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1、第五章 晶体生长与晶体缺陷概述5.1 液体的性质和结构5.2 凝固的热力学条件5.3 形核过程5.4 晶体的长大5.5 铸锭的组织5.6 单晶体的凝固第五章 晶体生长与晶体缺陷5.7 玻璃态与金属玻璃5.8 点缺陷5.9 线缺陷5.10 面缺陷 绝大多数的金属制品，在其加工制造的最初阶段，都在熔炼后铸造，使其凝固为铸锭或铸件。铸锭和铸件的组织和性能与其凝固过程行密切的关系：本章首先介绍凝固过程的有关知识，其中将着重讨论晶核的形成以及晶体长大过程的基本理论和规律，并运用这些基本概念分析金属铸淀组织的形成过程概述概述 实际 晶体并不像第一章所讨论的那样绝对有规则的理想晶 体，而是存在不同形式但又有
2、某些规则性的缺陷，这些缺对 于晶体的性能和在其中进行的许多物理化学过程有重要的影 响。木章接着简要介绍晶体中存在的点缺陷、绪缺陷和面缺陷 及其主要特征。晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程形核形核晶体的生长晶体的生长凝固体的结构凝固体的结构5.1晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程1 1、凝固与结晶、凝固与结晶 引子：自然界的物质通常都能够以气态、液态或固态存在。并且引子：自然界的物质通常都能够以气态、液态或固态存在。并且在一定的条件下，它们可以发生互相转变。在一定的条件下，它们可以发生互相转变。凝固凝固：一切物质从液态到固态的转变过程的统称。：一切物质从液态到固态的转变过程的统称。结晶结晶：
3、晶体的形成形成过程。：晶体的形成形成过程。凝结蒸发凝固熔化凝华升华晶体的形成过程包括，原始相可以是气体晶体的形成过程包括，原始相可以是气体(凝华凝华)、液态、非晶态的固体或从一种晶体转变未另一种晶体。液态、非晶态的固体或从一种晶体转变未另一种晶体。意义意义：材料中使用较广泛的有金属材料，金属材料绝大多数用：材料中使用较广泛的有金属材料，金属材料绝大多数用冶炼来方法生产出来，即首先得到的是液态，经过冷却后才冶炼来方法生产出来，即首先得到的是液态，经过冷却后才得到固态，固态下材料的组织结构与从液态转变为固态的过得到固态，固态下材料的组织结构与从液态转变为固态的过程有关，从而也影响材料的性能。程有关
4、，从而也影响材料的性能。一、概述一、概述2 2、凝固状态的影响因素、凝固状态的影响因素 第一节第一节 晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程引子：固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可引子：固体状态下原子的排列方式有无规则排列的非晶态，也可以成为规则排列的晶体。决定因素有三方面。以成为规则排列的晶体。决定因素有三方面。1.1.物质的本质物质的本质：原子以那种方式结合使系统吉布斯自由能更低。：原子以那种方式结合使系统吉布斯自由能更低。温度高时原子活动能力强排列紊乱能量低，而低温下按特定方温度高时原子活动能力强排列紊乱能量低，而低温下按特定方式排列结合能高可降低其总能量。这是热力学的基本
5、原则。式排列结合能高可降低其总能量。这是热力学的基本原则。2.2.熔融液体的粘度熔融液体的粘度：粘度表征流体中发生相对运动的阻力，随温：粘度表征流体中发生相对运动的阻力，随温度降低，粘度不断增加，在到达结晶转变温度前，粘度增加到度降低，粘度不断增加，在到达结晶转变温度前，粘度增加到能阻止在重力作用物质发生流动时，即可以保持固定的形状，能阻止在重力作用物质发生流动时，即可以保持固定的形状，这时物质已经凝固，不能发生结晶。例如玻璃、高分子材料。这时物质已经凝固，不能发生结晶。例如玻璃、高分子材料。3.3.熔融液体的冷却速度：熔融液体的冷却速度：冷却速度快，到达结晶温度原子来不及冷却速度快，到达结晶
6、温度原子来不及重新排列就降到更低温度，最终到室温时难以重组合成晶体，重新排列就降到更低温度，最终到室温时难以重组合成晶体，可以将无规则排列固定下来。金属材料需要达到可以将无规则排列固定下来。金属材料需要达到10106 6/s/s才能才能获得非晶态。获得非晶态。在一般生产过程的冷却条件下，金属材料凝固为晶体，这时的凝在一般生产过程的冷却条件下，金属材料凝固为晶体，这时的凝固过程也是结晶过程。固过程也是结晶过程。5.1 液体的性质和结构 金属熔化时性质的变化要比蒸发时小得多，例如溶化潜热一般仅为蒸发潜热的2.5%5%，这说明液态金属的性质更接近固态时的性质。液体的基本特征是其流动性和较低的压缩性，
7、这说明液体个原子的排列比较致密，但不像固体那样有规则。根据热力学，一定温度下不同大小原子团的相对数目可表示为 =exp（-G/kT）（5.1）n为单位体积原子数小，为在n个原于中含有i个原子的原子团数目,G为原子团与数目相同的单个原子的自由能差。由式(5.1)知,当G增加时，减小。G的来源有两个,一个与固、液相的自由能差有关,另一个是把固相与液相分开的界面能：前者在平衡温度时为零，低于熔点时为负值，高于熔点时为正值；后者永远为正值。G可用下式表示，即 G=V Gv/Vs+A (5.2)式中，v为原子团的体积,A为其表面积,Gv为固、液相的摩尔自由能差，Vs为固相的摩尔体积，为单体面积界面能。已
8、有的事实去明，接近熔点时，在1cm3体积的液体内，式(5.1)中的原子团永远不会大到可以包含数百个原子5.1 液体的性质和结构液体的性质和结构5.1结晶的热力学条件结晶的热力学条件 第一节第一节 晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程 结晶过程不是在任何情况下都能结晶过程不是在任何情况下都能自动发生。自然界的一切自发转变过自动发生。自然界的一切自发转变过程总是向着自由能降低的方向进行。程总是向着自由能降低的方向进行。在单一的组元情况下：在单一的组元情况下：在恒压下，在恒压下，dp=0dp=0，因此，因此 其中其中S S为熵，为正值；为熵，为正值；CpCp为等压热容量，也是一正值。因此吉布为等压热
9、容量，也是一正值。因此吉布斯自由能斯自由能G G和温度和温度T T的曲线总是凸向下的下降形式。的曲线总是凸向下的下降形式。二、二、结晶的热力学条件结晶的热力学条件 第一节晶体形成的一般过程第一节晶体形成的一般过程 因为液体的熵值恒大于固体的熵，因为液体的熵值恒大于固体的熵，所以液体的曲线下降的趋势更陡，两所以液体的曲线下降的趋势更陡，两曲线相交处的温度曲线相交处的温度T Tm m，当温度，当温度T=TT=Tm m时时，液相和固相的自由能相等，处于平，液相和固相的自由能相等，处于平衡共存，所以称衡共存，所以称T Tm m为临界点，也就是为临界点，也就是理论凝固温度。当理论凝固温度。当T TT T
10、T Tm m时，从固体向液体的转变使时，从固体向液体的转变使吉布斯自由能下降，是自发过程，发吉布斯自由能下降，是自发过程，发生熔化过程。生熔化过程。所以结晶过程的热力学条件就是所以结晶过程的热力学条件就是温度在理论熔点以下。温度在理论熔点以下。三、三、结晶的潜热结晶的潜热 第一节晶体形成的一般过程第一节晶体形成的一般过程在在T=TmT=Tm时：时：从液体转变为固体，此时有从液体转变为固体，此时有是一放热过程，放出的这部分是一放热过程，放出的这部分热量称为热量称为结晶潜热结晶潜热。四、结晶时的过冷现象四、结晶时的过冷现象第一节第一节 晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程冷却曲线冷却曲线：材料在冷
11、却过程中，由：材料在冷却过程中，由于存在热容量，并且从液态变为固于存在热容量，并且从液态变为固态还要放出结晶潜热，利用热分析态还要放出结晶潜热，利用热分析装置，处在较慢的固定的散热方式，装置，处在较慢的固定的散热方式，并将温度随时间变化记录下来，所并将温度随时间变化记录下来，所得的曲线冷却曲线，纯金属的冷却得的曲线冷却曲线，纯金属的冷却曲线如图示。曲线如图示。过冷现象过冷现象：熔体材料冷却到理论结晶温度以下，并不是立即就形：熔体材料冷却到理论结晶温度以下，并不是立即就形成晶体，材料处在应该转变的理论温度以下，还保留原来状态，成晶体，材料处在应该转变的理论温度以下，还保留原来状态，这种现象称为过
12、冷。这种现象称为过冷。过冷度过冷度：为了表述材料过冷的程度，将理论转变温度与实际所处：为了表述材料过冷的程度，将理论转变温度与实际所处在的温度之差称为过冷度在的温度之差称为过冷度。T=Tm T五、结晶的一般过程五、结晶的一般过程 第一节第一节 晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程温度变化规律温度变化规律：材料的熔体在熔点以上不断材料的熔体在熔点以上不断散热，温度不断下降，到理论结散热，温度不断下降，到理论结晶温度并不是马上变成固态的晶晶温度并不是马上变成固态的晶体，继续降温而出现过冷。过冷体，继续降温而出现过冷。过冷到某一程度开始结晶，放出结晶到某一程度开始结晶，放出结晶潜热，可能会使其温度回
13、升。到潜热，可能会使其温度回升。到略低于熔点的温度时，放出的热略低于熔点的温度时，放出的热量和散热可达到平衡，这时处于量和散热可达到平衡，这时处于固定温度，在冷却曲线上出现平固定温度，在冷却曲线上出现平台。结晶过程完成，没有潜热的台。结晶过程完成，没有潜热的补充，温度将重新不断下降，直补充，温度将重新不断下降，直到室温。到室温。五、结晶的一般过程五、结晶的一般过程 第一节第一节 晶体形成的一般过程晶体形成的一般过程组织的变化组织的变化：在一定的过冷度下，在液态的熔体内首先有细小的：在一定的过冷度下，在液态的熔体内首先有细小的晶体生成，这个过程称为晶体生成，这个过程称为形核形核。随后已形成的晶核
14、不断的。随后已形成的晶核不断的长大长大，同时在未转变的液体中伴随新的核心的形成。生长过程到相邻的同时在未转变的液体中伴随新的核心的形成。生长过程到相邻的晶体互相接触，直到液体全部转变完毕。晶体互相接触，直到液体全部转变完毕。每个成长的晶体就是一每个成长的晶体就是一个晶粒，它们的接触分界面就形成晶界。个晶粒，它们的接触分界面就形成晶界。5.3 形核形核一、自发形核一、自发形核 在一定的过冷度下，液体中若出在一定的过冷度下，液体中若出现一固态的晶体，该区域的能量将发现一固态的晶体，该区域的能量将发生变化，一方面一定体积的液体转变生变化，一方面一定体积的液体转变为固体，体积自由能会下降，另一方为固体
15、，体积自由能会下降，另一方面增加了液固相界面，增加了表面面增加了液固相界面，增加了表面自由能，因此总的吉布斯自由能变化自由能，因此总的吉布斯自由能变化量为：量为：其中其中G GV V为单位体积内固液吉布斯自由能之差，为单位体积内固液吉布斯自由能之差，V V为晶体的体为晶体的体积，积，为界面能，为界面能，A A为界面的面积。一为界面的面积。一个个细细小的晶体出小的晶体出现现后，后，是否能是否能长长大，决定于在晶体的体大，决定于在晶体的体积积增加增加时时，其自由能是否，其自由能是否为为下下降。降。存在存在过过冷的液体，依靠自身的原子运冷的液体，依靠自身的原子运动动可能形成晶核可能形成晶核，这种方式
16、称为这种方式称为自发形核自发形核。1.能量变化能量变化一、自发形核一、自发形核第二节第二节 形核形核在一定在一定过过冷度下，冷度下，GGV V为负值为负值，而，而恒恒为为正正值值。可。可见见晶体晶体总总是希望有最大的体是希望有最大的体积积和最小的界面和最小的界面积积。设设GGV V和和为为常数，常数，最有利的形状最有利的形状为为球。球。设设球的半径球的半径为为r r，有：有：这这里里r rc c称称为临为临界尺寸，当界尺寸，当细细小晶体的半径大于小晶体的半径大于临临界尺寸，晶体界尺寸，晶体长长大大时时吉布斯自由能下降，吉布斯自由能下降，这这种可以种可以长长大的小晶体称大的小晶体称为为晶核。晶核
17、。如果它的半径小于如果它的半径小于临临界尺寸，晶体界尺寸，晶体长长大大时时吉布斯自由能将上升，吉布斯自由能将上升，自自发过发过程程为为不断减小到消失。不断减小到消失。2.临界大小临界大小一、自发形核一、自发形核 熔体的温度在熔点附近熔体的温度在熔点附近时时，尽管，尽管处处在液在液态态，即，即总总体的排列体的排列是无序的，但局部的小区域并非静止不是无序的，但局部的小区域并非静止不动动的，原子的运的，原子的运动动可造可造成局部能量在不断成局部能量在不断变变化，其瞬化，其瞬间间能量在平均能量在平均值值的上下波的上下波动动，对对应应的的结结构构(原子排列原子排列)在在变变化，小范化，小范围围可瞬可瞬间
18、为间为接近晶体的排列，接近晶体的排列，其范其范围围大小大小对应对应的能量于平均能量之差的能量于平均能量之差GG如上所述，如上所述，这这就称就称为为“能量起伏能量起伏”和和“结结构起伏构起伏”。对对于于过过冷液体，出冷液体，出现现GG大小差大小差别别的几率正比于的几率正比于 小于小于临临界尺寸的界尺寸的(也称也称为为晶胚晶胚)下一步减小到消失，大于下一步减小到消失，大于临临界尺界尺寸的可能不断寸的可能不断长长大，也就是晶核。等于大，也就是晶核。等于临临界尺寸大小的晶核高界尺寸大小的晶核高出平均能量的那部分称出平均能量的那部分称为为“形核功形核功”。过过冷度愈小，固冷度愈小，固液自由能差也小，液自
19、由能差也小，临临界尺寸大，形核功界尺寸大，形核功也高，出也高，出现现的几率也小。太小的的几率也小。太小的过过冷度在有限的冷度在有限的时时空范空范围围内不内不能形核，即形核要求有基本的能形核，即形核要求有基本的过过冷度。冷度。3.3.晶核的来源晶核的来源rr*时，随晶胚长大，系统自由能降低，凝固过程自动进行。r=r*时，可能长大，也可能熔化，两种趋势都是使自由能降低的过程，将r*的晶胚称为临界晶核，只有那些略大于临界半径的晶核，才能作为稳定晶核而长大，所以金属凝固时，晶核必须要求等于或大于临界晶核。极值点处 v临界晶核半径随过冷度增大而减小。称为临界晶核形成功，简称形核功，上式表明，当r=r*时
20、，临界晶核形成时的自由能增高等于其表面能的1/3，此形核功是过冷液体金属开始形核时的主要障碍。形核功来自何方？在没有外部供给能量的条件下，依靠液体本身存在的“能量起伏”来供给二、形核率二、形核率形核率形核率(N)(N)：单位时间在单位母体（液体）的体积内晶核的形成：单位时间在单位母体（液体）的体积内晶核的形成数目称为形核率。数目称为形核率。过冷度对形核率的影响过冷度对形核率的影响 形核率决定于体系中出现结构达到临界尺寸的几率，也受原子形核率决定于体系中出现结构达到临界尺寸的几率，也受原子活动或迁移能力的影响。活动或迁移能力的影响。Gk是形核功，GA是扩散激活能形核率受两个相互矛盾的因素控制：当
21、 T 不大时，形核率主要受形核功因子控制，T 增大，形核率增大，在 T非常大时，形核率主要受扩散因子的控制，随 T 增加，形核率降低。晶胚的最大尺寸随过冷度增大而增大，临界晶核半径、晶胚尺寸与过冷度的关系金属材料形核率与温度的关系如图所示形核率突然增大的温度称为有效形核温度，此时对应的过冷变称临界过冷度约等于0.2Tm。三、非自发形核三、非自发形核 如果形核不是在液体内部，如果形核不是在液体内部，如附着在某些已存在的固体如附着在某些已存在的固体(液体液体中存在的未熔高熔点中存在的未熔高熔点杂质杂质)，例如，例如在固体上形成球冠形，在固体上形成球冠形，这时这时可以可以利用附着区原液体和利用附着区
22、原液体和杂质杂质的界面的界面能，特能，特别别是核心和是核心和杂质间杂质间可能有可能有小的界面能。小的界面能。这种依附在某些已这种依附在某些已有的固体上形核称之为非有的固体上形核称之为非自发形自发形核。核。1.能量变化能量变化G=Gv*V+(G=Gv*V+(LSLS*A*ALSLS+SBSB*A*ASBSB-LBLB*A*ASBSB)三、非自发形核三、非自发形核 第二节第二节 形核形核1.能量变化能量变化2.作用效果作用效果1)过冷度过冷度 自发形核与非自发形核的临界半径相同，随着过冷自发形核与非自发形核的临界半径相同，随着过冷度的增加临界半径减小，形核率将明显上升。度的增加临界半径减小，形核率
23、将明显上升。三、非自发形核三、非自发形核 2.作用效果作用效果2)2)基底性质基底性质 若若LBLB大于或等于（大于或等于（LSLSSBSB），则），则=0=0。说明不用形核，即可直接以基体为心形核。说明不用形核，即可直接以基体为心形核。若若（LBLBLSLS）小于或等于）小于或等于SBSB，则，则=180=180。说明基底对形核无效果，即不能在基底上形核。说明基底对形核无效果，即不能在基底上形核。一般情况下一般情况下01800180。比较小的，成为活性固体，对形比较小的，成为活性固体，对形核的促进作用较大。核的促进作用较大。SBSB愈小，愈小，愈小，促进作用愈大。愈小，促进作用愈大。3)3)
24、基底形状基底形状 凹面更有利形核凹面更有利形核 晶核往往在模壁底裂缝或小孔晶核往往在模壁底裂缝或小孔处先出现。处先出现。总之，非均匀晶核有利的降低总之，非均匀晶核有利的降低临界过冷度，大大提高形核率。临界过冷度，大大提高形核率。5.4 晶体的长大固相液相固相固相液相液相单原子台阶台阶长大光滑界面新晶核(a)(c)(b)纯物质晶体自熔体的长大过程就是原子不断地从液相叠放纯物质晶体自熔体的长大过程就是原子不断地从液相叠放在晶体上的过程。这一过程进行的方式和快设程度主要取在晶体上的过程。这一过程进行的方式和快设程度主要取决于固、液相界面的结构，而决定固、液相界面结构的基决于固、液相界面的结构，而决定
25、固、液相界面结构的基本因素是熔化墒本因素是熔化墒,通常考虑的量的比值通常考虑的量的比值 S/k.S/k.即即H/kTH/kTM M .5.4 晶核的长大晶核的长大 一、长大条件一、长大条件 从热力学分析可知，要使系统的自由能下降，在液从热力学分析可知，要使系统的自由能下降，在液固界固界面附近的部分液体转变为固体，依然要求在界面附近要存在过冷面附近的部分液体转变为固体，依然要求在界面附近要存在过冷度，前面冷却曲线上平台和理论结晶温度之差就是长大所要求的度，前面冷却曲线上平台和理论结晶温度之差就是长大所要求的过冷度，也称为过冷度，也称为“动态过冷度动态过冷度”。金属材料的动态过冷度很小，仅金属材料
26、的动态过冷度很小，仅0.010.050.010.05，而非金属材，而非金属材料的动态过冷度就大得多。若液料的动态过冷度就大得多。若液固界面处于平衡，则界面的温固界面处于平衡，则界面的温度应该为理论结晶温度度应该为理论结晶温度。二、长大速度二、长大速度 凝固过程中，晶体在不断长大，界面在单位时间向前推移的凝固过程中，晶体在不断长大，界面在单位时间向前推移的垂直距离称为长大线速度。垂直距离称为长大线速度。三、三、正温度梯度下晶体的长大正温度梯度下晶体的长大第三节第三节 晶核的长大晶核的长大 正温度梯度是指液正温度梯度是指液固界面前沿的液体温度随到界面的距固界面前沿的液体温度随到界面的距离的增加而升
27、高，这时结晶过程的潜热只能通过已凝固的固体离的增加而升高，这时结晶过程的潜热只能通过已凝固的固体向外散失。向外散失。平衡时界面的温度为理论结晶温度，平衡时界面的温度为理论结晶温度，液体的温度高于理论结晶温度。当通过液体的温度高于理论结晶温度。当通过已凝固的固体散失热量时，达到动态过已凝固的固体散失热量时，达到动态过冷的部分液体转变为固体，界面向前推冷的部分液体转变为固体，界面向前推移，到达理论结晶温度处，生长过程将移，到达理论结晶温度处，生长过程将停止。所以这时界面的形状决定于散热，停止。所以这时界面的形状决定于散热，实际上为理论结晶温度的等温面。在小实际上为理论结晶温度的等温面。在小的区域内
28、界面为平面，局部的不平衡带的区域内界面为平面，局部的不平衡带来的小凸起因前沿的温度较高而放慢生来的小凸起因前沿的温度较高而放慢生长速度，因此可理解为齐步走，称为长速度，因此可理解为齐步走，称为平平面推进方式生长面推进方式生长。四、四、负温度梯度下晶体的长大负温度梯度下晶体的长大 负温度梯度是指液负温度梯度是指液固界面前沿的液体温度随到界面的距离固界面前沿的液体温度随到界面的距离的增加而降低，这时结晶过程的潜热不仅可通过已凝固的固体的增加而降低，这时结晶过程的潜热不仅可通过已凝固的固体向外散失，而且还可向低温的液体中传递。向外散失，而且还可向低温的液体中传递。在小的区域内若为平面，局在小的区域内
29、若为平面，局部的不平衡可带来某些小凸起，部的不平衡可带来某些小凸起，因前沿的温度较低而有利生长，因前沿的温度较低而有利生长，因而凸起的生长速度将大于平均因而凸起的生长速度将大于平均速度，凸起迅速向前发展，可理速度，凸起迅速向前发展，可理解赛跑的竞争机制，在凸起上可解赛跑的竞争机制，在凸起上可能再有凸起，如此发展而表现为能再有凸起，如此发展而表现为数枝晶的方式长大。枝晶间的空数枝晶的方式长大。枝晶间的空隙最后填充，依然得到一完整的隙最后填充，依然得到一完整的晶体。晶体。第三节第三节 晶核的长大晶核的长大四、四、负温度梯度下晶体的长大负温度梯度下晶体的长大第三节第三节 晶核的长大晶核的长大关于树枝
30、晶关于树枝晶：按树枝方式生长的晶体称为树枝晶，先凝固的称为按树枝方式生长的晶体称为树枝晶，先凝固的称为主干，随后是分支，再分支。值得指出的是：主干，随后是分支，再分支。值得指出的是：纯净的材料结晶纯净的材料结晶完毕见不到树枝晶，但凝固过程中一般体积收缩，树枝之间若得完毕见不到树枝晶，但凝固过程中一般体积收缩，树枝之间若得不到充分的液体补充，树枝晶可保留下来；不到充分的液体补充，树枝晶可保留下来；生长中晶体分支生长中晶体分支受液体流动、温差、重力等影响，同方向的分支可能出现小的角受液体流动、温差、重力等影响，同方向的分支可能出现小的角度差，互相结合时会留下位错；度差，互相结合时会留下位错；或材料
31、中含有杂质，在结晶或材料中含有杂质，在结晶时固体中的杂质比液体少，最后不同层次的分枝杂质含量不相同，时固体中的杂质比液体少，最后不同层次的分枝杂质含量不相同，其组织中可见树枝晶。其组织中可见树枝晶。五、五、非金属晶体的长大非金属晶体的长大第三节第三节 晶核的长大晶核的长大 在正温度梯度下，等温面和有利的晶体表面不相同时，界在正温度梯度下，等温面和有利的晶体表面不相同时，界面会分解为台阶形。面会分解为台阶形。在表面的台阶处有利晶体在表面的台阶处有利晶体的生长，这时原子从液体转移的生长，这时原子从液体转移到固体中增加的表面积较小，到固体中增加的表面积较小，台阶填充完后在表面生长也需台阶填充完后在表
32、面生长也需要一定的临界尺寸，表现为非要一定的临界尺寸，表现为非金属生长的动态过冷度比金属金属生长的动态过冷度比金属大，可达到大，可达到3535，其中特别，其中特别是螺位错造成的表面台阶对生是螺位错造成的表面台阶对生长有利，并且是永远填不满的长有利，并且是永远填不满的台阶。台阶。六、六、界面结构对晶体生长影响界面结构对晶体生长影响受界面能和表明熵的影响，液固界面的微观结构有两中类型：受界面能和表明熵的影响，液固界面的微观结构有两中类型：粗糙界面生长时向各个方向无区别。对于粗糙界面生长时向各个方向无区别。对于平滑界面能低的晶面与等温面不重和，原平滑界面能低的晶面与等温面不重和，原子将在台阶面处生长
33、。（无台阶时，少量子将在台阶面处生长。（无台阶时，少量的原子很难吸附在光滑平面上，需要一批的原子很难吸附在光滑平面上，需要一批原子原子，所需的动态过冷度较，所需的动态过冷度较大。最终的形状与晶体的各向异性相关，大。最终的形状与晶体的各向异性相关，对应独特的外形。对应独特的外形。平滑型平滑型(晶面型晶面型)界面上界面上原子排列平整，通常为晶原子排列平整，通常为晶体的某一特定晶面，界面体的某一特定晶面，界面上缺位或单贴原子较少。上缺位或单贴原子较少。粗糙型粗糙型(非晶面型非晶面型)界面上缺位或单贴原子较多，高高低低，界面上缺位或单贴原子较多，高高低低，粗糙不平，不显示任何晶面特征。大多金属材料时如
34、此。粗糙不平，不显示任何晶面特征。大多金属材料时如此。二、铸件晶粒大小的控制二、铸件晶粒大小的控制 决定晶粒尺寸的要素决定晶粒尺寸的要素：从液体凝固后，每个晶核生长成一个晶从液体凝固后，每个晶核生长成一个晶粒，晶核多晶粒的尺寸自然就小。凝固理论分析表明晶粒尺寸决粒，晶核多晶粒的尺寸自然就小。凝固理论分析表明晶粒尺寸决定于定于N/GN/G，即形核率高晶粒细小，而长大速度快，晶粒尺寸增大。，即形核率高晶粒细小，而长大速度快，晶粒尺寸增大。控制原理与方法：控制原理与方法：生产过程通常希望材料得到细小的尺寸，为此生产过程通常希望材料得到细小的尺寸，为此控制晶粒尺寸的方法有：第一，降低浇注温度和加快冷却
35、速度，控制晶粒尺寸的方法有：第一，降低浇注温度和加快冷却速度，如金属模、或加快散热，尽管形核率和长大速度都提高，但形核如金属模、或加快散热，尽管形核率和长大速度都提高，但形核率的提高快得多，所得到的晶粒将细化，可是快冷却速度会增加率的提高快得多，所得到的晶粒将细化，可是快冷却速度会增加零件的内应力有时甚至可能造成开裂，有时因生产环境和零件尺零件的内应力有时甚至可能造成开裂，有时因生产环境和零件尺寸达不到快速冷却。第二，加变质剂即人为加入帮助形核的其它寸达不到快速冷却。第二，加变质剂即人为加入帮助形核的其它高熔点细粉末，如在铜中加少量铁粉或铝中加高熔点细粉末，如在铜中加少量铁粉或铝中加AlAl2
36、 2O O3 3粉等，以非均粉等，以非均匀方式形核并阻碍长大。第三，铸件凝固中用机械或超声波震动匀方式形核并阻碍长大。第三，铸件凝固中用机械或超声波震动等也可细化晶粒尺寸。若希望晶粒粗大，如用于高温的材料，对等也可细化晶粒尺寸。若希望晶粒粗大，如用于高温的材料，对这些因素进行相反的操作。这些因素进行相反的操作。5.5凝固体的结构凝固体的结构第四节第四节 凝固理论的应用举例凝固理论的应用举例表层等轴细晶区表层等轴细晶区 晶粒细小，取向随机，晶粒细小，取向随机，尺寸等轴，因为浇铸时锭模温度低，大的尺寸等轴，因为浇铸时锭模温度低，大的过冷度加上模壁和涂料帮助形核，大的形过冷度加上模壁和涂料帮助形核，
37、大的形核率使与锭模接触的表层得到等轴细晶区。核率使与锭模接触的表层得到等轴细晶区。柱状晶区柱状晶区 随模具温度的升高，只能随锭随模具温度的升高，只能随锭模的散热而降低温度，形核困难，只有表模的散热而降低温度，形核困难，只有表层晶粒向内生长，不同晶向的生长速度不层晶粒向内生长，不同晶向的生长速度不一样，那些较生长有利的部分晶粒同时向一样，那些较生长有利的部分晶粒同时向内长大，掩盖了大量的晶粒，形成了较粗内长大，掩盖了大量的晶粒，形成了较粗且方向基本相同的长形晶粒区。且方向基本相同的长形晶粒区。中心等轴晶区中心等轴晶区 凝固的进行后期，四周散凝固的进行后期，四周散热和液体的对流，中心的温度达到均匀
38、，热和液体的对流，中心的温度达到均匀，降到凝固店以下后，表层晶粒的沉降、生降到凝固店以下后，表层晶粒的沉降、生长中碎断晶枝的冲入可作为核心，且可向长中碎断晶枝的冲入可作为核心，且可向四周均匀生长，形成等轴晶。晶核数量的四周均匀生长，形成等轴晶。晶核数量的有限，该区间的晶粒通常较粗大。有限，该区间的晶粒通常较粗大。力学性能力学性能 表层硬表层硬柱状区有方向形柱状区有方向形中心疏松、多杂质中心疏松、多杂质四、四、铸锭中的组织缺陷铸锭中的组织缺陷第四节第四节 凝固理论的应用举例凝固理论的应用举例缩孔：缩孔：大多材料凝固后体积收缩，留下的空腔就形成缩孔，缩孔是不可避大多材料凝固后体积收缩，留下的空腔就
39、形成缩孔，缩孔是不可避免的，减少危害措施可后加液体补缩减小缩孔，让缩孔在不使用部位，免的，减少危害措施可后加液体补缩减小缩孔，让缩孔在不使用部位，如铸锭或铸件的冒口，凝固后切去来保证使用部位无缩孔。如铸锭或铸件的冒口，凝固后切去来保证使用部位无缩孔。疏松：疏松：实际为微小分散的收缩孔，树枝间或晶粒间收缩孔被凝固的固体封闭实际为微小分散的收缩孔，树枝间或晶粒间收缩孔被凝固的固体封闭而得不到液体补充而留下得缺陷。中部比边缘多，尺寸大得铸件比小尺而得不到液体补充而留下得缺陷。中部比边缘多，尺寸大得铸件比小尺寸铸件严重。型材的轧制可减小或消除其不利的影响。寸铸件严重。型材的轧制可减小或消除其不利的影响
40、。气孔：气孔：液体中的气体在凝固中未排出在凝固体内形成的缺陷。气体的来源析液体中的气体在凝固中未排出在凝固体内形成的缺陷。气体的来源析出型出型(气体在液、固中的溶解度不同气体在液、固中的溶解度不同)和反应型和反应型(凝固过程中发生的化学反凝固过程中发生的化学反应生成应生成)。夹杂物：夹杂物：与基体要求成分和组织都不相同多余颗粒，外来夹杂物有浇铸中冲与基体要求成分和组织都不相同多余颗粒，外来夹杂物有浇铸中冲入的其它固体物，如耐火材料、破碎铸模物等。入的其它固体物，如耐火材料、破碎铸模物等。成分偏析：成分偏析：在多组元材料中，不同位置材料的成分不均匀叫做偏析。按其区在多组元材料中，不同位置材料的成
41、分不均匀叫做偏析。按其区域分为宏观偏析域分为宏观偏析(不同区域的成分不同不同区域的成分不同)和微观偏析和微观偏析(各区域平均成分相同，各区域平均成分相同，在微观位置如一个晶粒的内部或更小的范围看成分有差别在微观位置如一个晶粒的内部或更小的范围看成分有差别)。5.6 单晶的制备单晶的制备 第四节第四节 凝固理论的应用举例凝固理论的应用举例 尽管在工程材料中应用的绝尽管在工程材料中应用的绝大多数是细晶粒多晶体材料，在大多数是细晶粒多晶体材料，在高温应用一些粗晶粒的材料，但高温应用一些粗晶粒的材料，但在一些专门的场合，如电子工业在一些专门的场合，如电子工业或科学研究中也经常需要单晶体或科学研究中也经
42、常需要单晶体材料。根据凝固理论，要想得到材料。根据凝固理论，要想得到单晶体，在凝固的过程中只有晶单晶体，在凝固的过程中只有晶体长大而不能有新的晶核形成，体长大而不能有新的晶核形成，采取的措施就是：采取的措施就是：1)1)熔体的纯度非常高，防止非均匀形核；熔体的纯度非常高，防止非均匀形核；2)2)液体的温度控制在精确的范围内，过冷度很小，可以生长但液体的温度控制在精确的范围内，过冷度很小，可以生长但不足以发生自发形核；不足以发生自发形核；3)3)引入一个晶体引入一个晶体(晶种晶种)，仅让这个晶体在此环境中长大，仅让这个晶体在此环境中长大。5.7 非晶态固体的形成非晶态固体的形成 第四节第四节 凝
43、固理论的应用举例凝固理论的应用举例 非晶非晶态态固体在固体在这这里是指在常里是指在常规规的凝固的凝固过过程中，材料的凝固是程中，材料的凝固是以以结结晶方式晶方式进进行，得到晶体材料，利用特殊的方法，行，得到晶体材料，利用特殊的方法，让让其凝固其凝固为为非晶体材料。有些材料在非晶非晶体材料。有些材料在非晶态态下有独特的物理、化学性能可下有独特的物理、化学性能可为为人人类类服服务务；还还有些材料先得到非晶有些材料先得到非晶态态，再利用某种工，再利用某种工艺让艺让其在固其在固态态下下转变为转变为晶体，晶体，这时这时材料的成分均匀，晶粒尺寸可在微米材料的成分均匀，晶粒尺寸可在微米(m)(m)级级以下，
44、甚至达到以下，甚至达到nmnm级级，以达到，以达到获获得独特的性能。得独特的性能。制作非晶制作非晶态态材料依材料的不同而采取不同的手段，但基本方材料依材料的不同而采取不同的手段，但基本方法用极快的冷却速度将液体冷却下来，法用极快的冷却速度将液体冷却下来，让让其来不及形核，到低温其来不及形核，到低温下因黏度明下因黏度明显显增加就呈增加就呈现为现为固体。金属材料的冷却速度需要达到固体。金属材料的冷却速度需要达到10106 6/sec/sec，如将小液滴通，如将小液滴通过过低温的低温的轧辊轧辊，可得到很薄的非晶，可得到很薄的非晶态态薄片。薄片。在此在此仅仅提出概念，晶体材料也可在非晶提出概念，晶体材
45、料也可在非晶态态的的环环境下存在，尽境下存在，尽管管热热力学上是不力学上是不稳稳定的，但只要在定的，但只要在应应用的有限用的有限时间时间存在，就是一存在，就是一种可种可应应用的材料。用的材料。小结小结 名词概念名词概念 凝固与结晶凝固与结晶 形核与形核率形核与形核率 长大与长大速度长大与长大速度 均匀形核与非均匀形核均匀形核与非均匀形核内容要求内容要求 1.1.结结晶晶的的一一般般过过程程是是怎怎样样的的，均均匀匀形形核核和和非非均均匀匀形形核核的的主主要差别，为什么晶核需要一定的临界尺寸。要差别，为什么晶核需要一定的临界尺寸。2.2.金金属属型型材材料料结结晶晶过过程程中中晶晶体体的的长长大大方方式式与与温温度度分分布布的的关关系。系。3.3.控控制制晶晶粒粒尺尺寸寸和和凝凝固固体体组组织织的的方方法法，及及其其用用凝凝固固理理论论的的解释。解释。