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1、3.1 3.1 外延生长(Epitaxy)外延生长的目的半导体工艺流程中的基片是抛光过的晶圆基片,直径在50到300mm(2-12英寸)之间,厚度约几百微米.外延的目的用同质材料形成具有不同的掺杂种类及浓度,因而具有不同性能的晶体层.外延也是制作不同材料系统的技术之一.外延生长后的衬底适合于制作有各种要求的器件与IC,且可进行进一步处理.不同的外延工艺可制出不同的材料系统.1第1页/共50页1.1.液态生长(LPE:Liquid Phase Epitaxy)LPE:Liquid Phase Epitaxy)LPE：在晶体衬底上用金属性溶液形成一个薄层。在加热过的饱和溶液里放上晶体,再把溶液降温
2、,外延层便可形成在晶体表面。原因在于溶解度随温度变化而变化。LPE是最简单最廉价的外延生长方法.在III/IVAlGaAs/GaAs和InGaAsP/InP器件可用LPE来制作,目前,LPE逐渐被VPE,MOVPE（金属有机物）,MBE(分子束）法代替.2第2页/共50页2.2.气相外延生长(VPE:VPE:Vapor Phase Epitaxy)VPE是指所有在气体环境下在晶体表面进行外延生长的技术的总称。在不同的VPE技术里，卤素(Halogen)传递生长法在制作各种材料的沉淀薄层中得到大量应用。任何把至少一种外延层生成元素以卤化物形式在衬底表面发生卤素析出反应从而形成外延层的过程都可归入
3、卤素传递法，它在半导体工业中有尤其重要的地位（卤化反应）。用这种方法外延生长的基片，可制作出很多种器件，如GaAs，GaAsP，LED管，GaAs微波二极管，大部分的Si双极型管，LSI及一些MOS逻辑电路等。3第3页/共50页SiSi基片的卤素生长外延在一个反应炉内的SiCl4/H2系统中实现：在水平的外延生长炉中，Si基片放在石英管中的石墨板上，SiCl4，H2及气态杂质原子通过反应管。在外延过程中，石墨板被石英管周围的射频线圈加热到1500-2000度，在高温作用下，发生SiCl4+2H2Si+4HCl 的反应，释放出的Si原子在基片表面形成单晶硅，典型的生长速度为0.51 m/min.
4、4第4页/共50页3.3.金属有机物气相外延生长（MOVPE:MOVPE:Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）III-V材料的MOVPE中，所需要生长的III，V族元素的源材料以气体混和物的形式进入反应炉中已加热的生长区里，在那里进行热分解与沉淀反应。MOVPE与其它VPE不同之处在于它是一种冷壁工艺，只要将衬底控制到一定温度就行了。5第5页/共50页4.分子束外延生长(MBE:Molecular Beam Epitaxy)MBE在超真空中进行，基本工艺流程包含产生轰击衬底上生长区的III，V族元素的分子束等。MBE几乎可以在GaAs基片上生长无限多的外延层。这种
5、技术可以控制GaAs，AlGaAs或InGaAs上的生长过程，还可以控制掺杂的深度和精度达到纳米极。经过MBE法，衬底在垂直方向上的结构变化具有特殊的物理属性。MBE的不足之处在于产量低。6第6页/共50页7英国VG Semicom公司型号为V80S-Si的MBE设备关键部分照片 实物第7页/共50页第3章 IC制造工艺3.1 外延生长3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺8 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第8页/共50页3.2 3.2 掩膜(Mask)Mask)的制版工艺1.掩膜制造从物理上讲,任何半导体器件及
6、IC都是一系列互相联系的基本单元的组合,如导体,半导体及在基片上不同层上形成的不同尺寸的隔离材料等。要制作出这些结构需要一套掩膜。一个光学掩膜通常是一块涂着特定图案铬薄层的石英玻璃片，一层掩膜对应一块IC的一个工艺层。工艺流程中需要的一套掩膜必须在工艺流程开始之前制作出来。制作这套掩膜的数据来自电路设计工程师给出的版图。9第9页/共50页100.18 m工艺结构第10页/共50页什么是掩膜？掩膜是用石英玻璃做成的均匀平坦的薄片，表面上涂一层600800nm厚的Cr层，使其表面光洁度更高。称之为铬板，Cr mask。11第11页/共50页 整版及单片版掩膜整版按统一的放大率印制，因此称为1X掩膜
7、。这种掩膜在一次曝光中，对应着一个芯片阵列的所有电路的图形都被映射到基片的光刻胶上。单片版通常把实际电路放大5或10倍，故称作5X或10X掩膜。这样的掩膜上的图案仅对应着基片上芯片阵列中的一个单元。上面的图案可通过步进曝光机映射到整个基片上。12第12页/共50页早期掩膜制作方法人们先把版图(layout)分层画在纸上,每一层掩膜有一种图案。画得很大,5050 cm2 或100100cm2,贴在墙上,用照相机拍照。然后缩小1020倍,变为552 或101055 cm2的精细底片。这叫初缩。将初缩版装入步进重复照相机,进一步缩小到22 cm2或3.53.5 cm2,一步一幅印到铬(Cr)板上,形
8、成一个阵列。13第13页/共50页14WaferIC、Mask&Wafer第14页/共50页整版和接触式曝光在这种方法中,掩膜和晶圆是一样大小的.对应于3”8”晶圆,需要3”8”掩膜.不过晶圆是圆的,掩膜是方的这样制作的掩膜图案失真较大,因为版图画在纸上,热胀冷缩,受潮起皱,铺不平等初缩时,照相机有失真步进重复照相,同样有失真从mask到晶圆上成像,还有失真15第15页/共50页2.图案发生器方法(PG:Pattern Generator)在PG法中,规定layout的基本图形为矩形.任何版图都将分解成一系列各种大小、不同位置和方向的矩形条的组合.每个矩形条用5个参数进行描述:(X,Y,A,W
9、,H)16第16页/共50页图案发生器方法(续)利用这些数据控制下图所示的一套制版装置。17第17页/共50页3.X3.X射线制版 由于X射线具有较短的波长。它可用来制作更高分辨率的掩膜版。X-ray掩膜版的衬底材料与光学版不同，要求对X射线透明，而不是可见光或紫外线，它们常为Si或Si的碳化物。而Au的沉淀薄层可使得掩膜版对X射线不透明。X射线可提高分辨率，但问题是要想控制好掩膜版上每一小块区域的扭曲度是很困难的。18第18页/共50页4.电子束扫描法(E-Beam Scanning)采用电子束对抗蚀剂进行曝光，由于高速的电子具有较小的波长，分辨率极高。先进的电子束扫描装置精度50nm，这意
10、味着电子束的步进距离为50nm，轰击点的大小也为50nm。19第19页/共50页电子束光刻装置:LEICA EBPG5000+20第20页/共50页电子束制版三部曲1)涂抗蚀剂,抗蚀剂采用PMMA.2)电子束曝光,曝光可用精密扫描仪，电子束制版的一个重要参数是电子束的亮度，或电子的剂量。3)显影:用二甲苯。二甲苯是一种较柔和的有弱极性的显影剂，显像速率大约是MIBK/IPA的1/8，用IPA清洗可停止显像过程。21第21页/共50页电子束扫描法(续)电子束扫描装置的用途:制造掩膜和直写光刻。电子束制版的优点：高精度电子束制版的缺点：设备昂贵制版费用高22第22页/共50页第3章 IC制造工艺3
11、.1 外延生长3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺23 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第23页/共50页3.3 光刻原理与流程在IC的制造过程中，光刻是多次应用的重要工序。其作用是把掩膜上的图型转换成晶圆上的器件结构。24第24页/共50页光刻步骤一、晶圆涂光刻胶：n清洗晶圆，在200C温度下烘干1小时。目的是防止水汽引起光刻胶薄膜出现缺陷。n待晶圆冷却下来，立即涂光刻胶。n晶圆再烘，将溶剂蒸发掉，准备曝光二、曝光:光源可以是可见光,紫外线,X射线和电子束。光量,时间取决于光刻胶的型号，厚度和成像深度。三、显影
12、:晶圆用真空吸盘吸牢，高速旋转，将显影液喷射到晶圆上。显影后，用清洁液喷洗。四、烘干:将显影液和清洁液全部蒸发掉。25第25页/共50页正性胶与负性胶光刻图形的形成26第26页/共50页涂光刻胶的方法光刻胶通过过滤器滴入晶圆中央，被真空吸盘吸牢的晶圆以2000 8000转/分钟的高速旋转，从而使光刻胶均匀地涂在晶圆表面。27第27页/共50页曝光方式1.接触式曝光方式中，把掩膜以0.05 0.3ATM 的压力压在涂光刻胶的晶圆上，曝光光源的波长在0.4m左右。28第28页/共50页曝光系统29点点光光源源产产生生的的光光经经凹凹面面镜镜反反射射得得发发散散光光束束，再再经经透透镜变成平行光束，
13、经镜变成平行光束，经4545 折射后投射到工作台上。折射后投射到工作台上。第29页/共50页接触式曝光方式的图象偏差问题原因:光束不平行，接触不密有间隙30举例:，y+2d=10m,则有(y+2d)tg=0.5m第30页/共50页掩膜和晶圆之间实现理想接触的制约因素掩膜本身不平坦，晶圆表面有轻微凸凹，掩膜和晶圆之间有灰尘。31接触式曝光方式的掩膜磨损问题掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可掩膜和晶圆每次接触产生磨损，使掩膜可使用次数受到限制。使用次数受到限制。第31页/共50页非接触式光刻 1.接近式 接近式光刻系统中，掩膜和晶圆之间有2050m的间隙。这样，磨损问题可以解决。但分辨率下降，当
14、时，无法工作。这是因为，根据惠更斯原理，小孔成像，出现绕射，图形发生畸变。32第32页/共50页缩小投影曝光系统2.投影式工作原理:水银灯光源通过聚光镜投射在掩膜上。掩膜比晶圆小，但比芯片大得多。在这个掩膜中，含有一个芯片或几个芯片的图案，称之为母版，即 reticle。光束通过掩膜后，进入一个缩小的透镜组，把 reticle 上的图案，缩小510倍，在晶圆上成像。33第33页/共50页34缩小投影曝光系统示意图第34页/共50页缩小投影曝光系统的特点由于一次曝光只有一个Reticle上的内容，也就是只有一个或几个芯片，生产量不高。由于一次曝光只有一个或几个芯片，要使全部晶圆面积曝光，就得步进
15、。步进包括XY工作台的分别以芯片长度和宽度为步长的移动和Reticle内容的重复曝光。投影方式分辨率高，且基片与掩膜间距较大,不存在掩膜磨损问题。35第35页/共50页第3章 IC制造工艺3.1 外延生长3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺36 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第36页/共50页37除了作为栅的绝缘材料外，二氧化硅在很多制造工序中可以作为保护层。在器件之间的区域，也可以生成一层称为“场氧”（FOX）的厚SiO2层，使后面的工序可以在其上制作互连线。场氧第37页/共50页第3章 IC制造工艺3.1
16、外延生长3.2 掩膜制作 3.3 光刻原理与流程3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺38 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第38页/共50页3.5 3.5 淀积与刻蚀器件的制造需要各种材料的淀积。这些材料包括多晶硅、隔离互连层的绝缘材料以及作为互连的金属层。刻蚀的作用:制作不同的器件结构，如线条、接触孔、台式晶体管、凸纹、栅等。被刻蚀的材料:半导体，绝缘体，金属等。刻蚀的两种方法：湿法和干法39第39页/共50页湿法刻蚀首先要用适当(包含有可以分解表面薄层的反应物)的溶液浸润刻蚀面，然后清除被分解的材料。如SiO2在室温下可被HF酸刻蚀。湿法刻蚀在VL
17、SI制造中的问题:接触孔的面积变得越来越小,抗蚀材料层中的小窗口会由于毛细作用而使得接触孔不能被有效的浸润。是被分解的材料不能被有效的从反应区的小窗口内清除出来。40第40页/共50页干法刻蚀分为：等离子体刻蚀,反应离子刻蚀RIERIE等 RIE发生在反应炉中，基片(晶圆)被放在一个已被用氮气清洗过的托盘上，然后，托盘被送进刻蚀室中，在那里托盘被接在下方的电极上。刻蚀气体通过左方的喷口进入刻蚀室。RIE的基板是带负电的。正离子受带负电的基板吸引，最终以近乎垂直的方向射入晶体，从而使刻蚀具有良好的方向性。41反应离子刻蚀RIE第41页/共50页第3章 IC制造工艺3.1 外延生长3.2 掩膜制作
18、 3.3 光刻原理与流程3.4 氧化3.5 淀积与刻蚀3.6 掺杂原理与工艺42 关心每一步工艺对器件性能的影响，读懂PDK，挖掘工艺潜力。第42页/共50页3.6 3.6 掺杂原理与工艺掺杂目的掺杂的目的是以形成特定导电能力的材料区域,包括N型或P型半导体层和绝缘层。是制作各种半导体器件和IC的基本工艺。经过掺杂，原材料的部分原子被杂质原子代替。材料的导电类型决定于杂质的化合价掺杂可与外延生长同时进行，也可在其后，例如，双极性硅IC的掺杂过程主要在外延之后，而大多数GaAs及InP器件和IC的掺杂与外延同时进行。43第43页/共50页1.1.热扩散掺杂 热扩散是最早也是最简单的掺杂工艺，主要
19、用于Si工艺。施主杂质（五价元素)用P，As，受主杂质（三价元素)可用B。要减少少数载流子的寿命，也可掺杂少量的Au。Si02隔离层常被用作热扩散掺杂的掩膜。扩散过程中，温度与时间是两个关键参数。在生产双极型硅IC时，至少要2次掺杂，一次是形成基区，另一次形成发射区。在基片垂直方向上的掺杂浓度变化对于器件性能有重要意义。44第44页/共50页2.2.离子注入法 离子注入技术是20世纪50年代开始研究，70年代进入工业应用阶段的。随着VLSI超精细加工技术的进展，现已成为各种半导体掺杂和注入隔离的主流技术。45第45页/共50页离子注入机 离子注入机包含离子源，分离单元，加速器，偏向系统，注入室
20、等。46第46页/共50页离子注入机工作原理l首先把待掺杂物质如B，P，As等离子化，l利用质量分离器(Mass Seperator)取出需要的杂质离子。分离器中有磁体和屏蔽层。由于质量，电量的不同，不需要的离子会被磁场分离，并且被屏蔽层吸收。l通过加速管，离子被加速到一个特定的能级，如10500ke。l通过四重透镜，聚成离子束，在扫描系统的控制下，离子束轰击在注入室中的晶圆上。l在晶圆上没有被遮盖的区域里，离子直接射入衬底材料的晶体中，注入的深度取决于离子的能量。l最后一次偏转(deflect)的作用是把中性分离出去lfaraday cup的作用是用来吸收杂散的电子和离子47第47页/共50
21、页注入法的优缺点优点：掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制，杂质分布的均匀。可进行小剂量的掺杂。可进行极小深度的掺杂。较低的工艺温度，故光刻胶可用作掩膜。可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。在这种工艺中，器件表面的导电层被注入的离子（如+）破坏，形成了绝缘区。缺点：费用高昂在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复48第48页/共50页本章练习题1.写出掩模在IC制造过程中的作用，比较整版掩模和单片掩模的区别，列出三种掩模的制造方法。2.写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？3.说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂的方法并比较其优缺点。49第49页/共50页50感谢您的观看。第50页/共50页