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1、 光刻工艺问答 文件编码（GHTU-UITID-GGBKT-POIU-WUUI-8968）PHOTO 流程?答：上光阻曝光显影显影後检查CD 量测Overlay 量测?何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？?答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将 Pattern 从光罩(Reticle)上传递到 Wafer 上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。?何为正光阻?答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。?何为负光阻?答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种光阻的特性
2、与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有被感光的部分则被显影过程去除。?什幺是曝光？什幺是显影？?答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将图形清晰的显现出来的过程。何谓 Photo?答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。?Photo 主要流程为何?答：Photo 的流程分为前处理，上光阻，SoftBake,曝光，PEB，显影，HardBake 等。?何谓 PHOTO 区之前处理?答：在 Wafer 上涂布光阻之前，需要先对 Wafer 表面进行一系列的处理工作，以使光阻能在后面的涂布
3、过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括 Bake，HDMS 等过程。其中通过 Bake 将 Wafer 表面吸收的水分去除，然后进行 HDMS 工作，以使 Wafer 表面更容易与光阻结合。?何谓上光阻?答：上光阻是为了在 Wafer 表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被喷涂在高速旋转的 Wafer 表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在 Wafer 的表面。?何谓 SoftBake?答：上完光阻之后，要进行 SoftBake，其主要目的是通过 SoftBake 将光阻中的溶剂蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。?何谓曝光?答：曝光是将
4、涂布在 Wafer 表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到 Wafer 上的过程。?何谓 PEB(PostExposureBake)?答：PEB 是在曝光结束后对光阻进行控制精密的 Bake 的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应，以使被曝光的图形均匀化。?何谓显影?答：显影类似于洗照片，是将曝光完成的 Wafer 进行成象的过程，通过这个过程，成象在光阻上的图形被显现出来。?何谓 HardBake?答：HardBake 是通过烘烤使显影完成后残留在 Wafer 上的显影液蒸发，并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。?何为 BARC?何为 TARC?它们分别的作用是什幺？
5、?答：BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC 是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质，TARC 则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射，以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。?何谓 Iline？?答：曝光过程中用到的光，由 MercuryLamp(汞灯)产生，其波长为 365nm，其波长较长，因此曝光完成后图形的分辨率较差，可应用在次重要的层次。?何谓 DUV？?答：曝光过程中用到的光，其波长为 248nm，其波长较短，因此曝光完成后的
6、图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。?I-line 与 DUV 主要不同处为何?答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line 主要用在较落后的制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的 Non-Criticallayer。DUV 则用在先进制程的 Criticallayer 上。?何为 ExposureField?答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域?何谓 Stepper?其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作为 Stepbystep 形式,一次曝整个 exposurefield,一个一个曝过去?何谓 Scanner?其功能为何?答：一种曝光机，其曝光动作
7、为 Scanningandstep 形式,在一个 exposurefield 曝光时,先Scan 完整个 field,Scan 完後再移到下一个 field.?何为象差？?答：代表透镜成象的能力,越小越好.?Scanner 比 Stepper 优点为何？?答：ExposureField 大，象差较小?曝光最重要的两个参数是什幺？?答：Energy(曝光量),Focus(焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的 CD 值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。?何为 Reticle?答：Ret
8、icle 也称为 Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。?何为 Pellicle?答：Pellicle 是 Reticle 上为了防止灰尘(dust)或者微尘粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。?何为 OPC 光罩？?答：OPC(OpticalProximityCorrection)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18 微米以下的 Poly,Metallayer 就是 OPC 光罩。?何为 PSM 光罩？?答：PSM(PhaseShiftMask)不同于 Crmask,利用相位干涉
9、原理成象，目前大都应用在contactlayer 以及较小 CD 的 Criticallayer（如 AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。?何为 CRMask？?答：传统的铬膜光罩,只是利用光讯 0 与 1 干涉成像,主要应用在较不 Critical 的 layer?光罩编号各位代码都代表什幺？?答：例如 003700-156AA-1DA,0037 代表产品号，00 代表 Specialcode,156 代表 layer,A代表客户版本，后一个 A 代表 SMIC 版本，1 代表 FAB1，D 代表 DUV(如果是 J,则代表 I-line),A 代表 ASML 机台（如果是 C
10、，则代表 Canon 机台）?光罩室同时不能超过多少人在其中？?答：2 人，为了避免产生更多的 Particle 和静电而损坏光罩。?存取光罩的基本原则是什幺？?答：(1)光罩盒打开的情况下，不准进出 MaskRoom,最多只准保持 2 个人(2)戴上手套(3)轻拿轻放?如何避免静电破坏 Mask？?答：光罩夹子上连一导线到金属桌面，可以将产生的静电导出。?光罩 POD 和 FOUP 能放在一起吗？它们之间至少应该保持多远距离？?答：不能放在一起，之间至少要有 30 公分的距离，防止搬动 FOUP 时碰撞光罩 Pod 而损坏光罩。?何谓 Track?答：Photo 制程中一系列步骤的组合，其包
11、括：Wafer 的前、后处理，Coating(上光阻)，和 Develop(显影)等过程。In-lineTrack 机台有几个 Coater 槽，几个 Developer 槽？?答：均为 4 个?机台上亮红灯的处理流程？?答：机台上红灯亮起的时候表明机台处于异常状态，此时已经不能 RUN 货，因此应该及时CallE.E 进行处理。若 EE 现在无法立即解决，则将机台挂 DOWN。?何谓 WEE?其功能为何?答：WaferEdgeExposure。由于 Wafer 边缘的光阻通常会涂布的不均匀，因此一般不能得到较好的图形，而且有时还会因此造成光阻 peeling 而影响其它部分的图形，因此将Wa
12、ferEdge 的光阻曝光，进而在显影的时候将其去除，这样便可以消除影响。?何为 PEB？其功能为何？?答：PostExposureBake，其功能在于可以得到质量较好的图形。（消除 standingwaves）?PHOTOPOLYIMIDE 所用的光阻是正光阻还是负光阻?答：目前正负光阻都有，SMICFAB 内用的为负光阻。?RUN 货结束后如何判断是否有 wafer 被 reject？?答：查看 RUN 之前 lot 里有多少 Wafer,再看 Run 之后 lot 里的 WAFER 是否有少掉，如果有少，则进一步查看机台是否有 Reject 记录。?何谓 Overlay?其功能为何?答：
13、迭对测量仪。由于集成电路是由很多层电路重迭组成的，因此必须保证每一层与前面或者后面的层的对准精度，如果对准精度超出要求范围内，则可能造成整个电路不能完成 设计的工作。因此在每一层的制作的过程中，要对其与前层的对准精度进行测量，如果测量值超出要求，则必须采取相应措施调整 processcondition.?何谓 ADICD?答：CriticalDimension，光罩图案中最小的线宽。曝光过后，它的图形也被复制在Wafer 上，通常如果这些最小的线宽能够成功的成象，同时曝光的其它的图形也能够成功的成象。因此通常测量 CD 的值来确定 process 的条件是否合适。?何谓 CD-SEM?其功能为
14、何?答：扫描电子显微镜。是一种测量用的仪器，通常可以用于测量 CD 以及观察图案。?PRS 的制程目的为何？?答：PRS(ProcessReleaseStandard)通过选择不同的条件（能量和焦距）对 Wafer 曝光，以选择最佳的 processcondition。?何为 ADI？ADI 需检查的项目有哪些？?答：AfterDevelopInspection，曝光和显影完成之后，通过 ADI 机台对所产生的图形的定性检查，看其是否正常，其检查项目包括：LayerID,LockingCorner,Vernier,PhotoMacroDefect?何为 OOC,OOS，OCAP？?答：OOC=
15、outofcontrol,OOS=OutofSpec,OCAP=outofcontrolactionplan?当需要追货的时候，是否需要将 ETCH 没有下机台的货追回来？?答：需要。因为通常是 process 出现了异常，而且影响到了一些货，因此为了减少损失，必须把还没有 ETCH 的货追回来，否则 ETCH 之后就无法挽回损失。?PHOTOADI检查的 SITE 是每片几个点？?答：5 点，Wafer 中间一点，周围四点。?PHOTOOVERLAY 检查的 SITE 是每片几个点？?答：20?PHOTOADI 检查的片数一般是哪几片？?答：#1，#6，#15，#24;统计随机的考量?何谓
16、RTMS，其主要功能是什幺？?答：RTMS(ReticleManagementSystem)光罩管理系统用于 trace 光罩的History,Status,Location,andInformation 以便于光罩管理?PHOTO 区的主机台进行 PM 的周期？?答：一周一次?PHOTO 区的控片主要有几种类型?答：(1)Particle:作为 Particlemonitor 用的芯片,使用前测前需小於 10 颗(2)ChuckParticle:作为 Scanner 测试 Chuck 平坦度的专用芯片,其平坦度要求非常高(3)Focus:作为 ScannerDailymonitorbest
17、的 wafer(4)CD:做为 photo 区 dailymonitorCD 稳定度的 wafer(5)PRthickness:做为光阻厚度测量的 wafer(6)PDM:做为photodefectmonitor 的 wafer?当 TRACK 刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？?答：有少量光阻?当 TRACK 刚显示光阻用完时，其实机台中还有光阻吗？?答：有少量光阻?WAFERSORTER 有读 WAFER 刻号的功能吗？?答：有?光刻部的主要机台是什幺?它们的作用是什幺?答：光刻部的主要机台是:TRACK(涂胶显影机),Sanner(扫描曝光机)?为什幺说光刻技术最象日常生活中的照相
18、技术?答：Track 把光刻胶涂附到芯片上就等同于底片,而曝光机就是一台最高级的照相机.光罩上的电路图形就是人物.通过对准,对焦,打开快门,让一定量的光照过光罩,其图像呈现在芯片的光刻胶上,曝光后的芯片被送回 Track 的显影槽,被显影液浸泡,曝光的光刻胶被洗掉,图形就显现出来了.?光刻技术的英文是什幺?答：PhotoLithography?常听说的.18 或点 13 技术是指什幺?答：它是指某个产品,它的最小CD的大小为 0.18umor0.13um.越小集成度可以越高,每个芯片上可做的芯片数量越多,难度也越大.它是代表工艺水平的重要参数.?从点 18 工艺到点 13 工艺到点零 9.难度
19、在哪里?答：难度在光刻部,因为图形越来越小,曝光机分辨率有限.?曝光机的 NA 是什幺?答：NA 是曝光机的透镜的数值孔径;是光罩对透镜张开的角度的正玹值.最大是 1;先进的曝光机的 NA 在 0.5-0.85 之间.?曝光机分辨率是由哪些参数决定的?答：分辨率=k1*Lamda/NA.Lamda 是用于曝光的光波长;NA 是曝光机的透镜的数值孔径;k1是标志工艺水准的参数,通常在 0.4-0.7 之间.?如何提高曝光机的分辨率呢?答：减短曝光的光波长,选择新的光源;把透镜做大,提高 NA.?现在的生产线上,曝光机的光源有几种,波长多少?答：有三种:高压汞灯光谱中的 365nm 谱线,我们也称
20、其为 I-line;KrF 激光器,产生 248nm的光;ArF 激光器,产生 193nm 的光;?下一代曝光机光源是什幺?答：F2 激光器.波长 157nm?我们可否一直把波长缩短,以提高分辨率?困难在哪里?答：不可以.困难在透镜材料.能透过 157nm 的材料是 CaF2,其晶体很难生长.还未发现能透过更短波长的材料.?为什幺光刻区采用黄光照明？?答：因为白光中包含 365nm 成份会使光阻曝光,所以采用黄光;就象洗像的暗房采用暗红光照明.?什幺是 SEM?答：扫描电子显微镜(ScanElectronicMicroscope)光刻部常用的也称道 CDSEM.用它来测量 CD?如何做 Ove
21、rlay 测量呢?答：芯片(Wafer)被送进 Overlay 机台中.先确定 Wafer 的位置从而找到 OverlayMARK.这个 MARK 是一个方块 IN 方块的结构.大方块是前层,小方块是当层;通过小方块是否在大方块中心来确定 Overlay 的好坏.?生产线上最贵的机器是什幺?答：曝光机;5-15 百万美金/台?曝光机贵在哪里?答：曝光机贵在它的光学成像系统(它的成像系统由 15 到 20 个直径在 200300MM 的透镜组成.波面相位差只有最好象机的 5%.它有精密的定位系统(使用激光工作台)?激光工作台的定位精度有多高?答：现用的曝光机的激光工作台定位的重复精度小于 10n
22、m?曝光机是如何保证 Overlay50nm?答：曝光机要保证每层的图形之间对准精度50nm.它首先要有一个精准的激光工作台,它把 wafer 移动到准确的位置.再就是成像系统,它带来的图像变形0.35um 以上的图层(LAYER)?KrFscanner 的工作范围是多少?答：CD0.13um 以上的图层(LAYER)?ArFscanner 的工作范围是多少?答：CD0.08um 以上的图层(LAYER)?什幺是 DUVSCANNER?答：DUVSCANNER 是指所用光源为eepUltraVoliet,超紫外线即现用的248nm,193nmScanner?Scanner 在曝光中可以达到精确
23、度宏观理解：?答：Scanner 是一个集机，光，电为一体的高精密机器；为控制 iverlay40nm,在曝光过程中，光罩和 Wafer 的运动要保持很高的同步性在 250nm/秒的扫描曝光时，两者同步位置10nm相当于两架时速 1000 公里小时的波音 747 飞机前后飞行，相距小于 10 微米?光罩的结构如何？?答：光罩是一块石英玻璃，它的一面镀有一层铬膜（不透光）在制造光罩时，用电子束或激光在铬膜上写上电路图形（把部分铬膜刻掉，透光）在距铬膜 5mm 的地方覆盖一极薄的透明膜（叫 pellicle），保护铬膜不受外界污染.?在超净室（cleanroom）为什幺不能携带普通纸?答：普通纸张
24、是由大量短纤维压制而成，磨擦或撕割都会产生大量微小尘埃（particle）进 cleanroom 要带专用的 CleanroomPaper.?如何做 CD 测量呢?答：芯片(Wafer)被送进 CDSEM 中.电子束扫过光阻图形(Pattern).有光阻的地方和无光阻的地方产生的二次电子数量不同;处理此信号可的图像.对图像进行测量得 CD.?什幺是 DOF?答：DOF 也叫 DepthOfFocus,与照相中所说的景深相似.光罩上图形会在透镜的另一侧的某个平面成像,我们称之为像平面(ImagePlan),只有将像平面与光阻平面重合(InFocus)才能印出清晰图形.当离开一段距离后,图像模糊.
25、这一可清晰成像的距离叫 DOF?曝光显影后产生的光阻图形（Pattern）的作用是什幺？?答：曝光显影后产生的光阻图形有两个作用：一是作刻蚀的模板，未盖有光阻的地方与刻蚀气体反应，被吃掉去除光阻后，就会有电路图形留在芯片上另一作用是充当例子注入的模板?光阻种类有多少？?答：光阻种类有很多可根据它所适用的曝光波长分为 I-line 光阻,KrF 光阻和 ArF 光阻?光阻层的厚度大约为多少？?答：光阻层的厚度与光阻种类有关I-line 光阻最厚，0.7umto3um.KrF 光阻 0.4-0.9um.ArF 光阻 0.2-0.5um.?哪些因素影响光阻厚度？?答：光阻厚度与芯片（）的旋转速度有关
26、，越快越薄，与光阻粘稠度有关?哪些因素影响光阻厚度的均匀度？?答：光阻厚度均匀度与芯片（）的旋转加速度有关，越快越均匀，与旋转加减速的时间点有关?当显影液或光阻不慎溅入眼睛中如何处理?答：大量清水冲洗眼睛，并查阅显影液的（ChemicalSafetyDataSheet）,把它提供给医生，以协助治疗?FAC?根据工艺需求排气分几个系统?答：分为一般排气（General）、酸性排气（Scrubbers）、碱性排气（Ammonia）和有机排气（Solvent）四个系统。?高架地板分有孔和无孔作用?答：使循环空气能流通，不起尘，保证洁净房内的洁净度;防静电；便于 HOOK-UP。?离子发射系统作用?答
27、：离子发射系统，防止静电?SMIC 洁净等级区域划分?答：MaskShopclass1&100Fab1&Fab2Photoandprocessarea:Class100Cu-lineAl-LineOS1L3OS1L4testingClass1000?什幺是制程工艺真空系统(PV)?答：是提供厂区无尘室生产及测试机台在制造过程中所需的工艺真空;如真空吸笔、光阻液涂布、吸芯片用真空源等。该系统提供一定的真空压力(真空度大于 80kpa)和流量，每天 24 小时运行?什幺是 MAU(MakeUpAirUnit),新风空调机组作用?答：提供洁净室所需之新风，对新风湿度，温度，及洁净度进行控制，维持洁净
28、室正压和湿度要求。?HouseVacuumSystem 作用?答：HV(HouseVacuum)系统提供洁净室制程区及回风区清洁吸取微尘粒子之真空源，其真空度较低。使用方法为利用软管连接事先已安装在高架地板下或柱子内的真空吸孔，打开运转电源。此系统之运用可减低清洁时的污染。?FilterFanUnitSystem(FFU)作用?答：FFU 系统保证洁净室内一定的风速和洁净度，由 Fan 和 Filter(ULPA)组成。?什幺是 CleanRoom 洁净室系统?答：洁净室系统供应给制程及机台设备所需之洁净度、温度、湿度、正压、气流条件等环境要求。?Cleanroomspec:标准?答：Temp
29、erature23C1C(Photo:23C0.5C)Humidity45%5%(Photo:45%3%)Class100Overpressure+15paAirvelocity0.4m/s0.08m/s?Fab 内的 safetyshower 的日常维护及使用监督由谁来负责?答：Fab 内的 AreaOwner（若出现无水或大量漏水等可请厂务水课（19105）协助）?工程师在正常跑货用纯水做 rinse 或做机台维护时，要注意不能有酸或有机溶剂（如 IPA等）进入纯水回收系统中，这是因为：?答：酸会导致 conductivity(导电率)升高，有机溶剂会导致 TOC 升高。两者均会影响并降低
30、纯水回收率。?若在 Fab 内发现地面有水滴或残留水等，应如何处理或通报?答：先检查是否为机台漏水或做 PM 所致，若为厂务系统则通知厂务中控室（12222）?机台若因做 PM 或其它异常，而要大量排放废溶剂或废酸等应首先如何通报?答：通知厂务主系统水课的值班（19105）?废水排放管路中酸碱废水/浓硫酸/废溶剂等使用何种材质的管路?答：酸碱废水/高密度聚乙烯(HDPE)浓硫酸/钢管内衬铁福龙(CS-PTFE)废溶剂/不琇钢管(SUS)?若机台内的 drain 管有接错或排放成分分类有误，将会导致后端的主系统出现什幺问题?答：将会导致后端处理的主系统相关指标处理不合格，从而可能导致公司排放口超
31、标排放的事故。?公司做水回收的意义如何?答：(1)节约用水，降低成本。重在环保。(2)符合 ISO 可持续发展的精神和公司环境保护暨安全卫生政策。?何种气体归类为特气(SpecialtyGas)?答：SiH2Cl2?何种气体由 VMBStick 点供到机台?答：H2?何种气体有自燃性?答：SiH4?何种气体具有腐蚀性?答：ClF3?当机台用到何种气体时，须安装气体侦测器?答：PH3?名词解释 GC,VMB,VMP?答：GC-GasCabinet 气瓶柜 VMB-ValveManifoldBox 阀箱，适用于危险性气体。VMP-ValveManifoldPanel 阀件盘面，适用于惰性气体。?标
32、准大气环境中氧气浓度为多少？工作环静氧气浓度低于多少时人体会感觉不适？?答：21%?什幺是气体的 LEL?H2 的 LEL 为多少？?答：LEL-LowExplosiveLevel 气体爆炸下限 H2LEL-4%.?当 FAB 内气体发生泄漏二级警报（既 LeakHiHi），气体警报灯（LAU）会如何动作？FAB内工作人员应如何应变？?答：LAU 红、黄灯闪烁、蜂鸣器叫听从 ERC 广播命令，立刻疏散。?化学供应系统中的化学物质特性为何?答：(1)Acid/Caustic 酸性/腐蚀性(2)Solvent 有机溶剂(3)Slurry 研磨液?有机溶剂柜的安用保护装置为何?答：(1)Gas/Te
33、mp.detector;气体/温度侦测器(2)CO2extinguisher;二氧化碳灭火器?中芯有那几类研磨液(slurry)系统?答：(1)Oxide(SiO2)(2)Tungsten(W)鵭?设备机台总电源是几伏特?答：208VOR380V?欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,可以无限制使用延长线吗?答：不可以?如何选用电器器材?答：使用电器器材需采用通过认证之正规品牌?机台开关可以任意分/合吗?答：未经确认不可随意分/合任何机台开关,以免造成生产损失及人员伤害.?欲从事生产/测试/维护时,如无法就近取得电源供给,也不能无限制使用延长线,对吗?答：对?假设断路器启断容量为
34、16 安培导线线径 2.5mm2,电源供应电压单相 220 伏特,若使用单相5000W 电器设备会产生何种情况?答：断路器跳闸?当供电局供电中断时,人员仍可安心待在 FAB 中吗?答：当供电局供电中断时,本厂因有紧急发电机设备,配合各相关监视系统,仍然能保持FAB 之 Safety,所以人员仍可安心待在 FAB 中.?ETCH?何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。?蚀刻种类:?答：(1)干蚀刻(2)湿蚀刻?蚀刻对象依薄膜种类可分为:?答：poly,oxide,metal?半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)
35、?何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxideetchandnitrideetch?半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅?何谓湿式蚀刻?答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除?何谓电浆 Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.?何谓干式蚀刻?答：利用 plasma 将不要的薄膜去除?何谓 Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留?何谓 Over-etching(过蚀刻)?答：蚀
36、刻过多造成底层被破坏?何谓 Etchrate(蚀刻速率)?答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度?何谓 Seasoning(陈化处理)?答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。?Asher 的主要用途:?答：光阻去除?Wetbenchdryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除?列举目前 Wetbenchdry 方法:?答：(1)SpinDryer(2)Marangonidry(3)IPAVaporDry?何谓 SpinDryer?答：利用离心力将晶圆表面的水份去除?何谓 MaragoniDryer?答：利用表面张力将晶圆表面的水份
37、去除?何谓 IPAVaporDryer?答：利用 IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除?测 Particle 时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan?测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值?何谓 AEI?答：AfterEtchingInspection 蚀刻后的检查?AEI 目检 Wafer 须检查哪些项目:?答：(1)正面颜色是否异常及刮伤(2)有无缺角及 Particle(3)刻号是否正确?金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题?金属蚀刻机台 asher 的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀?金属蚀刻后为何不可使用一般硫
38、酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中?HotPlate机台是什幺用途?答：烘烤?HotPlate烘烤温度为何?答：90120 度 C?何种气体为 PolyETCH 主要使用气体?答：Cl2,HBr,HCl?用于 Al 金属蚀刻的主要气体为?答：Cl2,BCl3?用于 W 金属蚀刻的主要气体为?答：SF6?何种气体为 oxidevai/contactETCH 主要使用气体?答：C4F8,C5F8,C4F6?硫酸槽的化学成份为:?答：H2SO4/H2O2?AMP 槽的化学成份为:?答：NH4OH/H2O2/H2O?UVcuring 是什幺用途?答：利用 UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度
39、?UVcuring用于何种层次?答：金属层?何谓 EMO?答：机台紧急开关?EMO 作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下?湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1)警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2)机械手臂危险.严禁打开此门(3)化学药剂危险.严禁打开此门?遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体.应以酸碱试纸测试.并寻找泄漏管路.?遇 IPA 槽着火时应如何处置?答：立即关闭 IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组?BOE 槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与 NH4F(氟化铵).?BOE 为那三个英文字缩写?答：BufferedO
40、xideEtcher。?有毒气体之阀柜(VMB)功用为何?答：当有毒气体外泄时可利用抽气装置抽走,并防止有毒气体漏出?电浆的频率一般 13.56MHz,为何不用其它频率?答：为避免影响通讯品质,目前只开放特定频率,作为产生电浆之用,如380420KHz,13.56MHz,2.54GHz 等?何谓 ESC(electricalstaticchuck)?答：利用静电吸附的原理,将 Wafer 固定在极板(Substrate)上?Asher 主要气体为?答：O2?Asher 机台进行蚀刻最关键之参数为何?答：温度?简述 TURBOPUMP 原理?答：利用涡轮原理,可将压力抽至 10-6TORR?热交
41、换器(HEATEXCHANGER)之功用为何？?答：将热能经由介媒传输,以达到温度控制之目地?简述 BACKSIDEHELIUMCOOLING 之原理？?答：藉由氦气之良好之热传导特性,能将芯片上之温度均匀化?ORIENTER 之用途为何？?答：搜寻 notch 边,使芯片进反应腔的位置都固定,可追踪问题?简述 EPD 之功用?答：侦测蚀刻终点;Endpointdetector 利用波长侦测蚀刻终点?何谓 MFC？?答：massflowcontroler 气体流量控制器;用于控制反应气体的流量?GDP 为何?答：气体分配盘(gasdistributionplate)?GDP 有何作用？?答：均
42、匀地将气体分布于芯片上方?何谓 isotropicetch?答：等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率均等?何谓 anisotropicetch?答：非等向性蚀刻;侧壁侧向蚀刻的机率少?何谓 etch 选择比?答：不同材质之蚀刻率比值?何谓 AEICD?答：蚀刻后特定图形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)?何谓 CDbias?答：蚀刻 CD 减蚀刻前黄光 CD?简述何谓田口式实验计划法?答：利用混合变因安排辅以统计归纳分析?何谓反射功率?答：蚀刻过程中,所施予之功率并不会完全地被反应腔内接收端所接受,会有部份值反射掉,此反射之量,称为反射功率?LoadLock之功能为何?答：Wafers 经由 loadlock 后再进出反应腔,确保反应腔维持在真空下不受粉尘及湿度的影响.?