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1、模拟电子技术、单选题1. 运算放大器电路如图所示，其反馈极性和类型为()O(2分；答案：A)A :串联电压负反馈B :串联电流负反馈C :并联电压负反馈D :并联电流负反馈共发射极交流电流放大系数的含义为()O(2分；答案：C)A :工作于放大区的三极管，当IB从20pA增加到40|jA时，IC从1mA变成2mA ,则它的0约为（）。A :50B :100C :200D :2022. 实测放大电路中的晶体管，三个电极对地电压为U1=6.5V , U2=14.3V , U3 = 15V则该晶体管是（）。（2分；答案：C）A :NPN硅管B :NPN褚管C :PNP硅管D :PNP褚管为了稳定静态
2、工作点，则需要的反馈是（）。（2分；答案：D）A :串联负反馈B :并联负反馈C :电压负反馈D :直流负反馈三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是（）。（2分；答案：B）A :共发射极B :共基极电路C :共集电极D :无法确定集成运算放大电路中，U + = U-=O ,被称为（）。（2分；答案：C）A虚断B虚短C虚地D :虚零26.稳压管构成的稳压电路，其接法是（）。（2分；答案：C）A :稳压二极管与负载电阻串联B :稳压二极管与负载电阻并联C版流电阻与稳压二极管串联后，负载电阻再与稳压二极管并联D :限流电阻与稳压二极管并联后，负载电阻再与稳压二极管并联工作在放大状态的三极管，当
3、从增大到时，从变成，则该晶体管的电流放大系数为（）OA :0.05B :10C :20D :50引入并联负反馈，可使放大器的（）。（2分；答案：C）A :输出电压稳定B :反馈环内输入电阻增加c:反馈环内输入电阻减小D :输出电流稳定串联电压负反馈稳定（）放大倍数。（2分；答案：D）A:电流B:互阻C :互导D :电压杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。（2分；答案：A）A :杂质浓度B :温度C输入D甩压已知三极管共基电流放大系数a等于0.98 ,当发射极电流为2mA时,则基极电流是和共发射极电流放大系数B是（）。（2分；答案：A）A :40pA , 49B :1.96mA , 4
4、9C :40HA , 0.98D :无法确定需要一个阻抗变换电路，要求ri大，r。小，应选用（）负反馈电路。（2分；答案：C）A :并联电压B :并联电流C :串联电压D :串联电流集成运算放大电路中，1+=1-=0 ,被称为（）。（2分；答案：A）A虚断B虚短C虚地D虚零工作在线性区的运算放大器应置于（）状态。（2分；答案：A）A :深度反馈B:开环C :闭环D :说不清楚差分放大电路是为了（）而设置的。（2分；答案：C）A :稳定AuB :放大信号C抑制零点漂移D稳定Ai36.N型半导体的电子浓度（）空穴浓度。（2分；答案：A）A:大于B :小于C等于D :无法确定两个B相同的晶体管组成复
5、合管后，其电流放大系数约为（）。（2分；答案：B）A :pB平2C :2PD :l + p晶体三极管则属于（）控制型器件。（2分；答案：B）A甩压B :电流c:电感D :电容续上题，若工作电流Ic=lmA ,则工作电压UCE不得超过（）VoA:15B :100C :30D :150集成运算放大电路非线性应用时输出有（）个状态。（2分；答案：A）A :两个B :一个C多个D三个41.引入串联负反馈，可使放大器的（）。（2分；答案：B）A :输出电压稳定B :反馈环内输入电阻增加C :反馈环内输入电阻减小D :输出电流稳定场效应管的工作原理是（）。（2分；答案：A）A :栅源电压控制漏极电流B :
6、栅源电压控制漏极电压C :栅极电流控制漏极电流42. 二极管两端电压大于（）电压时，二极管才导通。（2分；答案：B）A :击穿电压B :死区C :饱和D :夹断电压43. 续上题，若工作电压UCE=1V ,则工作电流Ic不得超过（）mA。（2分；答案：B）A :15B :100C :30D :15044. PN结加反向电压且小于击穿电压时（）。（2分；答案:C）A :阻挡层变薄，反向电流基本不变B :阻挡层变薄，反向电流减小C阻挡层变厚，反向电流基本不变D :阻挡层变厚，反向电流增大45. P型半导体是在本征半导体中加入（）物质后形成的。（2分；答案：C）3.电路如图所示，设二极管VD1, V
7、D2, VD3的正向压降忽略不计，则输出电压uO=()。-2VB :0VC :6VD :12VA:电子B :空穴C :三价硼元素D :五价磷元素P型半导体的电子浓度（）空穴浓度。（2分；答案：B）A:大于B :小于C等于D :无法确定三极管放大电路中，若Q点设置得过低，则容易产生（）失真。（2分；答案：A）A :截止B饱和C频率D:电源三极管三端对地电位分别为：3.3V , 3V , 15V ,则该管为（）。（2分；答案：B）A :硅 NPNB :褚 NPNC :硅 PNPD 楮 PNP共集电极与共发射极放大电路相比，其输入电阻（）。A局B低C :无法比较D相同4. 差动放大电路中，共模抑制比
8、的定义是（）O（2分；答案：C）A :Aud/AucB :Auc/AudC :Mud ID :fel射极跟随器具有（）特点。（2分；答案：D）A :电流放大倍数小B :电压放大倍数高C :输出输入反相D :电压放大倍数近似于1且小于1输入电阻高，输出电阻低6.场效应管属于（）控制型器件。（2分；答案：A）A :电压B:电流C :电感D :电容需要低输入电阻、高输出电阻放大电路，可采用的反馈是（）。（2分；答案：B）A :电流串联负反馈B :电流并联负反馈C :电压串联负反馈D :直流负反馈N型半导体是在本征半导体中加入（）物质后形成的。（2分；答案：D）A甩子B :空穴c:三价硼元素D :五价
9、磷元素PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。（2分；答案：A）A :多数载流子扩散而成B :多数载流子漂移而成C :少数载流子扩散而成D :少数载流子漂移而成三极管的反向电流ICBO是由（）组成的。（2分；答案：B）A :多数载流子B :少数载流子C :多数载流子和少数载流子D :带电离子稳压二极管是利用PN结的（）特性进行稳压的。（2分；答案：C）A :正向导通B :反向截止C :反向击穿D :电容效应NPN型三极管电极电位是UC=9V、UB=2V、UE=2.7V ,则该管工作在（）。（2分；答案:B）A :放大区B :截止区C 口区D :无法确定放大器对不同频率分量呈现的增益不相等造成
10、的失真叫（）。（2分；答案：0）A :饱和失真B :截止失真c:幅频失真D相频失真集成运算放大器，输入级均采用差动放大器，其目的是（）。（2分；答案：A）A抑制零点漂移B :提高共模放大倍数C :提高放大器输入电阻D提高差模放大倍数三极管三端对地电位分别为：7V , 2.7V, 2V ,则该管为（）。（2分；答案：A）A :硅 NPNB :褚 NPNC :硅 PNPD :褚 PNP16.直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（）。（2分；答案：A）A好B差C相同D :说不清楚一晶体管的极限参数：PCM = 150mW z ICM = 100mA , U （ BR ） CEO=30Vo若它的工作 电压UCE=1OV,则工作电流IC不得超过（）mA。（2分；答案：A）A :15B :100C :30D :150引入电压负反馈，可使放大器的（）。（2分；答案：A）A :输出电压稳定B :反馈环内输入电阻增加c:反馈环内输入电阻减小D :输出电流稳定本征半导体电子浓度（）空穴浓度。（2分；答案：C）A:大于B :小于C等于D :无法确定第一级放大器输入电阻rl,第二级放大器输入电阻r2，组成的两级放大器的输入电阻是（）。A :rlB :r2C :rl + r2D :rlx r221.