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1、二次电源常用器件介绍二次电源常用器件介绍二次电源常用器件介绍二次电源常用器件介绍二次电源开发部 王丽二次电源常用器件二次电源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源常用器件二次电源常用器件一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）一、二次电源常用电路图（典型单端正激电路）输入输入MOSMOS管和拓扑有关：管和拓扑有关：1 1、全桥，半桥，正反激：、全桥，半桥，正反激：100V100
2、V2 2、有源钳位：有源钳位：150150V V3 3、谐振复位：谐振复位：200200V V主控制芯片和拓扑有关：主控制芯片和拓扑有关：1 1、全桥，半桥，正反激：、全桥，半桥，正反激：UCC2808UCC28082 2、有源钳位：有源钳位：LM5025LM50253 3、谐振复位：谐振复位：MIC38C43MIC38C43输出输出MOSMOS管和输出电压有关：管和输出电压有关：1 1、1.21.2V V3.3V3.3V：30V30V2 2、5V5V：3030V V或或4040V V3 3、1212V V：80V80V或或100100V V4 4、15V15V以上：以上：200200V V或
3、二极管或二极管二次电源常用器件二次电源常用器件二、二次电源料本构成（以二、二次电源料本构成（以二、二次电源料本构成（以二、二次电源料本构成（以AVE150-48S03AVE150-48S03AVE150-48S03AVE150-48S03为例）为例）为例）为例）二次电源常用器件二次电源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍一、一、PWM限制芯片限制芯片
4、(隔离模块隔离模块)1、39110096 PWM限制芯片限制芯片-3843-PWM限制芯片限制芯片-可调整可调整-SO82、39110302 PWM限制器限制器-ISL6843-电流型电流型-单端输单端输出出-SO8-有铅工艺有铅工艺-BiCMOS工艺工艺3、39110189 PWM限制芯片限制芯片-38C43-PWM限制芯片限制芯片-可调整可调整-SOIC8 4、39110309 PWM限制器限制器-LM5025A-电压型电压型-有源有源嵌位输出嵌位输出-TSSOP165、39110314 PWM限制器限制器-LM5034-电流型电流型-双路有双路有源嵌位输出源嵌位输出-TSSOP20-RO
5、HS-多功能集成多功能集成二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍一、一、PWM限制芯片限制芯片(非隔离模块非隔离模块)6、39110225 PWM限制芯片限制芯片-SP6120EY-同步同步BUCK型限制器型限制器-TSSOP16（注：（注：AVN20B降压系降压系列运用）列运用）7、39110246 PWM限制芯片限制芯片-MIC2185BM-同步同步BOOST型限制器型限制器-SOIC16（注：（注：AVN20B升压运用）升压运用）二次电源二次电源PWM芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功芯片选用发展趋势：高速、低功耗；功能强大能强大集成度更高，尽量削减模块外围器件数量，提高电源集成度更高，尽
6、量削减模块外围器件数量，提高电源的功率的功率密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方密度。为了实现向外部通讯等功能，也有向数字化方向发展的向发展的趋势。趋势。二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍二、基准二、基准.1.24V基准系列基准系列1.39110272 电压基准源电压基准源-AZ431L-分流可调型分流可调型-1.24V-0.5%-SOT-23-18Vmax-0.1mAmin2.39110252 电压基准源电压基准源-HA17L431A-可调基准可调基准-1.24V-1%-16Vmax-1mAmin-SOT23-5 3.39110217 电压基准源电压基准源-LM4041-固定基准
7、固定基准-1.225V-0.5%-SOT-234.39110154 电压基准源电压基准源-HA17L431-可调基准可调基准-1.24V-1.5%-SOT-89 （MD）二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍二、基准二、基准.2.5V基准系列基准系列1、39110268 电压基准源电压基准源-HA17431H-分流可调型分流可调型-2.5V-1%-SOT-23-36Vmax-1mAmin2、39110224 电压基准源电压基准源-SPX2431-可调基准可调基准-2.5V-1%-SOT-233、39110251 电压基准源电压基准源-SPX431B-可调基准可调基准-2.5V-1%-37Vmax
8、-1mAmin-SOT-894、39110097 电压基准源电压基准源-HA17431-可调基准可调基准-2.5V-3%-SOT-89 (MD)l二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。二次电源基准选用发展趋势：高精度、小封装、低功耗。二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍三、运放三、运放1、39080072 运算放大器运算放大器-LM2904DGKR-双双-通用运放通用运放-72、39080058 运算放大器运算放大器-TS321I-单运放单运放-SOT23-53、39080026 运算放大器运算放大器-MC33172D-低功率单电源双运算放大器低功率单电源双运算放大器-SO-84、
9、39080011 运放运放-LM358-低噪声双运放低噪声双运放-SOIC8(Tape)5、39080003 运算放大器运算放大器-LM324D-四运放四运放-SOP14二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电二次电源运放选用发展趋势：低功耗、小封装，随着开关电源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。源频率的增大，要求运放响应速率快和频带宽。二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍四、光耦四、光耦1、39100025 光耦光耦-单路单路-三极管输出无基极三极管输出无基极-CTR100300-tp2/3S-3750Vac-SOP42、39100056 光耦光耦-双路双路-三极管输出无基
10、极三极管输出无基极-CTR100200-tp5/4uS-2500Vac-SOP83、39100068 光耦光耦-PS2801-单路单路-三极管输出三极管输出无基极无基极-CTR150300-tp3S-tp5S-2500-HSO4-UL-无无二次电源光耦选用趋势：二次电源光耦选用趋势：响应速度快、小封装，为了设计便利，尽量削减响应速度快、小封装，为了设计便利，尽量削减光耦的光电光耦的光电传输比的范围。传输比的范围。二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍五、五、ICIC常用封装学问常用封装学问SOP-16SOT-89TSSOP-20SOP-8TSOP6SOT-23SC-70SOT-23-5 Micr
11、o8Time199520002005二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍六、六、IC解剖内部解剖内部（以（以MIC38C43为例）为例）输出输出输出输出P MOSP MOS 输出输出输出输出N MOSN MOS二次电源常用器件二次电源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源常用二次电源常用MOSFET介绍介绍一、原边一、原边MOS管介绍管介绍1、15060175 绝缘栅场效应管绝缘
12、栅场效应管-N沟道沟道-150V-6.7A-0.050-20V-PowerPAK SO-8-ROHS2、15060088 场效应管场效应管-200V/18A/0.15/20V/D2PAK3、15060045 场效应管场效应管-200V/7A/0.40/30V/TO-252(DPAK)4、15060116 场效应管场效应管-200V/20A/130m/20V/DPAK5、15060146 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N沟道沟道-200V-4ATc=25-0.065typ.Vgs=10V-20V-SO-8二次电源二次电源MOSFET的选用趋势：的选用趋势：1、低的导通电阻、低的导通电阻R(vds
13、)on和栅极电荷和栅极电荷Qg,综合考虑两者的综合考虑两者的影响。影响。2、小封装，散热效果好，低功耗，高牢靠性。、小封装，散热效果好，低功耗，高牢靠性。二次电源常用二次电源常用MOSFET介绍介绍二、副边二、副边MOS管介绍管介绍1、15060184 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N 沟道沟道-30V-50A-2.2m-20V-P-TDSON-82、15060177 绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管-N 沟道沟道-30V-40A-4.2 m-20V-WPAK3、15060105 场效应管场效应管/30V/140A/6m/16V-D2PAK4、15060114 场效应管场效应管/30V/13A/8
14、m/20V/SO-85、15060122 场效应管场效应管-30V-15A-4m-20V-SO-86、15060128 场效应管场效应管/30V/13A/8.5m/25V/SO-8二次电源常用二次电源常用MOSFET介绍介绍三、三、MOS管封装介绍管封装介绍D2PAKDPAKSO-8LFPAKSMBSMASOT-89SOT-23SC75TimePowerPAKTopTopBottomBottom199520002005二次电源常用二次电源常用IC介绍介绍六、六、MOSFET解剖内部图解剖内部图（以以AVQ100中中PSMN130-200DPSMN130-200D为例为例）二次电源常用器件二次电
15、源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源常用二极管介绍二次电源常用二极管介绍一、功率二级管一、功率二级管1.15010217 肖特基二极管肖特基二极管-100V-2*6A-0.65V-DPAK2.15010185 肖特基二极管肖特基二极管-35V/25A/0.55V-D2PAK3.15010183 肖特基二极管肖特基二极管-100V/2*10A/0.64V-D2PAK4.1501
16、0182 二极管二极管-35V/2*5A/0.41V/125-DPAK二次电源功率二极管的选用趋势：二次电源功率二极管的选用趋势：1、由于二次电源输出电压不断下降，目前多运用同步整流、由于二次电源输出电压不断下降，目前多运用同步整流技术，功率二极管的运用多出现在一些高压输出的产品中，技术，功率二极管的运用多出现在一些高压输出的产品中，所以应用范围较窄。所以应用范围较窄。2、小封装，散热效果好，通态压降低。、小封装，散热效果好，通态压降低。二次电源常用二极管介绍二次电源常用二极管介绍二、信号二极管二、信号二极管1、15010231 开关二极管开关二极管-70V/0.2A/4nS/SOT323/共
17、阴共阴-ROHS2、15010151 开关二极管开关二极管-200V/2*125mA/1.00V/50ns/并联并联-SOT1433、15010040 开关二极管开关二极管/70V/0.2A/6ns/共阳共阳/SOT-234、15010041 开关二极管开关二极管-70V/0.2A/6nS/SOT-23/共阴共阴 5、15010042 开关二极管开关二极管/70V/0.2A/4ns/SOT-23二次电源二极管和三极管的选用趋势：二次电源二极管和三极管的选用趋势：1 1、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，、此类器件不断地向高性能方向发展，包括大电流，低损耗，高增益，宽频
18、率响应，低热阻。宽频率响应，低热阻。2 2、由小封装向微封装方向过渡。、由小封装向微封装方向过渡。二次电源常用三极管介绍二次电源常用三极管介绍一、信号三极管一、信号三极管1.15050026 NPN三极管三极管-40V/0.6A/350mW/SOT-232.15050072 PNP三极管三极管/40V/600mA/0.35W/SOT-233.15050099 NPN三极管三极管/20V/2.5A/625mW/SOT-23(MD)4.15050100 PNP三极管三极管/20V/1.5A/625mW/SOT-23(MD)5.15050142 NPN三极管三极管/40V/1A/300mW/SOT2
19、36.15050144 PNP三极管三极管/40V/1A/300mW/SOT237.15050098 NPN三极管三极管/80V/1A/1W/SOT-898.15050141 PNP三极管三极管/80V/1A/1W/SOT-89二次电源常用器件二次电源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源常用电容介绍二次电源常用电容介绍一、瓷片电容一、瓷片电容I 高压电容：用于隔离和输入高压电容
20、：用于隔离和输入1、08070439 片状电容器片状电容器-2KV-1000pF20%-X7R-1206-高压电容高压电容2、08070437 片状电容器片状电容器-2KV-3300pF10%-X7R-1812-高压电容高压电容3、08070580 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-100V-1u-10%-X7R-1210-4、08070438 片状电容片状电容-100V-0.68uF10%-X7R-18125、08070511 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-100V-0.47uF-10%-X7R-1210-ROHS二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺
21、寸瓷片电容如高压电容方面，目前我司正在逐步淘汰大尺寸瓷片电容如1812，向小尺寸如，向小尺寸如1210、1206转移，缘由是转移，缘由是1812电容在电容在成本和质量两方面都存在问题。成本和质量两方面都存在问题。二次电源常用电容介绍二次电源常用电容介绍一、瓷片电容一、瓷片电容II 低压电容：用于输出滤波低压电容：用于输出滤波1、08070584 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-25V-10uF-10%-X7R-1210-ROHS2、08070422 片状电容器片状电容器-25V-10F10%-X5R-1812-ROHS3、08070590 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-16V-10uF-10%-
22、X7R-1210-ROHS4、08070613 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-10V-22uF-20%-X7R-1210-ROHS-5、08070585 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-10V-10uF-10%-X7R-1206-ROHS6、08070601 片状陶瓷电容器片状陶瓷电容器-6.3V-100uF-20%-X6S-1210-二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量瓷片电容特点是精度高；温度、耐压特性好。缺点是容量很难做大，大部分应用须要多个并联试用。目前业界不很难做大，大部分应用须要多个并联试用。目前业界不断在往大容量方面发展。断
23、在往大容量方面发展。二次电源常用电容介绍二次电源常用电容介绍二、钽电容二、钽电容1、08020083 片状钽电容器片状钽电容器-10V-220F20%-7.3*4.3*3.1-Low ESR2、08020085 片状钽电容器片状钽电容器-6.3V-220F20%-7.3*4.3*2.8-Low ESR3、08020070 片状钽电容器片状钽电容器-25V-33F20%-7.3*4.3*4.0(2.8)-Low ESR4、08020087 片状钽电容片状钽电容-35V-33uF20%-7.3*4.3*4.1-低低ESR5、08020093 钽电容器钽电容器-4V-330F-20%-高分子高分子-
24、7.3*4.3*2.8(mm)-40m6、08020084 钽电容器钽电容器-2.5V-470uF-20%-有机聚合有机聚合物物-7.3*4.3*3.0-40m二次电源电容发展趋势：二次电源电容发展趋势：坦电容的特点是坦电容的特点是ESR小，容量大。近期还有有机高分子小，容量大。近期还有有机高分子固体固体铝电容出现，可以供应更小的铝电容出现，可以供应更小的ESR，更加优良的性能。，更加优良的性能。二次电源常用电阻介绍二次电源常用电阻介绍一、特殊用途电阻一、特殊用途电阻1、07090691 片状电阻器片状电阻器-1W-5.6m1%-2512(分流器）分流器）2、07091014 片状厚膜电阻器片
25、状厚膜电阻器-1W-10m-1%-25123、07050021 热敏电阻热敏电阻-47k5%-NTC-0805l l分流器主要用于副边电流检测，在现有的二次电源产品中应用分流器主要用于副边电流检测，在现有的二次电源产品中应用分流器主要用于副边电流检测，在现有的二次电源产品中应用分流器主要用于副边电流检测，在现有的二次电源产品中应用不广泛。目前我们主要进行的是原边电流检测。不广泛。目前我们主要进行的是原边电流检测。不广泛。目前我们主要进行的是原边电流检测。不广泛。目前我们主要进行的是原边电流检测。l l对于热敏电阻，在二次电源常用产品中应用广泛，但在数字疼对于热敏电阻，在二次电源常用产品中应用广
26、泛，但在数字疼对于热敏电阻，在二次电源常用产品中应用广泛，但在数字疼对于热敏电阻，在二次电源常用产品中应用广泛，但在数字疼惜芯片惜芯片惜芯片惜芯片PIC12F675PIC12F675PIC12F675PIC12F675运用后，将逐步被替代。运用后，将逐步被替代。运用后，将逐步被替代。运用后，将逐步被替代。二次电源常用电阻介绍二次电源常用电阻介绍二、一般电阻二、一般电阻1、07090581 片状电阻器片状电阻器-1/10W-3301%-08052、07090362 片状电阻器片状电阻器-1/10W-751%-08053、07090257 片状电阻器片状电阻器-1/16W-100k5%-06034
27、、07090275 片状电阻器片状电阻器-1/10W-4705%-06035、07090980 片状厚膜电阻器片状厚膜电阻器-1/16W-1K1%-0402二次电源电阻发展趋势：二次电源电阻发展趋势：小封装小封装(由由0603逐步过渡到逐步过渡到0402），精度高，品种），精度高，品种齐全。齐全。二次电源常用器件二次电源常用器件二次电源常用二次电源常用IC二次电源常用二次电源常用MOSFET二次电源常用二极管二次电源常用二极管二次电源常用三极管二次电源常用三极管二次电源常用电容二次电源常用电容二次电源常用电阻二次电源常用电阻二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二次电源器
28、件选型指导一、器件降额应用原则一、器件降额应用原则 降额应用可以降低器件的失效率，提高产品牢靠性降额应用可以降低器件的失效率，提高产品牢靠性 例如：例如：钽电容假如电压降额钽电容假如电压降额50运用，失效率将下降运用，失效率将下降150倍！倍！铝电解电容温度每上升铝电解电容温度每上升10，寿命将缩短一半！，寿命将缩短一半！半导体器件结温每上升半导体器件结温每上升4050，寿命将下降一，寿命将下降一个数量级！个数量级！1、器件运用时要留意降额，但同时留意降额要适度，、器件运用时要留意降额，但同时留意降额要适度，否则会引起成本的增加。否则会引起成本的增加。2、结温降额是各类器件降额的重点。、结温降
29、额是各类器件降额的重点。3、留意分析器件在异样状态下的降额状态。、留意分析器件在异样状态下的降额状态。二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导二、器件替代原则二、器件替代原则1、器件替代缘由：引入竞争，降低选购、器件替代缘由：引入竞争，降低选购 成本。成本。引入其次供应商，降低选购引入其次供应商，降低选购风险。风险。2、对通用器件，在电路设计时尽量减小对电参数的、对通用器件，在电路设计时尽量减小对电参数的敏感性。敏感性。加大容差设计，利于器件的互为替代。加大容差设计，利于器件的互为替代。二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导三、器件归一化原则三、器件归一化原则1、器件归一化的缘由、器件归一化
30、的缘由器件归一化可以提高器件复用率，削减呆死料的发生。器件归一化可以提高器件复用率，削减呆死料的发生。器件归一化可以集中选购器件归一化可以集中选购量，有利于与供应商进量，有利于与供应商进行价格谈判。行价格谈判。器件归一化可以集中器件选型，共享优选电路。器件归一化可以集中器件选型，共享优选电路。2、器件归一化的途径、器件归一化的途径在产品设计时，多参考二次电源优选器件库，尽量选在产品设计时，多参考二次电源优选器件库，尽量选择其中的优选器件。择其中的优选器件。二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导四、尽量选用标准器件和通用器件，慎选新产品器件和非标准四、尽量选用标准器件和通用器件，慎选新产品器件
31、和非标准器件。器件。1、新产品器件的牢靠性达不到成熟产的牢靠性水平，甚至新产品器件的牢靠性达不到成熟产的牢靠性水平，甚至存在存在BUG，使公司成为器件供应商的试验场。，使公司成为器件供应商的试验场。另外非标准器件往往是独家器件，简洁产生选购另外非标准器件往往是独家器件，简洁产生选购风险。风险。二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导2 2、器件寿命周期分布、器件寿命周期分布器器件件的的寿寿命命周周期期通通常常被被划划分分为为三三个个阶阶段段：早早期期寿寿命命（early early lifelife）运运用用寿寿命命(useful(useful lifelife）和和耗耗损损期期（wearou
32、twearout）。如如下下图图所所示示的的浴浴盆盆曲曲线线清清晰晰地地表表述述了了失失效效率率l(t)l(t)在在三三个个阶阶段段的的变变更更，我我们们要要选选取取属属于于运运用用寿寿命期的器件。命期的器件。同时器件的价格变更也遵循这样的曲线。即在器件生命周期初期的价格较高，成同时器件的价格变更也遵循这样的曲线。即在器件生命周期初期的价格较高，成熟期的价格不断下降至底谷，但生命周期末的价格也会上涨，直至停产。熟期的价格不断下降至底谷，但生命周期末的价格也会上涨，直至停产。二次电源器件选型指导二次电源器件选型指导3、留意器件制造技术的成熟性，选用生产厂家处于成长期和、留意器件制造技术的成熟性，选用生产厂家处于成长期和成熟期的主流产品，这样的主流器件往往也是成本降低的成熟期的主流产品，这样的主流器件往往也是成本降低的重点，有利于我们的成本优势。重点，有利于我们的成本优势。4、选择制造工艺水平高、质量限制实力强和产品质量信誉高、选择制造工艺水平高、质量限制实力强和产品质量信誉高的器件供应商。的器件供应商。培训到此结束培训到此结束培训到此结束培训到此结束感谢大家！感谢大家！