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1、关于半导体物理第二章能带和载流子1第1页，讲稿共49张，创作于星期日22.1 2.1 半导体材料半导体材料l固体材料：绝缘体、半导体和导体l半导体易受温度、光照、磁场及微量杂质原子影响l元素半导体：硅、锗l化合物半导体：二元、三元、四元化合物 GaAs 、InP、AlxGa1-xAs、Gaxln1-xAsyP1-y第2页，讲稿共49张，创作于星期日32.2 2.2 基本晶体结构基本晶体结构l基本立方晶体单胞l金刚石结构l闪锌矿结构l金刚石结构和闪锌矿结构的区别第3页，讲稿共49张，创作于星期日4金刚石晶格结构金刚石晶格结构vSi,Ge,C 等IV族元素，原子的最外层有四个价电子v正四面体结构：
2、每个原子周围有四个最近邻的原子。第4页，讲稿共49张，创作于星期日5金刚石晶格结构：复式晶格。由两个面心立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开1/4长度套构而成。排列方式 以双原子层ABCABCSiGeGaAs5.430895.657545.64195X10224.42X1022晶格常数晶格常数 a()原子密度晶格常数第5页，讲稿共49张，创作于星期日6（111）（111）第6页，讲稿共49张，创作于星期日7晶格由两种不同原子组成的面心立方晶格套构而成。双原子复式格子IIIV族化合物，每个原子被四个异族原子包围。共价键中有一定的离子性，称为极性半导体。闪锌矿晶格结构(Zincblende Str
3、ucture),GaAs,InP第7页，讲稿共49张，创作于星期日8金刚石结构和闪锌矿结构的区别金刚石结构和闪锌矿结构的区别l不同：前者由两种相同的原子组成，后者由两类不同的原子组成。l相同：都由两面心立方晶格，沿空间对角线彼此位移四分之一空间对角线长度套构而成。第8页，讲稿共49张，创作于星期日92.3 2.3 基本晶体生长技术基本晶体生长技术l硅晶体、95%（目前半导体材料）l原始材料：石英岩（高纯度硅砂 SiO2）l步骤：1、SiC+SiO2Si+SiO+CO 2、Si+3HCl SiHCl3+H2 3、SiHCl3+H2 Si+3HCl 多晶硅 4、拉单晶：柴可拉斯基法第9页，讲稿共4
4、9张，创作于星期日10第10页，讲稿共49张，创作于星期日112.4 2.4 共价键共价键l金刚石晶格结构：共价键l闪锌矿晶格结构：共价键 但存在微量离子键成分l本征激发或热激发：电子与空穴l见Flash第11页，讲稿共49张，创作于星期日122.5 2.5 能带能带l电子共有化运动l原子能级分裂成能带l绝缘体、半导体、导体的能带第12页，讲稿共49张，创作于星期日13电子共有化运动电子共有化运动2p3s3s3s3s2p2p2p原子组成晶体后，由于电子壳层的交叠，电子不再局限在某一个原子上，可以由 一个原子转移到相邻的原子中去，可以在整个晶体中运动。称为电子的共有化运动。电子的共有化运动。第1
5、3页，讲稿共49张，创作于星期日141、晶体电子兼有、晶体电子兼有原子运动原子运动和和共有化运动共有化运动原子运动原子运动 电子在原子核周围作局域运动电子在原子核周围作局域运动共有化运动共有化运动 电子在电子在不同原子的相同轨道不同原子的相同轨道上转移上转移2、不同轨道电子的共有化运动程度不同（附图如后）、不同轨道电子的共有化运动程度不同（附图如后）内层电子内层电子 弱弱外层电子外层电子 强强3、共有化运动是晶体电子运动的特征，也是使晶体原子相互结共有化运动是晶体电子运动的特征，也是使晶体原子相互结合形成周期性晶格的原因合形成周期性晶格的原因4、电子共有化运动的产生是由于不同原子的相似壳层间的
6、交叠电子共有化运动的产生是由于不同原子的相似壳层间的交叠第14页，讲稿共49张，创作于星期日15共有化运动的强弱共有化运动的强弱 决定于决定于 形式（扩展性）形式（扩展性）共有化运动弱共有化运动弱内层电子内层电子“紧束缚近似紧束缚近似”共有化运动强共有化运动强外层电子（价电子）外层电子（价电子）“近自由电子近似近自由电子近似”第15页，讲稿共49张，创作于星期日16原子能级分裂为能带的示意图lN个原子互相靠近结合成晶体后，每个电子都要受到周围原子势场的作用，其结果是每一个N度简并的能级都分裂成N个彼此相距相近的能级，这N个能级组成一个能带。分裂的每一个能带都称为允带，允带之间因没有能级称为禁带
7、。能级的分裂和能带的形成能级的分裂和能带的形成第16页，讲稿共49张，创作于星期日17用能带论来区分用能带论来区分导体、半导体、绝缘体l价带：电子已占满，在外场作用下，不形成电流。l导带：电子被部分占据。电子可以从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级，形成电流。l禁带：最低的空带导带和价带之间的距离称为禁带宽度。第17页，讲稿共49张，创作于星期日18能量能量-动能图动能图自由电子能量和动量能量和动量的关系：E=P2/2m0（m0为自由电子质量）E=P2/2mn （p为动量，mn为电子有效质量）抛物线 表示：EP注意：电子有效质量由半导体特性决定，但可以由E对P的二次微分算出：mn=（d2
8、E/dp2）-1由此得：曲率越小，二次微分越大，有效质量越小第18页，讲稿共49张，创作于星期日19硅与砷化镓的能带结构硅与砷化镓的能带结构第19页，讲稿共49张，创作于星期日20直接禁带半导体与间接禁带半导体直接禁带半导体与间接禁带半导体l砷化镓也被称为直接禁带半导体，当电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。l硅、锗也被称为间接禁带半导体，当电子从价带转换到导带时，需要动量转换。第20页，讲稿共49张，创作于星期日21绝缘体：被电子占据的最高能带是满带，而且禁带宽度很大。空带全空，满带全满。激发电子需要很大能量。除非电场很强，上面许可带中没有电子，因此在电场下没有电流。良好地绝缘性。(Eg
9、5eV)第21页，讲稿共49张，创作于星期日22对于金属，被电子填充的最高能带通常是半满或部分填充的。能带发生交叠。在某一方向上周期场产生的禁带被另一个方向上许可的能带覆盖，晶体的禁带消失。对于半导体，Eg 2eV.常温下，当热激发或光照时，满带中少量电子被激发到上面空带中，于是参予导电。脱离共价键所需的最低能量是禁带宽度Eg。第22页，讲稿共49张，创作于星期日23几种固体材料导电特性总结几种固体材料导电特性总结绝缘体绝缘体半导体半导体导体（金属）导体（金属）半金属半金属T=0 K不导电不导电不导电不导电导电导电导电导电T=300 K不导电不导电 很高很高导电导电 较高较高(热激发热激发 e
10、,h)导电导电 低低(n 1022 cm-3)导电导电 金属金属 半金属半金属0k时，就有电子从价带激发到导带去，同时价带中产生了空穴的过程。l当半导体中的杂质远小于有热激发产生的电子空时，此半导体称为本征半导体。第26页，讲稿共49张，创作于星期日27两种分布函数及适用范围两种分布函数及适用范围l费米分布函数l公式：l玻耳兹曼分布函数l公式：vk0是玻耳兹曼常数，T是绝对温度，EF费米能级或费米能量。f(E)=11+expE-EF(k0 T)v适用：在E-EFk0T处，量子态为电子占据的几率很小时fB(E)=A eEk0T-A=eEFk0T其中第27页，讲稿共49张，创作于星期日28v非简并
11、性系统：服从玻耳兹曼统计律的电子系统v简并性系统：服从费米统计律的电子系统v费米能级是量子态基本上被电子占据或基本上是空的一个标志v费米统计律与玻耳兹曼统计律的主要区别在于：前者受到 泡利不相容原理的限制。在E-EFK0T的条件下，泡利不相容原理失去作用，因而两种统计的结果变成一样了。第28页，讲稿共49张，创作于星期日29导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度价带中的空穴浓度公式：令则 导带中的电子浓度令则 第29页，讲稿共49张，创作于星期日30载流子浓度乘积载流子浓度乘积公式：特点：对一定的半导体材料，乘积n0p0是一定的。换言之，当半导体处于热平衡状态时，
12、载流子浓度的乘积保持 恒定，如果电子浓度增加，空穴浓度就要减少，反之亦然。适用：热平衡状态下的非简并半导体 第30页，讲稿共49张，创作于星期日31v本征载流子浓度：式中，Eg=Ec-Ev 本征费米能级Ei第31页，讲稿共49张，创作于星期日32表表3 300K下锗、硅、砷化镓的本征载流子浓度下锗、硅、砷化镓的本征载流子浓度各项参数Eg(ev)mn*(mdn)mp*(mdp)Nc(cm-3)Nv(cm-3)ni(cm-3)计算值ni(cm-3)测量值Ge0.670.56m00.37m01.05x10195.7x10182.0 x10132.4x1013Si1.121.08m00.59m02.8
13、6x10192.66x10197.8x1099.65x109GaAs1.420.068m00.47m04.7x10177x10182.3x106 2.25x106第32页，讲稿共49张，创作于星期日332.7 2.7 施主与受主施主与受主l非本征半导体l施主与受主l多子与少子l非简并半导体l简并半导体第33页，讲稿共49张，创作于星期日34施主与受主施主与受主l替位式杂质 与间隙式杂质l施主杂质与施主能级l受主杂质与受主能级第34页，讲稿共49张，创作于星期日35间隙式杂质、替位式杂质间隙式杂质、替位式杂质(b)替位式扩散(substitutional)间隙式杂质：O,Fe,Ni,Zn,Mg替
14、位式杂质 P，B，As,Al,Ga,Sb,Ge(a)间隙式扩散(interstitial)杂质原子比较小杂质原子比较小杂质原子和被取代的晶格原子大小相近，杂质原子和被取代的晶格原子大小相近，价电子壳层结构相近。价电子壳层结构相近。第35页，讲稿共49张，创作于星期日36间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置；一般原子比较小。替位式杂质：杂质原子取代晶格原子位于晶格处。要求替位式杂质的大小与被取代的晶格原子的大小相近。第36页，讲稿共49张，创作于星期日37施主杂质施主杂质(donor)lV族：P,AslV族元素取代Si原子后，形成一个正电中心和一个多余的价电子。l该价电子的运动状态：比成
15、键电子自由受到As 的库仑作用。lAs：不能移动的正电中心l施主杂质(n型杂质）：能够向晶体提供电子同时自身成为带正电的离子的杂质。第37页，讲稿共49张，创作于星期日38杂质电离杂质电离(Impurity Ionization)l杂质电离杂质电离：电子脱离杂质原子的束缚成为导电电子的过程l杂质电离能杂质电离能：使这个多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需要的能量。ED ni下标表示半导体导电类型.第45页，讲稿共49张，创作于星期日462.7.2 简并半导体简并半导体对于高掺杂的对于高掺杂的n型或型或p型半导体，型半导体，EF将高于EC，或低于EV-简并半导体简并半导体禁带宽度变窄效应：高浓度造成禁带宽度变小。第46页，讲稿共49张，创作于星期日47作业作业11.半导体器件的哪四种基础结构？半导体器件的哪四种基础结构？2.什么是晶体中电子共有化运动？什么是晶体中电子共有化运动？3.简述半导体晶体中能带如何形成的？简述半导体晶体中能带如何形成的？第47页，讲稿共49张，创作于星期日48作业作业21 P45 72 P46 14第48页，讲稿共49张，创作于星期日感谢大家观看第49页，讲稿共49张，创作于星期日