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1、 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 2A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品
2、 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF2N60M TO-251D-3L SVF2N60M 无铅 料管 SVF2N60MJ TO-251J-3L SVF2N60MJ 无铅 料管 SVF2N60N TO-126-3L SVF2N60N 无铅 袋装 SVF2N60F TO-220F-3L SVF2N60F 无铅 料管 SVF2N60T TO-220-3L SVF2N60T 无铅 料管 SVF2N60D TO-252-2L SVF2N60D 无铅 料管 SVF2N60DTR TO-252-2L SVF2N60D 无铅 编带 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第1页 SVF2
3、N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第2页 极限参数(除非特殊说明，TC=25C)参数范围 参 数 名 称 符号 SVF2N 60M/D SVF2N60MJ SVF2N 60N SVF2N 60T SVF2N 60F 单位漏源电压 VDS600 V 栅源电压 VGS30 V TC=25C 2.0 漏极电流 TC=100C ID1.3 A 漏极脉冲电流 IDM8.0 A 34 35 30 44 23 W 耗散功率(TC=25C)-大于 25C 每摄氏度减少 PD0.27 0.28 0.24 0.35 0.18 W/C单脉冲雪崩能量(注 1)EA
4、S115 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数范围 参 数 名 称 符 号 SVF2N60M/D SVF2N60MJ SVF2N60N SVF2N60T SVF2N60F 单位 芯片对管壳热阻 RJC3.7 3.57 4.17 2.86 5.56 C/W芯片对环境的热阻 RJA110 110 62.5 62.5 120 C/W电性参数(除非特殊说明，TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BBVDSSVGS=0V，ID=250A 600-V 漏源漏电流 IDSSVDS=600V，VGS=0
5、V-1.0 A 栅源漏电流 IGSSVGS=30V，VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS，ID=250A 2.0-4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V，ID=1.0A-3.7 4.2 输入电容 Ciss-250.1-输出电容 Coss-35.7-反向传输电容 CrssVDS=25V，VGS=0V，f=1.0MHz-1.1-pF 开启延迟时间 td(on)-9.2-开启上升时间 tr-23.4-关断延迟时间 td(off)-15.3-关断下降时间 tfVDD=300V，ID=2.0A，RG=25 (注 2，3)-20.1-ns 栅极电荷量 Qg-5
6、.67-栅极-源极电荷量 Qgs-1.74-栅极-漏极电荷量 QgdVDS=480V，ID=2.0A，VGS=10V (注 2，3)-1.99-nC SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值典型值 最大值 单位 源极电流 IS-2.0 源极脉冲电流 ISMMOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结-8.0 A 源-漏二极管压降 VSDIS=2.0A，VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr-230-版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第3页 ns 反向恢复电荷 QrrIS=2.0A，VGS=0V，dIF/dt=10
7、0A/S-1.0-C 注：注：1.L=30mH，IAS=2.52A，VDD=145V，RG=25，开始温度 TJ=25C；2.脉冲测试：脉冲宽度300s，占空比2%；3.基本上不受工作温度的影响。典型特性曲线 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 典型特性曲线（续）版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第4页 图5.电容特性图6.电荷量特性电容（pF）0.1110100漏源电压 VDS（V）栅源电压 VGS（V）00126总栅极电荷 Qg（nC）600VDS=120VVDS=300VVDS=480V0100200400500CissCossCrssCiss=Cgs+Cgd(
8、Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd注：1.VGS=0V2.f=1MHz246810123300注：ID=2.0A450.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压（标准化）BVDSS（V）结温 TJ(C)图7.击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻（标准化）RDS(on)（）图8.导通电阻vs.温度特性结温 TJ(C)1.2150注：1.VGS=0V2.ID=250A0.00.52.01.5-100-500501002003.01501.02.5注：1.VGS=10V2.ID=1.0ADC10ms1ms100s漏电流-ID(A)10-210-11
9、00101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个信号图9-1.最大安全工作区域(SVF2N60M/D)漏源电压-VDS(V)102DC10ms1ms100s漏电流-ID(A)10-210-1100101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个信号图9-2.最大安全工作区域(SVF2N60MJ)漏源电压-VDS(V)102 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 典型特性曲线（续）版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第5页 2550751001251500
10、0.51.01.52.0漏电流-ID(A)壳温 TC(C)图 10.最大漏电流vs.壳温DC10ms1ms100s漏电流-ID(A)10-210-1100101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个信号图9-4.最大安全工作区域(SVF2N60F)漏源电压-VDS(V)102DC10ms1ms100s漏电流-ID(A)10-210-1100101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个信号图9-5.最大安全工作区域(SVF2N60N)漏源电压-VDS(V)102DC10ms
11、1ms100s漏电流-ID(A)10-210-1100101100101102103此区域工作受限于RDS(ON)注：1.TC=25C2.Tj=150C3.单个信号图9-3.最大安全工作区域(SVF2N60T)漏源电压-VDS(V)102 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 典型测试电路 VGS10V电荷量12V50K300nF与待测器件参数一致待测器件VGS 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第6页 3mAVDSQgQgsQgd栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图VDSVGSRGRLVDD10VVDSVGS10%90%td(on)tontrtd(off
12、)tofftfEAS测试电路及波形图VDSRGVDD10VLtpIDBVDSSIASVDDtpTimeVDS(t)ID(t)EAS=1-2LIAS2BVDSSBVDSSVDD待测器件待测器件200nF SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 封装外形图 TO-220-3L 单位:mm 单位:mm TO-126-3L 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第7页 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 封装外形图（续）TO-251D-3L 单位:mm 单位:mm TO-251J-3L 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第8页 SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 封装外形图（续）TO-220F-3L(1)单位:mm 3.300.25 版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第9页 15.750.509.800.5015.800.506.700.30 单位:mm TO-220F-3L(2)SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书 封装外形图（续）TO-252-2L(1)单位:mm 单位:mm TO-252-2L(2)版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第10页