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1、3.3 半导体二极管(Diode)结构类型和符号伏安特性3.3.3 主要参数典型应用型号命名规则3.3.6 特殊二极管半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片3.3.1 结构类型和符号二极管=PN结+引线+管壳。类型：点接触型、面接触型和平面型(1)点接触型(a)点接触型 一、结构类型(c)平面型(3)平面型(2)面接触型(b)面接触型二、符号旧符号新符号阳极(Anode)阴极(Cathode)标记D1D2Diode3.3.2 伏安特性IS:反向饱和电流VT=kT/q:温度的电压当量室温（T=300 K）下，VT=26 mV一、理想二极管方程 (PN结方程)理想二极管伏
2、安特性曲线单向导电性单向导电性非线性器件！实际D与理想D两点区别：二、实际二极管伏安特性1)正向(V0)存在死区电压硅：Vth=0.5 V Threshold锗：Vth=0.1 V 阈限2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown)雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆)理想实际3.3.3 主要参数(1)IF最大整流电流(2)VBR反向击穿电压长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流(3)IR(IS)反向饱和电流硅(nA)级；锗(A)级(4)rd 动态电阻 rd=VF/IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数3.3.4 特殊二极管一、稳压二极管一、稳压二极管 工作条件
3、：（反向击穿区）反偏电压反偏电压+限流电阻限流电阻 （保护、调压）符号问题：正偏特性？（二）主要参数(1)VZ 稳定电压 (2)IZ 稳定工作电流 IZmin IZmax (3)PZM 最大耗散功率取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM=VZ IZmax发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。符号见图B图B将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。符号见图B四、激光二极管三、发光二极管二、光电二极管（LED）将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。符号见图A图A触敏屏(light-emitting di
4、ode)3.3.6 典型应用与分析方法二极管典型应用：（1）整流（2）限幅（3）逻辑（二极管逻辑）（4）显示器稳压二极管典型应用：稳压二极管电路分析方法？3.3.5 型号命名规则详见第三版附录(Page44)二极管电路分析方法 等效模型法（线性化）整流电路整流电路（a）电路图）电路图 （b）vs和和vO的波形的波形限幅电路限幅电路 电路如图，电路如图，R=1k，VREF=3V，二极管为硅二极管。分，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当别用理想模型和恒压降模型求解，当vI=6sin t V时，绘出相时，绘出相应的输出电压应的输出电压vO的波形。的波形。1.正确理解PN结。2.熟练掌握器件器件（二极管)的的外特性、外特性、主要参数主要参数。3.正确理解模型分析法及典型应用。4.会查阅电子器件手册。3.4 基本要求