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1、打印有序纳米结构打印有序纳米结构和自组装和自组装你现在浏览的是第一页，共87页关于有序纳米结构关于有序纳米结构v有序纳米结构：是指由零维、一维纳米材料构筑有序纳米结构：是指由零维、一维纳米材料构筑的，在长程范围内具有一定排布规律，有序稳定的，在长程范围内具有一定排布规律，有序稳定的纳米结构的纳米结构v一直以来，科学家都梦想对纳米材料的可控制备，一直以来，科学家都梦想对纳米材料的可控制备，有序纳米结构的出现，实现了这个梦想。因为它有序纳米结构的出现，实现了这个梦想。因为它更强调按照人们的意愿设计、组装、开发纳米材更强调按照人们的意愿设计、组装、开发纳米材料料v因此，有序纳米结构组装体系是今后纳米
2、材料合因此，有序纳米结构组装体系是今后纳米材料合成研究的主导领域，是将纳米材料走向器件应用成研究的主导领域，是将纳米材料走向器件应用的关键一步的关键一步你现在浏览的是第二页，共87页分类分类纳米尺度的加工技术有两类：纳米尺度的加工技术有两类：v“自上而下自上而下”方式方式(Top-down)用用光线光线或或电子束电子束等削除大片材料，从而留等削除大片材料，从而留下所需要的下所需要的微细图形微细图形结构，主要用于制结构，主要用于制造存储器和造存储器和CPU等半导体器件，等半导体器件，如纳米如纳米刻蚀技术。刻蚀技术。v“自下而上自下而上”方式方式(Bottom-up)用人工手段把原子或分子一层一层
3、淀积来，用人工手段把原子或分子一层一层淀积来，形成新的晶体结构，从而造出新的物质或者形成新的晶体结构，从而造出新的物质或者新的器件，新的器件，如自组装方法如自组装方法。你现在浏览的是第三页，共87页主要内容主要内容纳米刻蚀技术纳米刻蚀技术1自组装技术自组装技术2自下而上和自上而下相结合制备自下而上和自上而下相结合制备有序纳米结构有序纳米结构有序纳米结构的应用有序纳米结构的应用4你现在浏览的是第四页，共87页v纳米刻蚀技术是一种微细加工技术纳米刻蚀技术是一种微细加工技术v它的发展将加工精度从它的发展将加工精度从微米级微米级提高到提高到纳米级。纳米级。v纳米级加工是将待加工器件表面的纳米结构单元、
4、纳米级加工是将待加工器件表面的纳米结构单元、甚至是原子或分子作为直接的加工对象，因此，甚至是原子或分子作为直接的加工对象，因此，其物理实质就是实现原子和分子的去除和增添其物理实质就是实现原子和分子的去除和增添v纳米加工的发展为各种新颖的电子学、光学、磁纳米加工的发展为各种新颖的电子学、光学、磁学、力学纳米功能器件的开发提供了广阔前景学、力学纳米功能器件的开发提供了广阔前景1、纳米刻蚀技术、纳米刻蚀技术你现在浏览的是第五页，共87页纳米刻蚀技术纳米刻蚀技术极紫外光刻（极紫外光刻（EUVL）X射线光刻（射线光刻（XRL）电子束刻蚀（电子束刻蚀（EBL）离子束刻蚀（离子束刻蚀（IBL）纳米压印技术（
5、纳米压印技术（NIL）其它纳米刻蚀技术其它纳米刻蚀技术纳米掩膜刻蚀技术纳米掩膜刻蚀技术基于扫描探针显微镜基于扫描探针显微镜的纳米刻蚀技术的纳米刻蚀技术蘸笔纳米印刷术蘸笔纳米印刷术你现在浏览的是第六页，共87页极紫外光刻（极紫外光刻（EUVL）和）和X射线光刻（射线光刻（XRL）ExtremeUltravoiletLithography,EUVL;X-RayLithography,XRL你现在浏览的是第七页，共87页传统光刻工艺中的一些基本概念传统光刻工艺中的一些基本概念v光刻：光刻：利用光致抗蚀剂的光敏性和抗蚀性，配合光掩膜板对光透射的选择性，利用光致抗蚀剂的光敏性和抗蚀性，配合光掩膜板对光透
6、射的选择性，使用光学和化学的方法完成特定区域刻蚀的过程使用光学和化学的方法完成特定区域刻蚀的过程v光致刻蚀剂：光致刻蚀剂：简称光刻胶或抗蚀剂，是一种光照后可改变抗蚀能力的高分子化合物。区简称光刻胶或抗蚀剂，是一种光照后可改变抗蚀能力的高分子化合物。区分为正、负抗蚀剂两种分为正、负抗蚀剂两种v正抗蚀剂：正抗蚀剂：紫外光照后，曝光区域在显影液中变得可溶紫外光照后，曝光区域在显影液中变得可溶v负抗蚀剂：负抗蚀剂：光照后，曝光区域在显影液中变得不可溶光照后，曝光区域在显影液中变得不可溶v光掩膜板：光掩膜板：俗称光掩膜或光刻板，是指在光照时覆盖于光刻胶膜上，除特定区俗称光掩膜或光刻板，是指在光照时覆盖于
7、光刻胶膜上，除特定区域外均对光有掩蔽作用的图样域外均对光有掩蔽作用的图样你现在浏览的是第八页，共87页光刻技术光刻技术主要包括主要包括图形复印图形复印和和定域刻蚀定域刻蚀两个方面。两个方面。v图形复印图形复印经曝光系统将预制在掩模板上的器件或电路图形按所要求的位置，精经曝光系统将预制在掩模板上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。光通过光确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。光通过光掩模板透射到光致抗蚀剂上，通过改变抗蚀剂的化学性质和溶解性，掩模板透射到光致抗蚀剂上，通过改变抗蚀剂的化学性质和溶解性，在基片上印上一定图样的电路。在基
8、片上印上一定图样的电路。即用普通光学手即用普通光学手段将模板上的图段将模板上的图形透射到抗蚀剂形透射到抗蚀剂层层(曝光工序曝光工序)，经显影在曝光区经显影在曝光区(对于正抗蚀剂对于正抗蚀剂)或未曝光区或未曝光区(对于对于负抗蚀剂负抗蚀剂)便能留便能留下干净的半导体表下干净的半导体表面，流程图见图面，流程图见图5-2。你现在浏览的是第九页，共87页传统光刻工艺过程传统光刻工艺过程定域刻蚀定域刻蚀v定域刻蚀：利用化学或物理方法，将光刻胶薄层未掩蔽的定域刻蚀：利用化学或物理方法，将光刻胶薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与
9、光刻胶薄层图形完全一致的图形。与光刻胶薄层图形完全一致的图形。复印好的图形复印好的图形腐蚀腐蚀继续腐蚀继续腐蚀沉积沉积剥离剥离剥离剥离传统光刻工艺中的定域刻蚀过程示意图传统光刻工艺中的定域刻蚀过程示意图介质层介质层抗蚀剂抗蚀剂衬底衬底沉积物沉积物你现在浏览的是第十页，共87页分辨率和焦深分辨率和焦深v在光刻技术中，对成像质量的评价有在光刻技术中，对成像质量的评价有2个重要指标：个重要指标：v分辨率：分辨率：即能分辨的最小线宽，线宽越小，分辨率越高。分辨率决即能分辨的最小线宽，线宽越小，分辨率越高。分辨率决定了芯片上单个器件的最小尺寸定了芯片上单个器件的最小尺寸v焦深：焦深：即能够刻出最小线宽时
10、，像面偏离理想脚面的范围。即能够刻出最小线宽时，像面偏离理想脚面的范围。焦深越大，对图形制作越有利焦深越大，对图形制作越有利你现在浏览的是第十一页，共87页瑞利定律瑞利定律v根据瑞利定律根据瑞利定律v减小减小波长、增加波长、增加数值孔径数值孔径、减小、减小k1和和k2是等都可以是等都可以提高提高光刻的光刻的分辨率，其中分辨率，其中减小波长减小波长是是提高提高光刻分辨率的主要手段光刻分辨率的主要手段v曝光系统的极限分辨率为曝光系统的极限分辨率为/2，即半波，即半波长长。因此，波。因此，波长为长为193nm的光源（的光源（ArF激光器）分辨率可达激光器）分辨率可达100nm；157nm的光源的光源
11、（F2激光器）可达激光器）可达80nmv为为制制备备更小尺寸的微更小尺寸的微结结构，人构，人们对们对光源不断改光源不断改进进，即出，即出现现了极紫外光刻技了极紫外光刻技术术(EUVL)和和X射射线线光刻技光刻技术术（XRL）你现在浏览的是第十二页，共87页极紫外光刻技术极紫外光刻技术(EUVL)v用波长范围为用波长范围为1114nm的光，经过周期性多层膜反射镜，的光，经过周期性多层膜反射镜，照射到反射掩模上，反射出的照射到反射掩模上，反射出的 EUV光再经过投影系统，光再经过投影系统，将掩模图形形成在硅片的光刻胶上将掩模图形形成在硅片的光刻胶上(图图5-4)。你现在浏览的是第十三页，共87页极
12、紫外光刻技术极紫外光刻技术v极紫外光的波长可达极紫外光的波长可达1114nm，采用，采用Si和和Mo组成组成的多层膜作为掩模板，可实现理论分辨率为的多层膜作为掩模板，可实现理论分辨率为7nm的光刻的光刻EUVL光刻实例光刻实例你现在浏览的是第十四页，共87页X射线光刻技术射线光刻技术vX射线的波长更短，通常采用射线的波长更短，通常采用0.41.4nm的的X射线。射线。XRL光刻实例光刻实例你现在浏览的是第十五页，共87页电子束刻蚀（电子束刻蚀（EBL）和离子束刻蚀（）和离子束刻蚀（IBL）你现在浏览的是第十六页，共87页电子束刻蚀和离子束刻蚀电子束刻蚀和离子束刻蚀v在光学光刻技术中，由于极紫外
13、线很容易被各种在光学光刻技术中，由于极紫外线很容易被各种材料所吸收，继续缩短波长很难找到制作光学系材料所吸收，继续缩短波长很难找到制作光学系统和掩模板的材料，这使得光学光刻在技术上遇统和掩模板的材料，这使得光学光刻在技术上遇到了难以跨越的困难到了难以跨越的困难v而带电粒子束（电子和离子）刻蚀，则具有而带电粒子束（电子和离子）刻蚀，则具有无须无须掩模掩模、波长更短波长更短以及以及用电磁透镜聚焦用电磁透镜聚焦的优点的优点v这使得人们将目标从光学光刻转到了电子束或粒这使得人们将目标从光学光刻转到了电子束或粒子束刻蚀上子束刻蚀上你现在浏览的是第十七页，共87页电子束刻蚀电子束刻蚀v电子束的辐射波长则可
14、通过增大能量来大大缩短电子束的辐射波长则可通过增大能量来大大缩短v其中其中为为波波长长，h为为普朗克常数，普朗克常数，m0为电为电子子质质量，量，c电电子的运子的运动动速度速度v因此电子束曝光的分辨率要远远超过光学光刻，电子束曝因此电子束曝光的分辨率要远远超过光学光刻，电子束曝光制作的最小器件尺寸可达光制作的最小器件尺寸可达1020nm，若加速电压高达，若加速电压高达100kV时，则可制作时，则可制作12nm的单电子器件的单电子器件你现在浏览的是第十八页，共87页电子束刻蚀电子束刻蚀图图5-9 EBL技术实例技术实例你现在浏览的是第十九页，共87页电子束刻蚀的缺点电子束刻蚀的缺点v电子束刻蚀也
15、存在一些严重缺点：电子束刻蚀也存在一些严重缺点：刻蚀速度极慢，无法工业化批量生产刻蚀速度极慢，无法工业化批量生产 因电子质量轻，感光胶过程中散射范围大，散射电子会影因电子质量轻，感光胶过程中散射范围大，散射电子会影响邻近电路图形的曝光质量响邻近电路图形的曝光质量v目前的趋势是，将电子束刻蚀与光学光刻混合，目前的趋势是，将电子束刻蚀与光学光刻混合，即大部分工艺由光学光刻完成，精细图形由电子即大部分工艺由光学光刻完成，精细图形由电子束刻蚀完成束刻蚀完成你现在浏览的是第二十页，共87页离子束刻蚀离子束刻蚀v离子束刻蚀的加工原理与电子束类似离子束刻蚀的加工原理与电子束类似v采用高能离子的轰击作用直接对
16、被加工工件进行采用高能离子的轰击作用直接对被加工工件进行物理溅蚀，以实现原子级的微细加工物理溅蚀，以实现原子级的微细加工你现在浏览的是第二十一页，共87页CPU制造制造沙子沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而沙子(尤其是石英尤其是石英)最多包含最多包含2525的硅元素，以二氧化硅的硅元素，以二氧化硅(SiO2)(SiO2)的形式存在，的形式存在，这也是半导体产业的基础。这也是半导体产业的基础。你现在浏览的是第二十二页，共87页CPU制造制造硅熔炼：硅熔炼：通过多步净化得到可用于半导体制造的硅，学名通过多步净化得到可用于半导体制造的硅，学名电子级硅电子级硅(EGS
17、)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。你现在浏览的是第二十三页，共87页CPU制造制造单晶硅锭单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，硅纯度：整体基本呈圆柱形，硅纯度99.9999。你现在浏览的是第二十四页，共87页CPU制造制造硅锭切割硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆的晶圆(Wafer)。你现在浏览的是第二十五页，共87页CPU制造制造晶圆晶圆：
18、切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。甚至可以当镜子。Intel自己并不生产这种晶圆，而是直接自己并不生产这种晶圆，而是直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工。购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工。你现在浏览的是第二十六页，共87页CPU制造制造光刻胶光刻胶(PhotoResist)：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常程中浇上去的光刻胶液体，晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。薄、非常平。你现在浏览的是第二十七页，共87页CPU制造制造光
19、刻一：光刻一：光刻胶层随后透过掩模被曝光在紫外线之下，期间光刻胶层随后透过掩模被曝光在紫外线之下，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上预先设计好的电路图案就会复印在光刻胶层上，在光刻胶模上预先设计好的电路图案就会复印在光刻胶层上，在光刻胶层上形成微处理器的每一层电路图案。层上形成微处理器的每一层电路图案。你现在浏览的是第二十八页，共87页CPU制造制造光刻二光刻二：一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从：一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到单个上，了解如何制作晶体管等这里开始把视野缩小到单
20、个上，了解如何制作晶体管等部件，一个针头上就能放下大约部件，一个针头上就能放下大约3000万个晶体管。万个晶体管。你现在浏览的是第二十九页，共87页CPU制造制造溶解光刻胶溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致掉，清除后留下的图案和掩模上的一致你现在浏览的是第三十页，共87页CPU制造制造蚀刻蚀刻：用化学物质将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面溶解掉，：用化学物质将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面溶解掉，从而在晶片表面上获得与光刻胶薄层图形完全一致的图形。从而在晶片表面上获得与光刻胶薄层图形完全一致的图形。你现在浏览的是第
21、三十一页，共87页CPU制造制造清除光刻胶清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。清除后就可以看到设计好的电路图案。你现在浏览的是第三十二页，共87页CPU制造制造光刻胶光刻胶：再次浇上光刻胶：再次浇上光刻胶(蓝色部分蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。料。你现在浏览的是第三十三页，共87页CPU制造制造离子注入离子注入(IonImplantation)：在真空系统中，用经过加速：在
22、真空系统中，用经过加速的离子照射的离子照射(注入注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。注入层，并改变这些区域的硅的导电性。你现在浏览的是第三十四页，共87页CPU制造制造清除光刻胶清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域区域(绿色部分绿色部分)已掺杂，注入了不同的原子。已掺杂，注入了不同的原子。你现在浏览的是第三十五页，共87页CPU制造制造晶体管就绪晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在蚀刻出三个孔洞，：至此，晶体管已经基本完成。在蚀刻出三个孔洞，并填充铜，
23、以便和其它晶体管互连。并填充铜，以便和其它晶体管互连。铜层铜层：电镀完成后，形成：电镀完成后，形成一个薄薄的铜层。一个薄薄的铜层。你现在浏览的是第三十六页，共87页CPU制造制造晶圆切片晶圆切片(Slicing)：将晶圆切割成块，每一块就是一个处：将晶圆切割成块，每一块就是一个处理器的内核。理器的内核。你现在浏览的是第三十七页，共87页CPU制造制造单个内核单个内核：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，：内核级别。从晶圆上切割下来的单个内核，封装：衬底封装：衬底(基片基片)、内核、散热片堆叠在一起，就形成了、内核、散热片堆叠在一起，就形成了我们看到的处理器的样子。衬底我们看到的处理器的样子。
24、衬底(绿色绿色)相当于一个底座，并相当于一个底座，并为处理器内核提供电气与机械界面，便于与为处理器内核提供电气与机械界面，便于与PC系统的其它部系统的其它部分交互。散热片分交互。散热片(银色银色)就是负责内核散热。就是负责内核散热。你现在浏览的是第三十八页，共87页纳米压印技术纳米压印技术纳米压印技术（纳米压印技术（NIL）你现在浏览的是第三十九页，共87页纳米压印技术纳米压印技术v纳米压印光刻技术始于纳米压印光刻技术始于Chou教授主持的普林斯顿教授主持的普林斯顿大学的纳米结构实验室大学的纳米结构实验室v它是通过将具有纳米图案的模板以机械力（高温、它是通过将具有纳米图案的模板以机械力（高温、
25、高压）压在涂有高分子材料的硅基板上，是等比高压）压在涂有高分子材料的硅基板上，是等比例压印复制纳米图案例压印复制纳米图案v其加工分辨率只与模板图案尺寸有关，不受光学其加工分辨率只与模板图案尺寸有关，不受光学光刻的最短曝光波长的限制光刻的最短曝光波长的限制v这种光刻方法具有成本低、效率高的特点，有望这种光刻方法具有成本低、效率高的特点，有望成为下一代电子和光电子产业的基本技术成为下一代电子和光电子产业的基本技术你现在浏览的是第四十页，共87页纳米压印技术纳米压印技术v纳米压印技术主要有纳米压印技术主要有3种：种：(1)热压印技术（热压印技术（HEL）(2)紫外压印（紫外压印（UV-NIL）(3)
26、微接触印刷（微接触印刷（CP）你现在浏览的是第四十一页，共87页热压印技术（热压印技术（HEL）v热压印技术是在微纳米尺度获得并进行复制结构热压印技术是在微纳米尺度获得并进行复制结构的一种低成本而快速的方法，其工艺如下：的一种低成本而快速的方法，其工艺如下：热压印技术的工艺流程热压印技术的工艺流程v热压印过程须在热压印过程须在1Pa的真空下进行，以避免由于空的真空下进行，以避免由于空气气泡的存在造成压印图案畸变气气泡的存在造成压印图案畸变v热压印印章选用热压印印章选用SiC材料制造，是因为材料制造，是因为SiC材料硬度材料硬度大、化学稳定性好大、化学稳定性好你现在浏览的是第四十二页，共87页热
27、压印技术（热压印技术（HEL）实例）实例 图中左图为硅印章，中图为在硅圆片上的纳图中左图为硅印章，中图为在硅圆片上的纳米图案，右图为线宽为米图案，右图为线宽为200nm的条线图案的条线图案热压印技术实例热压印技术实例你现在浏览的是第四十三页，共87页纳米压印技术实例纳米压印技术实例紫外压印实例紫外压印实例v上图展示的紫外压印得到的直径为上图展示的紫外压印得到的直径为50nm的平行柱状阵列、纳米片阵的平行柱状阵列、纳米片阵列和列和60角两次交叉压印的金刚石状阵列角两次交叉压印的金刚石状阵列你现在浏览的是第四十四页，共87页微接触印刷微接触印刷v是用弹性模板结合自组装单分子层技术在基片上是用弹性模
28、板结合自组装单分子层技术在基片上印刷图形的技术印刷图形的技术v是一种形成高质量微结构的低成本方法，可直接是一种形成高质量微结构的低成本方法，可直接用于大面积的简单图案的制作用于大面积的简单图案的制作v适用于微米至纳米级图形的制作，最小分辨率可适用于微米至纳米级图形的制作，最小分辨率可达达35nmv在微制造，生物传感器、表面性质研究方面有重在微制造，生物传感器、表面性质研究方面有重要应用要应用你现在浏览的是第四十五页，共87页上述三种纳米压印技术（上述三种纳米压印技术（NIL）的特点）的特点vNIL技术除具有操作简单的优点外，还具有一个技术除具有操作简单的优点外，还具有一个突出的优点突出的优点v
29、就是采用层层压印的方式获得三维有序纳米结构就是采用层层压印的方式获得三维有序纳米结构图图5-14 多层压印技术及其实例多层压印技术及其实例你现在浏览的是第四十六页，共87页自组装技术自组装技术2、自组装技术、自组装技术你现在浏览的是第四十七页，共87页v自组装是自然界普遍存在的现象，生物的细胞、自组装是自然界普遍存在的现象，生物的细胞、动物的骨骼、贝壳、珍珠、天然矿物沸石等，皆动物的骨骼、贝壳、珍珠、天然矿物沸石等，皆是大自然自组装的具有纳米结构的材料是大自然自组装的具有纳米结构的材料图图5-17 浮游生物体内有序的石灰质结构浮游生物体内有序的石灰质结构自组装技术自组装技术你现在浏览的是第四十
30、八页，共87页自组装技术自组装技术v人为利用自组装技术合成材料仅有人为利用自组装技术合成材料仅有20年的历史。年的历史。普遍认为纳米材料的自组装是在合适的物理、化普遍认为纳米材料的自组装是在合适的物理、化学条件下，原子、分子、粒子和其它结构单元，学条件下，原子、分子、粒子和其它结构单元，通过氢键、范德华力、静电力等非共价键的相互通过氢键、范德华力、静电力等非共价键的相互作用、亲水作用、亲水-疏水相互作用，在系统能量最低性原疏水相互作用，在系统能量最低性原理的驱动下，自发形成具有纳米结构材料的过程理的驱动下，自发形成具有纳米结构材料的过程v对自组装过程，最重要的驱动力是对自组装过程，最重要的驱动
31、力是各结构单元之各结构单元之间的相互作用能。间的相互作用能。你现在浏览的是第四十九页，共87页微观粒子间的相互作用能微观粒子间的相互作用能你现在浏览的是第五十页，共87页微观粒子间的相互作用能微观粒子间的相互作用能v首先，纳米粒子都是带电的，所以粒子之间存在首先，纳米粒子都是带电的，所以粒子之间存在静电力静电力v其次，粒子之间永远存在一种引力，即范德华力。其次，粒子之间永远存在一种引力，即范德华力。v粒子间的相互作用能就是由静电斥力和范德华引粒子间的相互作用能就是由静电斥力和范德华引力共同作用的结果，即力共同作用的结果，即DLVO理论理论你现在浏览的是第五十一页，共87页自组装技术自组装技术v
32、1.表面活性剂分子的自组装表面活性剂分子的自组装v2.微乳液法自组装微乳液法自组装v3.利用范德瓦尔斯力自组装利用范德瓦尔斯力自组装v4.利用静电引力自组装利用静电引力自组装v5.模板法自组装模板法自组装v6.气相催化自组装气相催化自组装v7.利用表面张力和毛细管力自组装利用表面张力和毛细管力自组装v8.取向搭接自组装取向搭接自组装你现在浏览的是第五十二页，共87页表面活性剂的结构表面活性剂的结构v表面活性剂：头部至少有一个亲水性基团，尾部表面活性剂：头部至少有一个亲水性基团，尾部有一个疏水性基团，低浓度下，可吸附在表面或有一个疏水性基团，低浓度下，可吸附在表面或界面上来降低表面能界面上来降低
33、表面能表面活性剂分子的结构示意图表面活性剂分子的结构示意图你现在浏览的是第五十三页，共87页表面活性剂的存在状态及临界胶束浓度表面活性剂的存在状态及临界胶束浓度v表面活性剂分子存在的表面活性剂分子存在的2种状态：种状态：分散状态：即分子的游离状态分散状态：即分子的游离状态 凝聚状态：即形成胶束的状态凝聚状态：即形成胶束的状态v溶液成分不同，可能形成球溶液成分不同，可能形成球形、类棒状、有序六角、形、类棒状、有序六角、立方、片状、层状、反向立方、片状、层状、反向等胶束等胶束v含有有序胶束结构的溶液脱含有有序胶束结构的溶液脱水后变为凝胶、在经过干燥、水后变为凝胶、在经过干燥、焙烧、如果骨架不塌陷，
34、就焙烧、如果骨架不塌陷，就成为有序介孔材料成为有序介孔材料几种胶束的结构示意图几种胶束的结构示意图你现在浏览的是第五十四页，共87页微乳液法自组装微乳液法自组装v微乳液法也称作表面活性剂模板法，利用表面活微乳液法也称作表面活性剂模板法，利用表面活性剂分子在溶液中可聚集形成胶团（反胶束）、性剂分子在溶液中可聚集形成胶团（反胶束）、微乳液（反相微乳液）、液晶及囊泡等多种有序微乳液（反相微乳液）、液晶及囊泡等多种有序微结构微结构v这些微结构大都在纳米尺度范围内，可为化学反这些微结构大都在纳米尺度范围内，可为化学反应提供特殊的微环境，即可以作为微反应器，也应提供特殊的微环境，即可以作为微反应器，也可以
35、起到模板的作用可以起到模板的作用v利用表面活性剂模板法已经制备了氧化物、卤化利用表面活性剂模板法已经制备了氧化物、卤化物、硫属化合物、金属、聚合物、配合物以及无物、硫属化合物、金属、聚合物、配合物以及无机盐等多种纳米结构材料机盐等多种纳米结构材料你现在浏览的是第五十五页，共87页微乳液法自组装微乳液法自组装v例如：利用表面活性剂的吸附、隔离等作用，再例如：利用表面活性剂的吸附、隔离等作用，再经过自组装得到的经过自组装得到的Co和和FePt的有序图案的有序图案图图5-20 微乳液法自组装微乳液法自组装Co和和FePt的有序纳米结构的有序纳米结构你现在浏览的是第五十六页，共87页利用范德华力自组装
36、利用范德华力自组装v利用范德华力将一种或两种不同材料、不同粒度利用范德华力将一种或两种不同材料、不同粒度的纳米微粒组装在一起，可分别形成一元或二元的纳米微粒组装在一起，可分别形成一元或二元晶体（晶体（BNSL）结构）结构v自组装过程的推动力是纳米粒子堆积密度的最大自组装过程的推动力是纳米粒子堆积密度的最大化，这与范德华力结合的本质是一致的化，这与范德华力结合的本质是一致的v这种自组装方法对于设计具有新性质的纳米尺度这种自组装方法对于设计具有新性质的纳米尺度的材料具有重要意义的材料具有重要意义你现在浏览的是第五十七页，共87页材料学院材料学院58第五章第五章 有序纳米结构及其应用有序纳米结构及其
37、应用范德华力自组装实例范德华力自组装实例图图5-21 二元纳米粒子自组装为超晶格结构的二元纳米粒子自组装为超晶格结构的SEM照片照片（其组装单元间右下角的插图）（其组装单元间右下角的插图）你现在浏览的是第五十八页，共87页利用静电力自组装利用静电力自组装v王中林等发现，沿着王中林等发现，沿着0001方向生长的方向生长的ZnO纳米带纳米带的两侧具有不同的电性，锌原子富集的一侧表现出的两侧具有不同的电性，锌原子富集的一侧表现出正电性，而氧原子富集的另外一侧表现出负电性。正电性，而氧原子富集的另外一侧表现出负电性。于是，在静电力的诱导下，这种一维的纳米带结构于是，在静电力的诱导下，这种一维的纳米带结
38、构会自组装成三维右手螺旋状结构。由于这一结构具会自组装成三维右手螺旋状结构。由于这一结构具有最小的整体能量，因此可以稳定存在有最小的整体能量，因此可以稳定存在你现在浏览的是第五十九页，共87页利用静电力自组装利用静电力自组装ZnO纳米带的静电力自组装纳米带的静电力自组装你现在浏览的是第六十页，共87页利用静电力自组装利用静电力自组装静电力自组装静电力自组装ZnO纳米棒为花状结构纳米棒为花状结构你现在浏览的是第六十一页，共87页图图(a)和和(b)分别为聚苯乙烯和分别为聚苯乙烯和SiO2模板球的照片。用液态的前驱模板球的照片。用液态的前驱物将模板球之间的空隙填满，引发反应后再除去模板球，即可合物
39、将模板球之间的空隙填满，引发反应后再除去模板球，即可合成出具有大孔径的有序结构。填充间隙的液态前驱体可以是由紫成出具有大孔径的有序结构。填充间隙的液态前驱体可以是由紫外光、热引发的预聚物，加了引发剂的有机单体，也可以是无机外光、热引发的预聚物，加了引发剂的有机单体，也可以是无机陶瓷材料的陶瓷材料的sol-gel前驱体、无机盐溶液，还可以是胶态的金属前驱体、无机盐溶液，还可以是胶态的金属微粒。采用这种模板球已经大量合成了大孔聚氨基甲酸乙酯等高微粒。采用这种模板球已经大量合成了大孔聚氨基甲酸乙酯等高分子材料、多孔的分子材料、多孔的SiO2、(La,Sr)MnO3、Nb2O5无机材料以及介无机材料以
40、及介孔孔Au等金属材料。等金属材料。模板法自组装模板法自组装你现在浏览的是第六十二页，共87页模板法自组装模板法自组装你现在浏览的是第六十三页，共87页下图为合成的多孔高分子材料的下图为合成的多孔高分子材料的SEM照片，图照片，图5-26(a)为材料的为材料的表面形貌，图表面形貌，图5-26(b)为撕开的横截面形貌，显示了有序的大孔为撕开的横截面形貌，显示了有序的大孔洞。如果在填充模板球空隙的液态前驱体中加入合适的模板剂，洞。如果在填充模板球空隙的液态前驱体中加入合适的模板剂，则填充液体能在一定的条件下自组装成有序的介孔结构，形成则填充液体能在一定的条件下自组装成有序的介孔结构，形成大孔和介孔
41、复合的有序结构。图大孔和介孔复合的有序结构。图5-26(c)为具有两种不同孔径复为具有两种不同孔径复合的多孔合的多孔SiO2，显示两个长度范围内的有序排列，闭合的中空堆，显示两个长度范围内的有序排列，闭合的中空堆积积(约约120nm)和自组装纳米孔洞和自组装纳米孔洞(45nm)。模板法自组装模板法自组装你现在浏览的是第六十四页，共87页模板法自组装模板法自组装你现在浏览的是第六十五页，共87页气相催化自组装气相催化自组装v这种方法可将同质一维纳米线或晶格高度匹配的这种方法可将同质一维纳米线或晶格高度匹配的异质一维纳米材料组装在一起，形成三维复杂的异质一维纳米材料组装在一起，形成三维复杂的纳米结
42、构。可区分为：纳米结构。可区分为：v一步法一步法：将前驱反应物（包括催化剂）引入生长腔，通过一次生长将前驱反应物（包括催化剂）引入生长腔，通过一次生长制备出有序复杂纳米结构制备出有序复杂纳米结构v二步法：二步法：在预先制备的纳米材料（纳米线、纳米带）表面喷上一层在预先制备的纳米材料（纳米线、纳米带）表面喷上一层催化剂、以此为基地气相外延二次生长出同质或异质纳米结构，催化剂、以此为基地气相外延二次生长出同质或异质纳米结构，最终形成三维复杂有序纳米结构最终形成三维复杂有序纳米结构你现在浏览的是第六十六页，共87页王中林教授的研究王中林教授的研究ZnO有序纳米结构的气相催化自组装有序纳米结构的气相催
43、化自组装v王中林教授研究组采用直接王中林教授研究组采用直接高温蒸发高温蒸发ZnO和和SnO2粉末粉末制备出了三维复杂有序制备出了三维复杂有序ZnO纳米结构纳米结构v首先，作为主干的首先，作为主干的ZnO纳米纳米线沿线沿0001方向生长，速度方向生长，速度很快，很快，Sn液滴对径向生长影液滴对径向生长影响很小，故径向具有均一的线响很小，故径向具有均一的线径径v第二阶段，表面的第二阶段，表面的Sn液滴催液滴催化二次外延上涨化二次外延上涨ZnO纳米带，纳米带，最终生成蝌蚪状的纳米带最终生成蝌蚪状的纳米带你现在浏览的是第六十七页，共87页利用表面张力和毛细管力自组装利用表面张力和毛细管力自组装v利用这
44、一技术，利用这一技术，Lieber将纳米将纳米线成功进行了线成功进行了限域多层排列，限域多层排列，实现了在限定实现了在限定区域内不同取区域内不同取向的一维纳米向的一维纳米材料的可控自材料的可控自组装组装v在液体的表面或者体相中，通过毛细管力或表面在液体的表面或者体相中，通过毛细管力或表面张力的作用，将一维纳米材料自发地组装成微米张力的作用，将一维纳米材料自发地组装成微米尺度的有序结构尺度的有序结构在液体表面自组装在液体表面自组装BaCrO4纳米棒纳米棒你现在浏览的是第六十八页，共87页取向搭接自组装取向搭接自组装v取向搭接的概念是取向搭接的概念是1998年年R.L.Penn在在Science上
45、提上提出来的。取向搭接：就是在其他内部驱动力较弱出来的。取向搭接：就是在其他内部驱动力较弱情况下，纳米晶粒以相同的晶面相互结合在一起情况下，纳米晶粒以相同的晶面相互结合在一起形成有序图案形成有序图案v纳米粒子在自组装过程中总是在做不停的布朗运纳米粒子在自组装过程中总是在做不停的布朗运动，当相同晶面彼此靠近时，因晶面上原子排列动，当相同晶面彼此靠近时，因晶面上原子排列和晶格间距相同，故可形成更多的化学键，来降和晶格间距相同，故可形成更多的化学键，来降低体系的自由能低体系的自由能v取向搭接提出后，受到了人们的关注，大量新颖取向搭接提出后，受到了人们的关注，大量新颖的纳米结构被合成出来，许多生长机理
46、也得到了的纳米结构被合成出来，许多生长机理也得到了合理的解释合理的解释你现在浏览的是第六十九页，共87页K3Fe(CN)6水解制水解制Fe2O3晶粒晶粒Fe2O3枝晶的取向搭接生长示意图枝晶的取向搭接生长示意图你现在浏览的是第七十页，共87页K3Fe(CN)6水解制水解制Fe2O3晶粒晶粒Fe2O3枝晶的取向搭接自组装枝晶的取向搭接自组装你现在浏览的是第七十一页，共87页有序纳米结构材料的特殊性质决定了其多个领域有有序纳米结构材料的特殊性质决定了其多个领域有重要的应用：重要的应用：（1）电子器件领域的应用）电子器件领域的应用（2）光学器件领域的应用）光学器件领域的应用（3）磁学器件领域的应用）
47、磁学器件领域的应用（4）环境监测领域的应用）环境监测领域的应用（5）高效能量转化领域的应用）高效能量转化领域的应用（6）催化领域的应用）催化领域的应用（7）医学领域的应用）医学领域的应用你现在浏览的是第七十二页，共87页高密度的纳米电路高密度的纳米电路v刻印技术、电子束刻蚀技术、纳米掩膜刻印技术刻印技术、电子束刻蚀技术、纳米掩膜刻印技术等先进技术的出现，为构筑更微型的线路提供了等先进技术的出现，为构筑更微型的线路提供了契机契机高密度的纳米电路高密度的纳米电路你现在浏览的是第七十三页，共87页单电子晶体管单电子晶体管v单电子晶体管单电子晶体管主要依据库伦阻塞效应，利用当前主要依据库伦阻塞效应，利
48、用当前的微电子技术的微电子技术互补金属氧化物半导体技术来互补金属氧化物半导体技术来设计和制备场效应晶体管设计和制备场效应晶体管标准的标准的Si n型沟道型沟道MOSFET示意图示意图图图(a)在平滑在平滑Si基底上组装的基底上组装的Ge量子点有序阵列的量子点有序阵列的AFM图像图像(b)和和(c)为将五条为将五条Ge/Si量子点量子点/线在线在1000退火退火5min后得到的亮场和暗场后得到的亮场和暗场下的下的TEM截面图截面图你现在浏览的是第七十四页，共87页高性能电容器高性能电容器v将形成柱状微区结构的将形成柱状微区结构的PS-PMMA的共聚物为掩膜的共聚物为掩膜纳米刻印技术和通用的半导体
49、加工技术相结合可纳米刻印技术和通用的半导体加工技术相结合可制备制备半导体电容器半导体电容器。v作为作为“漏极漏极”的二氧化硅和氧化铝，通过热处理在的二氧化硅和氧化铝，通过热处理在硅基地上生长，形成具有高电荷存储能力的硅基地上生长，形成具有高电荷存储能力的互补互补性金属氧化物半导体电容器性金属氧化物半导体电容器高性能电容器高性能电容器你现在浏览的是第七十五页，共87页单电子存储器单电子存储器v利用库伦阻塞效应，可设计具有高存储性能的利用库伦阻塞效应，可设计具有高存储性能的单电子存储器单电子存储器“T”形存储器元件结构的示意图形存储器元件结构的示意图(a)电极分离式电极分离式(b)相互交叠式相互交
50、叠式你现在浏览的是第七十六页，共87页量子点光发射装置量子点光发射装置v发光的半导体纳米粒子与聚合物薄膜相结合，可发光的半导体纳米粒子与聚合物薄膜相结合，可组装形成新型光发射材料组装形成新型光发射材料v例如，用例如，用CdSe/CdS核壳结构纳米粒子组装形成的核壳结构纳米粒子组装形成的薄膜，就可以直接用于薄膜，就可以直接用于LED的设计的设计量子点光发射装置量子点光发射装置你现在浏览的是第七十七页，共87页一维纳米材料有序阵列光发射装置一维纳米材料有序阵列光发射装置v用高密度碳纳米管作为发射管，可增加发射电流用高密度碳纳米管作为发射管，可增加发射电流强度和改善发射电流的均匀性，可提高激光器的强