《半导体制程简介46842.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体制程简介46842.pptx（62页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、半導體製程簡介 部 門 ASI/EOL 報告人 Saint Huang半導體製造流程晶圓製造封裝晶圓針測測試Front-EndBack-End晶粒(Die)成品半導體製程分類I.晶圓製造II.晶圓處理III.晶圓針測IV.半導體構裝V.半導體測試I.晶圓製造晶圓製造流程單晶生長多晶矽原料製造晶圓成形晶圓材料晶圓材料分類:元素半導體:矽,鍺化合物半導體:碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs)矽的優缺點:優點:存量豐富,無毒,穩定之氧化鈍態層,製造成本低缺點:電子流動率低,間接能階之結構多晶矽原料製造(西門子法)矽砂+碳(SiO2)低純度矽(冶金級矽,98%)氯矽化合物(SiHCl3.)SiHCl3
2、多晶矽棒3-7cm塊狀矽塊(99.99%)高溫電弧爐還原無水氯化氫蒸餾純化氫氣還原及CVD法敲碎單晶生長技術柴氏長晶法:82.4%磊晶法:14.0%浮融帶長晶法:3.3%其它:0.2%(1993年市場佔有率)長晶程序(柴式長晶法)矽金屬及摻雜質的融化(Meltdown)頸部成長(Neck Growth)晶冠成長(Crown Growth)晶體成長(Body Growth)尾部成長(Tail Growth)晶體晶體晶冠晶冠頸部頸部尾部尾部柴氏長晶法示意圖充入鈍氣上拉旋轉加熱線圈坩堝晶種頸部晶冠晶體熔融矽單晶成長流程圖抽真空測漏氣率 (1 hr)坩堝加熱融化多晶矽塊(7hrs)等待穩定平衡(2 h
3、rs)頸部成長 (1 hr)晶冠成長 (2 hrs)晶體成長(30 hrs)尾部成長 (5 hrs)冷卻(4 hrs)晶柱後處理流程晶邊研磨長晶外徑研磨與平邊切片晶圓研磨化學蝕刻拋光清洗檢驗晶圓切片(Slicing)Single crystal rodWafer晶圓切片流程晶棒黏著切片晶圓清洗規格檢驗 內徑切割機晶邊圓磨（Edge contouring）目的防止晶圓邊緣碎裂防止熱應力之集中增加光阻層在邊緣之平坦度方式輪磨化學蝕刻晶面抹磨輪磨示意圖晶圓真空吸盤鑽石砂輪晶面研磨(Lapping)去除鋸痕與破壞層平坦化(降低粗糙度)化學蝕刻(Etching)目的:去除加工應力所造成之損 傷層,以提供
4、更潔淨平滑表面蝕刻液種類酸系:氫氟酸,硝酸,醋酸混合鹼系:氫氧化鈉,氫氧化鉀以研磨劑中之NaOH,KOH,NH4OH腐蝕最表層,由機械磨擦進行拋光邊緣拋光降低微粒附著增加機械強度表面拋光去除微缺陷平坦化晶圓晶圓拋光(Polishing)晶圓清潔(Cleaning)(一)SC-1(RCA standard clean 1)化學品:NH4OH,H2O2,H2O目的:清除微粒子SC-2(RCA standard clean 2)化學品:HCl,H2O2,H2O目的:清除金屬粒子晶圓清潔(Cleaning)(二)SPM(Piranha Clean)化學品:H2SO4,H2O2目的:清除有機物質DHF(
5、Dilute HF Clean)化學品:HF,H2O目的:清除表層氧化物II.晶圓處理晶圓處理流程微影製程薄膜沉積蝕刻氧化反應摻雜金屬化製程氧化反應(Oxidation)目的:獲得SiO2層(如場氧化層)做為元件絕緣體材料方法:乾式氧化法&Si+O2 SiO2濕式氧化法&Si+2H2O SiO2+2H2薄膜沉積(Deposition)物理氣相沉積(PVD)主要應用範圍:金屬材料化學氣相沉積(CVD)主要應用範圍:介電材料,導體材料,半導體材料物理氣相沉積-蒸鍍(Evaporation)A接真空系統蒸鍍室晶片與晶座蒸鍍源坩堝加熱物理氣相沉積-濺鍍(Sputtering)晶片濺鍍源正電極負電極電漿
6、濺鍍機化學氣相沉積(a)氣體擴散(b)反應物被吸附(c)化學反應與沉積(d)未參與物脫離(e)未參與物抽離主氣流介面邊界層微影製程(Photolithography)去水烘烤去除光阻光阻塗佈軟烤曝光曝光後烘烤顯影硬烤光阻光阻材料及作用樹脂:黏合劑感光材料:光活性強之化合物溶劑:使光阻以液體方式存在分類:正光阻:遇光溶於顯影劑負光阻:產生鏈結,使結構增強,不溶於顯影劑光阻塗佈曝光接觸式曝光:解析度好,但光罩易被污染近接式曝光:光罩不被污染,但解析度降低 投影式曝光:解析度佳,且光罩不被污染,目前工業所用光罩曝光概念圖晶座晶片光罩接觸式鏡子光源過濾器聚集鏡片光罩縮影鏡片晶片投影式蝕刻(Etchin
7、g)目的:除去微影製程中沒被光阻覆蓋部份的薄膜蝕刻技術:乾式蝕刻濕式蝕刻底材薄膜光阻摻雜(Doping)目的:增加導電性如N型半導體加入砷離子,P型半導體加入硼離子常用方法擴散法離子植入法加速器離子植入機離子束晶片離子植入法示意圖離子植入法示意圖IC製程簡圖(一)晶圓二氧化矽 (SiO2)光阻(Photoresist)氧化反應,薄膜沉積及光阻塗佈薄膜(Si3N4)晶圓光罩曝光(A)(B)IC製程簡圖(二)晶圓晶圓二氧化矽已顯影光阻蝕刻去除光阻顯影離子植入晶圓參雜物薄膜晶圓(C)(D)(E)(F)IC製程簡圖(三)金屬沉積微影製程金屬蝕刻去除光阻晶圓晶圓晶圓晶圓(G)(H)(I)(J)金屬層II
8、I.晶圓針測晶圓針測示意圖探針卡針測機晶圓針測流程圖晶圓生產Wafer processing封裝Packaging晶圓針測Circuit Probing 1晶圓針測Circuit Probing 2雷射修補Laser RepairIV.半導體構裝電能電能訊號訊號散熱散熱構裝之目的電能傳遞訊號傳遞散熱結構保護與支持構裝的分類(一)依IC晶片數目：&SCP(Single Chip Packages)&MCM(Multi-chip Chip Mudule)依密封材質：&塑膠(Plastic Packages)&陶瓷(Cermic Packages)構裝的分類(二)與電路板接合方式：&引角插入型(Pi
9、n-Through-Hole)&表面粘著型(Surface Mount Technology)依引腳分布型態：&單邊引腳：交叉引腳式ZIP&雙邊引腳：雙列式DIP&四邊引腳：四邊扁平構裝QFP&底部引腳：針格式PGB PGAQFPZIPDIP構裝的名稱與應用構裝之演化及趨勢SK-DIPZIPDIPTSOPSSOPSOJSOPSh-DIPPGABGASTZIPQFPTQFP高密度模組 高功能高功能 高高引引腳腳數數薄型薄型、小型小型、輕量化輕量化多晶片組合晶片型構裝晶片切割(Die Saw)黏晶(Die Bond)銲線(Wire Bond)塑膠構裝打線接合製程(一)封膠(Mold)剪切(Trim
10、)成形(Form)印字(Mark)塑膠構裝打線接合製程(二)電路連線技術打線接合(Wire Bonding)捲帶自動接合(Tape Automated Bonding,TAB)覆晶接合(Flip Chip,FC)打線接合技術導線架捲帶自動接合技術捲帶之基本架構傳動孔外引腳孔內引腳外引腳晶片高分子捲帶覆晶接合技術晶片基板銲錫凸塊各連線技術之應用範圍1101001,00010,000100,000連線技術晶片I/O數打線接合TABFlip Chip25760016,000V.半導體測試半導體測試流程FT1封裝FT2Burn InMarkScan彎腳調整烘烤包裝電性抽測FT3電性抽測電性抽測半導體測
11、試簡介(一)FT1(Final Test 1):目的:找出封裝不良品內容:簡單電性測試(O/S),部份程式測試 測試機Advantest 5336半導體測試簡介(二)炙燒(Burn In):&目的:使IC處於高溫(125度C),高電壓(1.5倍正常操作電壓)環境下,使潛在元件中的缺陷提早顯現With Burn-InWithout Burn-In工作時間(Hours)失敗率早夭期有效壽命期衰老期 浴缸曲線(Bathtub Curve)半導體測試簡介(三)炙燒方式:靜態炙燒:高電壓,高溫動態炙燒:高電壓,高溫及寫入監控炙燒:高電壓,高溫,寫入及讀出TDBI:Test During Burn In炙
12、燒時限檢查半導體測試簡介(四)FT2(Final Test 2):目的:&找出不良品&測試產品的速度並分級內容:&DC,AC測試及找出晶體缺陷之測試程式電性抽測(QC)半導體測試簡介(五)蓋印(Mark)檢腳(Scan)彎腳調整烘烤(Baking)包裝(Packing)9、静夜四无邻，荒居旧业贫。3月-233月-23Tuesday,March 21,202310、雨中黄叶树，灯下白头人。15:52:1015:52:1015:523/21/2023 3:52:10 PM11、以我独沈久，愧君相见频。3月-2315:52:1015:52Mar-2321-Mar-2312、故人江海别，几度隔山川。1
13、5:52:1015:52:1015:52Tuesday,March 21,202313、乍见翻疑梦，相悲各问年。3月-233月-2315:52:1015:52:10March 21,202314、他乡生白发，旧国见青山。21 三月 20233:52:10 下午15:52:103月-2315、比不了得就不比，得不到的就不要。三月 233:52 下午3月-2315:52March 21,202316、行动出成果，工作出财富。2023/3/21 15:52:1015:52:1021 March 202317、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。3:52:10 下午3:5
14、2 下午15:52:103月-239、没有失败，只有暂时停止成功！。3月-233月-23Tuesday,March 21,202310、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。15:52:1015:52:1015:523/21/2023 3:52:10 PM11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。3月-2315:52:1015:52Mar-2321-Mar-2312、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。15:52:1015:52:1015:52Tuesday,March 21,202313、不知香积寺，数里入云峰。3月-233月-2315:52:1015:5
15、2:10March 21,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。21 三月 20233:52:10 下午15:52:103月-2315、楚塞三湘接，荆门九派通。三月 233:52 下午3月-2315:52March 21,202316、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/3/21 15:52:1015:52:1021 March 202317、空山新雨后，天气晚来秋。3:52:10 下午3:52 下午15:52:103月-239、杨柳散和风，青山澹吾虑。3月-233月-23Tuesday,March 21,202310、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。15:
16、52:1015:52:1015:523/21/2023 3:52:10 PM11、越是没有本领的就越加自命不凡。3月-2315:52:1015:52Mar-2321-Mar-2312、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。15:52:1015:52:1015:52Tuesday,March 21,202313、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。3月-233月-2315:52:1015:52:10March 21,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。21 三月 20233:52:10 下午15:52:103月-2315、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。三月 233
17、:52 下午3月-2315:52March 21,202316、业余生活要有意义，不要越轨。2023/3/21 15:52:1015:52:1021 March 202317、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。3:52:10 下午3:52 下午15:52:103月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感感 谢谢 您您 的的 下下 载载 观观 看看专家告诉