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1、模 拟 电 子 技 术 复 习 题一、判断题（在正确的论断前的括号内填入“”，否则填入“”。）第二章（）1.运算电路中一般引入正反馈。（）2.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。第三章（）1.因为 N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）2.因为 P型半导体的多子是空穴，所以它带正电。（）3.稳压二极管在稳压工作时，只要反向击穿，不需要限流。（）4.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）5.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）6.PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。（）7.未加外部电压时，PN结中
2、电流从 P区流向 N区。第四章（）1.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（）2.直接耦合多级放大电路各级的Q 点相互影响。（）3.晶体管的参数不随温度变化。（）4.放大电路没有直流偏置不能正常工作。（）5.多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级空载电压放大倍数的乘积。（）6.放大电路的直流分析，要依据直流通路图；放大电路的交流小信号分析计算，要依据交流通路图。（）7.只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（）8.放大电路在低频信号作用时，放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。（）9.射极跟随器的放大倍数为1，因此在电路不起任何作用。（）10.只要将晶体管的静态工作点设置
3、在BJT特性曲线的放大区，则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。（）11.多极放大电路的级数越多，其放大倍数越大，且其通频带越宽。（）12.射极输出器的输入电流是Bi，输出电流是Ei，因此具有较高的电流放大倍数。第五章（）1.场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。（）2.MOSFET 的输入电阻比 BJT高。第六章（）1.运放的共模抑制比CVDVCMRAAK。（）2.通用型集成运放的输入级采用差分放大电路，这是因为它的电压放大倍数大。（）3.某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000，共模电压放大倍数Avc=10，则其共模抑制比 KCMR=100dB。（）4.在集成电路中各级电路间采用直
4、接耦合方式。（）5.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。第七章（）1.负反馈放大电路可能产生自激振荡。（）2.电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。（）3.若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）4.某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈，这些反馈能够稳定输出电流。（）5.要稳定放大电路静态工作点，可以引入交流负反馈。第八章（）1.功率放大电路的转换效率VOPP。（）2.在功率放大电路中，输出功率越大，功放管的管耗功率就越大。（）3.通常采用图解法分析功率放大电路。（）4.功率放大电路工作在大信号状态，要求输出功率大，且转换效率高。第九章（）
5、1.负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。（）2.欲使振荡电路能自行建立振荡，起振时应满足1AF&的条件。（）3.RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容 C的值来调节。（）4.正弦波振荡电路中只能引入正反馈，不允许出现负反馈。（）5.在采用正反馈方框图的条件下，如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为f，放大电路的相移为a，那么只有 a+f=2n，才满足相位平衡条件。（）6.从结构上来看，正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。第十章（）1.整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。（）2.直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能
6、量。二、填空题第二章1.为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度负反馈。2.工作在线性区的理想运放器，两个输入端的输入电流均约等于零称为虚断。第三章1.稳压管稳压时是让其工作在反向击穿状态。2.某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为-10V，-6V，-6.2V，则这只三极管是PNP型锗管。（写出三极管的类型NPN 型还是 PNP 型，是硅管还是锗管。）3.齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在反向击穿状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。第四章4.晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数ICBO将变大（大；小）。5.放大电路的静态分析，要依据直流通路图；放大电路的动态分析，
7、要在交流通路图的基础上画出小信号等效电路图。6.多级放大电路总的电压放大倍数，等于各级有载电压放大倍数的积，总的输入电阻等于第一级放大电路的输入电阻。7.单管共集电极放大电路如下图所示，当Rb太小时，将产生饱和 失真，其输出电压的 _顶部_波形会被削掉。8.单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内ou和iu的相位相反（同；反）。9.放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受温度 的影响。10.晶体管是温度的敏感元件，当温度升高时其参数将变大（大；小）。11.放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生饱和失真。12.晶体管是温度的敏感元件，如果温度升高三极管的输出特性曲线将向_上_（上
8、；下）移动。13.放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生截止失真。14.下图为某放大电路vA?的对数幅频特性图，则该电路的上限截止频率为810 HZ，下限截止频率为210 HZ。dB20lg/vA?/HZf204060121 04106108101010+20dB/十倍频程-20dB/十倍频程15.用示波器观察 NPN 管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示，判断该波形属于截止失真。16.下图是放大管的不完整的符号，根据图中所给数据和电流方向，判断它的类型为NPN型。题 15 图题 16 图第五章1.下图所示的是某管子的转移特性曲线，则它是N 沟道耗尽型 MOSFET 管。2NMOS 增强
9、型场效应管在 放大区 的电流控制关系是2DnGST()iKvV。第六章电流源电路的特点是直流电阻小，动态输出电阻大。第七章1.为减小放大电路的输出电阻，应引入并联负反馈。2.为了稳定静态工作点，应引入直 流负反馈。3.在反馈电路中，若 1+AF1，则为 _负_反馈；若 1+AF1 时,则为_正_反馈。4.下图所示电路的反馈极性是正反馈。5.为了稳定放大电路的输出电压，应引入电压负反馈；为了增大放大电路的输入电阻，应引入 串联负反馈。第八章1.双电源互补对称电路工作在乙类时，每只BJT 的最大允许管耗CMP必须大于0.2 omP。2.下图功放电路中 VCC12V，RL=6，则最大输出功率POM1
10、2 W，最高转换效率为78.5%。第九章1.希望获取频率为 100HZ500HZ的有用信号，应选用带通滤波电路。2.正弦波振荡电路主要有RC 和 LC 型振荡电路两大类,RC 型振荡电路一般用来产生低频信号，LC 型振荡电路一般用来产生高频信号。3.在 RC 桥式正弦波振荡电路中，若 RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为 C，则其振荡频率of12 RC。4.正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、选频网络和稳压电路四部分组成。第十章在电子系统中，经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压，为此要用整流、滤波和稳压等环节来实现。三、单项选择题（每题2 分,共 20 分）第一章1.要使电压放大
11、器具有较强的带负载能力，应减小放大器的哪个参数（C）。A.VAB.iRC.oRD.LR第三章1N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（D）。A.电子B.空穴C.三价元素D.五价元素2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A.增大B.不变C.减小D.不能确定3.晶体二极管具有（A ）特性。A.单向导电B.集电极电压饱和C.双向导电D.集电极电流截止4PN结加正向电压时，空间电荷区将（A ）。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定5二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是（C ）。A.ISeUB.SeTU nUIC.S(e1)TU nUID.S(e1)TU nUI6.二极管两端加
12、上正向电压后有一段 死区电压 。锗管为（A ）V伏。A.0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.7 7.稳压管稳压是利用它的特性，所以必须给稳压管外加电压。（C ）A.单向导电，反向B.反向击穿，正向C.反向击穿，反向D.单向导电，正向8.硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（A ）。A.大B.小C.相等D.无法确定第四章1.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，在中频通带范围内oV和iV的相位（B ）。A.同相B.反相C.相差 90 度D.不确定2.晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B ）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏
13、、后者正偏3.一个三极管放大电路，Bi=60A，Ci=2mA,值为 50，这个三极管工作在（D ）状态。A.放大B.击穿C.截止D.饱和4.电路如图 1 所示，二极管为理想二极管，对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是（B ）。A.二极管 D截止V0o1UB.二极管 D导通V2o1UC.二极管 D导通V0o1UD.二极管 D截止V2o1U图 1 图 2 5.已知某 MOS 场效应管的转移特性如图2 所示，试判断该场效应管的类型为（B ）。A.N沟道增强型 MOS 场效应管B.N 沟道耗尽型 MOS 场效应管C.P沟道增强型 MOS 场效应管D.P沟道耗尽型 MOS 场效应管6.当
14、信号频率等于放大电路的Lf或Hf时，放大倍数的值约下降到中频时的（B ）。A.0.5 倍B.0.7 倍C.0.9 倍D.1 倍7.两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是V1A=10，V2A=20，则此放大电路总的电压放大倍数应是（C ）。A.VA=30 B.VA=10 C.VA=200 D.VA=-200 8.BJT 三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于（B）。A.只有一种载流子参与导电B.两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的C.电子、空穴两种载流子都参与导电D.两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的9.要使放大器具有较好的频率特性，应选用哪种放大组态（D）。A.共射极B.共源极C.
15、共集电极D.共基极10.对于共集放大电路的特点，其错误的结论是（B）。A.电压放大倍数小于 1 且近似等于 1 B.电流放大倍数小于1 且近似等于 1 C.输出电阻小，且与信号源内阻有关D.输入电阻大，且与负载有关11.BJT三极管放大电路的三种组态中，因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是（B）。A.共射极B.共集电极C.共基极D.共源极12 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（B ）。A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适14 考虑了带负载增益分别为V120lg30dBA，V220lg30d
16、BA，V320lg20dBA的三级放大电路，则总的电压增益为（B ）dB。A.1800 dB B.80 dB C.600 dB D.60 dB 15多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（A ）。A.输入级B.中间级C.输出级D.增益最高的一级16某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为5V，1.3V,1V,则这只三极管是（B ）。A.NPN型的硅管B.NPN 型的锗管C.PNP 型的硅管D.PNP型的锗管17.下面各电路器件符号，哪个表示的是晶体三极管？（C ）。A.B.C.D.18.工作在放大区的三极管，当Bi从 20A增大至 40A时，Ci从 1mA变为 2mA，其值约为
17、（B ）。A.100 B.50 C.500 D.1000 19.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电，从输出端测量其有效值电压为1V，则其电压放大倍数为（D ）。A.1000 B.100 C.200 D.20 20.一个三极管若放弃集电极不用，那么基极和发射极之间可当作（B）器件使用。A.晶体三极管B.晶体二极管C.固定电阻D.大容量电容21.共集电极放大电路的放大倍数，而电流放大倍数。（C ）A.1,很小B.1,很大C.1,很大D.1,很小22.工作在放大区的三极管，已知值=100,20ABi，Ei约为（B ）mA。A.1 B.2 C.3 D.4 23.一个单管放大器电源电压6V
18、，发射结正向偏置后，若Vc约为 0.6V，Ve为 0.4V,若 Vb为 1.1V,则该放大器的三极管可能处于（B ）状态。A.放大B.饱和C.截止D.击穿24.BJT 放大电路中 既能放大电压，也能放大电流的是（A ）组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定第五章1.下述管子中输入电阻最高的管子为（A ）。A.MOS场效应管B.BJT 三极管C.结型场效应管D.二级管2.已知某 MOS 场效应管的转移特性如图3 所示，试判断该场效应管的类型为（A ）。A.N沟道增强型 MOS 场效应管B.N沟道耗尽型 MOS 场效应管C.P沟道增强型 MOS 场效应管D.P沟道耗尽型 MOS 场效应管
19、3.场效应管是一种（D）的器件。A.电流控制的电流源B.电流控制的电压源C.电压控制的电压源D.电压控制的电流源4.结型场效应管利用删源极间所加的（A ）来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流5.题 13 图示电路中，T1VV，GSQ2VV，2n0.2mAVK，则漏极电流DQI（A ）。A.0.2mA B.0.4mA C.0.6mA D.0.1mA 6.设题 14 图示电路中漏源之间动态电阻dsr，则图示电路中电压增益vA=（A）。A.mdg RB.mdg RC.mdmd1g Rg RD.mdmd1g Rg R7.题 15 图示转移特性曲线，则它是（A）管。A.
20、N 沟道耗尽型 MOSFET B.P 沟道耗尽型 MOSFET C.N 沟道耗尽型 JFET D.N 沟道增强型 JFET g1Rg2RdRb1C2bCovivgsdDDVdRovivgsdDDVDmAi-1-2-3GSVv240题 13 图题 14 图题 15 图第六章1.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（A ）。A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻D.减小放大倍数2.集成运放电路采用直接耦合方式是因为（D ）。A.可抑制温度漂移B.可使输入电阻减小C.可获得很大的放大倍数D.集成工艺难于制造大容量电容3.集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以（B ）。A.减小温漂B
21、.提高放大倍数C.展宽通频带D.提高带载能力4.复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的（C）。A.和B.差C.积D.商5.某一差动放大电路的输入i1i210m,5mVvV v，则该差放的共模信号cv和差模信号dv分别为（B）。A.2.5mV，7.5mV B.2.5mV，15mV C.-7.5mV，-2.5mV D.-15mV，5mV 6.运放的共模电压增益越小，表明运放的（D ）。A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.输入电阻越大D 抑制共模信号的能力越强7.通用型集成运放的输入级多采用（D ）。A.共基接法B.共集接法C.共射接法D.差分接法8.差分放大电路中，当i1V=3
22、00mV，i2V=280mV，VDA=100，VCA=1时，输出电压为（D ）。A.580mV B.1.71V C.2V D.2.29V 第七章1.负反馈所能抑制的干扰和噪声是（D ）。A.输入信号中的干扰和噪声B.输入信号和放大电路中的干扰和噪声C.反馈环外引入的干扰和噪声D.产生于反馈环内的干扰和噪声2.在输入电量不变的情况下，若引入反馈后（C ），则说明引入的反馈是正反馈。A.输入电阻增大B.输出量 减小C.净输入电量增大D.净输入电量减小3.提高输入电阻，又可稳定输出电流的反馈组态是（D ）。A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈4.放大器引入直流负反
23、馈可以（D ）。A.稳定输出电流B.稳定输出电压C.稳定电压放大倍数D.稳定直流工作点5.对题 9 图示电路中交直流反馈的判断正确的是（B ）。A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈6.在稳定范围内 放大电路引入的负反馈越强，则其（D）。A.放大倍数越大B.输入电阻越大C.输出电阻越小D.放大倍数的稳定性越强。7.欲得到一个压控电流源电路，应该引入的反馈类型为（D）。A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈8 既 提高输入电阻，又可稳定输出电压的反馈组态是（B ）。A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并
24、联负反馈9放大电路如图1 所示，要使静态工作点Q上移,应使（C ）。A.LR增大B.CR增大C.bR减小D.2C增大图 1 图 2 10判断图 2电路中交流反馈的组态（B）。A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈11.希望接上负载LR后，oV基本不变，应引入（A ）负反馈。A.电压B.电流C.串联D.并联12.放大器引入电流串联负反馈可以（A ）。A.稳定输出电流B.降低输入电阻C.降低输出电阻D.稳定电压放大倍数13.负反馈放大电路产生自激振的条件是（C ）。A.1AF?B.0AF?C.1AF?D.AF?14.某负反馈放大电路的开环增益A?=100000,当
25、反馈系数 F=0.0004 时,其闭环增益fA为（A ）。A.2500 B.2000 C.1000 D.1500 15.在反馈放大电路中，如果反馈信号和输出电压成正比，称为（C ）反馈。A.电流B.串联C.电压D.并联第八章1.在 OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为（C ）。A.1 0W B.20 W C.0.2 W D.0.4W 2.若图 1 所示电路中晶体管饱和管压降的数值为CESU，则最大输出功率omP为（C）。A.L2CESCC2)(RUVB.L2CESCC)21(RUVC.L2CESCC2)21(RUVD.L2CESCC)(RUV图 1
26、 图 23.电路图 2 中 D1和 D2管的作用是消除（B ）。A.饱和失真B.交越失真C.截止失真D.线性失真 4.理想情况下，乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为（A）。A.LCCRV22B.LCCRV42C.LCCRV2D.LCCRV82 5.为了消除交越失真，应当使功率放大电路工作在（B ）状态。A.甲类B.甲乙类C.乙类D.丙类第九章1一个实际的正弦波振荡电路的组成为（D ）。A.放大电路和反馈网络B.放大电路和选频网络C.放大电路、反馈网络和稳频网络D.放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节2.有用信号频率高于500Hz，可选用（B ）滤波电路。A.低通B.高通C.带通D.带
27、阻。3.一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈，则（C ）。A.一定会产生高频自激振荡B.有可能产生高频自激振荡C.一定不会产生高频自激振荡D.无法判定第十章10.直流稳压电源中滤波电路的目的是（D ）。A.将直流变为交流B.将高频变为低频C.将低频变为高频D.将交、直流混合量中的交流成分滤掉9.串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（B）。A.基准电压B.基准电压与采样电压之差C.采样电压D.基准电压与采样电压之和12.单相桥式整流电路中，设V2为变压器副边的有效值，则二极管所承受的最大反向截止电压为（B ）。A.2VB.22VC.22VD.22V四、作图题1电路如下图所示，稳压管
28、为硅管，设其正向导通后其上压降7.0V，且稳定电压8UV。设tUsin15V，试画出输出电压oU的波形，并标出幅值。2电路如下图所示，已知tusin5I（V），二极管为理想二极管，试画出ou的波形并标出其幅值。3电路如下图所示，已知i5sinut（V），二极管导通电压7.0DuV，试画出ou的波形，并标出幅值。4电路如下图所示，稳压管的稳定电压3ZuV，R 的取值合适，Iu的波形如右图所示。试画出ou的波形。5某放大电路vA?的对数幅频特性图如下图所示，则该电路的上限截止频率为810HZ，下限截止频率为210HZ。通带增益为80 dB。6已知某 N沟道耗尽型 MOS 场效应管的转移特性和输出特
29、性如下图所示，由图可知夹断电压GSV=-5 V；饱和漏极电流DSSI=2 mA。7 某放大电路的直流负载线如图所示，已知BQ20 AI，（1）在图中标出 Q 点位置；（2）由 Q 点读出CQI=1 mA；CEQV 3 V。0.51.01.52.02.5CmAiCEVv1.0 2.03.04.0 5.06.00B10 Ai20 A30 A40 A50 A五、计算题第二章1.电路如下图所示，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。由运放的“虚断”特性有：Pivv在运放的同向输入端由虚短”特性有：fRRiionifvvvRR再由“虚短”特性有：npivvvfoi1RvvR2.电路如下图所示，假设运放
30、是理想的，试求：（1）集成运放 A1、A2、A3是否为线性应用？A1、A2、A3分别组成何种运算电路？（2）分别列出AV、BV、o1V、o2V的电压方程；（3）求电路输出电压与输入电压的运算关系。、(1)是线性运用；A1、A2为电压跟随器，A3构成求差电路(2)o1Aii12RvvvvRR，o2Bii1(1)2RvvvvRR(3)22o201i11()2(2)oRRvvvvRR3.电路如下图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。（10 分）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n0i，有21RRii即innM12vvuvRR（1）在集成运放的同相输入端，利用理
31、想运放的虚短特性有：np0vv（2）在 M 点，有342iii，即MoMM24300vvvvRRR（3）联立（1）（2）（3）式有23234oii1/104RRR RRvvvR4.电路如下图所示，假设运放是理想的，试求电路的输出电压与输入电压的运算关系。在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n0i，有fRRii1即noi1n1fvvvvRR（1）在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p0i，有i2PP1fvvvRR（2）再利用理想运放的虚短特性有：npvv（3）联立（1）（2）（3）式得fOi2i1i2i11()8()RvvvvvR5.电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初
32、始电压c00v。（1）集成运放1A、2A是否为线性应用？1A、2A分别组成什么运算电路？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放1A、2A是线性应用，运 放1A组成差分式运算电路，2A组成积分电路；（2）3ffO1i2i12311()(1)RRRvvvRRRR集 成 运 放2A组 成 积 分 电 路：o1i3O41dvvvtCRR1f3i3fOi2i1123141dRRRvRvvvtCRRRRRRR6.电路如下图所示，假设运放是理想的，试求：（1）集成运放 A 是否为线性应用？（2）求电路输出电压与输入电压的运算关系。（1）集成运放 A 是线性应用。（2）在集成运放的反相输入端
33、，利用理想运放的虚断特性n0i，有fRRRiii21即noi1ni2n12fvvvvvvRRR（1）在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p0i，有pi3vv再利用理想运放的虚短特性有：npi3vvv（2）将（2）式代入（1）式得fffOi1i2i3i3i3i1i2i31212225fRRRRvvvvvvvvvRRRR7.电路如下图所示，其中4021RR，80fR，2043RR，假设运放是理想的，试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。在集成运放 1 的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n10i，有12fRRRiii即n1oi1n1i2n112fvvvvvvRRR（1）在集成运放的同相
34、输入端，利用理想运放的虚断特性P10i，有4P1i334RvvRR（2）再利用理想运放的虚短特性有：n1p1vv（3）联立（1）（2）（3）式得i1i2f4O1fi3121234()(1)vvRRvRvRRRRRR集成运放 2 组成积分电路：OO11dvvtRCi1i2f4OO1fi312123411d()(1)vvRRvvtRvdtRCRCRRRRRR8.试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性p0i有：Pi3i1P23vvvvRR（1）在集成运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n0i，有noi1n1fvvvvRR（2）再利用理想运
35、放的虚短特性有：pnvv（3）联立（1）（2）（3）式得fffOi1i2i3i1i2i31231010RRRvvvvvvvRRR9.电路如下图所示，假设运放是理想的，电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系。由运放的虚短特性有：np0vv在运放的反相输入端，利用理想运放的虚断特性N0i，有1iC1RvIIRoii11d1000dvv tv tR C10.电路如下图所示，（1）试求u的表达式;（2）试求ou与I1u、I2u、I3u的运算关系。在运放4A的反相输入端，利用理想运放的虚断特性n40i，有3n4oo34131RvvvRRA1、A2、A3的输出电压分别为vI1、vI2、
36、vI3。在集成运放4A的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P40i有：I3P4I1P4I2P4P41112vvvvvvvRRRR（1）由运放的虚短特性有：n4p4o131vvv（2）联立（1）（2）式得：4OI1I2I3I1I2I31()10()RvvvvvvvR第三章1.已知下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ6V，最小稳定电流 IZmin5mA，最大稳定电流 IZmax25mA。（1）分别计算 UI为 10V、15V两种情况下输出电压oU的值；（2）若 UI35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？（1）当 VI10V 时，若 VoVZ6V，则稳压管的电流为106 V4mA1K，小于其最小
37、稳定电流，所以稳压管未击穿。故LOIL3.33VRVVRR当 VI15V 时，若 VoVZ6V，则流过限流电阻的电流为156 V9mA1K，流过电阻LR的电流为6V12mA500稳压管中的电流Z9mA-12mA=-3mAI，所以稳压管未被反向击穿，没工作在稳压状态。1 分所以LOIL=5VRVVRR（2）ZDIZ()29mAIVVRIZM25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。2.已知稳压管的稳定电压UZ6V，稳定电流的最小值IZmin5mA，最大功耗 PZM150mW。试求下图所示电路中电阻 R的取值范围。稳压管的最大稳定电流IZMPZM/VZ25mA电阻 R的电流为 IZMIZmin所以其取值
38、范围为IZZ0.361.8kVVRI3.下 图所示为恒流源电路，已知稳压管工作在稳压状态，试求（1）Nu?；（2）负载电阻LR中的电流。在集成运放的同相输入端，利用理想运放的虚断特性P0i有：PZ6VvV由运放的虚短特性有：NPZ6VvvV在 运 放 的 反 相 输 入 端，利 用 理 想 运 放 的 虚 断 特 性N0i，有2NL26V0.6mA10kRvIIR第四章1.电路计算题 1 图示，已知：V12CCV，b15R，b225R，cL5RR，e1R,f300R晶体管的100，100rbb。（1）求BQV、EQI、BQI、CEQV；（2）画出小信号等效模型；（3）求VA、iR和oR。（4）
39、若电容eC开路，则vA、iR如何变化。(1)静态分析：b1BQCCb1b22V RVVRRBQBEQEQfe1mAVVIRREQBQ10 A 1IICEQEQcfe()5.7VCCVVIRRR (2)小信号等效电路为：(3)动态分析：bebbEQ26mV(1)2.73krrIcLbef()7.7(1)vRRArRib1b2bef(1)3.7kRRRrRoc5kRR (4)Ri增大；vA减小2.已知晶体管的80，rbe=1k。（1）求出 Q 点；（2）求LR3k时电路的VA和iR；（3）求出oR。（1）求解 Q点：CCBEQBQbeEQBQCEQCCEQe32.3A(1)(1)2.61mA7.1
40、7VVVIRRIIVVIR（2）求解输入电阻和电压放大倍数：RL 3k 时ibbeeL(1)()76kRRrRReLbeeL(1)()0.992(1)()vRRArRR&3 分（3）求解输出电阻：371bebseorRRRR3.放大电路如下图所示，已知：V10CCV，15b1R，20b2R，2cR，2eR,2LR电流放大系数100。电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值BI，CI，CEU；（2）画出放大电路的小信号等效电路；（3）求电压放大倍数VA，输入电阻iR，输出电阻oR。（1）静态分析b1BQCCb1b24.3VRVVRRBQBEQCQEQe1.8mAVVIIRCEQCCCQce2.
41、8VVVIRRCQBQ18AII（2）放大电路的小信号等效电路如下：（3）动 态 分 析：bebbEQ26mV(1)1.66krrIcLbe/60vRRAr&ib1b2be1.39RRRrk2coRR4.放大电路如下图所示，设80，BE0.6VV，CEOI，CESV可忽略不计，试分析当开关S分别接通 A、B、C 三位置时。BJT各工作在其输出特性曲线的哪个区域，并求出相应的集电极电流CI。（1）S与 A 相连时：B3120.6 V0.0003A40 10I而CCCSCBS0.038mAVIRI故此时 BJT 工作在饱和区CCCC3mAVIRS 与 B 相连时：B3120.6 V0.000023
42、A=0.023mA50010I有BBSII，故此时 BJT 工作在放大区，CB1.84mAII。S 与 C 相连时,BJT 工作在截止区，C0I。5.放大电路如图所示，已知：V18CCV，16b1R，56b2R，6cR，3.3eR,6LR，电流放大系数100，V7.0BEU,V7.0CESU。电路中电容容量足够大，要求：（1）求静态值BI，CI，CEU；（2）用图解法求静态工作点Q；并画出交流负载线；（3）信号增大过程中，输出首先出现何种失真？怎样消除？（4）画出放大电路的小信号等效电路；（5）求电压放大倍数VA，输入电阻iR，输出电阻oR。（1）静态分析b1BQCCb1b2BQBEQEQeE
43、QBQCEQEQcfe4V 1mA10 A 1()8.7VCCRVVRRVVIRIIVVIRRRb1BQCCb1b2BQBEQEQeEQBQCEQEQcfe4V 1mA10 A 1()8.7VCCRVVRRUUIRIIVVIRRR（2）作出交、直流负载线如下：（3）信号增大过程中，输出首先出现截止失真；为消除截止失真可使Q 点上移，减小 Rb1可达到此目的。（4）放大电路的小信号等效电路如下：（5）动态分析：bebbEQ26mV(1)2.7krrIcLbe()111vRRAr&ib1b2be2.2kRRRroc6kRR6.设右图所示电路所加输入电压为正弦波。试问：（1）1uA=o1U/iU?2
44、uA=o2U/iU?（2）由输入电压iu波形画出输出电压o1u、o2u的波形。（1）因为通常 1，所以电压放大倍数分别应为cc1beee1(1)vRRArRRe2e(1)1(1)vbeRArR（2）两个电压放大倍数说明o1ivv，o2ivv。波形如右图所示。7.电路如图（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时BEQU0.7V。（1）利用图解法求出LR时的静态工作点；（2）bR开 路 时 用 直 流 电 压 表 测 晶 体 管 的 集 电 极电 位 应为 多 少？。（1）由BBBEQBQbVVIR得 IBQ 20A利用图解法作出直流负载线求得ICQ 2mA，VCEQ 6V；（2）bR开路时
45、用直流电压表测晶体管的集电极电位应为12V。8.（1）画出下图所示电路的直流通路和交流通路，设所有电容对交流信号均可视为短路；（2）试写出求所示电路Q点的表达式、uA、Ri和 Ro的表达式。（1）所示电路的直流通路和交流通路如下图所示：直流通路交流通路（2）Q 点 为CCBEQBQ123CQBQCEQCCBQc(1)(1)VVIRRRIIVVIRvA、Ri和 Ro的表达式分别为23bevRRAribe1RrRo23RRR9.已知下图所示电路中晶体管的100，rbe=1k。（1）现已测得静态管压降UCEQ6V，估算 Rb约为多少千欧；（2）若测得iU和oU的有效值分别为1mV 和 100mV，则
46、负载电阻 RL为多少千欧？（1）求解 RbCCCEQCQc2mAVVIRCQBQ20AIICCBEQbBQ565kVVRI（2）求解 RL：oi100 vvAvLbe=-100 vRArL1kRLcL111 1.5kRRR10.在下图所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真？在不改变输入信号的条件下如何消除？（a）饱和失真;增大 Rb;减小 Rc（b）截止失真;减小 Rb（c）同时出现饱和失真和截止失真;增大 VCC11.某放大电路的交流通路如下图所示，（1）试画出该放大电路的小信号等效模型；（2）试求该放大
47、电路的uA、Ri和Ro的表达式。（1）该放大电路的小信号等效模型如下：（2）vA&、Ri和 Ro的 表 达 式 分 别 为：23bevRRAr&ibe1RrRo23RRR第六章1.电路如下图所示，图中两管子参数相同。其中CC15VV，14.3R，BE0.7VV，求C2I。T1、T2组成镜像电流源，BE2REF15V0.7V1mA14.3CCCVVIIRk第七章1.电路如下图所示，（1）判断图示电路中级间交流反馈的组态?（2）计算闭环反馈系数gF和深度负反馈时闭环电压增益vfA。(1)电压并联负反馈(2)fo21gFivR深度负反馈时，满足虚短和虚断，因此，oi120vvRR所以2f1vRAR2
48、.电路如下图所示，（1）判断电路中级间交流反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数vF；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益VFA。（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。（2）反馈系数f1o12vvRFvRR；（3）在深度负反馈下，放大电路的增益oo2fif111vvvRAvvFR3.电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数gF；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益rfA、vfA。（1）电路引入中的反馈组态为电压并联负反馈；引入反馈后，使输入电
49、阻减小，输出电阻减小。（2）反 馈 系 数fo41giFvR；（3）在深度负反馈下，放大电路的增益oof4if1rvvARiiFooo4fii1f11vvvvRAvi Ri RR4.电路如下图所示：（1）判断电路中级间反馈的组态；定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）试求反馈系数 FV；（3）在深度负反馈下，试求放大电路电压增益vfA的表达式。（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。（2）反 馈 系 数f4o47vvRFvRR；（3）在深度负反馈下，放大电路的增益oo7fif411vvvvRAvvFR5.电路如下图所示，（1）判断电路中级间
50、反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数VF；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益VFA。（1）电路引入中的反馈组态为电压串联负反馈；引入反馈后，使输入电阻增大，输出电阻减小。（2）反馈系数114vRFRR；（3）在深度负反馈下，放大电路的增益4f111vRAFR6.电路如下图所示，（1）判断电路中级间反馈的组态；并定性地分析它对输入电阻和输出电阻的影响；（2）求反馈系数；（3）试求在深度负反馈下，放大电路的增益VFA。(1)电压串联负反馈；引入该组态负反馈后使输入电阻增大和输出电阻减小(2)f1o12vvRFvRR深度负反馈时，有ifvv，所以oo2fif1