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1、常用电子元器件参考资料第一节 局部电气图形符号265图形符号一电阻器、电容器、电感器和变压器名称与说明图形符号名称与说明电感器、线圈、绕组或扼电阻器一般符号流图。注：符号中半圆数不得少于 3 个可变电阻器或可调电阻器滑动触点电位器带磁芯、铁芯的电感器带磁芯连续可调的电感器极性电容双绕组变压器注：可增加绕组数目可变电容器或可调电容器绕组间有屏蔽的双绕组变压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容器。注：可增加同调联数在一个绕组上有抽头的变压器微调电容器二半导体管图形符号名称与说明图形符号(1)二极管的符号(2)发光二极管名称与说明JFET 结型场效应管(1) N 沟道(2) P 沟道PNP 型晶体三
2、极管光电二极管稳压二极管NPN 型晶体三极管全波桥式整流器变容二极管三其它电气图形符号图形符号名称与说明具有两个电极的 压 电 晶 体注：电极数目可增加图形符号名称与说明或接机壳或底板熔断器导线的连接指示灯及信号灯导线的不连接扬声器动合(常开)触点开关蜂鸣器动断(常闭)触点开关接大地手动开关其次节 常用电子元器件型号命名法及主要技术参数一电阻器和电位器1. 电阻器和电位器的型号命名方法第一局部：主称其次局部：材料符符第三局部：特征分类意义第四局部：序号符对主称、材料一样，仅性能指标、尺寸大小有差异，但根本不影响互换使用的产品，赐予同一序号；假设性能指标、尺寸大小明 显影 响互 换时，则在序号后
3、面用大写字母作为区分代号。表 1电阻器型号命名方法号意义号意义号电阻器电位器R电阻器T碳膜1一般一般W电位器H合成膜2一般一般S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5高温Y氧化膜6C沉积膜7周密周密I玻璃釉膜8高压特别函数P硼碳膜9特别特别U硅碳膜G高功率X线绕T可调M压敏W微调G光敏D多圈R热敏B温度补偿用C温度测量用P旁热式W稳压式Z正温度系数例如：(1) 周密金属膜电阻器RJ73(2) 多圈线绕电位器WXD3第四局部：序号第三局部：类别周密 其次局部：材料金属膜 第一局部：主称电阻器第四局部：序号第三局部：类别多圈 其次局部：材料线绕 第一局部：主称电位器2. 电阻器的主要技术指标(
4、1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著转变其性能所允许消耗的最大功率称 为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时肯定要消耗的功率， 而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功 率，如表 2 所示。名称额定功率W表 2电阻器的功率等级实芯电阻器0.250.51250.51261015线绕电阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜电阻器25102550100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。依据国家标准，常用的标
5、称电阻值系列如表3 所示。E24、E12 和 E6 系列也适用于电位器和电容器。标称值系列精度电阻器W、电位器W、电容器标称值PF表 3标称值系列1.01.11.21.31.51.61.82.0E245%2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E1210%3.33.94.75.66.88.2E620%1.01.52.23.34.76.88.2表中数值再乘以 10n，其中 n 为正整数或负整数。(3) 允许误差等级表 4电阻的精度等级允许误差(%)0.001EXYHUWB0.20.51251020CDFG
6、JIKIIMIII等级符号允许误差(%) 等级符号0.0020.0050.010.020.050.13. 电阻器的标志内容及方法(1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数阻值和其次位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表 5 所示。如 1R5 表示 1.5W，2K7 表示 2.7kW，表文字符号R表示单位欧姆(W)KMGT千欧姆(103W)兆欧姆(106W)千兆欧姆(109W)兆兆欧姆(1012W)例如：RJ710.1255k1II允许误差10% 标称阻值(5.1kW) 额定功
7、率 1/8W 型号由标号可知，它是周密金属膜电阻器，额定功率为 1/8W，标称阻值为 5.1kW，允许误差为10%。(2) 色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色色环或色点 标注在它的外外表上。色标电阻色环电阻器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义如图 1 和图 2 所示。标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字颜色第一位有效值其次位有效值倍率允 许 偏 差10010110210310410510610710810910-110-220% +50% 5% 10% 20%标称值有效数字后 0 的个数允许误差黑00棕11红22橙33黄44绿55蓝66紫77灰88白金银无色99
8、图 1两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值允许误差均为20%。例如，色环为棕黑红，表示 101021.0kW20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值二位有效数字及精度。例如，色环为棕绿橙金表示1510315kW5%的电阻器。五色环电阻器的色环表示标称值三位有效数字及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表示 2751042.75MW1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。较标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的1.52倍。标称值第一位有效数字标称值其次位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后 0 的个数允许误差
9、倍100101102103104105106107108109率允许偏差 1% 2% 0.5% 0.25 0.1%金银10-110-2有些色环电阻器由于厂家生产不标准，无法用上面的特征推断，这时只能借助万用表推断。颜色第一位有效值其次位有效值第三位有效值黑000棕111红222橙333黄444绿555蓝666紫777灰888白999图 2三位有效数字阻值的色环表示法4. 电位器的主要技术指标(1) 额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应留意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。(2) 标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。(3) 允许误差等级
10、实测阻值与标称阻值误差范围依据不同精度等级可允许20%、10%、5%、2%、1% 的误差。周密电位器的精度可达 0.1%。(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度或滑动行程之间的变化关系，这种变化关系可以是任何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式指数式。在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式指数式电位器适合于作收音机、录音机、电唱机、电视机中的音量把握器。修理时假设找不到同类品，可用直线式代替， 但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调把握等。5. 电位器的一般标志方法WT23.3k10%允许误差10% 标称阻值 3.3kW 额定功率 2W 碳膜电位器WX1510
11、WJ允许误差5% 标称阻值 510W 额定功率 1W 线绕电位器二电容器1. 电容器型号命名法第一局部：主称符号意义其次局部：材料符意义符第三局部：特征、分类意义第四局部：序号电容器对主称、材料一样，仅尺寸、性能指标略有不同， 但根本不影响互使用的产品，赐予同一序号；假设尺寸性能指标的差异明显； 影响互换使用时，则在序号后面用大写字母作为区别代号。表 6电容器型号命名法号号瓷介云母玻璃电解其他C瓷介1圆片非密封箔式非密封Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特别特
12、别S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他例如：(1) 铝电解电容器CD11(2) 圆片形瓷介电容器CC11(3) 纸介金属膜电容器CZJX2. 电容器的主要技术指标第四局部：序号第三局部：特征分类箔式 其次局部：材料铝第一局部：主称电容器第四局部：序号第三局部：特征分类圆片 其次局部：材料瓷介质 第一局部：主称电容器第四局部：序号第三局部：特征分类金属膜 其次局部：材料纸介第一局部：主称电容器(1) 电容器的耐压： 常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V，10V，16V，25V，40V，63V，100V，160V，250V，400V。(2) 电容器容许误差等级：常
13、见的有七个等级如表7 所示。表 7+20%+50%+100%容许误差2%5%10%20%-30%-20%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI 電容常用字母代表誤差 B: 0.1,C: 0.25,D: 0.5,F: 1,G: 2,J: 5,K: 10,M: 20,N: 30,Z:+80-20。(3) 标称电容量：表 8固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号容许误差标称容量对应值E245%I或J10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,90E12E610%II或K 20%III或m10,12,1
14、5,18,22,27,33,39,47,56,68,8210,15,22,23,47,68注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10n ，其中 n 为正整数或负整数，单位为 pF。3. 电容器的标志方法(1) 直标法 容量单位：F法拉、mF微法、nF纳法、pF皮法或微微法。1 法拉=106 微法=1012 微微法， 1 微法=103 纳法=106 微微法1 纳法=103 微微法例如：4n7表示 4.7nF 或 4700pF，0.22表示 0.22mF，51表示 51pF。有时用大于 1 的两位以上的数字表示单位为pF 的电容，例如 101 表示 100 pF；用小于1 的数字表示单位为mF
15、的电容，例如 0.1 表示 0.1mF。(2) 数码表示法 一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字， 后一位表示位率。即乘以10i，i 为第三位数字，假设第三位数字9，则乘10-1。如223J 代表22103pF22022pF0.22mF，允许误差为5%；又如 479K 代表 4710-1pF，允许误差为5%的电容。这种表示方法最为常见。（3） 色码表示法 这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22022pF。三电感器
16、1. 电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。2. 电感器的主要技术指标(1) 电感量:在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L 表示，简称为电感。即：jL =I式中：j磁通量I电流强度(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。(3) 品质因数：电感线圈的品质因数定义为：Q = w LR式中：w工作角频率，L线圈电感量，R线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中允许
17、通过的最大电流。(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2电感器电感量的标志方法(1) 直标法。单位H亨利、mH毫亨、mH微亨、(2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法一样。(3) 色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相像，色码一般有四种颜色，前两种颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为mH，第四种颜色是误差位。四半导体分立器件1. 半导体分立器件的命名方法（1） 我国半导体分立器件的命名法第一局部其次局部第三局部表 9国产半导体分立器件型号命名法第四局部第五局部用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语拼音字母用数字用 汉语 拼件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型表示器件音 表示
18、 规符意义符意义符意义符意义序号格 的区 别号号号号代号2二极管AN 型，锗材料P一般管D低频大功率管BP 型，锗材料V微波管 fa 3MHz,CN 型，硅材料W稳压管P 1W)CDP 型，硅材料C参量管A高频大功率管Z整流管 fa 3MHz3三极管APNP 型，锗材料L整流堆P 1WCBNPN 型，锗材料S隧道管T半导体闸流管CPNP 型，硅材料N阻尼管(可控硅整流器)DNPN 型，硅材料U光电器件Y体效应器件E化合物材料K开关管B雪崩管X低频小功率管J阶跃恢复管 fa 3MHz,CS场效应器件P 1WBTC半导体特别器件G高频小功率管FH复合管 fa 3MHzPINPIN 型管P 1WJG
19、C激光器件例：1) 锗材料PNP 型低频大功率三极管：2) 硅材料NPN 型高频小功率三极管：3AD50C3DG201B规格号规格号序号序号低频大功率低频大功率PNP 型、锗材料PNP 型、锗材料三极管3) N 型硅材料稳压二极管：4) 单结晶体管：三极管2CW51BT33E序号规格号稳压管耗散功率N 型、硅材料三个电极二极管特种管（2） 国际电子联合会半导体器件命名法表 10国际电子联合会半导体器件型号命名法半导体第一局部用字母表示使用的材料其次局部用字母表示类型及主要特性第三局部用数字或字母加数字表示登记号第四局部用字母对同一型号者分档符号意义符号B硅材料DE意义检波、开关和混频二极管 变
20、容二极管 低频小功率三极管低频大功率三极管隧道二极管 高频小功率三极管复合器件 及其它器件 磁敏二极管 开放磁路中的霍尔元件 高频大功率三极管符号M意义封闭磁路中的霍尔元件光敏元件符号意义符号意义A锗材料ABPCQ发光器件三位数字通用半导体器件的登记序RS小功率可控硅小功率开关管号同一类型器件使用同一登记号C砷化镓FT大功率可控硅D锑化铟GHUX大功率开关管倍增二极管R复合材料KY一个字母加两位数字专用半导体器件的登记序号同一类型器件使用同一登记号A B C D E同 一型 号 器件 按 某一 参 数进 行 分档 的 标志LZ整流二极管稳压二极管即齐纳二极管例如命名：AF239SAF239 型
21、某一参数的S 档一般用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：1) 这种命名法被欧洲很多国家承受。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母 是 A，B，C，D 或 R 的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。2) 第一个字母表示材料A 表示锗管，B 表示硅管，但不表示极性NPN 型或 PNP型。3) 其次个字母表示器件的类别和主要特点。如C 表示低频小功率管，D 表示低频大功率管，F 表示高频小功率管，L 表示高频大功率管等等。假设记住了这些字母的意义，不查手册也可以推断出类别。例如，BL49 型，一见便知是硅大功率专用三极管。4) 第三
22、局部表示登记挨次号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品， 挨次号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184 为PNP 型，而 AC185 则为NPN 型。5) 第四局部字母表示同一型号的某一参数如hFE 或 N进展分档。F6) 型号中的符号均不反映器件的极性指 NPN 或 PNP。极性确实定需查阅手册或测量。(3) 美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号 命名法，即美国电子工业协会EIA规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11 所示。第一局部用符号表示用途的类型其次局部用数字表示PN 结的数目第三局部美国电子
23、工业协会(EIA)注册标志第四局部美国电子工业协会(EIA)登记挨次号第五局部用字母表示器件分档或 J军用品23三极管三个PN 结器件n 个PN结器件N无非军用品nA B C DL同 一型 号 的不 同 档别表 11美国电子工业协会半导体器件型号命名法符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN1二极管该 器 件已 在 美 国多该器件在电 子 工 业位美国电子工协 会 注 册数业协会登记登记字的挨次号例：1) JAN2N29042) 1N4001JAN2N29041N4001EIA 登记序号EIA 登记序号EIA 注册标志三极管EIA 注册标志二极管军用品美国晶体管型号命名法的特点：1) 型
24、号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N 开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。2) 组成型号的第一局部是前缀，第五局部是后缀，中间的三局部为型号的根本局部。3) 除去前缀以外，凡型号以 1N、2N 或 3NLL开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。4) 第四局部数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特性相差很大。例如，2N3464 为硅NPN，高频大功率管，而 2N3465 为N 沟道场效应管。5) 不
25、同厂家生产的性能根本全都的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数的差特别用后缀字母表示。因此，型号一样的器件可以通用。6) 登记序号数大的通常是近期产品。(4) 日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件包括晶体管或其它国家按日本专利生产的这类器件，都是按日本工业标准JIS规定的命名法JISC702命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七局部组成。通常只用到前五局部。前五局部符号及意义如表 12 所示。第六、七局部的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六局部的符号表示特别的用途及特性，其常用的符号有：M松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上防卫队参谋部有关标准登记的产品。N松下公司用
26、来表示该器件符合日本播送协会NHK有关标准的登记产品。 Z松下公司用来表示专用通信用的牢靠性高的器件。 H日立公司用来表示专为通信用的牢靠性高的器件。 K日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的牢靠性高的器件。 T日立公司用来表示收发报机用的推举产品。 G东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。 S三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七局部的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R，G，012四位以上的数字3LL始，表示在日本电子工业协会注册登记的挨次号，不同公司性能一样的器件可以使用同一挨次号，其数字越大越是近期产品B C D E FLL表示对原来型号的改进产品
27、n- 1二极管、晶体管及其组合管S本电子工业协会(EIAJ) 注册登记的半导体BC DPNP 型低频管NPN 型高频管NPN 型低频管二极管分立器件FP 把握极可控硅Y 等字母；日立公司常用A，B，C，D 等字母，作为直流放大系数hFE的分档标志。表 12日本半导体器件型号命名法第一局部其次局部第三局部第四局部第五局部用数字表示类型S 表示日本电子工用字母表示器件用数字表示在日用字母表示或有效电极数业协会EIAJ的的极性及类型本电子工业协会对原来型号注册产品登记的挨次号的改进产品符符符符符号意义号意义号意义号意义号意义光电(即光敏)表示已在日APNP 型高频管从 11开A用字母三极管、具有两个
28、以上 PNG HN 把握极可控硅N 基极单结晶体管结的其他晶JP 沟道场效应管体管KN 沟道场效应管具有四个有M双向可控硅效电极或具有三个 PN 结的晶体管具有n 个有效电极或具有n-1 个 PN 结的晶体管例如：12SC502A日本收音机中常用的中频放大管2SC502A2SC502 型的改进产品日本电子工业协会登记挨次号NPN 型高频三极管日本电子工业协会注册产品三极管两个PN 结22SA495日本夏普公司GF9494 收录机用小功率管2SA495日本电子工业协会登记挨次号PNP 高频管日本电子工业协会注册产品三极管两个PN 结日本半导体器件型号命名法有如下特点：1) 型号中的第一局部是数字
29、，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1”表示二极管，用“2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2) 其次局部均为字母S，表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。3) 第三局部表示极性和类型。例如用A 表示PNP 型高频管，用J 表示P 沟道场效应三极管。但是，第三局部既不表示材料，也不表示功率的大小。4) 第四局部只表示在日本工业协会EIAJ注册登记的挨次号，并不反映器件的性能， 挨次号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680 型的最大额定耗散功率为200mW，而 2SC2681 的最大额定耗散功率为 100W。但是，登记挨次号能反映产品时间的先后。登
30、记挨次号的数字越大，越是近期产品。5) 第六、七两局部的符号和意义各公司不完全一样。6) 日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常承受简化标记的方法，即把2S 省略。例如，2SD764，简化为D764，2SC502A 简化为C502A。7) 在低频管2SB 和 2SD 型中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355 的特征频率 fT 为 100MHz，所以，它们也可当高频管用。8) 日本通常把Pcm1W 的管子，称做大功率管。2. 常用半导体二极管的主要参数一般检波二极管fH(MHz)1 50fH(MHz)4 0锗开关二极管200150硅开2CK70AE2CK71AE10200.8A30
31、 B45 C60 D75 E90A20 B30 C40 D50 E601.534151表 13局部半导体二极管的参数参最大正 向正向压反向最高反反向零 偏反向恢复类数整流电 流降(在左击穿向工作电流压 电时间/ns型型电流/mA栏电流电压电压/V/mA容号/mA值下)/V/V/pF2AP92.540202AP7165115010025012AP112510102AP171510110025012AK130102AK21501402032AK52000.9604022AK1010170502AK13604021502AK142500.77050关2CK72AE30二2CK73AE50极2CK74
32、AD100管2CK75AD1502CK76AD200参最大正 向正向压反向最高反反向零 偏反向恢复时类数整流电 流降(在左击穿向工作电流压 电间/ns型型电流/mA栏电流电压电压/V/mA容/mA值下)/V/V/pF20.1125L 60060.3150L 1000100.5150L 1000201150L 10006530.825L1000503011.1L5100050501.51.4L1010005020031.2L101000整流二极管号2CZ52BLH同2AP 一般二极管2CZ53BLM2CZ54BLM2CZ55BLM 2CZ56BLB1N4001L40071N5391L53991N
33、5400L54083. 常用整流桥的主要参数参型号130表 14几种单相桥式整流器的参数数不重复正向整流正向电 反向漏反向工作电压/V最高工作浪涌电流/A电流/A压降/V电/mA结温/oCQL110.05QL22QL460.10.310常见的分档为： 25，50，100，200，400，QL5100.51.2500，600，700，800，QL6201900，1000QL7402QL8603154. 常用稳压二极管的主要参数测试条件参型号/V流/mA电流/mA流阻/W数/10-4/oC功率/W2CW532CW542CW5645.85.56.578.81041382715030152030402
34、0-64-357899-640.25表 15局部稳压二极管的主要参数工作电流为稳定电环境温度稳定电稳定电流下环境温度稳定电流压下50oC流下10oC数稳定电压稳定电最大稳定反向漏电动态电电压温度系最大耗散2CW512.53.571560-92CW523.24.555270-82CW578.59.8260.52CW591011.8202CW6011.512.55192CW10345.85016512CW11011.512.520760.520912CW113161910520.540112CW1A5302402012CW6C153070812CW7C6.06.51030100.050.25. 常用半导体三极管的主要参数