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1、机械工程材料老师给的复习题华南理工大学广州学院答案 篇一：机械工程材料习题集答案-华南理工大学 习题集参考答案 Ch1 金属的晶体构造 三、 1. bcc、fcc、hcp，bcc、fcc、hcp。 2. 致密度，配位数 3. 2/a2 、1.4/a2、2.31/a2 ；1/a、 1.4/a、 0.58/a。111、lt;110。 4. 多、晶体缺陷。 5. fcc、hcp。 6. 4、 2 a、12、0.74。 4 7. 空位、间隙原子；位错；晶界和亚晶界。 8. 121、（121） 9. 畸变，升高，下降。 10.晶体中已滑移的部分，未滑移部分。 11.、 12.位错线和。1；无数。 四、
2、Ch2纯金属的结晶 三、 1. 低于理论结晶温度才结晶，理论结晶温度-实际结晶温度。 2. 形核与长大。 3. 大、细、高、好。 4. 液、固相自由能差，液相过冷。 5. 平面、密排面。 6. 外表细等轴晶、柱状晶、中心粗等轴晶。 7. 偏析、疏松、气孔、夹杂物。 8. （1）细，（2）细，（3）细。 四、五、Ch3 金属的塑性变形与再结晶 三、 1. 滑移、孪生，滑移2. 原子密度最大。 3. 110，6,lt;111,2,12；111，4，lt;110，3，12。Fcc，滑移方向较多。4. ?k?scos?cos?或?k s? cos?cos? ，小，软位向。 5. 晶界、晶体位向差，较高
3、。 6. 提高，升高，下降。再结晶退火。 7. 织构。 8. 回复、再结晶、晶粒长大。 9. 去应力退火，200-3000C。 10. 去应力退火。 11. 再结晶退火，降低硬度、恢复塑性。 12. 再结晶温度。低于再结晶温度，高于再结晶温度。 13. 偏析、杂质、夹杂物，热加工纤维组织（流线）。 14. 优于。 四、Ch4 合金的相构造与二元合金相图 三、 1. 固溶体；金属化合物 2. 溶剂，溶质，溶剂。 3. 溶质，溶剂；置换固溶体、间隙固溶体。 4. 升高，提高，下降。 5. 正常价化合物；电子化合物；间隙化合物。 6. 平衡，平衡、状态。 7. 合金，两条边界限。 8. 差，树枝，差
4、，多，少。 9. 晶格构造。 10. 三，水平。 11. 机械混合物，数量、形态、分布。 12. 共晶、包晶、共析。 13. 固溶强化、细晶强化、弥散强化、时效硬化。 14. ,；, ；，。 1Ch5铁碳合金 三、 1. -Fe,-Fe,-Fe；bcc，fcc，bcc。 2. 、Fe3C，2。 3. 5，L、Fe3C。 4. 3，HJB、ECF、PSK；包晶、共晶、共析。 5. 0.0218%，+Fe3C。 6. 4.3%，P=40.4%、Fe3C共晶=47.8%、Fe3C=11.8%。 7. 0.47% 8. 单相，塑，锻压。 9. 共晶，莱氏体，铸造。 10. =88.78%，Fe3C共析
5、=11.22。 11. 1.3%C。 12. PSK、GS、ES。 13. C，-Fe，bcc。 14. Fe3C，P。 15. ，P。 16. Si、Mn、P、S；P、S，P、S。 17. 杂质P、S含量。 18. 0.25%；0.25-0.6%；0.6。2 Ch6 钢的热处理 三、 1. 加热、保温、冷却,组织。 2. 扩散，扩散。 3. Ac1、Ac3、Accm；Ar1、Ar3、Arcm。 4. 加热温度、保温时间、原始组织、化学成分。 5. 快，高、长。 6. 8，1、8。1-4，5-8。 7. 、Fe3C；片层间距不同。 8. 低，好。 9. 化学成分，奥氏体化条件。 10. 扩散型
6、，半扩散型，非扩散型。 11. 板条状，0.2%，位错；针状，1.0%，孪晶。 12. 条间；内，好。 13. 过冷奥氏体等温转变曲线，TTT；过冷奥氏体等连续转变曲线图。 14. 晶体构造，C%，过饱和固溶体。 15. 低，多。 16. 晶格畸变量的大小，C%。 17. 水；油。 18. 获得全部M的冷却速度，好。 19. C%，化学成分、奥氏体化条件。 20. 低温回火，时效，消除应力。 21. 等温淬火。 22. Ac3、Accm，空冷。 23. M+F，偏低。 24. 正火、球化退火；再结晶退火，定型处理；去应力退火。 25. Ac1，M+K+A（少量），M+A（大量），K，A，A晶粒
7、粗大。 26. 淬透性，距水冷端10-15mm处硬度为HRC36。 27. 调质，S回，外表淬火+低温回火，M回。 28. P球或P+Fe3C，B下+Fe3C粒，B下+M+Fe3C粒+A（少量），M+Fe3C粒+A（少量）。29. M+A（少量），M+B+A（少量），F+M+B+A（少量），F+P。 30. T8，T12。 31. 淬火+高温回火；S回。 32. 0.4-0.5%。 33. 分解、吸附、扩散。 34. 双液淬火。 35. 过共析，共析，亚共析。 36. 0.7，0.15。 37. 氰化，软氮化。 3五、 Ch7 合金钢 三、 1. 扩大，上升，下降。 2. 右，降低，提高。 3
8、. 二。 4. S、P、Pb、Ca；改善切削功能。 5. 油，消除第二类回火脆性。 6. 去应力（定型），淬火+中温回火。 7. 降低硬度，淬火，组织预备。 8. 低碳，中碳，高碳。 9. P球，Fe3C。 10. W：产生二次硬化、提高红硬性；Cr：提高淬透性；V：细化晶粒。 成型，改善碳化物分布（打碎鱼骨状碳化物）； 560C，3； M回、K、A；高硬度、高耐磨性、高红硬性。 11. M，提高，二次淬火。 12. （1）提高淬透性；提高电极电位；（2）细化晶粒；消除晶间腐蚀。 13. 化学，电化学；氧化、氢蚀、化学介质；微电池，电化学。 14. M，F，A。 15. 固溶、稳定化、去应力。
9、 16. （略） 17. A，良好的耐冲击磨损；冲击及。 18. 碳化物的弥散硬化，AM的二次淬火。 19. 在较高温度（如500-6000C）仍保持高硬度和耐磨性。 4 篇二：单片机原理及应用(华南理工大学广州学院) (D) MOV P2，#33H MOV R2，#55H MOVX A，R2 6 80C51单片机要用传送指令访征询片内程序存储器，它的指令操作码助记符是以下哪个？ (A) MOV (B) MOVX (C) MOVC (D) MUL 7 假定设置堆栈指针SP的值为37H，在进展子程序调用时把断点地址进栈保护后，SP的值为 (A) 36H (B) 37H (C) 38H (D) 3
10、9H 8 在80C51中，可使用的堆栈最大深度为 (A) 80个单元 (B) 32个单元 (C) 128个单元 (D) 8个单元 9 以下条件中，不是中断相应必要条件的是 (A) TCON或SCON存放器中相关的中断标志位置1 (B) IE存放器中相关的中断同意位置1 (C) IP存放器中相关位置1 (D) 中断恳求发生在指令周期的最后一个机器周期 10 执行中断返回指令，要从堆栈弹出断点地址，以便去执行被中断了的主程序。从堆栈弹出的断点地址送给 (A) A (B) CY (C) PC (D) DPTR 11 以下表达中，不属于单片机存储器系统特点的是 (A) 程序和数据两品种型的存储器同时存
11、在 (B) 芯片内外存储器同时存在 (C) 扩展数据存储器与片内数据存储器存储空间重叠 (D) 扩展程序存储器与片内程序存储器存储空间重叠 12 PSW=18H时，那么当前工作存放器是 （A） 0组 （B） 1组 （C） 2组 （D） 3组13 MCS-51的中断同意操纵存放器内容为8AH,CPU能够响应的中断恳求是 (A) T1, (B) T0, T1 (C) T1,串行接口 (D) T0 14 指令AJMP的跳转范围是多少？ (A) 64 KB (B) 2 KB (C) 256 B (D) 128 B 15 以下指令中正确的选项 (A) MOV P2.1，A (B) JBC TF0，L1
12、(C) MOVX B，DPTR (D) MOV A，R3 二、 填空题(每空0.5分，共29分) 1 一个机器周期包括（）个状态周期，一个状态包含（2）个时钟周期 2 执行如下指令序列： MOV C, P1.0 ANL C, P1.1 ANL C, /P1.2 MOVP3.0, C ) 3 假定外部数据存储器2000H单元的内容为80H,执行以下指令后，累加器A中的内容为（80H）。 MOV P2, #20H; MOV R0, #00H; MOVX A, R0； 4 假定标号qaz的地址为0100H,标号qwe值为0130H(即调转的目的地址为0130H) 应执行指令： qaz: SJMPqw
13、e 该指令的相对偏移量（即指令的第2字节）为（2EH）。 5 假定（A）0C3H,R0=0AAH、CY=1。执行指令： ADDC A, R0 后,累加器A的内容为（6EH），CY的内容为（1），OV的内容（1），AC的内容（0） 6 在变址寻址方式中，以（A）作变址存放器，以（PC）或（DPTR）作为基址存放器。 7 定时器0工作于方式2的计数方式,预置计数初值为156,假设通过引脚T0输入周期为1ms的脉冲，那么定时器0的定时时间为（100ms ）。 8 设A=50H，B=0A0H，那么执行指令MUL AB后的执行结果A=（00H ），B=（32H），OV=（1 ）CY=（0）。9 设执行指
14、令DIV AB前，（A）=0A3H，（B）=20H，那么执行指令后（A）=(05H )，（B）=(03H ),CY=(0),OV=(0) 10 假设系统晶振频率为6MHz，那么机器周期( 2)s，最短和最长的指令周期分别为( 2 )s和( 8 )s。 11 MCS-51单片机PC的长度为( 16)位；SP的长度为(8)位；DPTR的长度为(16 )位。 12 ORG 0003H LJMP 2000H ORG 000BH LJMP 3000H 当CPU响应外部中断0后，PC的值是（2000H） 13 指令执行前PC=07FFH，执行指令AJMP 300H后，执行结果 PC=（ 0B00H ） 1
15、4 假定累加器A的内容为35H,执行指令： 1000H:MOVC A, A+PC 后,把程序存储器( 1036H )单元的内容送累加器A中。 15 8255能为数据I/O操作提供A,B,C 3个8位口，其中A口和B口只能作为数据口使用，而C口那么即能够作为（ 数据）口使用，又可作为（操纵 ）口使用。 16 在80C51单片机系统中，为处理内外程序存储器衔接征询题所使用的信号是（ /EA ）（此题1分） 三、 推断题，正确的打，错误的打。（每题1分，共10分。） 1. 内部存放器Rn（n=07）作为间接寻址存放器。.（ ） 2. MOV A，30H这条指令执行后的结果是（A）=30H.（ ） 3
16、. SP称之为堆栈指针，堆栈是单片机内部的一个特别区域，与RAM无关。.（ ） 4. 中断响应最快响应时间为三个机器周期。（ ） 5. 8255内部有3个8位并行口, 每个口都有3种工作方式。（） 6. MCS-51的特别功能存放器分布在60H80H地址范围内。（ ） 7. 8255具有三态缓冲器，因而能够直截了当挂在系统的数据总线上。（） 8. PC存放的是当前执行的指令。（ ） 9. 80C51有4个并行IO口,其中P0P3是准双向口,因而由输出转输入时必须先写入0（ ） 10. EPROM的地址线为10条时，能访征询的存储空间有4K。（） 四、 简答题（每题3分，共15分） 可用程序状态
17、字PSW的RS1,RS0两位进展选择 1如何确定和改变当前工作存放器组？280C51单片机堆栈能够设置在什么地点？如何实现？ 答：80C51单片机堆栈能够设置在内部RAM中。当系统复位时，堆栈指针地址为07H，只要改变堆栈指针SP的值，使其为内部RAM中地址量，就能够灵敏的将堆栈设置在内部RAM中。 3. 假设采纳晶振的频率为6MHz，定时器/计数器工作方式0、1、2下，其最大的定时时间为多少？ 1212T?2(?s)由于机器周期， cy fOSC6?106 因而定时器/计数器工作方式0下，其最大定时时间为 TMAX?213?TC?213?2?10?6?4.096(ms)；16.384ms 同
18、样能够求得方式1下的最大定时时间为 TMAX?216?TC?216?2?10?6?131.072(ms)； 方式2下的最大定时时间为512?s。 五、 程序分析题（每题3分，共15分。） 后累加器A，50H，R6，32H和P1口中的内容是什么 MOV A， 30H； MOV 50H，A； MOV R6，31H； MOV R1，30H； MOV P1，32H； 解：A=AAH，（50H)=AAH，R6=BBH，（32H）=AA，P1=AAH 2. 已经明白A=7AH，R0=30H，（30H）=A5H，PSW=80H。试征询如下指令执行后的结果是什么？A=?,(30H)=?,PSW=? (1) A
19、DDC A，30H INC30H 答：A=20H，(30H）=A6H,PSW=0C0H (2) SUBB A，R0 DEC 30H 答：A=（49H），（30H）=A4H，PSW=01H 3. 假定(A)=83H,(R0)=17H,(17H)=34H,执行以下程序段后，A的内容=? ANL A, #17H ORL 17H, A XRL A,R0 CPL A 答： 1. 已经明白：R1=32H，（30H）=AAH ，（31H)=BBH,(32H)=CCH，试征询如下指令执行篇三：大学复习参考广州 民族神话 鸿蒙未辟 宇宙洪荒 亿万斯年 四极不张 广州大学 名牌专业中期检查表 学院： 专业名称： 填写时间：年 月 日 广州大学教务处制 表一、专业根本情况 注：1、专业类别指：IT本科专业，其他本科专业，高职高专专业。 表二、师资队伍根本情况（按教研室填） 2、学历按博士研究生、硕士研究生、本科、大专、中专等层次填报。 3、高资历老师指两院院士、国务院学位委员会委员（含学科组成员）、国家教指委委员（含学科组成员）、特聘教授、博士生导师。