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1、第一章 绪论1. 画出集成电路设计与制造的主要流程框架。 按构造分类 单片集成电路 双极型 MOS B iMOS型 NMOS PMOS CMOS B iMOS型 B iCMOS 混合集成电路 厚膜混合集成电路 SSI薄膜混合集成电路集成电路MSI 按规模分类 按功能分类 LSIVLSI ULSI GSI 数字电路 组合规律电路模拟电路 时序规律电路 线性电路 非线性电路 数字模拟混合电路 按应用领域分类2. 集成电路分类状况如何？ 答：3. 微电子学的特点是什么？答：微电子学：电子学的一门分支学科微电子学以实现电路和系统的集成为目的，故有用性极强。微电子学中的空间尺度通常是以微米(mm, 1m
2、m106m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。微电子学是信息领域的重要根底学科微电子学是一门综合性很强的边缘学科涉及了固体物理学、量子力学、热力学与统计物理学、材料科学、电子线路、信号处理、计算机关心设计、测试与加工、图论、化学等多个学科微电子学是一门进展极为快速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高牢靠性是微电子学进展的方向微电子学的渗透性极强，它可以是与其他学科结合而诞生出一系列的穿插学科，例如微机电系统(MEMS)、生物芯片等其次章 半导体物理和器件物理根底1. 什么是半导体？特点、常用半导体材料答：什么是半导体？金属：电导率 106104(Wcm-1)，不含禁带； 半导体
3、：电导率 10410-10(Wcm-1)，含禁带； 绝缘体：电导率10-10 (Wcm-1)，禁带较宽； 半导体的特点：（1） 电导率随温度上升而指数上升；（2） 杂质的种类和数量打算其电导率；（3） 可以实现非均匀掺杂；（4） 光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率； 半导体有元素半导体，如：Si、Ge锗化合物半导体，如：GaAs砷化镓、InP 磷化铟硅：地球上含量最丰富的元素之一，微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。硅(原子 序数 14)的物理化学性质主要由最外层四个电子称为价电子打算。每个硅原子近邻有四个硅原子， 每两个相邻原子之间有一对电子，它们与两个原子核都有吸引作用
4、，称为共价键。化合物半导体：III 族元素和 V 族构成的 III-V 族化合物，如，GaAs(砷化镓)，InSb(锑化铟)，GaP(磷化镓)，InP(磷化铟)等，广泛用于光电器件、半导体激光器和微波器件。2.掺杂、施主/受主、P 型/N 型半导体3. 能带、导带、价带、禁带4. 半导体中的载流子、迁移率5. PN 结，为什么会单向导电，正向特性、反向特性，PN 结击穿有几种6. 双极晶体管工作原理，根本构造，直流特性7. MOS 晶体管根本构造、工作原理、I-V 方程、三个工作区的特性8. MOS 晶体管分类答：按载流子类型分： NMOS: 也称为 N 沟道，载流子为电子。 PMOS:也称为
5、P 沟道，载流子为空穴。按导通类型分： 增加常闭型：必需在栅上施加电压才能形成沟道。 耗尽常开型：在零偏压下存在反型层导电沟道，必需在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。四种 MOS 晶体管：N 沟增加型；N 沟耗尽型；P 沟增加型；P 沟耗尽型第三章 大规模集成电路根底重点章节1. 集成电路制造流程、特征尺寸2. CMOS 集成电路特点3. MOS 开关、CMOS 传输门特性4. CMOS 反相器特性(电压传输特性、PMOS 和 NMOS 工作区域)5. CMOS 组合规律：根本规律门6. 反相器、二输入与非、或非门7. 闩锁效应起因第四章 集成电路制造工艺重点章节1. 集成电路工艺主
6、要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用答：图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体单晶片上掺杂：依据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等制膜：制作各种材料的薄膜图形转换：?光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻?刻蚀：干法刻蚀、湿发刻蚀掺杂：?离子注入退火?集中制膜：?氧化：干氧氧化、湿氧氧化等?CVD：APCVD、LPCVD、PECVD?PVD：蒸发、溅射2. 简述光刻的工艺过程答：光刻工序：光刻胶的涂覆前烘爆光显影坚膜刻蚀去胶3. 二极管工艺流程图11 级把握、CMOS 双阱工艺流程图10 级把握第五章 半导体
7、材料1. 半导体材料根底n 材料的晶体构造：晶面和晶向n 晶体的缺陷n 晶体的掺杂第六章 集成电路设计重点章节1. 层次化、构造化设计概念，集成电路设计设计层次2. 集成电路设计流程，三个设计步骤n 系统功能设计n 规律和电路设计n 幅员设计3. 数字电路设计的流程4. 幅员验证和检查包括哪些内容？5. 幅员设计规章概念，为什么需要指定幅员设计规章，幅员设计规章主要内容以及表示方法。6. 集成电路设计方法分类全定制、半定制、PLD7. 标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8. PLD 设计方法的特点，FPGA/CPLD 的概念9. 识别简洁的幅员10. 分析简洁的组合电路规律第七章 集
8、成电路设计的EDA 系统重点章节1. VHDL 语言的用途答：VHDL 的作用VHDL 是一门设计输入语言；设计描述VHDL 是一门仿真模型语言；建模VHDL 是一门测试语言；设计验证VHDL 是一门网表语言；设计交换VHDL 可以作为文档语言；设计合同VHDL 是一门标准语言，与 EDA 工具无关，与工艺无关；2. VHDL 设计要素：实体、构造体、配置、程序包和库，各自的概念和作用3. VHDL 描述电路的风格答：构造体对电路描述的方式：构造描述：描述电路由哪些模块、如何连接构成的；数据流描述：使用 VHDL 内建的运算符描述电路的输入输出关系； 行为描述：使用进程语句，描述电路的行为或者
9、算法；4. 信号、变量的区分5. 什么是进程语句6. 什么是综合？综合过程有几个步骤。答：综合是从设计的高层次向低层次转换的过程，是一种自动设计的过程，一种专家系统。综合过程：1. 设计描述2. 设计编译3. 规律化简和优化：完成规律构造的生成与优化，满足系统规律功能的要求。4. 利用给定的规律单元库进展工艺映射，对生成的规律网络进展元件配置，进而估算速度、面积、功耗，进展规律构造的性能优化5. 得到规律网表7. 什么是电路模拟？其在 IC 设计中的作用答：电路模拟：依据电路的拓扑构造和元件参数将电路问题转换成适当的数学方程并求解， 依据计算结果检验电路设计的正确性模拟对象：元件优点：不需实际
10、元件、可作各种模拟甚至破坏性模拟在集成电路设计中起的作用：幅员设计前的电路设计，保证电路正确(包括电路构造和元件参数)有单元库支持：单元事先经过电路模拟无单元库支持的全定制设计：由底向上，首先对单元门电路进展电路设计、电路模拟，依此进展幅员设计，直至整个电路后仿真：考虑了寄生参数，由电路模拟推测电路性能典型软件：SPICE、HSPICE8. SPICE 主要可以完成哪些主要的电路分析答：直流分析：典型的是求解直流转移特性(.DC)，输入加扫描电压或电流，求输出和其他节点元件连接处电压或支路电流；还有 .TF、.OP、.SENSE沟通分析(.AC)：以频率为变量，在不同的频率上求出稳态下输出和其
11、他节点电压或支路电流的幅值和相位。噪声分析和失真分析瞬态分析(.TRAN)：以时间为变量，输入加随时间变化的信号，计算输出和其节点电压或支路电流的瞬态值。温度特性分析(.TEMP)：不同温度下进展上述分析，求出电路的温度特性9. 会识别简洁的 SPICE 网表文件书，能看懂简洁的 VHDL语言描述的电路书)。10. SPICE 主要可以完成哪些主要的电路分析答：直流分析：典型的是求解直流转移特性(.DC)，输入加扫描电压或电流，求输出和其他节点元件连接处电压或支路电流；还有 .TF、.OP、.SENSE沟通分析(.AC)：以频率为变量，在不同的频率上求出稳态下输出和其他节点电压或支路电流的幅值和相位。噪声分析和失真分析瞬态分析(.TRAN)：以时间为变量，输入加随时间变化的信号，计算输出和其节点电压或支路电流的瞬态值。温度特性分析(.TEMP)：不同温度下进展上述分析，求出电路的温度特性电路模拟软件的根本构造：输入处理、元器件模型处理、建立电路方程、方程求解和输出处理第八章 系统芯片SOC设计1. 系统芯片的根本概念和特点？2. SOC 设计过程3. SOC 关键技术 什么是软硬件协同设计 什么是 IP 复用技术 IP 核分为几大类 IP 选择的原则 什么是 Glue logic 什么是天线效应，什么是电迁移效应