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1、材料物理课件半导体能带结构你现在浏览的是第一页，共74页或或其中为光波的波长，上式表明，存在有长波限称为本征吸收边,在本征吸收边附近的光跃迁有两种类型：（a):第一种类型对应于导带底和价带顶在k 空间相同点的情况，如图(a)所示。电子吸收光子自价带k 状态跃迁到导带k状态时除了满足能量守恒以外，还必须符合准动量守恒的选择定则，即具有这种带隙结构的半导体称为直接带隙半导体具有这种带隙结构的半导体称为直接带隙半导体你现在浏览的是第二页，共74页你现在浏览的是第三页，共74页在讨论本征吸收时，光子的动量可以略去，因为本征吸收光子的波矢为10cm-1，而在能带论中布里渊区的尺度为2/晶格常数，数量级是
2、10cm-1，因此本征光吸收中，因此光吸收的跃迁选择定则可以近似写成这就是说，在跃迁过程中，波矢可以看做是不变的，在能带的E(k)图上，初态和末态几乎在同一条竖直线上，这样的跃迁常称为竖直跃迁。(b)：第二种类型对应于导带底和价带顶在k 空间不同点的情况，如图(b)所示：这时在本征吸收边附近的光吸收过程是所谓非竖直跃迁，在这种情况下，单纯吸收光子不能使电子由价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随有吸收或发射一个声子。能量守恒关系为：电子能量差光子能量声子能量具有这种带隙结构的半导体称为间接带隙半导体具有这种带隙结构的半导体称为间接带隙半导体你现在浏览的是第四页，共74页但是声子能量是较小
3、的，数量级为百分之几电子伏以下，因此近似的有电子能量差光子能量而准动量守恒的跃迁选择定则为其中q 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，略去光子动量，有结论：结论：（）在非竖直跃迁中，光子主要提供跃迁所需要的能量，而声子则主要提供跃迁所需要的准动量（）与竖直跃迁相比，非竖直跃迁是一个二级过程，发生的几率要小得多你现在浏览的是第五页，共74页（）由于与光吸收情况相同的原因，在直接带隙半导体中这种发光的几率远大于间接带隙半导体c电子空穴复合发光：电子空穴复合发光：考虑一个与半导体的光吸收相反的过程，导带中的电子可以跃迁到价带空能级而发射光子，这称为电子空穴复合发光。复合发光的特点：复合发光的
4、特点：（）一般情况下电子集中在导带底，空穴集中在价带顶，发射光子的能量基本上等于带隙宽度制作复合发光的发光器件（一般要用直接带隙半导体。发光的颜色取决于半导体的带隙宽度）应用：应用：你现在浏览的是第六页，共74页在实际的半导体材料中,总是不可避免地存在有杂质和各种类型的缺陷.特别是在半导体的研究和应用中,常常有意识的加入适当的杂质.这些杂质和缺陷产生的附加势场,有可能使电子和空穴束缚在杂质和缺陷的周围,产生局域化的电子态,在禁带中引入相应的杂质和缺陷能级.三、杂质和缺陷能级三、杂质和缺陷能级你现在浏览的是第七页，共74页（2）替位式替位式杂质原子取代半导体的元素或离子的格点位置。间隙式杂质间隙
5、式杂质：杂质原子进入半导体以后，位于晶格间隙位置或取代晶格原子，称为间隙式杂质 替位式杂质：替位式杂质：杂质原子进入半导体以后，取代晶格原子，这种杂质称为替位式杂质，要求杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近并且价电子壳层结构比较相近。1、杂质的存在方式、杂质的存在方式你现在浏览的是第八页，共74页你现在浏览的是第九页，共74页你现在浏览的是第十页，共74页BA你现在浏览的是第十一页，共74页3.杂质半导体杂质半导体n型半导体型半导体四价的本征半导体四价的本征半导体 Si、等，掺入少量、等，掺入少量五价的五价的杂质杂质（impurity）元素（如元素（如P、As等）等）形成电子型半导体
6、形成电子型半导体,称称 n 型半导体。型半导体。量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处能级在禁带中紧靠空带处,ED10-2eV，极易形成电子导电。极易形成电子导电。该能级称为该能级称为施主施主（donor）能级。能级。你现在浏览的是第十二页，共74页 n 型半导体型半导体 在在n型半导体中型半导体中 电子电子多数载流子多数载流子空空 带带满满 带带施主能级施主能级EDEgSiSiSiSiSiSiSiP空穴空穴少数载流子少数载流子你现在浏览的是第十三页，共74页型半导体型半导体四价的本征半导体四价的本征半导体Si、e等，掺入少量等，掺入少量
7、三价的三价的杂质杂质元素（如、元素（如、Ga、n等）等）形成空穴型半导体，称形成空穴型半导体，称 p 型半导体。型半导体。量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，能级在禁带中紧靠满带处，ED10-2eV，极易产生空穴导电。极易产生空穴导电。你现在浏览的是第十四页，共74页空空 带带Ea满满 带带受主能级受主能级 P型半导体型半导体SiSiSiSiSiSiSi+BEg在在p型半导体中型半导体中 空穴空穴多数载流子多数载流子电子电子少数载流子少数载流子你现在浏览的是第十五页，共74页 假设在能带中能量E与E+dE之间的能量间隔dE内有量子态d
8、Z个，则定义状态密度g（E）为：1.3 半导体中载流子的统计分布半导体中载流子的统计分布1、状态密度你现在浏览的是第十六页，共74页费米分布函数 电子遵循费米-狄拉克（Fermi-Dirac）统计分布规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为 2 2、费米能级和载流子统计分布、费米能级和载流子统计分布你现在浏览的是第十七页，共74页费米能级EF的意义EF 你现在浏览的是第十八页，共74页波尔兹曼（Boltzmann）分布函数当E-EFk0T时,你现在浏览的是第十九页，共74页 服从Boltzmann分布的电子系统 非简并系统非简并系统 相应的半导体 非简并半导体非简并半导体 服从F
9、ermi分布的电子系统 简并系统简并系统 相应的半导体 简并半导体简并半导体你现在浏览的是第二十页，共74页本征载流子的产生产生：导带中的电子浓度和价带中的空穴浓度 你现在浏览的是第二十一页，共74页单位体积的电子数n0和空穴数p0：则你现在浏览的是第二十二页，共74页你现在浏览的是第二十三页，共74页说明说明:1.(3)(4)式是非简并半导体导带电子浓度和价带空穴浓度的最基本的表示式,成立的条件是:4.半导体中载流子的浓度变化强烈地倚赖温度T,半导体中载流子的浓度随温度的灵敏变化是半导体的重要特性之一.2.对于非简并半导体,导带电子浓度取决于费米能级EF距离EC远近,费米能级EF距离EC愈远
10、,电子的浓度愈小.3.对于非简并半导体,价带空穴的浓度取决于费米能级EF距离EV远近,费米能级EF距离EV愈远,空穴的浓度愈小.E-EFk0T你现在浏览的是第二十四页，共74页3.本征半导体的载流子浓度本征半导体本征半导体:对于纯净的半导体对于纯净的半导体,半导体中费米能级的位置半导体中费米能级的位置和载流子的浓度只是材料自身的本征性质所决定的和载流子的浓度只是材料自身的本征性质所决定的,我们称我们称为本征半导体为本征半导体.顺便谈一下顺便谈一下,在有外界杂质存在的情况下在有外界杂质存在的情况下,费米能级的位费米能级的位置和载流子的浓度以及它们随温度的变化情况将与外界置和载流子的浓度以及它们随
11、温度的变化情况将与外界杂质有关杂质有关.本征激发本征激发:在本征半导体中在本征半导体中,载流子的产生只是通过价带载流子的产生只是通过价带的电子激发到导带而产生的的电子激发到导带而产生的,这种激发的过程叫本征激发这种激发的过程叫本征激发.你现在浏览的是第二十五页，共74页在热平衡态下，半导体是电中性的：n0=p0 （1）本征半导体的载流子浓度本征半导体的载流子浓度:你现在浏览的是第二十六页，共74页我们可将我们可将EF解出解出:上式第一项系禁带中间的能量上式第一项系禁带中间的能量,记为记为:Ei,第二项比第一项第二项比第一项要小的多要小的多,可以认为是本征费米能级相对与禁带中央产生的可以认为是本
12、征费米能级相对与禁带中央产生的小的偏离小的偏离.由上式所表示的费米能级我们称之为本征费米能级由上式所表示的费米能级我们称之为本征费米能级.*0ln432npvcmmTkEEEF+=EF还可写成下式还可写成下式你现在浏览的是第二十七页，共74页*0ln432npvcmmTkEEEF+=从上式可以看出:(1)如果导带底的有效质量和价带顶的有效质量相等,那么本征费米能级恰好位于禁带中央.(2)对于大多数的半导体材料,上式中的对数值要小于1,本征费米能级通常偏离禁带中央3K0T/4,这相对与禁带宽度是非常小的.为此,我们通常认为本征费米能级位于禁带中央的位置.(3)对于少数半导体,本征费米能级偏离禁带
13、中央较明显,如锑化铟,mdp/mdn=32,而Eg=0.18ev,室温下,本征费米能级移至导带.你现在浏览的是第二十八页，共74页一般温度下，一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征半导体的等本征半导体的EF近似在禁带中央近似在禁带中央Ei，只有温度较高时，只有温度较高时，EF才会才会偏离偏离Ei。你现在浏览的是第二十九页，共74页将本征费米能级的公式代入将本征费米能级的公式代入(2)(3)式即得到式即得到：1.本征载流子的浓度只与半导体本身的能带结构和所处的温度有关.结论:A、温度一定时，Eg大的材料，ni小；B、对同种材料，本征载流子的浓度ni随温度T按指数关系上升。你现在浏览的是第三十页，
14、共74页2.一定温度下，非简并半导体的热平衡载流子浓度乘积等于本征载流子浓度的平方,与所含杂质无关即:()6npn2i00=几点说明:1.绝对纯净的物质是没有的绝对纯净的物质是没有的,只要是半导体的载流子主要来只要是半导体的载流子主要来自于本征激发自于本征激发,我们便可认为其是本征半导体我们便可认为其是本征半导体.通常用几个通常用几个9来表示半导体的纯度来表示半导体的纯度.你现在浏览的是第三十一页，共74页2.用本征材料制作的器件极不稳定，常用杂质半导体。用本征材料制作的器件极不稳定，常用杂质半导体。当在杂质饱和电离的载流子的浓度远大于本征激发的当在杂质饱和电离的载流子的浓度远大于本征激发的载
15、流子的浓度的温度下载流子的浓度的温度下,半导体器件可以正常工作半导体器件可以正常工作。3.由于本征载流子的浓度随温度由于本征载流子的浓度随温度T的升高而迅速增加的升高而迅速增加,当本当本征载流子的浓度接近杂质饱和电离的载流子的浓度时征载流子的浓度接近杂质饱和电离的载流子的浓度时,半半导体器件便不能工作导体器件便不能工作,因此每一种半导体材料器件有一定因此每一种半导体材料器件有一定的极限工作温度的极限工作温度,其随其随Eg增大而增加增大而增加.4.半导体材料器件有一定的极限工作温度还与搀杂杂半导体材料器件有一定的极限工作温度还与搀杂杂质的浓度有关质的浓度有关,浓度越大极限温度越高浓度越大极限温度
16、越高.你现在浏览的是第三十二页，共74页4.载流子的漂移运动和迁移率载流子的漂移运动和迁移率 漂移运动和漂移速度漂移运动和漂移速度有有外外加加电电压压时时，导导体体内内部部的的自自由由电电子子受受到到电电场场力力的的作作用用，沿沿着着电电场场的的反反方方向向作作定定向向运动形成电流。运动形成电流。电电子子在在电电场场力力作作用用下下的的定定向向运运动动称称为为漂漂移移运运动，定向运动的速度称为漂移速度。动，定向运动的速度称为漂移速度。你现在浏览的是第三十三页，共74页欧姆定律欧姆定律金属：金属：电子半导体：半导体：电子、空穴电子、空穴 在严格周期性势场（理想）中运动的载流子在电场力的作用下将获
17、得加速度，其漂移速度应漂移速度应越来越大越来越大。结论结论:sE=J你现在浏览的是第三十四页，共74页迁移率迁移率假设讨论的是n型半导体型半导体，电子浓度为n0，在外电场下通过半导体的电流密度 你现在浏览的是第三十五页，共74页同理，对p型半导体迁移率的意义：迁移率的意义：表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。表征了在单位电场下载流子的平均漂移速度。它是表示半导体电迁移能力的重要参数。它是表示半导体电迁移能力的重要参数。在实际半导体中，在实际半导体中，=nq+pq.n型半导体，型半导体，np,=nq;p型半导体，型半导体，pn,=pq;本征型半导体，本征型半导体，n=p=n,=nq(+)你现
18、在浏览的是第三十六页，共74页5.载流子的散射载流子的散射我们上面提到我们上面提到:在严格周期性势场（理想）中运动的在严格周期性势场（理想）中运动的 载流子载流子在电场力的作用下将获得加速在电场力的作用下将获得加速 度，其漂移速度应越来越大度，其漂移速度应越来越大。实际中，实际中，存在很多破坏周期性势场存在很多破坏周期性势场的作用因素：的作用因素：如：*杂质 *缺陷 *晶格热振动散射散射:晶体中的杂质、缺陷以及晶格热振动的影响，通常使实晶体中的杂质、缺陷以及晶格热振动的影响，通常使实际的晶格势场偏离理想的周期势场，这相当于严格的周际的晶格势场偏离理想的周期势场，这相当于严格的周期势场上叠加了附
19、加势场，这个附加势场作用于载流子，期势场上叠加了附加势场，这个附加势场作用于载流子，将改变载流子的运动状态，这种情景我们称之为载流子将改变载流子的运动状态，这种情景我们称之为载流子的散射。的散射。你现在浏览的是第三十七页，共74页1)散射情形下，载流子的运动分析：散射情形下，载流子的运动分析：自由程自由程l：相邻两次散射之间自由运动的路程。平均自由程：平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程。散射几率散射几率P：单位时间内一个载流子被散射的次数。你现在浏览的是第三十八页，共74页电离杂质散射：电离杂质散射：即库仑散射即库仑散射2)、半导体的主要散射机构、半导体的主要散射机构+VV电离杂质散
20、射示意图电离杂质散射示意图vv电离电离 施主施主 散射散射电离电离 受主受主 散射散射你现在浏览的是第三十九页，共74页你现在浏览的是第四十页，共74页晶格振动散射晶格振动散射有N个原胞的晶体 有N个格波波矢q 一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频)振动方式振动方式:3 3个光学波个光学波=1=1个纵波个纵波+2+2个横波个横波 3 3个声学波个声学波=1=1个纵波个纵波+2+2个横波个横波格波的能量效应以ha为单元 -声子声子特点：各向同性。特点：各向同性。a、声学波散射：PsT3/2b、光学波散射：Poexp（hv/k0T）-1你现在浏览的是第四十一页，共74页格波散射几率格波散射
21、几率Pc 当长声学波和长光学波散射作用同时存在时当长声学波和长光学波散射作用同时存在时,晶格振动对载晶格振动对载流子的总散射概率应为以上两种散射之和流子的总散射概率应为以上两种散射之和.说明说明:在共价结合的元素半导体中在共价结合的元素半导体中,长声学波散射作用是主要的长声学波散射作用是主要的,在极性半导体中长光学波散射是主要的在极性半导体中长光学波散射是主要的.声学波的散射几率声学波的散射几率Ps纵光学波的散射几率纵光学波的散射几率Po:你现在浏览的是第四十二页，共74页二、半导体材料的电阻率与温度和杂质浓度的关系二、半导体材料的电阻率与温度和杂质浓度的关系 电阻率的一般公式：电阻率的一般公
22、式：你现在浏览的是第四十三页，共74页(1)本征半导体本征半导体 2.电阻率随温度的变化电阻率随温度的变化T载流子来源于本征激发载流子来源于本征激发,温度越高温度越高,本征激发越本征激发越厉害厉害,载流子越多载流子越多,导电性就越强导电性就越强.你现在浏览的是第四十四页，共74页杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 (2)杂质半导体你现在浏览的是第四十五页，共74页 杂质离化区杂质离化区 non+D；T，nD+，no TTT载流子由杂质电离提供载流子由杂质电离提供,温度越高温度越高,载流子越多载流子越多.散射主要是电离杂质散射散射主要是电离杂质散射,迁移率随温度的升高而升迁移率随温度的升高而升高
23、高.你现在浏览的是第四十六页，共74页 饱和区饱和区 noND，T，no TNDTT杂质基本全部电离杂质基本全部电离,本征激发可以忽略本征激发可以忽略,载流子浓度载流子浓度基本不发生变化基本不发生变化晶格振动散射为主要散射机构晶格振动散射为主要散射机构你现在浏览的是第四十七页，共74页 本征区本征区T，ni，本征激发为主要矛盾本征激发为主要矛盾,温度升高温度升高,载流子浓度迅速增加载流子浓度迅速增加,导电能力增强导电能力增强.总结总结:1.对于本征半导体或搀杂浓度较低的半导体对于本征半导体或搀杂浓度较低的半导体,A.随着温度的升高随着温度的升高,载流子的浓度迅速载流子的浓度迅速增加增加B.晶格
24、振动散射为主要散射机构晶格振动散射为主要散射机构,随着温度的升高随着温度的升高,晶格振动加剧晶格振动加剧,迁移率降低迁移率降低.比较而言比较而言,载流子的浓度增加为主要矛盾载流子的浓度增加为主要矛盾,所以所以对于本征对于本征半导体或搀杂浓度较低的半导体而言半导体或搀杂浓度较低的半导体而言,温度越高导电温度越高导电能力越强能力越强.你现在浏览的是第四十八页，共74页2.对于搀杂浓度较高的半导体对于搀杂浓度较高的半导体,低温电离区低温电离区载流子主要由杂质电离提供载流子主要由杂质电离提供,随温度的升高载流子增多随温度的升高载流子增多,导电导电能力增强能力增强.杂质电离散射为主要散射机构杂质电离散射
25、为主要散射机构,随温度升高迁移率增大随温度升高迁移率增大,导导电能力增强电能力增强.总之总之,处于低温电离区的高搀杂半导体随温度升高导电能处于低温电离区的高搀杂半导体随温度升高导电能力增强力增强.载流子浓度基本不发生变化载流子浓度基本不发生变化晶格振动散射为主要散射机构晶格振动散射为主要散射机构,随温度升高迁移率减小随温度升高迁移率减小,导电能力导电能力减弱减弱.饱和区饱和区饱和区饱和区总之总之,处于饱和区的高搀杂半导体随温度升高导电能力减弱处于饱和区的高搀杂半导体随温度升高导电能力减弱.本征区本征区情况与本征半导体类似情况与本征半导体类似.你现在浏览的是第四十九页，共74页1、扩散定律由于浓
26、度不均匀而导致载流子（电子或空穴）从高浓度处向低浓度处逐渐运动的过程 扩散扩散 5.6 5.6 载流子的扩散运动载流子的扩散运动 非非平平衡衡载载流流子子的的扩扩散散光光照照xA B0 xx+x非子从一端沿整个表面均匀产生，非子从一端沿整个表面均匀产生，且只在且只在x方向形成浓度梯度方向形成浓度梯度，非子是沿，非子是沿x方向运动。方向运动。你现在浏览的是第五十页，共74页1非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程非子的扩散运动和一维稳态时的扩散方程 扩散流密度扩散流密度 Sp(x)：单位时间通过扩散流过垂直的单位单位时间通过扩散流过垂直的单位 面积的载流子面积的载流子 Dp为扩散系数，量纲为为扩散
27、系数，量纲为cm2/s你现在浏览的是第五十一页，共74页你现在浏览的是第五十二页，共74页在稳态时：在稳态时：情况情况1：样品足够厚时：样品足够厚时你现在浏览的是第五十三页，共74页你现在浏览的是第五十四页，共74页情况情况2.2.样品厚度为样品厚度为W W。你现在浏览的是第五十五页，共74页3 3、电子的扩散定律与稳态扩散方程、电子的扩散定律与稳态扩散方程4、扩散电流密度与漂移电流密度、扩散电流密度与漂移电流密度 相应的稳态扩散方程相应的稳态扩散方程你现在浏览的是第五十六页，共74页稳态时，体内为电中性：Jn=0 即 5、非简并半导体的爱因斯坦关系：由于电子浓度分布不均匀，扩散的电子与电离施
28、主在体内形成内建电场E内建，该电场又进一步阻挡电子的扩散。证明：考虑一块n型半导体,施主浓度随x的增加而下降,你现在浏览的是第五十七页，共74页对于非简并半导体：你现在浏览的是第五十八页，共74页你现在浏览的是第五十九页，共74页1、阻挡层与反阻挡层的形成、阻挡层与反阻挡层的形成 2、肖特基势垒的定量特性、肖特基势垒的定量特性 3、欧姆接触的特性、欧姆接触的特性 半导体界面及接触现象半导体界面及接触现象 半半接触PN结金半接触你现在浏览的是第六十页，共74页6.1 -结结一一.-结的形成结的形成在一块在一块 n 型半导体基片的一侧掺入型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，由于杂质的较高浓度
29、的受主杂质，由于杂质的补偿作用，该区就成为型半导体。补偿作用，该区就成为型半导体。由于区的电子向区扩散，区的由于区的电子向区扩散，区的空穴向区扩散，空穴向区扩散，在型半导体和在型半导体和型半导体的交界面附近产生了一个电型半导体的交界面附近产生了一个电场场,称为内称为内建场建场。你现在浏览的是第六十一页，共74页P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。内电场越强，就使漂移运内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电动越强，而漂移使空间电荷区变薄。荷区变
30、薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。你现在浏览的是第六十二页，共74页漂移运动漂移运动P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。定不变。你现在浏览的是第六十三页，共74页+空间电空间电荷区荷区N型区型区P型区型区电位电位VV0你现在浏览的是第六十四页，共74页考虑到考虑到P-结的存在，半导体中电子的能量应考结的存在，半导体中电子的能量应考虑进这内建场带来的电子附加
31、势能。虑进这内建场带来的电子附加势能。电子的能带出现弯曲现象。电子的能带出现弯曲现象。P型半导体能带型半导体能带n型半导体能带型半导体能带你现在浏览的是第六十五页，共74页导带导带导带导带P-N结结价带价带价带价带你现在浏览的是第六十六页，共74页二二.-结的单向导电性结的单向导电性.正向偏压正向偏压在在-结结的的p型区接型区接电源正极，电源正极，叫正向偏压。叫正向偏压。阻挡层势垒被削弱、变窄，阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴有利于空穴向向N区运动，电子向区运动，电子向P区运动，区运动，形成正向电流（形成正向电流（m级）。级）。p型型n型型I你现在浏览的是第六十七页，共74页外加正向电压越大
32、，外加正向电压越大，正向电流也越大，正向电流也越大，而且是呈非线性的而且是呈非线性的伏安特性伏安特性(图为锗管图为锗管)。V（伏）（伏）（毫安）（毫安）正向正向00.21.0I你现在浏览的是第六十八页，共74页.反向偏压反向偏压在在-结的型区接电源负极结的型区接电源负极,叫反向偏压。叫反向偏压。阻挡层势垒增阻挡层势垒增大、变宽，大、变宽，不不利于空穴向利于空穴向区运动，也不区运动，也不利于电子向利于电子向P区区运动运动,没有正向没有正向电流。电流。p型型n型型I你现在浏览的是第六十九页，共74页但是，由于少数但是，由于少数载流子的存在，载流子的存在，会形成很弱的反会形成很弱的反向电流，向电流，
33、当外电场很强当外电场很强,反向电压超过某一数值后，反向电压超过某一数值后，反向电流会急剧增大反向电流会急剧增大-反向击穿。反向击穿。称为漏电流称为漏电流（级）。级）。击穿电压击穿电压V(伏伏)I-（微安）（微安）反向反向-20-30利用利用P-N结结 可以作成具有整流、开关等作可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管用的晶体二极管（diode）。）。你现在浏览的是第七十页，共74页半导体的功函数半导体的功函数Ws E0与费米能级之差称为半导体与费米能级之差称为半导体的功函数。的功函数。表示从表示从Ec到到E0的能量间隔：的能量间隔：称称为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电为电子的亲和能，它表示要使半导体导带底的电子逸出体外所需要的最小能量。子逸出体外所需要的最小能量。6.2金属和半导体的功函数金属和半导体的功函数影响影响功函数的因素是掺杂浓度、功函数的因素是掺杂浓度、温度和半导体的电子亲和势温度和半导体的电子亲和势.你现在浏览的是第七十一页，共74页金属和半导体接触金属和半导体接触你现在浏览的是第七十二页，共74页接触势垒 Wm-Ws=qVD接触前接触前接触后接触后你现在浏览的是第七十三页，共74页金属一边的势垒金属一边的势垒 半导体一边的势垒半导体一边的势垒 你现在浏览的是第七十四页，共74页