《高考复习物质结构与性质原因解释--熔沸点原因解释.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《高考复习物质结构与性质原因解释--熔沸点原因解释.docx（5页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、高考复习物质结构与性质原因解释一熔沸点原因解释熔沸点原因解释1 .锲和苯基硼酸在催化剂作用下可以合成丙烯醇 （CH2=CH-CH2OH）,其相对分子质量等于丙醛（CH3cH2cH0）, 但两者沸点相差较大，原因是丙烯醇可与形成分子间氢键，熔 沸点高。2 .元素As与N同族。预测As的氢化物分子的立体结构为 三角锥形,其沸点比NH3的反（填“高”或“低”），其判断理由 是NH3可以形成氢键使沸点增大。3 .苯胺（O 也）的晶体类型是分子晶体。苯胺与甲苯 的相对分子质量相近，但苯胺的熔点（-5.9）、 沸点（184.4）分别高于甲苯的熔点（95.0）、沸点（110.6）, 原因是采胺可以形成氢键熔
2、沸点高。4 .NH3、PH3、As1的沸点由高到低的顺序为NH3AsH3PH3（填化学式，下同），其判断理由是Nhh可以 形成氢键熔沸点最高，PH3、AsH3只有分子间作用力，相对分 了质量ASH3PH3，AsH3范德华力大，熔沸点较高。5 . （2016年全国H卷）氨的沸点高于（填“高于”或“低于”） 瞬（PH3）,原因是一氨分子间可形成氢键;氨是极性分子（填 “极性”或“非极性”），中心原子的轨道杂化类型为sp3。6 .（2020年全国H卷）Ti的四卤化物熔点如下表所示，TiF4 熔点高于其他三种卤化物，自TiCU至丁山熔点依次升高，原因是TiF4为离子化合物，熔点高，其他二种卤化物为共价
3、化合物,随相对分子质量的增大，分子间作用力增大，熔点逐渐升高。化合物TiF4TiCI4TiBr4Til4熔点/377-24.1238.31557 . （2016年四川卷）H2s的氢化物的沸点低于与其组成相 似的H2O的氢化物，其原因是12s分子间不存在氢键，H2。分 子间存在氢键。8 .乙二胺（H2N-CH2-CH2-NH2）和三甲胺N（CH3）3均属于 胺，但相对分子质量相近，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多， 原因是乙二胺可以形成氢键沸点高，三甲胺不能形成氢键，沸 点低。9 . （2017年全国工卷）K和Cr属于同一周期，且核外最外 层电子构型相同，但金属K的熔点、沸点等都比金属Cr低，原 因
4、是K原子半径较大且价电子数较少，金属键较弱。10 . （2017年全国ID卷）在CO2低压合成甲醇反应（CO24-3H2=CH3OH+H2O）所涉及的4种物质中，沸点从 高到低的顺序为H2OCH30HAe。242,原因是一 H2。与CH30H 均为极性分子，H2。中氢键比甲醇中多；CO2与H2均为非极性 分了，CO2相对分子质量较大，范德华力大。11 . （2018年全国口卷）图（a）为S8的结构，其熔点和沸点要比二氧化硫的熔点和沸点高很多，主要原因为S8相对分子质量大，分子间范德华力强 图图b)12 .金属C。的熔点、沸点均高于金属K的原因为金属C。 的价电子数比K多，原子半径比K小，金属键
5、强，熔沸点高。，13 .碳酸亚乙酯()是某锂离子电池电解液的添加剂，该 物质能溶于水，请解释原因碳酸亚乙酯可以与水分子形成氢键， 增大溶解性。14 .金属钱(Ga)位于元素周期表中第4周期IIIA族，其卤化 物的熔点如下表：GaFsGaCLGaBrs熔点FC 100077. 75122. 315 .GaF3熔点比GaC】熔点高很多的原因是 GaF3是离子晶体，微粒间作用力是离子键，GaCb是分子晶体，微粒间作用 力是分子间作用力，离子键强度大于分子间作用力，熔点高。16 .氯化钠的熔点(804)低于氟化钠的熔点(933)的主要 原因是F-半径小于Cl-半径，NaF晶格能大于NaCI,熔点高 。
6、17 .CoO的熔点高于CoS的原因是半径比S2-半径小， CoO晶格能大于CoS ,熔点高。18 .银白铜（铜银合金）可用于制作仿银饰品。第二电离能 G（cu） ）（填，或y/式邮,其原因为铜失去的是全充满的3cf电子，而银失去的是4sl电子。19 . （2015全国卷D） O有两种同素异形体，其中沸点高的 是一。3 （填分子式）,原因是。3相对分子质量较大且是 极性分子，范德华力较大。20 .朋：（N2H4）的相对分子质量与乙烯接近，但沸点远高于 乙烯的原因是册可以形成氢键沸点高 。21. （2019.全国卷I ） 一些氧化物的熔点如表所示:氧化物Li2OMgOP4O6SO2熔点C1570
7、280023.8-75.5解释表中氧化物之间熔点差异的原因口2。、MgO为离子晶 体，P4O6、SO2为分子晶体。晶格能：MgOLi2。分子间作用 力（分子量）：PQ6SO222. （2017.海南卷）SiX4的沸点依F、Cl、Br、I次序升高 的原因是SiX4属于分子晶体，其卤化物相对分子质量质量越大， 范德华力大，熔沸点高。23万於+可用SCN -检验，其对应的酸有两种，分别为硫氟 酸（H-S-C三N）和异硫氧酸（H-N=C=S）,这两种酸中沸点较高的是异硫氟酸（H-N=C=S）,原因是异硫氟酸分子间存在氢键，而硫氧酸（H-S-C三N）分子间不存在氢键。形成分子间氢键，分子间氢键使分子间作用力增大，物质沸点升高；25.GaF3的熔点高于1000, GaC2的熔点为77.9,其 原因是GaF3是离子晶体，而GaCb是分子晶体，离子键比分子 间作用力大得多，故GaF3的熔沸点更高；26.已知常温下TiCl4为液体，MgCb的熔沸点比高得 多，其原因是MqCN是离子晶体，TiC:是分子晶体，离子键比 分子间作用力大得多，故MqCL的熔沸点比TiCl4高得多。