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1、- 半导体芯片制造工：半导体芯片制造中级工考试资料- 模拟考试卷- 考试时间：120 分钟考试总分：100 分-线题号分数一二三四五总分-_-_-_-_-_-_-_-：_-号- 遵守考场纪律，维护学问尊严，杜绝违纪行为，确保考试结果公正。-学- 1、问答题_- 衬底清洗过程包括哪几个步骤？_- 此题答案：1擦洗外表的大块污物；2浸泡；3化学腐蚀；_- 此题解析：1擦洗外表的大块污物；2浸泡；3化学腐蚀；4水_-_-清洗；5枯燥。：级封_-2、单项选择题班- 恒定外表源集中的杂质分布在数学上称为什么分布？A、高斯函数_-_-B、余误差函数_- C、指数函数_- D、线性函数_- 此题答案：B_：
2、- 此题解析：暂无解析名-3、填空题姓- 工艺人员完成工艺操作后要认真、准时填写工艺记录，做到记录内容具体、密-、书写工整、。- 此题答案：真实；完整；数据准确- 此题解析：真实；完整；数据准确- 4、单项选择题- 离子注入层的深度主要取决于离子注入的。A.能量-试卷第 10 页 共 10 页B.剂量此题答案：A此题解析：暂无解析5、填空题白光照耀二氧化硅时，不同的厚度有不同的。此题答案：干预色此题解析：干预色6、单项选择题从离子源引出的是：A、原子束B、分子束C、中子束D、离子束此题答案：D此题解析：暂无解析7、单项选择题人们规定：电压为安全电压.A.36 伏以下B.50 伏以下C.24 伏
3、以下此题答案：A此题解析：暂无解析8、问答题为什么说干净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术？此题答案：半导体芯片制造，尤其是随着高度集成简洁电路和微波器件的此题解析：半导体芯片制造，尤其是随着高度集成简洁电路和微波器件的进展，要求获得细线条、高精度、大面积的图形，各种形式的污染都将严峻影响半导体芯片成品率和牢靠性。生产中的污染，除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外，环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染来源。例如，PN 结外表污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或外表沟道，手汗引起的 N
4、a 离子沾污会使 MOS 器件阈值电压飘移，甚至导致晶体管电流放大系数不稳定，空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降，以试卷第 10 页 共 10 页致失效；光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛；大颗粒尘埃附着在光刻胶外表，会使掩膜版与芯片间距不全都，使光刻图形模糊；高温集中过程中，附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速集中，使结特性变坏。所以干净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。9、单项选择题二氧化硅在集中时能对杂质起掩蔽作用进展集中。A.预B.再C.选择此题答案：C此题解析：暂无解析10、填空题抛光片的质量检测工程包括：几何参数，直径、主参考面、副参考面、平坦度、弯曲度等；
5、，电阻率，载流子浓度，迁移率等；晶体质量， 晶向，位错密度。此题答案：厚度；电学参数此题解析：厚度；电学参数11、填空题半导体材料的主要晶体构造有型、闪锌矿型、型。此题答案：金刚石；纤锌矿此题解析：金刚石；纤锌矿12、单项选择题光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片外表的掩膜层上的工艺A.刻制图形B.绘制图形C.制作图形此题答案：A此题解析：暂无解析13、单项选择题将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片外表接触，再用紫外光照耀来进展曝光的方法，称为曝光。A.接触B.接近式C.投影此题答案：A此题解析：暂无解析14、填空题对标准单元设计 EDA 系统而言，标准单元库应包含以下内容
6、：、和、。此题答案：规律单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；幅员单元库此题解析：规律单元符号库；功能单元库；拓扑单元库；幅员单元库15、问答题集成电容主要有哪几种构造？此题答案：金属-绝缘体-金属MIM构造；多晶此题解析：金属-绝缘体-金属MIM构造；多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅构造；金属叉指构造；PN 结电容；MOS 电容。16、填空题全定制、半定制幅员设计中用到的单元库包含、和。此题答案：符号图；抽象图；线路图；幅员此题解析：符号图；抽象图；线路图；幅员17、填空题半导体材料有两种载流子参与导电，具有两种导电类型。一种是 ，另一种是 。此题答案：电子；空穴此题解析：电子；空穴18、填空题离
7、子注入是借其强行进入靶材料中的一个物理过程。此题答案：动能；非平衡此题解析：动能；非平衡19、单项选择题以下晶体管构造中，在晶体管输出电流很大时常使用的是：A、单基极条图形B、双基极条图形C、基极和集电极引线孔都是马蹄形构造D、梳状构造此题答案：D此题解析：暂无解析20、填空题光刻工艺一般都要经过涂胶、曝光、坚膜、腐蚀、 等步骤。此题答案：前烘；显影；去胶此题解析：前烘；显影；去胶21、填空题外延生长方法比较多，其中主要的有 外延、 外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、 、固相外延等。此题答案：化学气相；液相；原子束外延此题解析：化学气相；液相；原子束外延22、问答题对于大尺寸的 MOS
8、管幅员设计，适合承受什么样的幅员构造？简述缘由。此题答案：1S 管的幅员一般承受并联晶体管构造。采此题解析：1S 管的幅员一般承受并联晶体管构造。承受并联晶体管构造后，可共用源区和漏区，使得在同样宽长比的状况下，漏区和源区的面积被减小，并因此使得器件源极和漏极的 PN 结电容被减小，对提高电路的动态性能很有好处。2寸器件在幅员设计时还承受折叠的方式减小一维方向上的尺寸。由于器件的尺寸大，即叉指的个数较多，假设承受简洁并列的方式，将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。同时，由于在一维方向上的工艺离散性，也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和构造上产生失配。23、
9、单项选择题单相 3 线插座接线有严格规定A.左零右火B.左火右零此题答案：A此题解析：暂无解析24、填空题半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂加速到的需要的，直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的。此题答案：离子；能量；退火处理此题解析：离子；能量；退火处理25、填空题在半导体工艺中，硫酸常用于去除和配制等。此题答案：光刻胶；洗液此题解析：光刻胶；洗液26、填空题用肉眼或显微镜可观看二氧化硅的以下质量：颜色、构造；外表无、无、不发花；外表无裂纹、。此题答案：是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔此题解析：是否均匀；是否致密；斑点；白雾；无针孔27、问答题什么叫光刻？光刻工艺质量的根本要求是什么？此
10、题答案：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的周密外表加工技术。此题解析：光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的周密外表加工技术。对光刻工艺质量的根本要求是：刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直；图片内无小岛、不染色、腐蚀干净；图形套合格外准确；介质膜或金属膜上无针孔；硅片外表清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。28、单项选择题说明构成每个单元所需的根本门和根本单元的集成电路设计过程叫：A、规律设计 B、物理设计C、电路设计D、系统设计此题答案：A此题解析：暂无解析29、问答题集成电路封装有哪些作用？此题答案：1机械支撑和机械保护作用。2传输信此题解析：1机械支撑和机械保护作用。（2） 传输
11、信号和安排电源的作用。（3） 热耗散的作用。（4） 环境保护的作用。30、填空题在集中之前在硅外表先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为集中的杂质源，不再有的杂质补充，这种集中方式称为：此题答案：恒定外表源集中此题解析：恒定外表源集中31、单项选择题腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用A、盐酸B、硫酸C、硝酸D、氢氟酸 此题答案：D此题解析：暂无解析32、多项选择题硅外延片的应用包括。A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路 D.超大规模集成电路此题答案：A, B, C, D 此题解析：暂无解析33、填空题半导体材 料可依据其性能、晶体构造、结晶程度、化学组成分类。比较通用的则是依据其化
12、学组成可分为元素、半导体、固溶半导体三大类。此题答案：半导体；化合物此题解析：半导体；化合物34、多项选择题按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：蒸发、蒸发、离子束蒸发等。A.电阻加热B.电子束C.蒸气原子此题答案：A, B此题解析：暂无解析35、单项选择题在温度一样的状况下，制备一样厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长此题答案：A此题解析：暂无解析36、填空题化学清洗中是利用硝酸的强和强将吸附在硅片外表的杂质除去。此题答案：酸性；氧化性此题解析：酸性；氧化性37、填空题大容量可编程规律器件分为 和 。此题
13、答案：简洁可编程规律器件；现场可编程门阵列此题解析：简洁可编程规律器件；现场可编程门阵列38、多项选择题以下材料属于 N 型半导体是 。A.硅中掺有元素杂质磷P、砷AsB.硅中掺有元素杂质硼 B.、铝AlC.砷化镓掺有元素杂质硅Si、碲TE D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁此题答案：A, C此题解析：暂无解析39、填空题在一个晶圆上分布着很多块集成电路，在封装时将各块集成电路切开时的切口叫。此题答案：划片槽此题解析：划片槽40、问答题表达 H2 复原 SiCl4 外延的原理，写出化学方程式。此题答案：在气相外延生长过程中，首先是反响剂输运到衬底外表；接着。化学方程式如下：此题解析：在气相外延生
14、长过程中，首先是反响剂输运到衬底外表；接着是它在衬底便面发生反响释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层41、单项选择题离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的。A.能量B.剂量此题答案：B此题解析：暂无解析42、多项选择题硅外延生长工艺包括。A.衬底制备B.原位 HCl 腐蚀C.生长温度，生长压力，生长速度D.尾气的处理此题答案：A, B, C, D 此题解析：暂无解析43、填空题腐蚀 V 形槽一般承受 的湿法化学腐蚀方法。此题答案：各向异性此题解析：各向异性44、单项选择题介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙”来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。常用的电介质是
15、层。A.多晶硅B.氮化硅 C.二氧化硅此题答案：C此题解析：暂无解析45、单项选择题属于绝缘体的正确答案是。A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、锗、砷化镓、磷化铟D.各种酸、碱、盐的水溶液此题答案：B此题解析：暂无解析46、问答题操作人员的质量职责是什么？此题答案：操作人员的质量职责是：1按规定承受培训考核，以到达此题解析：操作人员的质量职责是：1按规定承受培训考核，以到达所要求的技能、力气和学问；2严格按工艺标准和工艺文件进展操作，对工艺质量负责；3按规定填写质量记录，对其准确性、完整性负责；4做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作；6对违章作业造成的质量事故负直接责任。47、单项选择题位错的形成缘由是。A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对此题答案：C此题解析：暂无解析