2018年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题A卷.doc

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2018年广西桂林电子科技大学半导体物理考研真题A卷请注意：答案必须写在答题册上（写在试题上无效）。答题纸请注明页码与总页数。一、解释什么是扩散运动。（10分）二、解释什么是PN结内建电场？（10分）三、解释受主杂质的电离过程（10分）四、解释N型半导体的简并化条件（10分）五、解释基区宽度调变效应（10分）六、作出正向偏压下PN结能带图，并简要说明形成过程（15分）七、作出半导体、导体、金属的能带图并解释（15分）八、（20分）已知突变结两边的杂质浓度为NA=1E16cm-3，ND=1E20cm-3，1）求势垒高度和势垒宽度；2）画出电场E(x)，V(x)图。