薄膜材料物理金属薄膜导电3.pptx

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1、3.1.1 3.1.1 热电子发射理论热电子发射理论物理模型:金属岛中电子随温度增加,其动能增加。当其物理模型:金属岛中电子随温度增加,其动能增加。当其动能大于逸出功时,电子便逸出金属表面,动能大于逸出功时,电子便逸出金属表面,E E外外定向流动。定向流动。计算单位时间内逸出金属单位表面的电子数。计算单位时间内逸出金属单位表面的电子数。由固体物理学得知,在金属单位体积内,微分能量元由固体物理学得知,在金属单位体积内,微分能量元dEdE中中的电子能态数为:的电子能态数为:第1页/共13页第2页/共13页3.1.2 3.1.2 肖特基发射理论肖特基发射理论引入镜像力和外加电场的影响,修正上述中的引

2、入镜像力和外加电场的影响,修正上述中的势垒势垒镜像力:若发射出的电子(镜像力:若发射出的电子(-q-q)在)在x x处如图,则在一处如图,则在一x x处感处感应出一个正镜像电荷(应出一个正镜像电荷(+q+q),两电荷间的库伦力为:),两电荷间的库伦力为:电子在电子在x x处的势能为:处的势能为:第3页/共13页第4页/共13页第5页/共13页第6页/共13页3.1.3 3.1.3 活化隧道理论活化隧道理论该理论认为:电子从一个中性小岛移至另一个中该理论认为:电子从一个中性小岛移至另一个中性小岛,因而使原来的一些带有电荷在载电小岛性小岛,因而使原来的一些带有电荷在载电小岛与中性小岛间的电子传输是一个隧道过程。与中性小岛间的电子传输是一个隧道过程。第7页/共13页第8页/共13页第9页/共13页第10页/共13页第11页/共13页第12页/共13页感谢您的观看!第13页/共13页

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