第1章-半导体器件课件.ppt

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1、 第 1 章 半导体器件第第1 1章章 半导体器件半导体器件 第第 1 1 节节 半导体基础半导体基础 第第 2 2 节节 半导体二极管半导体二极管 第第 3 3 节节 稳压二极管稳压二极管 第第 4 4 节节 晶体三极管晶体三极管 第第 5 5 节节 场效应管场效应管第第1 1章章 重点重点 PNPN结的形成及其单向导电性结的形成及其单向导电性二极管的伏安特性二极管的伏安特性三极管的工作原理与伏安特性三极管的工作原理与伏安特性 第第1节节 半导体基础半导体基础 一、半导体一、半导体 导体：导体：当受外界热和光等作用时，它的导电能力明当受外界热和光等作用时，它的导电能力明 显提高。显提高。往纯

2、净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导 电能力明显改变。电能力明显改变。半导体：半导体：绝缘体：绝缘体：很容易导电的物质。如：金属等很容易导电的物质。如：金属等 几乎不导电的物质。如：橡皮、陶瓷、塑料、几乎不导电的物质。如：橡皮、陶瓷、塑料、石英等石英等 导电特性处于导体与绝缘体之间的物质。如导电特性处于导体与绝缘体之间的物质。如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征本征半导体。半导体。晶体中原子的排列方式晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价

3、健结构硅单晶中的共价健结构 共价健共价健 共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子。Si Si Si Si价电子价电子 本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理 +4+4+4+4空穴空穴自由电子自由电子束缚电子束缚电子热激发热激发 价电子在获得一定能量（温价电子在获得一定能量（温度升高或受光照）后，即可挣度升高或受光照）后，即可挣脱原子核的束缚，成为脱原子核的束缚，成为自由电自由电子子（带负电），同时共价键中（带负电），同时共价键中留下一个空位，称为留下一个空位，称为空穴空穴（带（带正电）。正电）。这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。温度愈高，晶体中产生的自温度愈高

4、，晶体中产生的自由电子便愈多。由电子便愈多。在外电场的作用下，空穴吸在外电场的作用下，空穴吸引相邻原子的价电子来填补，引相邻原子的价电子来填补，而在该原子中出现一个空穴，而在该原子中出现一个空穴，其结果相当于空穴的运动（相其结果相当于空穴的运动（相当于正电荷的移动）。当于正电荷的移动）。在激发过程中，在半导体中将出现两部分电流在激发过程中，在半导体中将出现两部分电流 (1)(1)自由电子作定向运动自由电子作定向运动 电子电流电子电流 (2)(2)价电子递补空穴价电子递补空穴 空穴电流空穴电流自由电子和自由电子和空穴都称为载流子空穴都称为载流子。自由电子和自由电子和空穴成对地产生的同时，又不断复

5、合。空穴成对地产生的同时，又不断复合。在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，在一定温度下，载流子的产生和复合达到动态平衡，半导体中载流子便维持一定的数目。半导体中载流子便维持一定的数目。注意：注意：(1)(1)本征半导体中载流子数目极少本征半导体中载流子数目极少,其导电性能很差；其导电性能很差；(2)(2)温度愈高，载流子的数目愈多温度愈高，载流子的数目愈多,半导体的导电性能半导体的导电性能也就愈好。也就愈好。所以，温度对半导体器件性能影响很大所以，温度对半导体器件性能影响很大。+4+4+5+4N N型半导体型半导体 多余电子多余电子 磷原子磷原子 P P型半导体型半导体 +4+4+3

6、+4 空穴空穴 硼原子硼原子 杂质半导体的示意表示法杂质半导体的示意表示法+N N型半导体型半导体 P P型半导体型半导体 多子扩散运动多子扩散运动少子漂移运动少子漂移运动 +P P型半导体型半导体 N N型半导体型半导体 +内电场内电场E E空间电荷区空间电荷区,耗尽层耗尽层,阻挡层阻挡层 二、二、PN结的形成结的形成 结合结合浓差浓差多子扩散多子扩散界面复合界面复合,空间电荷区空间电荷区形成内电场形成内电场E E方向方向(NP)(NP)静电场静电场 作用作用a.a.阻碍多子扩散阻碍多子扩散,但是扩散愈多但是扩散愈多E E愈强愈强;b.;b.利于少子漂移利于少子漂移,但漂移愈多，但漂移愈多，

7、E E愈弱。愈弱。最终最终动态平衡动态平衡,稳定稳定.耗尽耗尽,阻挡层阻挡层,空间电荷区空间电荷区PNPN结结 PNPN结结PNPN结结正正向向偏偏置置+内电场内电场 外电场外电场 变薄变薄PN+_内电场被削弱，内电场被削弱，多子的扩散加强多子的扩散加强能够形成较大的能够形成较大的扩散电流，扩散电流，PN 结导通。结导通。三、三、PN结的单向导电性结的单向导电性PN结结反反向向偏偏置置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被加强，内电场被加强，多子的扩散受抑多子的扩散受抑制。少子漂移加制。少子漂移加强，但少子数量强，但少子数量有限，只能形成有限，只能形成较小的反向电流，较小的反向电流

8、，PN结截止结截止。PN结的单向导电性结的单向导电性引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型 PN结结面接触型面接触型 第第2节节 半导体二极管半导体二极管一、结构和类型一、结构和类型符号符号阳极阳极正极正极阴极阴极负极负极 PN PN结加上引线和管壳，就成为半导体二极管。结加上引线和管壳，就成为半导体二极管。二、伏安特性二、伏安特性UI导通压降导通压降:硅管硅管0.60.7V,锗管锗管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压U(BR)线性工作区线性工作区反向饱和区反向饱和区反向击反向击穿区穿区死区电压死区电压 ,硅管硅管0.6V,锗管锗管0.2V门坎区门坎区(死区死区)三、主

9、要参数三、主要参数2、最高反向工作电压最高反向工作电压 URM 允许施加的最高反向电压，为击穿电压允许施加的最高反向电压，为击穿电压UBR的一半左右。的一半左右。rd势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应1 1、最大整流电流最大整流电流 IF长期使用时，允许流过二极管的长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均最大正向平均电流。电流。4 4、最高工作频率、最高工作频率fM 3 3、反向电流反向电流 IR 指二极管加反向工作电压时的反向电流。反向电流越指二极管加反向工作电压时的反向电流。反向电流越小越好。受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管小越好。受温度的影响，温度越高反向电

10、流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。的反向电流较小，锗管的反向电流要大几十到几百倍。四、理想二极管四、理想二极管含义：含义：相当于理想的开关。相当于理想的开关。反偏时反偏时，二极管完全截止，二极管完全截止(反向电流为零，反向电流为零，反向电阻为无穷大反向电阻为无穷大)，相当于开关，相当于开关 断开、开路断开、开路。正偏时正偏时，二极管完全导通，二极管完全导通(死区电压为零，死区电压为零，正向管压降为零，正向导通电阻为正向管压降为零，正向导通电阻为 零零)，相当于开关，相当于开关闭合导通闭合导通；1.1.限幅电路限幅电路 例例电电路路如如图图。已已知知ui=10sint(

11、V)，且且E=5V，试试分分析析工工作作原原理理，并并作作出出输出电压输出电压uo的波形。的波形。5V10Votui（b）o5V tuo解：图解：图(a)ui E，D 截止，截止，uR=0，输出输出uo=ui Eui RD （a）uo电路为正限幅电路电路为正限幅电路ui E，D 导通，导通，uD=0，输出输出uo=E五、二极管的应用五、二极管的应用 限幅器的功能就是限制输出电压的幅度限幅器的功能就是限制输出电压的幅度 3.二极管的检波作用二极管的检波作用uoRRLuiuRCD例例电路中电路中RC构成微分电路构成微分电路已知已知ui的波形，试画出的波形，试画出输出电压输出电压uo的波形。的波形。

12、tttuiuRuoooot1t2解：解：t=0 时，时，uR为正脉冲为正脉冲t=t1 时，时，uR为负脉冲为负脉冲t=t2 时，时，uR为正脉冲为正脉冲 uR0 时，时，D截止截止输出输出uo=0uR0 时，时，D导通导通输出输出uo=uR 负脉冲负脉冲UA UB，DA先导通，先导通，DA起起箝箝位作用，使位作用，使UF=3V。FAB-12V-12V0V+3VDARDBUB UF，DB截止，将截止，将UB与与UF隔离隔离DA、DB，为理想二极管为理想二极管 4.二极管的二极管的箝箝位和位和隔离隔离应用应用例例电电路路中中，输输入入端端UA=+3V，UB=0V，试试求求输出端输出端F的电位的电位

13、UF。解：解：电路如图，求：电路如图，求：UAB 阳极受阳极受6V电源控制电位为电源控制电位为-6V，因，因3k电阻上无电流，故阴极电阻上无电流，故阴极电位是电位是-12V。UAK UON 二极管导通。二极管导通。解解:取取B点作参考点，断开二极管，点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极分析二极管阳极和阴极间间的电的电压压。二极管起钳位作用二极管起钳位作用 D6V12V3k BAUAB+例题例题 若忽略管压降，二极管可看作短路，若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=-6V；否则，；否则，UAB低低于于-6V一个管压降，为一个管压降，为-6.3(锗锗)或或-6.7V(硅硅)第第3节节 稳

14、压二极管稳压二极管 稳压误差稳压误差 U IUZIZ IZmax UZ IZ曲线越陡，曲线越陡，电压越稳定电压越稳定。特点：特点：1 1、通常工作在、通常工作在反向击穿区；反向击穿区；2 2、反向击穿特、反向击穿特性较陡。性较陡。伏安特性伏安特性-+DZ符号符号1.1.结构和符号结构和符号1.3 稳压二极管稳压二极管UIUZminIZminIZmax UZ IZoaUZmaxb-+DZ符号符号面接触型硅二极管面接触型硅二极管2.2.伏安特性伏安特性正向特性与普通硅二极管相同正向特性与普通硅二极管相同 未击穿区（未击穿区（o a段）段）I0，反向截止，反向截止 击穿区（稳压区击穿区（稳压区 a

15、b段）段）特性陡直，电压基本不变，具有稳定电压作用特性陡直，电压基本不变，具有稳定电压作用动态电阻：动态电阻：动态电阻愈小稳压效果愈好动态电阻愈小稳压效果愈好 热击穿区（热击穿区（b 点以下线段）点以下线段）过热烧坏过热烧坏PN结结主要参数主要参数 I5、动态电阻、动态电阻RZ；越小输出电压越稳定。；越小输出电压越稳定。1 1、稳定电压、稳定电压UZ Z；2、稳定电流、稳定电流IZ；最大稳定电流；最大稳定电流IZM；3、电压温度系数电压温度系数CTV（%/%/）；）；4、最大允许功耗、最大允许功耗 PZM=UZIZM；稳压管的一种实物图稳压管的一种实物图黑黑头头一一侧侧为为阴阴极极，即即k k

16、端端使用稳压管组成稳压电路时，需注意几点：使用稳压管组成稳压电路时，需注意几点：v必须限制流过稳压管的电流必须限制流过稳压管的电流IZ，不要超过规定值，不要超过规定值，以免因过热而烧坏管子。以免因过热而烧坏管子。v稳压管应与负载电阻稳压管应与负载电阻RL并联，由于稳压管两端并联，由于稳压管两端 电压的变化量很小，因而使输出电压比较稳定。电压的变化量很小，因而使输出电压比较稳定。v应使外加电源的正极接管子的应使外加电源的正极接管子的N N区，电源的负极区，电源的负极 接接P区，以区，以保证稳压管工作在反向击穿区保证稳压管工作在反向击穿区。使用时要加限流电阻。使用时要加限流电阻。图示电路中，图示电

17、路中，DZ1的的UZ1=8.5V，DZ2的的UZ2=5.5V，正向压降均为正向压降均为UD=0.5V，试求图中输出电压，试求图中输出电压Uo。（a）UODZ1DZ2R 20VR（b）UODZ1DZ220V（c）20VUODZ1 DZ2R（d）20VUODZ1 DZ2R例例解：解：+-+-+-+-+-+-+-+-1.光电管光电管ak 可用来作为光的可用来作为光的测量，是将光信号测量，是将光信号转换为电信号的常转换为电信号的常用器件。用器件。2.发光管发光管ak(发光发光)最常见的有红、黄、绿等颜色。最常见的有红、黄、绿等颜色。实际中，二者配合使用的情实际中，二者配合使用的情况很多，如遥控电视机、

18、光况很多，如遥控电视机、光缆传输电信号等。缆传输电信号等。(接收光接收光)IU照度增加照度增加有有正向正向电流流过时，发出一定波长范围的光电流流过时，发出一定波长范围的光,反向反向电流随光照强电流随光照强度的增加而上升。度的增加而上升。几种普通发光二极管实物图几种普通发光二极管实物图长脚为正极长脚为正极大头为负极大头为负极3.光电耦合器光电耦合器电电光光电电 特点：输入与输出电气绝缘特点：输入与输出电气绝缘 作用：抗干扰、隔噪声作用：抗干扰、隔噪声应用举例：应用举例：220V+5V思考题思考题1、本征半导体是如何导电的？、本征半导体是如何导电的？2、N型半导体中的多数载流子是什么？型半导体中的

19、多数载流子是什么？P型半导体呢？型半导体呢？3、多数载流子与什么有关？少数载流子呢？、多数载流子与什么有关？少数载流子呢？4、PN结加什么电压使空间电荷区变窄？有利于什么运动？结加什么电压使空间电荷区变窄？有利于什么运动？5、稳压二极管与普通二极管的区别在哪里？、稳压二极管与普通二极管的区别在哪里？6、二极管的死区电压是什么的反映？、二极管的死区电压是什么的反映？7、半导体器件的性能为什么受温度的影响比较大？、半导体器件的性能为什么受温度的影响比较大？8、什么叫、什么叫PN结的单向导电性？结的单向导电性？9、怎样用万用表判断二极管的极性？、怎样用万用表判断二极管的极性？10、二极管能否起稳压作

20、用？如能，举例说明。、二极管能否起稳压作用？如能，举例说明。v晶体三极管，也叫半导体三极管。由于晶体三极管，也叫半导体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为与运行，因此，还被称为双极结型晶体双极结型晶体管管（Bipolar Junction TransistorBipolar Junction Transistor，简称简称BJTBJT）。）。第第4节节 晶体三极管晶体三极管vBJTBJT是由两个是由两个PNPN结组成的。结组成的。基本结构、分类、符号基本结构、分类、符号 【分类分类】按频率分按频率分高频管高频管 低频管低频管 按

21、功率分按功率分 大功率管大功率管中功率管中功率管小功率管小功率管按半导按半导 体材料分体材料分硅管硅管锗管锗管按结构按结构 不同分不同分NPN型型 PNP型型 NPNNPN型三极管剖面图型三极管剖面图结构制作要求：结构制作要求：发射区：高杂质掺杂浓度；发射区：高杂质掺杂浓度；基区：很薄（通常为几微米几十微米），基区：很薄（通常为几微米几十微米），低掺杂浓度；低掺杂浓度；集电区：集电区：掺杂浓度要比掺杂浓度要比发射区低；发射区低；结面积比结面积比发射区大；发射区大；晶体管的几种常见外形晶体管的几种常见外形几种常见三极管实物图几种常见三极管实物图大功率三极管大功率三极管功率三极管功率三极管普通塑封

22、三极管普通塑封三极管B基极基极 E发射极发射极 C集电极集电极 NPN型型 PNP型型1.结构及类型结构及类型 NNP发射结发射结 集电结集电结 BECIBIEICT BECIBIEICT B基极基极 E发射极发射极 C集电极集电极 PPN晶体管的电流放大的条件晶体管的电流放大的条件 BECNNP基极基极 发射极发射极 集电极集电极 基区：基区：掺杂浓度最低掺杂浓度最低并且很薄并且很薄 集电区：集电区：掺杂浓度较低掺杂浓度较低发射区：发射区：掺杂浓度最高掺杂浓度最高 内部条件内部条件 三个区掺杂浓度不同，厚薄不同。三个区掺杂浓度不同，厚薄不同。外部条件外部条件 发射结加上正向电压，集电结加上反

23、向电压发射结加上正向电压，集电结加上反向电压 NNPBEC+BECT+UBE UBC即：即：NPN型型或或PPNBEC+BECT+UBE UBC PNP型为：型为：或或IC电子在基区与空穴复电子在基区与空穴复合，形成电流合，形成电流IB，复，复合机会小，合机会小，IB小小 IBIE发射结正偏，发射结正偏，发射区向基发射区向基区发射区发射(扩扩散散)电子，电子，形成发射极形成发射极电流电流IE 放大原理放大原理 BENNPEBRBEC+-+-+发射到基区发射到基区电子被收集电子被收集和复合的比和复合的比例系数就是例系数就是电流放大系电流放大系数数 集电结反偏，扩散到基区的电集电结反偏，扩散到基区

24、的电子被收集子被收集(漂移漂移)到集电区形成到集电区形成IC，收集能力强，收集能力强，IC大大 C放大区电压和电流实际方向放大区电压和电流实际方向BECIBIEICNPN型三极管型三极管NPNBECIBIEICPNP型三极管型三极管PNP直流电流放大系数直流电流放大系数各电极电流关系及电流放大作用各电极电流关系及电流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.100.0010.701.502.303.103.951VvCE=0V记住：记住：当当vCE11时，各时，各 条特性曲线基条特性曲线基 本重合本重合。当当vCE增大时特增大时特 性曲线相应的性曲线相应

25、的 右移。右移。25输入特性输入特性 死区电压，硅管死区电压，硅管0.5V，锗管，锗管0.2V。工作压降：工作压降：UBE 0.60.7V,硅管硅管UBE 0.20.3V 锗管锗管 输出特性输出特性 1234IC(mA )UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A0 放大区放大区当当UCE大于一大于一定的数值时，定的数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC=IB。此区域满足此区域满足IC=IB称称为线性区为线性区（放大区）。（放大区）。它是以它是以iB为参变量的一族特性曲线。为参变量的一族特性曲线。条件：发射结正偏、集电极反偏条件：发射结正偏、集电极反偏 现以现以

26、iB=40=40uA一条加以说明：一条加以说明：vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A（1 1）当当vCE=0V时，因集电极无收集作用，时，因集电极无收集作用，iC=0=0。（2 2）当当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如：但集电结反偏电压很小，如：vCE1VvBE=0.7VvCB=vCE-vBE0.7V集电区收集电子的集电区收集电子的能力很弱能力很弱，iC主要由主要由vCE决定决定：vCEic现以现以iB=40=40uA一条加以说明：一条加以说明：vCE /ViC/mA25=20A=40A=60A=80A

27、（3 3）当当uCE增加到使集电结反偏电压较大时，如：增加到使集电结反偏电压较大时，如：vCE1V vCB0.7V运动到集电结的电子运动到集电结的电子基本上都可以基本上都可以被集电区被集电区收集，此后收集，此后vCE 再再增加，电流也没有增加，电流也没有明显得增加，特性明显得增加，特性曲线进入与曲线进入与vCE轴轴基本平行的区域。基本平行的区域。同理，可作出同理，可作出iB B=其其他值的曲线。他值的曲线。此区域中此区域中:IB=0,IC=ICEO,UBE UBE=0.7V,说明说明发射结正偏发射结正偏，集电结反偏集电结反偏，故三极管处于故三极管处于放大放大状态。状态。2)集电极临界饱和电流：

28、集电极临界饱和电流：ICS=ECUCES RC EC RC 0.33mA基极临界饱和电流基极临界饱和电流：IB=EB UBERBIBS I c/=33 A 当当RB=100k时，基极电流时，基极电流：43A IBS 故三极管处于故三极管处于饱和饱和状态。状态。例例2.测得在测得在放大放大状态的两个三极管的电位分别为：状态的两个三极管的电位分别为：2.5V、3.2V、9V 和和0.7V、1V、6V，试判断，试判断这两个三极管的类型和管脚。这两个三极管的类型和管脚。解：解：三极管在三极管在放大放大状态。说明状态。说明发射结正偏发射结正偏，集电结反偏。集电结反偏。对对NPN：UBE 0、UBC VB

29、 VE NPNNPN型三极管一般为型三极管一般为硅硅管管UBE=0.7V，PNPPNP型三极管一般为型三极管一般为锗锗管管UBE=0.3V BECBEC对对PNP：UBE 0。则为则为 VC VB VE 主要参数主要参数1.电流放大系数电流放大系数，直流电流放大系数直流电流放大系数 交流电流放大系数交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时，当晶体管接成发射极电路时，表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。注意：注意：和和 的含义不同，但在特性曲线近于平行等的含义不同，但

30、在特性曲线近于平行等距并且距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。较小的情况下，两者数值接近。常用晶体管的常用晶体管的 值在值在20 200之间。之间。2.集集-基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO ICBO是由少数载流子的是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度ICBO ICBO A+EC3.集集-射极反向截止电流射极反向截止电流(穿透电流穿透电流)ICEO ICEO受温度的影响大。受温度的影响大。温度温度ICEO，所以所以I IC C也相应增加。也相应增加。三极管的三极管的温度特性较差。温度特性较差。AICEOIB=0+4

31、.集电极最大允许电流集电极最大允许电流 ICM 5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流集电极电流 I IC C上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值的下降，值的下降，当当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为为 ICM。当集当集射极之间的电压射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是极管就会被击穿。手册上给出的数值是25 C、基极基极开路时的击穿电压开路时的击穿电压U(BR)CEO。6.集电极最大允许耗散功耗集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的

32、温升，消耗功率过大，取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。温升过高会烧坏三极管。PC PCM=IC UCE 硅管允许结温约为硅管允许结温约为150 C，锗管约为，锗管约为70 90 C。ICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 ICUCEO晶体管参数与温度的关系晶体管参数与温度的关系 3、温度每升高温度每升高 1 1 C C，增加增加 0.5%1.0%。1、温度每增加温度每增加1010 C C，ICBO增大一倍。硅管优于锗管。增大一倍。硅管优于锗管。2 2、温度每升高温度每升高

33、 1 1 C C，UBEBE将减小将减小 (22.5)mV)mV，即晶体管具有负温度系数。即晶体管具有负温度系数。思考题思考题1、晶体管放大的内部条件和外部条件是什么？、晶体管放大的内部条件和外部条件是什么？2、晶体管有哪些工作状态？、晶体管有哪些工作状态？3、晶体管为什么可作为开关元件使用？、晶体管为什么可作为开关元件使用？4、温度对晶体管的性能参数有什么影响？、温度对晶体管的性能参数有什么影响？5、怎样用万用表判别晶体管的类型和管脚？、怎样用万用表判别晶体管的类型和管脚？双极型和场效应型三极管的比较双极型和场效应型三极管的比较双极型三极管双极型三极管 单极型场效应管单极型场效应管载流子载流子多子扩散少子漂移多子扩散少子漂移 少子漂移少子漂移输入量输入量电流输入电流输入电压输入电压输入控制控制电流控制电流源电流控制电流源电压控制电流源电压控制电流源输入电阻输入电阻几十到几千欧几十到几千欧几兆欧以上几兆欧以上噪声噪声较大较大较小较小静电影响静电影响不受静电影响不受静电影响易受静电影响易受静电影响制造工艺制造工艺不宜大规模集成不宜大规模集成适宜大规模和超大适宜大规模和超大规模集成规模集成