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1、微电子器件实验微电子器件实验考核方式：考核方式：1 实验内容学习，实验内容学习，2分；分；2 实际动手能力，实际动手能力，3分；分；3 实验报告完成，实验报告完成，5分。分。实验内容：实验内容：1、双极型晶体管特性的测量与分析双极型晶体管特性的测量与分析 2、场效应晶体管特性的测量与分析场效应晶体管特性的测量与分析 3、晶体管特征频率的测量晶体管特征频率的测量 4、晶体管开关时间的测量晶体管开关时间的测量双极晶体管管脚双极晶体管管脚金属封装金属封装底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小
2、功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。实验采用金属封装和塑料封装的实验采用金属封装和塑料封装的9013NPN器件，其管脚如器件，其管脚如下排列：下排列：MOS场效应管管脚场效应管管脚实验采用塑料封装的实验采用塑料封装的2N7000增强型增强型N沟沟MOS器件，其管脚器件，其管脚如下排列：如下排列：一、双极晶体管直流特征的测量一、双极晶体管直流特征的测量基本测试原理电路如下图所示，测试时用逐点测试的方法基本测试原理电路如下图所示，测试时用逐点测试的方法把一条条的曲线描绘出来。
3、把一条条的曲线描绘出来。本实验要求：本实验要求：（1）了了解解XJ4810半半导导体体管管特特性性图图示示仪仪的的基基本本原原理方框图及每部分的作用。理方框图及每部分的作用。（2）了解被测管各项参数的定义及读测方法。）了解被测管各项参数的定义及读测方法。（3）掌握晶体管特性常见缺陷及其产生原因。）掌握晶体管特性常见缺陷及其产生原因。（1）输入特性曲线和输入电阻）输入特性曲线和输入电阻Ri 在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为入电流之比为Ri，即，即 测测晶晶体体管管在在VCE=10V时时某某一一工工作作点点Q的的Ri值值，
4、晶晶体体管管接接法如图所示。各旋钮位置为：法如图所示。各旋钮位置为：峰值电压范围峰值电压范围010V极性（集电极扫描）极性（集电极扫描）正（正（+）极性（阶梯）极性（阶梯）正（正（+）功耗限制电阻功耗限制电阻0.11k（适当选择）（适当选择）x轴作用轴作用电压电压0.1V/度度y轴作用轴作用阶梯作用阶梯作用重复重复阶梯选择阶梯选择0.1mA/级级（2）输出特性曲线）输出特性曲线、和和hFE 测试晶体管输出特性曲线时，旋钮设置如下：测试晶体管输出特性曲线时，旋钮设置如下：峰值电压范围峰值电压范围 010V 极性（集电极扫描）极性（集电极扫描）正（正（+）极性（阶梯）极性（阶梯）正（正（+）功耗限
5、制电阻功耗限制电阻 0.11k（适当选择）（适当选择）x轴作用轴作用 电压电压1V/度度 y轴作用轴作用 电流电流0.1mA/度度 阶梯作用阶梯作用 重复重复 阶梯选择阶梯选择 0.1mA/级级、hFE也可用共射晶体管的转移特性进行测量。也可用共射晶体管的转移特性进行测量。只要将上述的只要将上述的x轴作用开关拨至轴作用开关拨至 ，即得到共射，即得到共射晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察晶体管的转移特性。这种曲线可直接观察的线的线性好坏。性好坏。（3）饱和压降）饱和压降VCES和正向压降和正向压降VBESVCES和和VBES是功率管的重要参数，对开关管尤其重要。是功率管的重要参数，对开关管尤其
6、重要。VCES是是共共射射晶晶体体管管饱饱和和态态时时CE间间的的压压降降。VBES是是共共射射晶晶体体管管饱饱和和态态时时BE间间的的压压降降。一一般般硅硅管管的的VBES=0.70.8V，锗管的锗管的VBES=0.30.4V。VCES的的大大小小与与衬衬底底材材料料和和测测试试条条件件有有一一定定的的关关系系。VBES与与芯芯片片表表面面的的铝铝硅硅接接触触情情况况有有关关，铝铝硅硅合合金金不不好好，或或光光刻刻引引线线孔孔时残留有薄氧化层都会导致时残留有薄氧化层都会导致VBES过大。过大。当当测测试试条条件件为为IC=10mA、IB=1mA时时，图图示示仪仪的的旋旋钮钮位位置置如下：如下
7、：峰值电压范围峰值电压范围050V功耗电阻功耗电阻0.51K极性（集电极扫描）极性（集电极扫描）正（正（+）极性（阶梯）极性（阶梯）正（正（+）x轴轴集电极电压集电极电压0.05V/度度y轴轴集电极电流集电极电流1mA/度度阶梯信号选择阶梯信号选择0.1mA/级级阶梯信号阶梯信号重复重复级级/族族10 调峰值电压，使第调峰值电压，使第10级（即第级（即第11根）曲线与根）曲线与IC=10mA的线相的线相交，此交点对应的交，此交点对应的VCE值即为值即为VCES（如图所示，如图所示，VCES=0.15V）。）。将将y轴作用拨至轴作用拨至，x轴作用拨至基极电压轴作用拨至基极电压0.1V/度，即得如
8、图度，即得如图所示的输入特性曲线。此曲线与所示的输入特性曲线。此曲线与IB=1mA的线交点对应的的线交点对应的VBE值即值即为为VBES（如图所示，如图所示，VBES=0.78V）。）。(4)反向击穿电压反向击穿电压BVCBO、BVCEO和和BVEBO外外延延片片制制作作的的双双极极晶晶体体管管的的反反向向击击穿穿电电压压VB（一一般般指指BVCEO或或BVCBO）既既与与外外延延层层电电阻阻率率c有有关关，也也与与结结的的曲曲率率半半径径和和表表面面状状况况等等因因素素有有关关。当当高高阻阻集集电电区区厚厚度度Wc小小于于BVCBO所所对对应应的的势势垒垒宽宽度度xmB时时，VB还还与与WC
9、有有关关。所所以以提提高高晶晶体体管管反反向向耐耐压压可可采采取取提提高高c、WC，减减小小二二氧氧化化硅硅中中表表面面电电荷荷密密度度，采采用用圆圆角角基基区区图图形形，深深结结扩扩散散、甚甚至至采采用用台台面结构、扩展电极或加电场限制环等措施。面结构、扩展电极或加电场限制环等措施。BVCBO是共基晶体管在发射极开路时输出端是共基晶体管在发射极开路时输出端CB间的反向间的反向击穿电压。击穿电压。BVCEO是共射晶体管在基极开路时输出端是共射晶体管在基极开路时输出端C CE E间的反向击穿电压。晶体管手册中（或实际测试中）的规间的反向击穿电压。晶体管手册中（或实际测试中）的规定为：定为：BVC
10、BO发射极开路，集电极电流为规定值时，发射极开路，集电极电流为规定值时，CB间的反向电压值。间的反向电压值。BVCEO基极开路，基极开路，集电极电流为规定值时，集电极电流为规定值时，CE间的反向电压值。间的反向电压值。BVEBO集电极开路，发射极电流为规定值时，集电极开路，发射极电流为规定值时，EB间的反向电压值。间的反向电压值。9013的的BVCBO和和BVCEO的的测测试试条条件件为为IC=100A，BVEBO的的为为IE=100A。旋钮位置为：旋钮位置为：峰值电压范围峰值电压范围0200V（测（测BVCBO，BVCEO）020V（测（测BVEBO）极性（集电极扫描）极性（集电极扫描）正（
11、正（+）功耗电阻功耗电阻550kx轴轴集集电电极极电电压压10V/度度（测测BVCBO，BVCEO）1V/度（测度（测BVEBO）y轴轴集电极电流集电极电流0.1mA/度度 将峰值电压调整到合适的值，即可得到下图所示的值，图例表将峰值电压调整到合适的值，即可得到下图所示的值，图例表明明BVCBO=70V，BVCEO=40V、BVEBO=7V。小注入时小注入时过小，此时的特过小，此时的特点是小注入时特性曲线密集。点是小注入时特性曲线密集。它的产生原因是基区表面复它的产生原因是基区表面复合严重、发射结势垒复合较合严重、发射结势垒复合较强、发射结表面漏电大。强、发射结表面漏电大。大注入时大注入时过小
12、过小,此时的特点此时的特点是大注入时特性曲线密集。它是大注入时特性曲线密集。它的产生原因是基区电导调制效的产生原因是基区电导调制效应和有效基区扩展效应。应和有效基区扩展效应。晶体管特性常见缺陷及其产生原因晶体管特性常见缺陷及其产生原因特性曲线分散倾斜，此时的特点特性曲线分散倾斜，此时的特点是零线较平坦，其它曲线分散倾是零线较平坦，其它曲线分散倾斜。产生原因是基区掺杂浓度过斜。产生原因是基区掺杂浓度过低，宽度过窄，导致基区调变效低，宽度过窄，导致基区调变效应严重。应严重。反向漏电流大反向漏电流大 反向漏电流大有两反向漏电流大有两方面：方面：沟道漏电。沟道漏电的特沟道漏电。沟道漏电的特点是起始电流
13、大，零注入曲线升高。点是起始电流大，零注入曲线升高。它产生的原因是二氧化硅中正电荷它产生的原因是二氧化硅中正电荷密度过大，导致晶体管密度过大，导致晶体管P区表面反区表面反型，出现型，出现n型沟道。型沟道。反向漏电大图。反向漏电大反向漏电大图。反向漏电大的特点是特性曲线全部倾斜。的特点是特性曲线全部倾斜。产生的原因是表面吸附有大产生的原因是表面吸附有大量杂质离子、原材料缺陷多、量杂质离子、原材料缺陷多、势垒区附近有大量杂质沉积势垒区附近有大量杂质沉积和大量重金属杂质沾污。和大量重金属杂质沾污。管道型击穿。特点是击穿曲线管道型击穿。特点是击穿曲线像折线或近似折线。原因是形像折线或近似折线。原因是形
14、成的基区光刻小岛，有成的基区光刻小岛，有PN结尖结尖峰、材料中有位错集中点或表峰、材料中有位错集中点或表面有破坏点等形成的基区局部面有破坏点等形成的基区局部穿通，硼扩前表面有穿通，硼扩前表面有n型杂质和型杂质和灰尘沾污形成的基区反型杂质灰尘沾污形成的基区反型杂质管道等。管道等。硬低击穿，硬低击穿的特点是硬低击穿，硬低击穿的特点是击穿特性硬，击穿电压低。原击穿特性硬，击穿电压低。原因与管道型击穿类似。如集电因与管道型击穿类似。如集电结有缺陷集中点或局部损伤以结有缺陷集中点或局部损伤以至断裂；基区大面积穿通或存至断裂；基区大面积穿通或存在大的反型杂质管道。在大的反型杂质管道。软击穿，软击穿的特点是
15、反软击穿，软击穿的特点是反向漏电大，没有明显的击穿向漏电大，没有明显的击穿点。产生原因与反向漏电大点。产生原因与反向漏电大相同。相同。饱和压降大，曲线上升部分不陡或饱和压降大，曲线上升部分不陡或浅饱和区宽。原因：浅饱和区宽。原因：c、Wc过大，过大，导致导致rcs过大或在低压下集电结势垒过大或在低压下集电结势垒区载流子达不到极限散射速度；基区载流子达不到极限散射速度；基区掺杂浓度很低时也会导致区掺杂浓度很低时也会导致VCES增增大。大。饱和压降大，饱和压降大，低电压下曲线上升很低电压下曲线上升很缓慢，其它部分较正常，俗称缓慢，其它部分较正常，俗称“有有小尾巴小尾巴”。原因：烧结条件掌握不。原因
16、：烧结条件掌握不好，管芯与管座接触电阻好，管芯与管座接触电阻rcbn过大。过大。3、实验步骤实验步骤a.开开启启电电源源，预预热热5分分钟钟，调调节节“辉辉度度”、“聚聚焦焦”、“辅辅助助聚聚焦焦”使使显显示清晰。示清晰。b.识识别别晶晶体体管管的的管管脚脚，及及用用万万用用表表验验证证。根根据据实实验方法进行测试。验方法进行测试。c.测测试试完完成成后后，将将“峰峰值值电压电压”调回零。调回零。2 2、MOSMOS晶体管直流特征的测量晶体管直流特征的测量晶体管直流特征的测量晶体管直流特征的测量 MOS场效应晶体管是是现代超大规摸数字集成电路的基场效应晶体管是是现代超大规摸数字集成电路的基础器
17、件。础器件。1、实验原理、实验原理 晶晶体体管管特特征征图图示示仪仪提提供供漏漏源源电电压压Vds的的锯锯齿齿波波扫扫描描电电压压和和栅栅极极电电压压Vg的的阶阶梯梯变变化化，且且两两者者一一一一对对应应，便便产产生生Vg从从Vg0、Vg1、Vg2等等Vce从从零零到到最最大大值值的的曲曲线线族族。场场效效应应晶晶体体管管的的直直流流特特性性包包含含：直直流流输输入入特特性性IdsVgs；直直流流输输出特性出特性IdsVds和阈值电压和阈值电压Vt。实实验验仪仪器器为为XJ4810XJ4810图图示示仪仪，与与测测量量双双极极晶晶体体管管直直流流参参数数相相似似，但但由由于于所所检检测测的的场
18、场效效应应管管是是电电压压控控制制器器件件，测测量量中中须须将将输输入入的的基基极极电电流流改改换换为为基基极极电电压压，这这可可将将基基极极阶阶梯梯选选择择选选用用电电压压档档（伏伏/级级）；也也可可选选用用电电流流档档（毫毫安安/级级），但但选选用用电电流流档档必必须须在在测测试试台台的的B-EB-E间间（相相当当于于场场效效应应管管的的G.SG.S之之间间）外外接接一一个个电电阻阻（如如接接1 1kk电电阻阻），将将输输入入电电流流转转换换成输入电压。成输入电压。测测量量时时将将场场效效应应管管的的管管脚脚与与双双极极管管脚脚一一一一对对应应，即即S S（源源极极）对对应应E E（发发射
19、射极极）；G G（栅栅极极）对对应应B B（基基极极）；D D（漏漏极极）对应对应C C（集电极）。（集电极）。值得注意的是，测量值得注意的是，测量MOSMOS管时，若没有外接电阻，必须避免管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。（1）输出特性与转移特性）输出特性与转移特性 输出特性曲线（输出特性曲线（IDSVDS）即漏极特性曲线，它与双极管）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图所示。在曲线中，工作区可分为的输出特性曲线相似，如图所示。在曲线中，工作区可分为三部分：三部分：I 是可调电阻区（或称非饱和区）；是可
20、调电阻区（或称非饱和区）；是饱和区；是饱和区；是击穿区。是击穿区。（2）阈电压）阈电压VT开启电压开启电压VT是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压是对增强型管而言。它表示在一定漏源电压VDS下，下，开始有漏电流时对应的栅源电压值。开始有漏电流时对应的栅源电压值。将将MOS场场效效应应晶晶体体管管G、D、S分分别别接接入入图图示示仪仪的的B、C、E端端，将将B、C端短路使其处于饱和状态。端短路使其处于饱和状态。图示仪选择图示仪选择NPN、发射极接地、阶梯单族、阶梯电流最小。、发射极接地、阶梯单族、阶梯电流最小。由由 IdsVgs得得Vt。（3）跨导）跨导(gm)跨导是漏源电压一定时，栅压微分增
21、量与由此而产生跨导是漏源电压一定时，栅压微分增量与由此而产生的漏电流微分增量之比，即的漏电流微分增量之比，即跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应跨导表征栅电压对漏电流的控制能力，是衡量场效应管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系管放大作用的重要参数，类似于双极管的电流放大系数，测量方法也很相似。数，测量方法也很相似。跨导常以栅压变化跨导常以栅压变化1V时漏电流变化多少微安或毫安时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子，用表示。它的单位是西门子，用S表示，表示，1S=1A/V。或。或用欧姆的倒数用欧姆的倒数“姆欧姆欧”表示。表示。（3）击穿电压（）击穿电压（BVDS）当
22、栅源电压当栅源电压VGS为一定值时，使漏电流为一定值时，使漏电流IDS开始急剧增加的漏开始急剧增加的漏源电压值，用源电压值，用BVDS表示。当表示。当VGS不同时，不同时，BVDS亦不同，通亦不同，通常把常把VGS=0时对应的漏源击穿电压记为时对应的漏源击穿电压记为BVDS。将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为将峰值电压旋钮转回原始位置，电压范围改为0200V，x轴轴集电极电压改为集电极电压改为5V/度，或度，或10V/度，加大功耗电阻，再调节度，加大功耗电阻，再调节峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的峰值电压，最下面一条输出特性曲线的转折点处对应的x轴轴电压，即为电压，即为B
23、VDS值。值。3 3 3 3、晶体管特征频率的测量、晶体管特征频率的测量、晶体管特征频率的测量、晶体管特征频率的测量 晶体管特征频率定义为共射极输出交流短路电流放大系晶体管特征频率定义为共射极输出交流短路电流放大系数随频率下降到数随频率下降到1时的工作频率，是晶体管的重要参数。采用时的工作频率，是晶体管的重要参数。采用“増益増益带宽带宽”积的方法进行测量。积的方法进行测量。1 1、实验原理、实验原理 晶体管放大系数晶体管放大系数 与频率的关系如下：与频率的关系如下：直接在利用晶体管放大系数为直接在利用晶体管放大系数为1的条件测量晶体管特征频的条件测量晶体管特征频率较为困难，而利用下式，根据图中
24、率较为困难，而利用下式，根据图中 的线的线性关系则可在较低频率测量特征频率，这就是性关系则可在较低频率测量特征频率，这就是“増益増益带带宽宽”积的测量方法。积的测量方法。在一般情况下晶体管的集电结势垒电容远小于发射结势垒在一般情况下晶体管的集电结势垒电容远小于发射结势垒电容，如果再忽略寄生电容的影响，那么特征频率可以表电容，如果再忽略寄生电容的影响，那么特征频率可以表示为示为 fT是发射结电阻，基区宽度，势垒电容各势垒区宽度等的函是发射结电阻，基区宽度，势垒电容各势垒区宽度等的函数。而这些参数虽然主要取决于晶体管的结构，但也与晶数。而这些参数虽然主要取决于晶体管的结构，但也与晶体管的工作条件有
25、关，即工作偏置不同也不等。体管的工作条件有关，即工作偏置不同也不等。一般情况下一般情况下，在集电极工作电压一定，在集电极工作电压一定，IEICM时。可近似认时。可近似认为为b，d,c与与IE无关，因而通过测量无关，因而通过测量fT随随IE的变化，并作出的变化，并作出1/fT与与1/IE的关系曲线，由曲线斜率即可求出的关系曲线，由曲线斜率即可求出CTe的近似值，的近似值，同时由曲线的截距求得的同时由曲线的截距求得的b+d+c近似值。近似值。测试装置如图所示。其中信号源提供测试装置如图所示。其中信号源提供fff范围内的所需范围内的所需要的点频信号电流，电流调节器控制输入被测管的基极电流，要的点频信
26、号电流，电流调节器控制输入被测管的基极电流，测试回路和偏置电源向被测管提供规范偏置条件，宽带放大测试回路和偏置电源向被测管提供规范偏置条件，宽带放大器则对被测管的输出信号进行放大，显示系统指示值。显示器则对被测管的输出信号进行放大，显示系统指示值。显示表头指示的参数是经被测管放大了的信号源电流信号，但经表头指示的参数是经被测管放大了的信号源电流信号，但经测试前后的测试前后的“校正校正”可转换成相应的值。可转换成相应的值。实验步骤实验步骤a.a.熟熟悉悉晶晶体体管管特特征征频频率率测测试试仪仪的的测测量量范范围围，信信号号源源工工作作频频率率，然后开机预热。然后开机预热。b.b.确定信号源工作频
27、率，校准仪器。确定信号源工作频率，校准仪器。c.c.按实验方法所述进行测量。按实验方法所述进行测量。实验数据实验数据a.特征频率分别与特征频率分别与Ie的关系；的关系；b.b.特征频率分别与特征频率分别与Vce的关系；的关系；c.c.特征频率与发射结并联电容的关系。特征频率与发射结并联电容的关系。4、晶体管开关时间的测量晶体管开关时间的测量 晶体管开关时间是衡量晶体管开关速度特性的重要参数。它晶体管开关时间是衡量晶体管开关速度特性的重要参数。它对数字电路的工作频率和整机性能有直接影响。对数字电路的工作频率和整机性能有直接影响。1 1、实验原理、实验原理 如果在晶体管基极输入一脉冲信号如果在晶体
28、管基极输入一脉冲信号V Vi i，则基极和集电极电流波，则基极和集电极电流波型如图所示。故由图可读出其延迟时间型如图所示。故由图可读出其延迟时间T Td d、上升时间、上升时间T Tr r、存储、存储时间时间T Ts s和下降时间和下降时间T Tf f。晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流晶体管开关时间参数一般是按照集电极电流iC的变化来定义：的变化来定义：延迟时间延迟时间td：从脉冲信号加入到：从脉冲信号加入到iC上升到上升到0.1ICS。上升时间上升时间tr：从：从0.1ICS上升到上升到0.9ICS。存储时间存储时间ts：从脉冲信号去除到：从脉冲信号去除到iC下降到下降到0.9ICS。
29、下降时间下降时间tf：从：从0.9ICS下降到下降到0.1 ICS。其中其中td+tr即开启时间、即开启时间、ts+tf即关闭时间即关闭时间。当晶体管作为开关应用时，可以把晶体管看作是一个当晶体管作为开关应用时，可以把晶体管看作是一个“电荷控电荷控制制”器件，根据少数载流子连续性方程可以推导出电荷控制分器件，根据少数载流子连续性方程可以推导出电荷控制分析的基本方程析的基本方程 Q Qb b是存储在基区中电子的总电荷，是存储在基区中电子的总电荷，n n是基区中电荷寿命。是基区中电荷寿命。在延迟时间内，发射结偏压将由在延迟时间内，发射结偏压将由-Vi i上升到微导通电压上升到微导通电压V Vj j
30、（约（约0.5V），集电结反向偏压由（），集电结反向偏压由（V Vc c+Vi i）减小到（）减小到（V Vc c-Vj j），这个），这个过程是基极电流对发射结和集电结势垒电容充电的过程。过程是基极电流对发射结和集电结势垒电容充电的过程。在上升时间，基极驱动电流继续对发射结和集电结势垒电容在上升时间，基极驱动电流继续对发射结和集电结势垒电容充电，使发射结偏压由充电，使发射结偏压由VjVj上升到导通电压（约上升到导通电压（约0.7V），集电），集电结反向偏差逐渐减小，使少子浓度梯度不断增加。结反向偏差逐渐减小，使少子浓度梯度不断增加。存贮时间主要是基区、集电区超量存贮电荷消失，发射结、存贮时间
31、主要是基区、集电区超量存贮电荷消失，发射结、集电结电容放电的过程。集电结电容放电的过程。开关时间既决定于开关时间既决定于C Ctete、C Ctctc、f fT T、等晶体管本身的参数，也等晶体管本身的参数，也取决于取决于I Ib b、I Ic c及等外部电路参数。及等外部电路参数。测量双极型晶体管开关时间的实验装置如图所示。由于受输测量双极型晶体管开关时间的实验装置如图所示。由于受输入脉冲前后沿的影响以及示波器频宽的限制，此装置只适用入脉冲前后沿的影响以及示波器频宽的限制，此装置只适用于测量开关时间较长的晶体管。于测量开关时间较长的晶体管。2、实验步骤、实验步骤a.a.用如下实验装置观察晶体管输入输出波型，读出各参数。用如下实验装置观察晶体管输入输出波型，读出各参数。b.b.比较高频管与低频管的开关参数。比较高频管与低频管的开关参数。c.c.改变外电路偏置，研究电路偏置对开关时间的影响。改变外电路偏置，研究电路偏置对开关时间的影响。3 3、实验数据处理、实验数据处理 a.a.记录双踪示波器上观察到的输入脉冲与输出电压波型记录双踪示波器上观察到的输入脉冲与输出电压波型;b.测量高频管与低频管的开关参数即延迟时间测量高频管与低频管的开关参数即延迟时间T Td d、上升时间、上升时间T Tr r、存储时间、存储时间T Ts s和下降时间和下降时间T Tf f。