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1、电力电子器件器件的驱动电力电子器件器件的驱动 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述 9.1.2 晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路9.1电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述驱驱动动电电路路主电路与控制电路之间的接口性性能能良良好好的的驱驱动动电电路路，可可使使电电力力电电子子器器件件工工作作在在较较理理想想的的开开关关状状态态。（缩缩短短开开关关时时间间，减减小小开开关关损损耗耗，对对装装置置的运行效率，可靠性和安全性都有重要意义。的运行效率，可靠性和安全性都有重要意义。器件的驱动电路除完成驱动功能
2、外，往往还完成故障保护和电气隔离。9.1.19.1.1 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述驱动电路还要提供控制电路与主电路之间的电电气隔离气隔离环节，一般采用光隔离或磁隔离。光隔离一般采用光耦合器,用于数十khz以下磁隔离的元件通常是脉冲变压器,最高可达几MHZ图9-1光耦合器的类型及接法a)普通型b)高速型c)高传输比型9.1.1 9.1.1 电力电子器件驱动电路概述电力电子器件驱动电路概述按照驱动信号的性质分，可分为电电流流驱驱动动型型和电电压驱动型压驱动型。驱动电路具体形式可为分分立立元元件件的，但目前的趋势是采用专用集成驱动电路专用集成驱动电路。双列直插式集成
3、电路及将光耦隔离电路也集成在内的混合集成电路。为达到参数最佳配合，首选所用器件生产厂家专门开发的集成驱动电路。分类分类晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路 晶晶闸闸管管触触发发电电路路的的作作用用是是产产生生符符合合要要求求的的门门限限触触发发脉脉冲冲，保保证证晶晶闸闸管管在在需需要要的的时时刻刻由由阻阻断断转转为为导导通通。晶晶闸闸管管触触发电路满足下列要求：发电路满足下列要求：9.1.21.触触发发脉脉冲冲的的宽宽度度应应保保证证晶晶闸闸管管可可靠靠导导通通。对对感感性性和和反反电电势势负负载载用用宽宽脉脉冲冲或或脉脉冲冲列列触触发发。三三相相全全桥桥式式采采用用宽宽于于60度度或或采采用用相
4、相隔隔60度度的的双双窄窄脉冲。脉冲。2.触发脉冲应有足够的幅度。对户外寒冷地区，脉冲电流的幅度应增触发脉冲应有足够的幅度。对户外寒冷地区，脉冲电流的幅度应增大为器件触发电流的大为器件触发电流的3-5倍，脉冲前沿的陡度也需要增加，一般需达倍，脉冲前沿的陡度也需要增加，一般需达1-2A/us。3.不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。不超过门极电压、电流和功率定额，且在可靠触发区域之内。4.应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。晶闸管的触发电路晶闸管的触发电路可控硅常见触发驱动电路：可控硅常见触发驱动电路：b1
5、端高压端高压V1通通-V2导通导通脉冲变压器初脉冲变压器初级电流通过级电流通过脉冲变压器次极感应电压（上正脉冲变压器次极感应电压（上正下负）下负）VD2导通导通通过通过R4限流输出正脉冲限流输出正脉冲b1端低电平端低电平V1截止截止V2截止截止TM脉冲变脉冲变压器初级经过压器初级经过R3和和VD，构成反方向电流通过构成反方向电流通过脉冲变压器次极感应电压（上负，下正）脉冲变压器次极感应电压（上负，下正）VD2截止截止无脉冲输出无脉冲输出图9-2理想的晶闸管触发脉冲电流波形t1t2脉冲前沿上升时间（光耦通电流光耦通电流V2导通导通V3截止截止V4通通V5通，通，V6截止截止通过通过C2，R5在在
6、GTR基极加基极加入脉冲电流入脉冲电流 A端低电平端低电平光耦不通光耦不通V2截止截止V3导通导通V4，V5截止截止V6导通导通通通过过VD4，R5，GTR基极反向抽基极反向抽流，加速流，加速GTR截止截止图9-7GTR的一种驱动电路9.1.3VD1AVVS0V+10V+15VV1VD2VD3VD4V3V2V4V5V6R1R2R3R4R5C1C2典型全控型器件的驱动电路典型全控型器件的驱动电路2.电压驱动型器件的驱动电路电压驱动型器件的驱动电路电力电力MOSFET和和IGBT是电压驱动型是电压驱动型器件器件电力电力MOSFET和和IGBT的栅射极之间的栅射极之间都有数百至数千皮法的极间电容，都
7、有数百至数千皮法的极间电容，为快速建立驱动电压，要求驱动电为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。路具有较小的输出电阻。MOSFET栅极驱动电压一般取栅极驱动电压一般取10-15V。IGBT取取15-20V 关关断断时时施施加加一一定定幅幅值值的的负负驱驱动动电电压压（-5 -15V）有有利利于于减减小小关关断断时时间间和关断损耗。和关断损耗。在在栅栅极极串串入入一一只只低低值值电电阻阻可可以以减减小小寄生振荡。寄生振荡。9.1.3电力MOSFET的一种驱动电路A+-MOSFET20V20VuiR1R3R5R4R2RGV1V2V3C1-VCC+VCC典型全控型器件的驱动电路典型全控
8、型器件的驱动电路9.1.3图中图中A为高速放大器，为高速放大器，V2和和V3构成图腾柱输出驱动电路。构成图腾柱输出驱动电路。背靠背反串稳压管用于背靠背反串稳压管用于MOSFET门极保护。门极保护。工作原理分析如下：工作原理分析如下：Ui无信号无信号V1截止截止放大器放大器A输出负电平输出负电平V3通通MOSFET栅极反向抽流，加速关断栅极反向抽流，加速关断 Ui有信号有信号光耦通光耦通V1通通放大器输出正电平放大器输出正电平V2通通+Vcc-V2-R2构成通路向构成通路向MOSFET栅极栅极充电，加速充电，加速MOSFET导通导通实际应用如功率器件的用量较大或可靠性要求较高，可选实际应用如功率
9、器件的用量较大或可靠性要求较高，可选用集成驱动电路用集成驱动电路 如驱动如驱动GTR的有：的有：THOMSON的的UAA4002，三菱公司的三菱公司的M57215BL 驱动驱动MOSFET的有：三菱公司的有：三菱公司的的M57918L，IR的的IR2110 驱动驱动IGBT的有：三菱公司的有：三菱公司的的M57962L和和M57959L，富士富士公司的公司的EXB840，EXB841等等。等等。电力电子器件器件的保护电力电子器件器件的保护 9.2.1 过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 9.2.2 过电流保护过电流保护 9.2.3 缓冲电路（缓冲电路（SnubberSnubber
10、 Circuit Circuit）9.2在电力电子电路中，除了主电路设计正确，电力在电力电子电路中，除了主电路设计正确，电力电子器件参数选择合适，驱动电路设计良好外，电子器件参数选择合适，驱动电路设计良好外，采用合适的过电压保护，过电流保护，采用合适的过电压保护，过电流保护，du/dt保护保护和和di/dt保护是必要的。保护是必要的。过电压的产生分外因过电压和内因过电压两类:1.外因过电压：a.操作过电压b雷击过电压2.内因过电压：a.换相过电压b.关断过电压过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护 9.2.1 过电压的产生及过电压保护过电压的产生及过电压保护电电力力电电子子装装置置可
11、可能能的的过过电电压压外外因因过过电电压压和内内因过电压因过电压外因过电压外因过电压主要来自雷击和系统中的操作过程等外因(1)操作过电压操作过电压：由分闸、合闸等开关操作引起 (2)雷击过电压雷击过电压：由雷击引起内因过电压内因过电压主要来自电力电子装置内部器件的开关过程 (1)换换相相过过电电压压：晶闸管或与全控型器件反并联的二极管在换相结束后不能立刻恢复阻断，因而有较大的反向电流流过，当恢复了阻断能力时，反向电流急剧减小，会由线路电感在器件两端感应出过电压 (2)关关断断过过电电压压：全控型器件关断时，正向电流迅速降低而由线路电感在器件两端感应出的过电压。9.2.1 过电压和抑制措施及配置
12、如图9-10所示。过压抑制的种类：a.RC电路b.压敏电阻c.RDC电路图9-10过电压抑制措施及配置位置F避雷器D变压器静电屏蔽层C静电感应过电压抑制电容RC1阀侧浪涌过电压抑制用RC电路RC2阀侧浪涌过电压抑制用反向阻断式RC电路RV压敏电阻过电压抑制器RC3阀器件换相过电压抑制用RC电路RC4直流侧RC抑制电路RCD阀器件关断过电压抑制用RCD电路 9.2.1 SFRVRCDTDCUMRC1RC2RC3RC4LBSDC过电流保护过电流保护过电流过载过载和短路短路两种情况常用措施（图9-13）电力电子装置运行不正常或者发生故障时，可能会发生过电流。过电流分过载和短路两种，图9-13给出了各
13、种过电流保护措施及其配置位量。图9-13过电流保护措施及配置位置9.2.2负载触发电路开关电路过电流继电器交流断路器动作电流整定值短路器电流检测电子保护电路快速熔断器变流器直流快速断路器电流互感器变压器一般电力电子装置均同时采用几种过电流保护措施：a电子电路过流保护电路，就近保护功率器件，如SCR，GTR，MOSFETb快速熔断器：电子保护不起作用时，由快速熔断完成c交流断路器，前两种保护不起作用，由交流熔断器完成切断电路。这种保护最彻底，但速度较慢。过电流保护过电流保护9.2.2缓冲电路又称吸收电路。其作用是抑制电力缓冲电路又称吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、电子器件的内因过
14、电压、du/dt电压上升率、电压上升率、di/dt电流上升率，减小器件的开关损耗电流上升率，减小器件的开关损耗缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。路。缓冲电路（缓冲电路（SnubberSnubber Circuit Circuit）9.2.3A.关断缓冲电路又称关断缓冲电路又称du/dt抑制电路，用于吸收器件抑制电路，用于吸收器件的关断电压和换相过电压，的关断电压和换相过电压，抑制抑制du/dt上升率，减小关上升率，减小关断损耗，典型由断损耗，典型由RDC元件元件构成。构成。B.开通缓冲电路又称为开通缓冲电路又称为di/dt抑制电路，用于抑制抑制电路
15、，用于抑制器件开通时的电流过冲和器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损减小器件的开通损耗，典型由耗，典型由RDL器件构成。器件构成。图9-14di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路 b)波形缓冲电路缓冲电路（SnubberSnubber Circuit Circuit）9.2.3a)b)RiVDLVdidt抑制电路缓冲电路LiVDiRsCsVDstuCEiCOdidt抑制电路无时didt抑制电路有时有缓冲电路时无缓冲电路时uCEiC关断时的负载曲线关断时的负载曲线 图9-15关断时的负载线无缓冲电路时：uCE迅速升，L感应电压使VD通，负载线从A移到B，之后iC才
16、下降到漏电流的大小，负载线随之移到C。有缓冲电路时：Cs分流使iC在uCE开始上升时就下降，负载线经过D到达C。负载线ADC安全，且经过的都是小电流或小电压区域，关断损耗大大降低。缓冲电路缓冲电路（SnubberSnubber Circuit Circuit）9.2.3在无缓冲电路的情况下，绝缘栅双极在无缓冲电路的情况下，绝缘栅双极管管V开通电流迅速上升，开通电流迅速上升，di/dt很大，很大，也就是所承受的电流应力很大。也就是所承受的电流应力很大。IGBT关断时的关断时的du/dt很大，并出现很很大，并出现很高的过电压，也就是说所承受的电压高的过电压，也就是说所承受的电压应力很大。应力很大。
17、无缓冲电路情况下，器件工作在负载无缓冲电路情况下，器件工作在负载线线A-B-C，器件开关损耗很大，可器件开关损耗很大，可能超安全工作区。能超安全工作区。有缓冲电路时，器件工作在负载线有缓冲电路时，器件工作在负载线A-D-C，器件开关损耗很小，工作在器件开关损耗很小，工作在安全区内。安全区内。ADCB无缓冲电路有缓冲电路uCEiCO9.2.39.2.3 缓冲电路缓冲电路充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。图9-14di/dt抑制电路和充放电型RCD缓冲电路及波形a)电路其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。图9-16另外两种常用的缓冲电路a)
18、RC吸收电路b)放电阻止型RCD吸收电路9.3 电力电子器件器件的串联和并联使用电力电子器件器件的串联和并联使用9.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联9.3.2 晶闸管的并联晶闸管的并联9.3.3 电力电力MOSFET和和IGBT并联运行的特点并联运行的特点9.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联问问题题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。动态不均压：由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。目目的的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。9.3.1 晶闸管的串联晶闸管的串联静态均压措施静态
19、均压措施：选用参数和特性尽量一致的器件。采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。b)a)RCRCVT1VT2RPRPIOUUT1IRUT2VT1VT2图9-17晶闸管的串联a)伏安特性差异b)串联均压措施动态均压措施动态均压措施：选择动态参数和特性尽量一致的器件。用RC并联支路作动态均压。采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间的差异。9.3.2晶闸管的并联晶闸管的并联问问题题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。均流措施均流措施：挑选特性参数尽量一致的器件。采用均流电抗器。用门极强脉冲触发也有助于动态均流。当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。目的目的：多个器件并联来承担较大的电流9.3.3电力电力MOSFET和和IGBT并联运行的特点并联运行的特点Ron具有正温度系数，具有电流自动均衡的能力，容易并联。注意选用Ron、UT、Gfs和Ciss尽量相近的器件并联。电路走线和布局应尽量对称。可在源极电路中串入小电感,起到均流电抗器的作用。IGBT并联运行的特点并联运行的特点在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态压降具有负负温度系数。在以上的区段则具有正正温度系数。并联使用时也具有电流的自动均衡能力，易于并联。电力电力MOSFET并联运行的特点并联运行的特点