩散运动运动）。）。3.3.P P 区中的电子和区中的电子和N N 区中的空穴（区中的空穴（都是少子都是少子）数量有限，因此由它们的运动（数量有
13、限，因此由它们的运动（漂移漂移运动运动）形成的电流很小。形成的电流很小。注意注意:PNPN结的特性结的特性第16页/共49页PNPN结的性质结的性质PNPN结的单向导电性（结的单向导电性（1 1）当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位高于区的电位高于N N区的电位，称为加区的电位，称为加正正向电压向电压，简称，简称正偏正偏(Forward Bias)(Forward Bias)uPNPN结加结加正向正向电压时电压时（Forward-Based PN Junction)Forward-Based PN Junction)特点特点：低电阻：低电阻 大的正向扩散电流大的正向扩散电流
14、PN结的伏安特性结的伏安特性PN结加正向电压时的导电情况结加正向电压时的导电情况外电场第17页/共49页PNPN结的性质结的性质-PNPN结的单向导电性（结的单向导电性（2 2）PN结的伏安特性结的伏安特性 当外加电压使当外加电压使PNPN结中结中P P区的电位低于区的电位低于N N区的电位，称为区的电位，称为加加反向电压反向电压，简称，简称反偏反偏(Reverse Bais)(Reverse Bais)。u PNPN结加结加反向反向电压时电压时(Reverse-Based PN Junction)(Reverse-Based PN Junction)特点特点：高电阻高电阻 很小的反向漂移电流
15、很小的反向漂移电流PN结加反向电压时的导电情况结加反向电压时的导电情况外电场第18页/共49页PNPN结的性质结的性质PNPN结的单向导电性（结的单向导电性（3 3）PNPN结加正向电压时，呈现低电阻，结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；具有较大的正向扩散电流；PNPN结加反向电压时，呈现高电阻，结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：由此可以得出结论：PNPN结具有单结具有单向导电性。向导电性。第19页/共49页半导体二极管半导体二极管(Diode)结构结构（1）在在PNPN结上加上引线和封装，就成为一个二极结上加上引线和
16、封装，就成为一个二极管。二极管按结构分管。二极管按结构分有点接触型有点接触型、面接触型面接触型和和平平面型面型三大类。三大类。(1)点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图第20页/共49页半导体二极管结构（半导体二极管结构（2）(3)平面型二极管平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。(2)面接触型二极管面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。(4)二极管的代表符号二极管的代表符号第21页/共49页半导体二极管结构（半导体二极管结构（3）第22
17、页/共49页半导体二极管结构（半导体二极管结构（4）第23页/共49页半导体二极管结构（半导体二极管结构（5）第24页/共49页二极管的伏安特性（二极管的伏安特性（1）其中：其中：PN结的伏安特性结的伏安特性I IS S 反向饱和电流反向饱和电流V VT T 温度的电压当量温度的电压当量且在常温下（且在常温下（T T=300K=300K）二极管的二极管的伏安特性伏安特性曲线可用下式表示曲线可用下式表示Current-Voltage RelationshipCurrent-Voltage Relationship第25页/共49页二极管的伏安特性（二极管的伏安特性（2）当当PNPN结的反向电压增
18、加结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为然快速增加，此现象称为PNPN结的结的反向击穿。反向击穿。热击穿热击穿不可逆不可逆 雪崩击穿雪崩击穿 齐纳击穿齐纳击穿 电击穿电击穿可逆可逆第26页/共49页二极管的伏安特性（二极管的伏安特性（3）硅二极管硅二极管2CP102CP10的的V V-I I 特性特性锗二极管锗二极管2AP152AP15的的V V-I I 特性特性正向特性反向特性反向击穿特性实际二极管器件实际二极管器件的几个典型值：的几个典型值：死区电压死区电压：硅管：硅管0.5V0.5V左右、锗管左右、锗管0.2V0.2V左右左右导通压降导通压
19、降：硅管：硅管0.7V0.7V左右、锗管左右、锗管0.3V0.3V左右左右反向饱和电流反向饱和电流：硅管几十：硅管几十uAuA、锗管几百、锗管几百uAuA第27页/共49页二极管的主要参数二极管的主要参数(1)(1)最大整流电流最大整流电流I IF F(2)(2)最大反向工作电压最大反向工作电压V VRMRM(3)(3)反向饱和电流反向饱和电流I IR RIFVRMIR以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。保护等等。下面介绍两个交
20、流参数。第28页/共49页（4）微变电阻微变电阻 r rD DiDuDIDUDQ iD uDr rD D 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q Q 附近电压的变化与附近电压的变化与电流的变化之比：电流的变化之比：显然，显然，r rD D是对是对Q Q附近的微小变化区域内的电阻附近的微小变化区域内的电阻。第29页/共49页（5 5）二极管的极间电容二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容势垒电容C CB B和和扩散电容扩散电容C CD D。势垒电容：势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，势垒区是积
21、累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是的电容是势垒电容势垒电容。扩散电容：扩散电容：为了形成正向电流为了形成正向电流（扩散电流），注入（扩散电流），注入P P 区的少子区的少子（电子）在（电子）在P P 区有浓度差，越靠区有浓度差，越靠近近PNPN结浓度越大，即在结浓度越大，即在P P 区有电区有电子的积累。同理，在子的积累。同理，在N N区有空穴的区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷积累。正向电流大，积累的电荷多。多。这样所产生的电容就是扩散这样所产生的电容就是扩散电容电容C CD D。P
22、+-N第30页/共49页C CB B在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。时，由于载流子数目很少，扩散电容可忽略。PNPN结高频小信号时的等效电路结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应rd第31页/共49页二极管的模型二极管的模型 1.理想模型理想模型3.折线模型折线模型 2.恒压降模型恒压降模型特点：死区电压特点：死区电压=0 正向导通压降正向导通压降=0 0 反向饱和电流反向饱和电流=0 0特点：正向导通压降特点：正向导通压降 =死区电压死区电压 =0.7V0.7V
23、或或0.3V0.3V 反向饱和电流反向饱和电流=0 0特点：正向导通压降特点：正向导通压降 =死区电压死区电压 =0.5V0.5V或或0.2V0.2V 反向饱和电流反向饱和电流=0 0第32页/共49页二极管电路分析举例（二极管电路分析举例（1）含二极管电路的分析方法确定确定二极二极管的管的工作工作状态状态 根据工根据工作状态用作状态用不同的模不同的模型型代替二代替二极管极管在等效后在等效后的的线性线性电电路中作相路中作相应的分析应的分析若二极管工作在若二极管工作在截止截止状态则可等效为状态则可等效为断开断开的开关的开关若二极管工作在若二极管工作在导通导通状态则可等效为状态则可等效为导通导通的
24、开关的开关U UONONID或电压为或电压为U UONON的的电压源电压源第33页/共49页二极管电路分析举例（二极管电路分析举例（2）如何判断二极管的工作状态如何判断二极管的工作状态？步骤步骤1 1、假设假设二极管截止，即将二极管断开。二极管截止，即将二极管断开。2 2、计算二极管两端的电压、计算二极管两端的电压 U UD D=V=V阳阳-V-V阴阴3 3、判断：若、判断：若 U UD D00，则二极管工作于，则二极管工作于导通导通状态状态 若若 U UD D00=50 U UD2D2=0-=0-（-5-5）=50=50则则D D1 1、D D2 2处于导通状态，处于导通状态，电路可等效为电
25、路可等效为所以，所以，U U0 0=0=0D1D2U0R5V第35页/共49页二极管电路分析举例（二极管电路分析举例（4）（2 2）当）当U UA A=U=UB B=3V=3V时时设D D1 1、D D2 2截止，则等效电路为截止，则等效电路为由电路，有由电路，有 U UD1D1=3-=3-（-5-5）=80=80 U UD2D2=3-=3-（-5-5）=80=80则则D D1 1、D D2 2处于导通状态，处于导通状态，电路可等效为电路可等效为所以，所以，U U0 0=3V=3VUD1UD2D1D2U0R5V3V3VD1D2U0R5V3V3V第36页/共49页二极管电路分析举例（二极管电路分
26、析举例（5）（3 3）当）当U UA A=3V=3V，U UB B=0=0时时设D D1 1、D D2 2截止，则等效电路为截止，则等效电路为由电路，有由电路，有 U UD1D1=3-=3-（-5-5）=80=80 U UD2D2=0-=0-（-5-5）=50=50UD1UD2D1D2U0R5V3VD1D2U0R5V3V出现矛盾！即出现矛盾！即D D1 1、D D2 2不可能不可能同时导通！同时导通！规定：承受正偏压大的二极管优先导通。第37页/共49页二极管电路分析举例（二极管电路分析举例（6）则则D D2 2处于截止状态，处于截止状态，最终电路如上图所示：最终电路如上图所示：所以，所以，U
27、 U0 0=3V=3VD1D2U0R5V3V则等效电路为：则等效电路为：由电路，有由电路，有 U UD2D2=0-3=-30=0-3=-30第38页/共49页（4 4）当）当U UA A=0=0，U UB B=3V=3V时时所以，所以，U U0 0=3V=3V同理可得：同理可得：D D1 1截止，截止，D D2 2导通导通。D1D2U0R5V3V二极管电路分析举例（二极管电路分析举例（7）试一试试一试P P6161 2.4.3 2.4.3第39页/共49页RLuiuouiuott 例例2：二极管半波整流二极管半波整流二极管电路应用举例二极管电路应用举例 试一试试一试P P6161 2.4.12
28、 2.4.12第40页/共49页稳压二极管（齐纳二极管稳压二极管（齐纳二极管)-伏安特性伏安特性(a)符号符号(b)伏安特性伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管压二极管稳压时工作在反向电击穿状态稳压时工作在反向电击穿状态。第41页/共49页稳压二极管稳压二极管-稳压二极管主要参数稳压二极管主要参数(1)(1)稳定电压稳定电压V VZ Z(2)(2)动态电阻动态电阻r rZ Z 在规定的稳压管反向在规定的稳压管反向工作电流工作电流I IZ Z下，所对应的下，所对应的反向工作电压。反向工作电压。r rZ Z =V VZ Z/I IZ Z(3)(3)
29、最大耗散功率最大耗散功率 P PZMZM(4)(4)最大稳定工作电流最大稳定工作电流 I IZmaxZmax 和最小稳定工作电流和最小稳定工作电流 I IZminZmin第42页/共49页稳压二极管稳压二极管-稳压电路分析稳压电路分析正常稳压时正常稳压时 V VO O=V VZ Z#稳压条件是什么？稳压条件是什么？稳压条件是什么？稳压条件是什么？IZmin IZ IZmax#不加不加不加不加R R R R可以吗？可以吗？可以吗？可以吗？#上述电路上述电路上述电路上述电路V V V VI I I I为正弦波，且幅值为正弦波，且幅值为正弦波，且幅值为正弦波，且幅值大于大于大于大于V V V VZ
30、Z Z Z ，V V V VO O O O的波形是怎样的？的波形是怎样的？的波形是怎样的？的波形是怎样的？第43页/共49页uoiZDZRiLiuiRL已知稳压管的技术参数已知稳压管的技术参数:解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为流为I Iz zmax max。求求：电阻电阻R R和输入电压和输入电压 u ui i 的正常值。的正常值。方程方程1 1要求要求当输入电压由正常值发生当输入电压由正常值发生 20%20%波动时，负载电压不变。波动时，负载电压不变。稳压二极管电路分析举例（稳压二极管电路分析举例（1）第44页/共49页令输入电压降到下限时
31、，令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为流过稳压管的电流为I Iz zmin min。方程方程2 2uoiZDZRiLiuiRL联立方程联立方程1 1、2 2，可解得：，可解得：稳压二极管电路分析举例（稳压二极管电路分析举例（2）第45页/共49页稳压二极管电路分析举例（稳压二极管电路分析举例（3）例：例：图中的稳压管的稳定电压值分别是图中的稳压管的稳定电压值分别是7 7V V和和1313V V，求输出电压，求输出电压，采用恒压降模型采用恒压降模型RS uo40V2KRS uo40V2KRS uo40V2KRS uo40V2KRS uo3V2KRS uo40V2K第46页/共49页熟悉二极管的外特性及主要参数。正确理解PN结的形成及单向导电性掌握二极管的理想模型和恒压降模型方程。熟悉稳压管的外特性及主要参数。掌握稳压管电路的原理以及限流电阻的计算。本章基本要求本章基本要求第47页/共49页电子技术电子技术 第二章 结 束模拟电路部分模拟电路部分第48页/共49页感谢您的观看。第49页/共49页