《半导体制造技术.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《半导体制造技术.pptx（67页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、 气相成底膜到软烘第1页/共67页2学习目标：1、光刻基本概念，包括工艺描述、CD划分、光谱、分辨率、工艺宽容度等；2、负性和正性光刻的区别；3、光刻的8个基本步骤；4、如何在光刻前处理硅片表面；5、描述光刻胶并讨论光刻胶的物理特性；6、讨论传统I线胶的化学性质和应用；7、深紫外光刻胶的化学性质和优点，包括化学放大光刻胶；8、解释在硅片制造业中如何应用光刻胶；9、讨论软烘的目的，并解释它如何在生产中完成。第2页/共67页3第3页/共67页4第十三章 光刻：13.1 引言第4页/共67页5第5页/共67页6第十三章 光刻：13.1 引言第6页/共67页7光刻：使用光敏光刻胶材料和可控制的曝光在硅
2、片表面形成三维图形，包括：照相、制版、掩膜、图形生成。也就是将图形转移到一个平面的复制过程。光刻是IC制造中最关键的步骤，处于中心地位，占成本约1/3。第7页/共67页掩膜版（投影）：包含要在硅片上重复生成的图形。光谱：光谱能量要能够激活光刻胶第8页/共67页9第9页/共67页分辨率：将硅片上两个邻近特征图形区分开的能力特征尺寸、关键尺寸（曝光的波长减小到CD同样大小）套准精度：硅片上的图案与掩膜版上的图案精确对准工艺宽容度：光刻始终如一处理特定要求产品的能力第10页/共67页11第11页/共67页12光刻（lithography）技术的特点 1、光刻是一种表面加工技术；2、光刻是复印图象和化
3、学腐蚀相结合的综合性技术；3、器件的尺寸越小，集成电路的集成度越高，对光刻精度的要求就越高，难度就越大。第12页/共67页对光刻的基本要求高的图形分辨率（resolution)；高灵敏度(sensitivity)；低缺陷(defect)；精密的套刻对准（alignment and overlay)。第13页/共67页14负胶：晶片上图形与掩膜相反曝光部分发生交联反应，不可溶解，变硬没有曝光的部分去除正胶:晶片上图形与掩膜相同曝光部分发生降解反应，可溶解曝光的部分去除第14页/共67页负胶 Negative Optical resist负胶的光学性能是从可溶解性到不溶解性。负胶在曝光后发生交链作
4、用形成网络结构，在显影液中很少被溶解，而未被曝光的部分充分溶解。第15页/共67页正胶Positive Optical Resistv正胶的光化学性质是从抗溶解到可溶性。v正胶曝光后显影时感光的胶层溶解了。v现有VLSI工艺都采用正胶 第16页/共67页17负胶 正胶 第17页/共67页18第18页/共67页 正胶和负胶的比较 在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着VLSI IC和25微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不
5、一样的（见下图）由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。第19页/共67页（a）亮场掩膜版和负胶组合 图形尺寸变小（b）暗场掩膜版和正胶组合 图形尺寸变大第20页/共67页正胶成本比负胶高，但良品率高；负胶所用的显影剂容易得到，显影过程中图形尺寸相对稳定。对于要求高的制作工艺选择正胶，而对于那些图形尺寸大于2微米的工艺还是选择负胶。图显示了两种类型光刻胶属性的比较。第21页/共67页22光刻工艺8步骤第22页/共67页23第23页/共67页24第24页/共67页251、气相成底
6、膜目的：增强光刻胶与硅片的粘附性步骤：清洗，脱水，硅片表面成底膜处理。第25页/共67页1.分滴：当硅片静止或者旋转的非常慢时，光刻胶被分滴在硅片上2.旋转铺开：快速加速硅片使光刻胶伸展到整个硅片表面 3.旋转甩掉：甩掉多于的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层。4.溶剂挥发：以固定转速继续旋转涂胶的硅片，直到溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥2.旋转涂胶（Spin-on PR Coating）第26页/共67页27第27页/共67页3.软烘（软烘（soft baking）因为光刻胶是一种粘稠体，所以涂胶结束后并不能直接进行曝光，必须经过烘焙，使光刻胶中的溶剂蒸发。烘焙后的光刻胶仍然保持“软”
7、状态。但和晶圆的粘结更加牢固。目的:去除光刻胶中的溶剂。蒸发溶剂的原因：1）溶剂吸收光，干扰了曝光中聚合物的化学反应。2）蒸发溶剂增强光刻胶和晶圆的粘附力。第28页/共67页 时间和温度是软烘的参数。不完全的烘焙在曝光过程中造成图像形成不完整和在刻蚀过程中造成多余的光刻胶漂移；过分烘焙会造成光刻胶中的聚合物产生聚合反应，并且不与曝光射线反应，影响曝光。第29页/共67页30软烘特点:增强光刻胶与硅片的粘附性促进光刻胶的均匀性提高线宽控制典型烘焙温度 90 to 100C For About 30 Seconds在热板上随后在冷板上降温 第30页/共67页4.对准和曝光（对准和曝光（Alignm
8、ent）（Exposure）对准是将掩膜版与与前道工序中已刻在硅片上的图形对准曝光是对准以后，将掩膜版和硅片曝光，把掩膜版图形转移到涂胶的硅片上,实现图形复制。第31页/共67页325 5、曝光后烘焙、曝光后烘焙对深紫外线曝光是必须的典型温度 100 to 110C(热板)曝光后马上进行现在成为实际标准 第32页/共67页显影液溶解部分光刻胶将掩膜上的图形转移到光刻胶上6.显影（显影（Development）三个基本步骤:显影清洗干燥第33页/共67页347 7、坚膜烘焙、坚膜烘焙显影后热烘挥发残留溶剂提高胶和硅片粘附性比软烘温度高些(120 to 140C)第34页/共67页358 8、显影
9、后检查、显影后检查确定图形质量确定质量问题(缺陷)描述光刻工艺能满足要求防止缺陷传递下去EtchImplant有缺陷可以去除光刻胶或返工典型的方法：自动检查，“检查工作站”第35页/共67页36气相成底膜处理1、硅片清洗：硅片沾污影响粘附性显影和刻蚀中的光刻胶飘移2、脱水烘焙：200250度3、硅片成底膜：提高粘附力成底膜技术：浸泡、喷雾和气相方法第36页/共67页第一步:清洗 目的：清除掉晶圆在存储、装载和卸载到片匣过程中吸附到的一些颗粒状污染物。方法：1）高压氮气吹除 2）化学湿法清洗：酸清洗和烘干。3）旋转刷刷洗 4）高压水流喷洗第37页/共67页第二步:脱水 目的：干燥晶圆表面，增加表
10、面粘附性。经过清洁处理后的晶园表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶园表面的黏附能力。第38页/共67页第三步 成底膜增强光刻胶和晶圆的粘附力的方法：A：脱水烘焙 B：涂底胶用hexamethyldisilazane（HMDS）进行成膜处理 (HMDS:六甲基乙硅烷)要求：在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜第39页/共67页40第40页/共67页41第41页/共67页42 旋转涂胶光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后在显影溶液中的溶解度发生变化。光刻胶的目的：1、将掩模版图案转移到硅片顶层的光刻胶中2、在后续工
11、艺中，光刻胶起刻蚀或离子注入阻挡层的作用底膜不是光刻胶底膜不是光刻胶第42页/共67页43光刻胶技术的改善光刻胶技术的改善更好的图形清晰度(分辩率).更好的粘附性.更好的均匀性（一致性）.增加工艺的宽容度(less sensitivity to process variations).第43页/共67页44光刻胶的物理特性：1、分辨率区别硅片表面两个或更多邻近特征图形的能力2、对比度光刻胶上从曝光区到非曝光区过渡的陡度3、敏感度光刻胶产生一个良好图形所需一定波长光的最小能量值4、粘滞性描述液体光刻胶的流动特性5、粘附性光刻胶粘附于衬底的强度第44页/共67页45光刻胶的物理特性：6、抗蚀性保持
12、粘附性，并在后续刻蚀工艺中保护衬底表面7、表面张力液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力8、存储和传送保存期限和温度环境，传送时避免沾污、挥发和暴露在大气中9、沾污和颗粒光刻胶纯度（可动离子沾污和颗粒）-过滤第45页/共67页46第46页/共67页47第47页/共67页传统I线光刻胶由4种成分组成：树脂（聚合物材料）感光剂溶剂添加剂（备选）光刻胶的组成材料光刻胶的组成材料第48页/共67页49传统I线光刻胶第49页/共67页树脂 树脂是一种惰性的聚合物，包括碳、氢、氧的有机高分子。用于把光刻胶中的不同材料聚在一起的粘合剂。对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态。在大多数负性胶里
13、面，聚合物是聚异戊二烯类型。是一种相互粘结的物质抗刻蚀的物质，如图所示。第50页/共67页 正性胶的基本聚合物是苯酚甲醛聚合物，也称为苯酚甲醛树脂。如图所示。在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应第51页/共67页固体有机材料（胶膜的主体）UV曝光后发生光化学反应，溶解性质发生改变正胶从不可溶到可溶负胶从可溶到不可溶树脂第52页/共67页光刻胶中的感光剂是光刻胶材料中的光敏成分。即对光能发生化学反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制
14、在某一波长的光。第53页/共67页溶剂 光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便使光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。绝大多数的溶剂在曝光前挥发，对于光刻胶的光化学性质几乎没有影响。溶解聚合物 经过旋转涂布可得到薄光刻胶膜第54页/共67页添加剂 光刻胶中的添加剂通常是专有化学品，成份由制造商开发，但是由于竞争原因不对外公布。主要在光刻胶薄膜中用来改变光刻胶的特定化学性质或光响应特性。如添加染色剂以减少反射。第55页/共67页56负胶交联步骤：1、光刻胶树脂是悬浮在溶剂（可溶于显影剂溶液）中的聚异戊二烯橡胶聚合物2、曝光使光敏感光剂释放出氮气3、释放出的氮气产生自由
15、基4、自由基通过交联橡胶聚合物（不溶于显影液）使光刻胶聚合第56页/共67页57正性I线胶溶解于显影液的步骤：1、树脂是悬浮于溶剂中的酚醛甲醛聚合物（线形酚醛树脂）2、感光剂化合物作为强的溶解抑制剂（不溶于显影液）被加到线形酚醛树脂中3、曝光过程中，DNQ（重氮萘醌）发生光化学分解产生羧酸4、羧酸提高光刻胶曝光区域的线形酚醛树脂的溶解度（光刻胶在显影液中变得可溶解）第57页/共67页58第58页/共67页59化学放大DUV光刻胶的曝光步骤：1、具有保护团的酚醛树脂使之不溶解于显影液2、光酸产生剂在曝光时产生酸3、曝光区域产生的酸作为催化剂，在曝光后热烘过程中移除树脂保护团4、不含保护团的光刻胶
16、曝光区域溶解于以水为主要成分的显影液第59页/共67页60旋转涂胶第60页/共67页61第61页/共67页62 软烘软烘（前烘）目的：1、光刻胶里面的溶剂去除2、增强光刻胶的粘附性3、缓和通过旋涂制备的光刻胶薄膜内的应力4、防止光刻胶粘到设备上第62页/共67页63无软烘（前烘）后果：1、光刻胶薄膜发黏易受颗粒沾污2、内在应力将导致粘附性问题3、溶剂含量过高导致后续显影时溶解差异，很难区分曝光和非曝光区域4、光刻胶散发的气体沾污光刻系统透镜第63页/共67页64软烘设备第64页/共67页65 光刻胶质量测量1、光刻胶粘附性：光刻胶去湿（脱落）原因：沾污、不充分的HMDS成底膜、亲水2、光刻胶覆盖硅片的质量问题：针孔、溅落、光 刻胶起皮 原因：掩模版/硅片沾污、转速3、光刻胶膜厚度：厚度应均匀，偏差应小于3nm 原因：转动加速度、转速、粘度、气流第65页/共67页小结小结本章学习了：光刻的8个基本步骤；正胶和负胶的区别光刻胶的物理特性和应用气相成底膜和软烘的目的第66页/共67页感谢您的观看！第67页/共67页