第4章潘场效应管放大器.pptx

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1、PNNG(栅极)S源极D漏极P沟道结型场效应管DGSN沟道结型场效应管NPPG栅极S源极D漏极DGS符号：第1页/共35页二、工作原理（以N沟道为例）当 UDS=0 V时：UGSDGSNPP*若加入U UGSGS 0,PN 0,PN结反偏，耗尽层变厚*若U UGSGS=0,=0,沟道较宽，沟道电阻小沟道变窄，沟道电阻增大*若U UGS GS=V=VP P（夹断电压）时沟道夹断，沟道电阻很大|UGS|越大,则耗尽区越宽，导电沟道越窄。但当|UGS|较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。沟道夹断时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS 0V，漏极电流

2、ID=0A。加入U UGSGS使沟道变窄，该类型效应管称为耗尽型第2页/共35页漏源电压V VDSDS对i iD D的影响 随VDS增大，这种不均匀性越明显。当VDS增加到使VGD=VGS-VDS=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断点。当VDS继续增加时，预夹断区向源极方向伸长。电阻增大，使VDS增加不能使漏极也增大，漏极电流 iD 趋于饱和。*在栅源间加电压V VGSGS，漏源间加电压V VDSDS。由于漏源间有一电位梯度V VDSDS漏端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS-VDS源端耗尽层所受的反偏电压为VGD=VGS 使靠近漏端的耗尽层比源端厚，沟道比源端窄，故VDS对沟道的影响是不均匀

3、的，使沟道呈楔形，沟道夹断前，iD 与 vDS 近似呈线性关系。第3页/共35页4.1.2 4.1.2 伏安特性曲线及参数特点:(1)(1)当vGS 为定值时,管子的漏源间呈线性电阻，且其阻值受 vGS 控制，（iD 是 vDS 的线性函数）。（2）管压降vDS 很小。用途：做压控线性电阻和无触点的、闭合状态的电子开关。条件：源端与漏端沟道都不夹断（1）可变电阻区1、输出特性曲线：第4页/共35页（动画2-6）用途:可做放大器和恒流源。（2 2）恒流区：(又称饱和区或放大区）条件:(1)源端沟道未夹断(2)漏端沟道予夹断 (2)恒流性：输出电流 iD 基本上不受输出电压 vDS 的影响。特点:

4、(1)受控性：输入电压 vGS 控制输出电流第5页/共35页（3）夹断区：用途：做无触点的、接通状态的电子开关。条件：整个沟道都夹断 （4）击穿区 当漏源电压增大到 时，漏端PN结发生雪崩击穿，使iD 剧增的区域。其值一般为（20 50）V之间。由于VGD=VGS-VDS,故vGS越负，对应的VP就越小。管子不能在击穿区工作。特点：第6页/共35页2、转移特性曲线输入电压VGS对输出漏极电流ID的控制第7页/共35页结型场效应管结型场效应管的的特性小结特性小结结型场效应管 N沟道耗尽型P沟道耗尽型第8页/共35页4.3 4.3 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应半导体场效应管管 绝缘栅型场效

5、应管(Metal Oxide Semiconductor)MOSFET N沟道 P沟道 增强型N沟道 P沟道 耗尽型增强型 (N沟道、P沟道),VGS=0 时无导电沟道，iD=0耗尽型 (N沟道、P沟道)，VGS=0 时已有导电沟道。类型及其符号:第9页/共35页4.3.1 4.3.1 NN沟道沟道增强型绝缘栅场效应管增强型绝缘栅场效应管漏极D金属电极1 1、结构结构栅极G源极SSiO2绝缘层P P型硅衬底 高掺杂N区 金属金属 栅极和其它电极及栅极和其它电极及硅片之间是绝缘的，称硅片之间是绝缘的，称绝缘绝缘栅型场效应管栅型场效应管。绝缘层目前常用二氧化硅，故又称金属-氧化物-半导体场效应管，

6、简称MOS场效应管。由于栅极是绝缘的，栅极电流几乎为零，输入电阻很高，最高可达1014 。第10页/共35页2 2、N N沟道增强型场效应管的工作原理（1）.栅源电压VGS的控制作用 当VGS=0V时，因为漏源之间被两个背靠背的 PN结隔离，因此，即使在D、S之间加上电压,在D、S间也不可能形成电流。当 0VGSVT(开启电压)时，果在衬底表面形成一薄层负离子的耗尽层。漏源间仍无载流子的通道。管子仍不能导通，处于截止状态。通过栅极和衬底间的电容作用，将栅极下方P型衬底表层的空穴向下排斥，同时，使两个N区和衬底中的自由电子吸向衬底表层，并与空穴复合而消失，结第11页/共35页N N沟道增强型场效

7、应管的工作原理的N型沟道。把开始形成反型层的反型层的VGS值值称为该管的开启电压VT。这时，若在漏源间加电压 VDS，就能产生漏极电流 I D，即管子开启。VGS值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样 VDS 电压作用下，I D 越大。这样，就实现了输入电压 VGS 对输出电流 I D 的控制。当VGSVT时，衬底中的电子进一步被吸至栅极下方的P型衬底表层，使衬底表层中的自由电子数量大于空穴数量，该薄层转换为N型半导体，称为反型层反型层。形成N源区到N漏区I D第12页/共35页栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用第13页/共35页2.2.漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VG

8、SVT且固定为某值的情况下，若给漏源间加正电压VDS则源区的自由电子将沿着沟道漂移到漏区，形成漏极电流ID，当ID从D S流过沟道时，沿途会产生压降，进而导致沿着沟道长度上栅极与沟道间的电压分布不均匀。源极端电压最大，为VGS，由此感生的沟道最深；离开源极端，越向漏极端靠近，则栅沟间的电压线性下降，由它们感生的沟道越来越浅；直到漏极端，栅漏间电压最小，其值为：VGD=VGS-VDS,由此 感生的沟道也最浅。可见，在VDS作用下导电沟道的深度是不均匀的，沟道呈锥形分布。若VDS进一步增大，直至VGD=VT，即VGS-VDS=VT或VDS=VGS-VT 时，则漏端沟道消失，出现预夹断点。A第14页

9、/共35页 当VDS为0或较小时，VGDVT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断。源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预夹断区内的电场力扫至漏区，形成漏极电流。当VDS增加到使VGDVT时，预夹断点向源极端延伸成小的夹断区。由于预夹断区呈现高阻，而未夹断沟道部分为低阻，因此，VDS增加的部分基本上降落在该夹断区内，而沟道中的电场力基本不变，漂移电流基本不变，所以，从漏端沟道出现预夹断点开始，ID基本不随VDS增加而变化。第15页/共35页增强型M

10、OSFET的工作原理第16页/共35页MOSFET的的特性曲线特性曲线1.1.漏极输出特性曲线第17页/共35页2.转移特性曲线 VGS对ID的控制特性 转移特性曲线的斜率 gm 的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。其量纲为mA/V，称gm为跨导。ID=f(VGS)VDS=常数 gm=ID/VGSQ（mS)第18页/共35页增强型增强型MOSMOS管特性小结管特性小结绝缘栅场效应管N沟道增强型P沟道增强型第19页/共35页耗尽型耗尽型MOSFETMOSFET N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面

11、感应出反型层，形成了导电沟道。因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。当VGS0 时，将使ID进一步增加。VGS0时，随着VGS 的减小ID 逐渐减小，直至 ID=0。对应ID=0 的 VGS 值为夹断电压 VP。第20页/共35页耗尽型耗尽型MOSFETMOSFET的特性曲线的特性曲线绝缘栅场效应管 N沟道耗尽型P 沟道耗尽型第21页/共35页场效应三极管的参数和型号场效应三极管的参数和型号一、一、场效应三极管的参数场效应三极管的参数 1.开启电压VT 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值,场效应管不能导通。2.夹断电压VP 夹断电压

12、是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极 电流为零。3.饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管,当VGS=0时所对应的漏极电流。第22页/共35页4.输入电阻RGS 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107；绝缘栅型场效应三极管,RGS约是1091015。5.低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS (毫西门子)。6.最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM=VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。第23页/共35页绝缘栅增强型N沟P沟绝缘栅耗尽型 N沟道P 沟道第24页/共35页场效应管与晶体管的比较场效应管与晶体管的比

13、较 电流控制电流控制 电压控制电压控制 控制方式控制方式电子和空穴两种载电子和空穴两种载流子同时参与导电流子同时参与导电载流子载流子电子或空穴中一种电子或空穴中一种载流子参与导电载流子参与导电类类 型型 NPNNPN和和PNP NPNP N沟道和沟道和P P沟道沟道放大参数放大参数 r rcece很高很高 r rdsds很高很高 输出电阻输出电阻输入电阻输入电阻较低较低较高较高 双极型三极管双极型三极管 单极型场效应管单极型场效应管热稳定性热稳定性 差差 好好制造工艺制造工艺 较复杂较复杂 简单，成本低简单，成本低对应电极 BEC GSD第25页/共35页耗尽型耗尽型耗尽型耗尽型GSDGSD增

14、强型增强型增强型增强型N沟道P P沟道沟道GSDGSDN N沟道沟道P沟道GG、S S之间加一定之间加一定电压才形成导电沟道电压才形成导电沟道在制造时就具有在制造时就具有原始原始导电沟道导电沟道第26页/共35页4.4 4.4 场效应管放大电放大电路路4.4.1 4.4.1 直流偏置电路及静态分析1、直流偏置电路建立适当的静态工作点，使场效应管工作在恒流区。(1)自偏压电路:仅适用于耗尽型场效应管，V VGSGS=0=0 时，沟道已存在。加V VDDDD后,V,VS S=I=ID D R R。可建立偏压：上式称为偏压公式第27页/共35页 及 VDS=VDDID(R+Rd)联立可以解出VGS、

15、ID和VDS。(2)分压式偏压电路直流通道由：VG=VDD Rg2/(Rg1+Rg2)及 VS=IDRVGS=VGVS=VGIDR可得 偏压公式：2、静态工作点的确定：ID=IDSS1(VGS/VP)2由公式：偏压公式：V VGS GS=-I=-ID D R R 或：VGS=VGVS=VGIDR第28页/共35页4.4.2 4.4.2 小信号模型分析法低频模型高频模型跨导跨导漏极输漏极输出电阻出电阻1.1.小信号模型第29页/共35页2.2.用小信号模型进行交流分析小信号等效电路（1 1）电压放大倍数）电压放大倍数(2)(2)输入电阻(3)(3)输出电阻第30页/共35页uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2G一、静态分析US UGUDS=UDD-US=20-5=15V例例4.4.2 源极输出器源极输出器第31页/共35页uo+UDDRSuiC1R1RGR2RL150k50k1M10kDSC2Griro ro gR2R1RGsdRLRS微变等效电路微变等效电路二、动态分析第32页/共35页riro ro gR2R1RGsdRLRS微变等效电路微变等效电路输入电阻 ri第33页/共35页输出电阻 ro加压求流法gd微变等效电路微变等效电路ro ro R2R1RGsRS第34页/共35页感谢您的观看！第35页/共35页