半导体器件基础.pdf

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1、 半导体器件:半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信 号和进行能量转换。半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材。为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件。绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个 PN 结。半导体器件基础:半导体器件基础是 2008 年清华大学出版社出版的图书,作者是安德森、田立林。本书不仅是一本很好的教科书,也很适合作为微电子和相关领域的工程技术人员的参考书。内容简介:国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半导体器件基础 不仅

2、包括了量子力学、半导体物理和半导体器件的基本工作原理等内容,还写进了现代半导体器件的最新进展以及器件的实际应用。例如:对于显著影响现代小尺寸器件电学特性的二级效应进行了分析和公式推导,给出了描述小尺寸器件特性的最新的数学表达式;考虑到异质结在场效应器件、双极器件和光电器件中的应用日益增加,书中对半导体异质结作了着重介绍;由于半导体制造设备和工艺技术的提高,“能带工程”得以实现,随之带来了器件性能的提高,所以国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半导体器件基础 在重点介绍硅材 料和硅器件的基础上,还介绍了化合物半导体器件、合金器件(如SiGe,AlGaAs)和异质结器件;国外大学优秀教材微电子类

3、系列(翻译版)半导体器件基础还利用电路分析程序 SPICE 对器件的 I-V 特性进行了模拟,对简单电路进行了稳态和瞬态分析。作者 Betty Lise Arldexson 博士是美国俄亥俄州立大学工学院的电机工程教授,讲授多门本科生和研究生的课程。曾经在工业界工作过九年,有丰富的研究经验,目前正在从事用于通讯、雷达和信息处理的光子学器件研究。因此,与实际器件应用紧密结合也是半导体器件基础(翻译版)的一个特色。编辑推荐:国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半导体器件基础 分为 5 个部分,共 11 章,全面介绍了半导体材料的基本性质和半导体器件的基本工作原理。从器件物理和工程应用的角度对现代

4、半导体器件进行了全面的和注重实际的讲述。在内容方面,国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半导体器件基础 不仅介绍了量子力学、半导体物理和半导体器件(包括二极管、场效应晶体管、双极型晶体管和光电器件)的基本工作原理等内容,还包括现代半导体器件的最新进展以及器件的应用。国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半导体器件基础在重点介绍硅材料和硅器件的基础上,还介绍了化合物半导体器件、合金器件(如 SiGe,AlGaA.)和异质结器件。作者特别强调对决定半导体材料和器件电学特性的物理过程的理解以及器件的实际应用。通过 国外大学优秀教材微电子类系列(翻译版)半 导体器件基础学习,不仅可以系统地掌握器件物

5、理原理,同时能够对先进的半导体器件技术有一个初步的了解,有利于今后进一步的学习和研究。目录:译者序 前言 第 1 部分半导休材料 第 1 章半导体中电子的能量和状态 第 2 章均匀半导体 第 3 章均匀半导体中的电流 第 4 章非均匀半导体 第 1 部分补充内容材料 补充内容 1A 量子力学介绍 补充内容 1B 关于材料的补充问题 第 2 部分二极管 第 5 章原型同质 pn 结 第 6 章二极管的补充说明 第 2 部分补充内容:二极管 第 3 部分场效应晶体管 第 7 章 MOSFET 第 8 章 FET 的补充分析 第 3 部分补充内容:场效应晶体管 第 4 部分双极结型晶体管 第 9 章双极结型器件:静电学特性 第 10 章双极晶体管的时变分析 第 4 部分补充内容:双极器件 第 5 部分光电器件 第 11 章光点器件 附录 附录 A 重要常数 附录 B 符号表 附录 C 制造 附录 D 态密度函数,态密度有效质量,电导率有效质量 附录 E 一些有用的积分公式 附录 F 有用的公式 附录 G 推荐阅读的文献

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