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1、第十七章第十七章 集成电集成电路设计概述路设计概述第1页，此课件共68页哦17.1 引言引言信息产业值占国民经济总值的40%60%微电子工业是国民经济信息化的基石集成电路是微电子技术的核心 如果以单位质量的“钢”对国民生产总值的贡献为1来计算，则小轿车为5，彩电为30，计算机为1000，而集成电路则高达2000。第2页，此课件共68页哦 信息系统的集成可分为三个层次：工程层次、电子系统层次和电路层次。n工程层次：如国家信息高速公路等牵动着各种电子系统的开发。n电子系统层次：即为大型信息工程提供设备，又是电路制造商瞄准的主要市场。n电路层次：主要是微电子产品的开发。第3页，此课件共68页哦17.
2、2 集成电路的发展集成电路的发展Moore Law：集成电路的功能随时间呈指数增长。：集成电路的功能随时间呈指数增长。在单个在单个IC芯片上集成的元件数，即集成电路的集成芯片上集成的元件数，即集成电路的集成度，每度，每18个月增加一倍，个月增加一倍，IC芯片的需求量也以相同芯片的需求量也以相同的速度增加。具体为集成度每三年翻两番、特征尺的速度增加。具体为集成度每三年翻两番、特征尺寸缩小寸缩小0.7倍。倍。Intel公司创始人之一，时任公司创始人之一，时任Fairchild公司研究部主任公司研究部主任Gordon E.Moore于于1964对未来对未来IC发展趋势做了预测发展趋势做了预测第4页，
3、此课件共68页哦Moore定律定律 性能价格比性能价格比n在过去的20年中，改进了1,000,000倍n在今后的20年中，还将改进1,000,000倍n很可能还将持续 40年 第5页，此课件共68页哦微处理器的性能微处理器的性能100 G10 GGiga100 M10 MMegaKilo19701980199020002010Peak Peak Advertised Advertised Performance Performance(PAP)(PAP)MooresMooresLawLawReal AppliedReal AppliedPerformance Performance(RAP)(
4、RAP)41%Growth41%Growth8080808080868086802868028680386803868048680486PentiumPentiumPentiumProPentiumPro第6页，此课件共68页哦第7页，此课件共68页哦第一个点接触式的第一个点接触式的晶体管晶体管(transistor)成为电子现代工业成为电子现代工业的基础的基础Ge 晶体管晶体管获获1956年诺贝尔物理奖年诺贝尔物理奖里程碑式的重大事件（里程碑式的重大事件（1）晶体管的发明晶体管的发明 （1947年）年）预示着微电子学预示着微电子学的诞生的诞生第8页，此课件共68页哦第一块集成电路，1958，
5、Kilby获获2000年诺贝尔物理学奖年诺贝尔物理学奖里程碑式的重大事件（里程碑式的重大事件（2）集成电路的发明集成电路的发明主要贡献：主要贡献：集成电路的思想集成电路的思想第9页，此课件共68页哦第一块单片集成电路，1959，Noyce 在在Si 衬衬 底底 制制 备备 了了 真真 正正 的的 集集 成成 电电 路路1957年，美国年，美国DOF实验实验室首先将室首先将光刻技术引入光刻技术引入到半导体工艺技术中到半导体工艺技术中来。来。Fairchild公司的公司的Noyce将光刻技术和二氧化硅将光刻技术和二氧化硅氧化掩蔽巧妙地结合起氧化掩蔽巧妙地结合起来，实现了精细晶体管来，实现了精细晶体
6、管和集成电路图形结构。和集成电路图形结构。里程碑式的重大事件（里程碑式的重大事件（3）平面加工工艺（光刻）的发明平面加工工艺（光刻）的发明第10页，此课件共68页哦1960年，贝尔实验室的年，贝尔实验室的Kahng和和Atalla制备出了制备出了第一支第一支MOS场效应晶体管场效应晶体管1959年，年，Atalla提出用硅片上热生长提出用硅片上热生长二氧化硅层作为栅绝缘层二氧化硅层作为栅绝缘层A.S.Grove，C.T.Sah，E.H.Snow，B.E.Deal等合作，在等合作，在1967年基本搞清了年基本搞清了Si-SiO2系统的四个电荷的性质系统的四个电荷的性质 里程碑式的重大事件（里程碑
7、式的重大事件（4）MOS器件的发明器件的发明第11页，此课件共68页哦DEC 公公 司司 的的21164 Alpha 微微 处处 理理 器器 芯芯 片片 图图 演演 示示 实实 物物1971年由年由Intel公司制公司制造出造出第一个微处理器第一个微处理器 里程碑式的重大事件（里程碑式的重大事件（5）微处理器的发明微处理器的发明第12页，此课件共68页哦各种规格的奔腾处理器第13页，此课件共68页哦Cu互连的两个主要历史壁垒问题：互连的两个主要历史壁垒问题：铜金属图形加工问题铜金属图形加工问题 铜的污染和扩散问题铜的污染和扩散问题问题的解决：问题的解决：Dual Damascene结构和结构和
8、CMP工艺的发明和集合工艺的发明和集合Cu扩散势垒层技术的发明引入扩散势垒层技术的发明引入铜互连技术的发明（铜互连技术的发明（IBM）。）。里程碑式的重大事件（里程碑式的重大事件（6）第14页，此课件共68页哦铜互连技术的发明（铜互连技术的发明（IBM）。）。第15页，此课件共68页哦 集成电路工艺的发展特点九十年代以来，集成电路工艺发展非常迅速，已从亚微米(0.5到1微米)进入到深亚微米(小于0.5微米)，进而进入到超深亚微米(小于0.25微米)。其主要特点：n 特征尺寸越来越小n 芯片尺寸越来越大n 单片上的晶体管数越来越多n 时钟速度越来越快n 电源电压越来越低n 布线层数越来越多n I
9、/O引线越来越多第16页，此课件共68页哦 表1 发展规划代次的指标年份 1997 1999 2001 2003 2006 2009 2012最小线宽 0.25 0.18 0.15 0.13 0.10 0.07 0.01(m）DRAM容量 256M 1G 1G4G 4G 16G 64G 256G 每片晶体管数 11 21 40 76 200520 1400（M）芯片尺寸 300 440 385 430 520 620 750(平方毫米）频率 750 1200 1400 1600 2000 2500 3000(兆赫）金属化层层数 6 6-7 7 7 7-88-9 9 最低供电电压 1.8-2.5
10、 11.5-1.8 1.2-1.5 1.2-1.5 0.9-1.20.6-0.90.5-0.6（v）最大晶圆直径 200 300 300 300 300 450450（mm）第17页，此课件共68页哦Moores Law and Future IC TechnologiesnMooreLawMooreLaw-Min.transistorfeaturesizedecreasesby0.7Xeverythree-Min.transistorfeaturesizedecreasesby0.7Xeverythreeyearsyears-Trueforatleast30years!(firstpubli
11、shedin1965)-Trueforatleast30years!(firstpublishedin1965)n1997NationalTechnologyRoadmapforSemiconductors1997NationalTechnologyRoadmapforSemiconductors第18页，此课件共68页哦 工艺特征尺寸第19页，此课件共68页哦 单个芯片上的晶体管数第20页，此课件共68页哦 芯片面积第21页，此课件共68页哦 电源电压 第22页，此课件共68页哦 金属布线层数第23页，此课件共68页哦 时钟频率第24页，此课件共68页哦 器件及互连线延迟0 00.50.51
12、 11.51.52 22.52.53 33.53.54 4199719971999199920012001200320032006200620092009延迟值延迟值(ns)(ns)器件内部延迟器件内部延迟2 2厘米连线延迟厘米连线延迟（O O）2 2厘米连线延迟厘米连线延迟（U U）2 2厘米连线延迟约束厘米连线延迟约束第25页，此课件共68页哦n集成电路朝着两个方向发展：n一是在发展微细加工技术的基础上，开发超高速、超高集成度的电路。n二是迅速、全面地利用已达到的或已成熟的工艺技术、设计技术、封装技术、和测试技术等发展各种专用集成电路（ASIC）。n从另一个角度来说，进入90年代以来，电子
13、信息类产品的开发明显地出现了两个特点：n一是开发产品的复杂程度加深，出现SOC。n另一个是开发产品的上市时限紧迫。第26页，此课件共68页哦 图2 多媒体工作站系统集成芯片 第27页，此课件共68页哦 图3 市场窗口 第28页，此课件共68页哦 表2 产品市场寿命 第29页，此课件共68页哦我国集成电路的发展n我国自1956年研制出第一个锗晶体管，1965年制成了第一片集成电路至今，经过30多年的不懈努力，已具备了一定的生产规模和发展基地。n改革开放二十年来，我国信息产业与技术的发展1、发展速度快，产业规模不断扩大 年均增长率达25%以上，信息产业在全国工业总产值中的比例已有1980年的2.0
14、2增长到1999年的7.04。表 19801999年电子信息产业占全国工业总产值的比重第30页，此课件共68页哦 19801999年电子信息产业占全国工业总产值的比重(亿元)900080007000600050004000300020001000 0876543210（%）工业总产值 占全国工业总产值 的比重 1980年 1985年 1990年 1995年 1999年100.2286.4698.124707782第31页，此课件共68页哦2、产品结构不断优化 19801999年电子残品结构变化3、形成了较为齐全的产品门类 集成电路、软件、计算机、信息处理、通信、广播电视、音频和视频、多媒体、元
15、器件。第32页，此课件共68页哦4、对外贸易取得突破性进展，电子信息产品成为我国主要出口 产品 1999年出口总额达到390亿美元，约占1999年全国出口额的20。19801999年电子信息产品出口状况第33页，此课件共68页哦n目前我国的半导体集成电路生产分为三大类：n第一类是企业：上海华虹NEC（HHNEC），0.350.5m的8英寸的集成电路生产线。北京的首钢NEC（SGNEC）有一条0.5-0.8m的6英寸的生产。上海philips（Wafer Foundry）有一条0.8-1.0m的6英寸的生产线。上海贝岭（Beling）有一条1.0-1.5m的4英寸的生产线。无锡华晶有一条0.8-
16、1.0m的6英寸的生产线。绍兴华越有一条从日本富士通引进的二手线，2m的5英寸的生产线。n第二类是科研：清华大学微电子所由IBM捐赠了一条0.5-0.8m的6英寸的生产线。中科院微电子研究中心，有一条0.5m-0.8m 的4英寸的生产线。上海冶金所有一条0.8m 的4英寸的生产线。n第三类是军工：西安771所有一条1-2m 的3英寸的生产线。蚌埠214所（兵工器总公司）有一条2-3m 的3英寸的生产线。第34页，此课件共68页哦n我国集成电路生产能力方面：93年生产的集成电路为1.78亿块，占世界总产量的0.4%，相当于美国1969年的水平，日本1971年的水平。96年为7.09亿块，而199
17、6年国内集成电路市场总用量为67.8亿块,国内市场占有率仅为10。99年为23亿块,销售额70多亿元，国内市场占有率不足20，绝大部分依靠进口。2000年需求量为180亿块，预计可生产32亿块。总之，我国集成电路产业的总体发展水平还很低，与国外相比大约落后15年。第35页，此课件共68页哦17.3 IC的设计要求的设计要求n设计时间n设计的正确性n设计成本n产品性能n设计的可测试性CD设计费CP每片硅片的工艺费V 生产数量y 成品率n 每片硅片的芯片数小批量的产品：减小设计费用；大批量的产品：提高工艺水平，减小芯片尺寸，增大圆片面积第36页，此课件共68页哦17.3 IC的分类及其制造工艺的分
18、类及其制造工艺n按照处理信号的类型分：u数字集成电路（Digital IC）完全按照二进制逻辑进行运算的电路：CPU，DSP，各种组合逻辑门和触发器时序门电路，计数器，寄存器，RAM/ROM等；u模拟集成电路（Analog IC）运放，电压比较器，跟随器，振荡器，DC-DC，稳压器，充电管理芯片等；u数模混合集成电路（Mixed Signal IC）既包含模拟IC，又有数字IC。AD/DA，多数通讯电路，片上系统(SOC)；第37页，此课件共68页哦17.3 IC的分类及其制造工艺的分类及其制造工艺n按构成电路的半导体器件可分为：u双极集成电路（Bipolar IC）uMOS集成电路（MOS
19、IC）u双极 MOS集成电路（BiMOS IC)u砷化镓（GaAs）高速电路n按照电路的应用性质划分：u通用IC：CPU，74系列IC，54系列IC，存储器，DSP等；u专用IC（ASIC）：通讯专用电路，网络专用电路，加密/解密专用电路；第38页，此课件共68页哦17.4 集成电路设计的发展集成电路设计的发展n70年代第一代年代第一代EDA称为计算机辅助设计称为计算机辅助设计CAD优点：设计人员摆脱了繁复、易于出错的手工画图、机械刻制红膜膜片的传统方法，大大提高了版图设计的效率。缺点：不能适应规模较大的设计项目，设计周期长、费用高，返工代价昂贵。第39页，此课件共68页哦七十年代的集成电路设
20、计七十年代的集成电路设计微米级工艺微米级工艺基于晶体管级互连基于晶体管级互连主流主流CAD：图形编辑：图形编辑VddABOut第40页，此课件共68页哦n80年代第二代年代第二代EDA称为计算机辅助工程称为计算机辅助工程CAE优点：逻辑图输入、逻辑模拟、测试码生成、电路模拟、版图设计、版图验证基于一体，构成了较为完整的设计系统。引入了版图与电路之间的一致性检查工具。缺点：设计的最后阶段才进行一致性检查，发现错误修改版图和电路需要付出相当的代价。第41页，此课件共68页哦八十年代的电子系统设计八十年代的电子系统设计 PCB集成集成 工艺无关工艺无关系统系统亚微米级工艺亚微米级工艺依赖工艺依赖工艺
21、基于标准单元互连基于标准单元互连主流主流CAD:门阵列门阵列 标准单元标准单元集成电路芯片集成电路芯片第42页，此课件共68页哦n90年代以后第三代年代以后第三代EDA称为高层次设计自动化称为高层次设计自动化HLDA优点：1、引入了硬件描述语言VHDL和Verilog HDL。2、采用较高的抽象层次进行设计，并按层次式方法进行管理，可大大提高处理复杂设计的能力。3、综合优化工具的采用使芯片的品质得到了优化。第43页，此课件共68页哦90年代以后的系统设计年代以后的系统设计SYSTEM-ON-A-CHIPSYSTEM-ON-A-CHIP深亚微米、超深亚深亚微米、超深亚 微米级工艺微米级工艺基于基
22、于IP复用复用主流主流CAD：软硬件协：软硬件协 同设计同设计MEMORYMEMORYCache/SRAM Cache/SRAM or even DRAMor even DRAMProcessorProcessorCoreCoreDSP DSP Processor Processor CoreCoreGraphicsGraphicsMPEGMPEGVRAMVRAMMotionMotionEncryption/Encryption/DecryptionDecryptionSCSISCSIEISA InterfaceEISA InterfaceGlueGlueGlueGluePCI Interfa
23、cePCI InterfaceI/O InterfaceI/O InterfaceLAN InterfaceLAN Interface第44页，此课件共68页哦集成电路设计与集成电路设计与EDAEDA软件工具软件工具集成电路产业是以市场、设计、制造、应用为主要环节的系统工程。设计是连接市场和制造之间的桥梁，是集成电路产品开发的入口。成功的产品来源于成功的设计，成功的设计取决于优秀的设计工具。图 信息产业市场中的EDA 8000亿US$1000亿US$300亿US$16亿US$信息产业微电子产品ASIC产品EDA产品第45页，此课件共68页哦图 设计和工艺的差距越来越大第46页，此课件共68页哦
24、我国我国IC CADIC CAD发展的过程发展的过程n从七十年代中开始，至今已有二十多年研究历史。n组织和参加了国家第一代（1980-1983）、第二代（1986-1988）和第三代（1988-1991）IC CAD系统的研制，任第二代和第三代系统（PANDA）的总设计师和副总设计师。n国内大学的研究情况:n复旦大学-布图、FPGA、模拟电路n杭州电子工业学院（浙江大学）-布图、模拟n北京大学-器件模型n北京理工大学-综合、验证n上海交通大学-版图验证n哈尔滨工业大学-综合、AHDLn清华大学微电子所、电子工程系-模拟电路、器件模拟第47页，此课件共68页哦国内国内工业界的研究情况国内国内工业
25、界的研究情况n华大集成电路设计中心-版图编辑、验证，VHDL环境，REUSE，PANDA系统已有47家用户，近几年已销售￥3000多万，在国内安装套数占30%nAvanti 上海分公司nLatice上海分公司n其它 第48页，此课件共68页哦nVLSI从设计到制造，需要经过若干步骤，为了使大家有一个总体的了解，我们简要将其概括如下：n1、系统规范化说明（System Specification）包括系统功能、性能、物理尺寸、设计模式、制造工艺、设计周期、设计费用等等。n2、功能设计（Function Design）将系统功能的实现方案设计出来。通常是给出系统的时序图及各子模块之间的数据流图。n
26、 3、逻辑设计（Logic Design）这一步是将系统功能结构化。通常以文本、原理图、逻辑图表示设计结果，有时也采用布尔表达式来表示设计结果。17.5 VLSI设计过程简介设计过程简介第49页，此课件共68页哦4、电路设计（Circuit Design）电路设计是将逻辑设计表达式转换成电路实现。5、物理设计（Physical Design or Layout Design）物理设计或称版图设计是VLSI设计中最费时的一步。它要将电路设计中的每一个元器件包括晶体管、电阻、电容、电感等以及它们之间的连线转换成集成电路制造所需要的版图信息。6、设计验证（Design Verification）在版
27、图设计完成以后，非常重要的一步工作是版图验证。主要包括：设计规则检查（DRC）、版图的电路提取（NE）、电学规检查（ERC）和寄生参数提取（PE）。第50页，此课件共68页哦第51页，此课件共68页哦第52页，此课件共68页哦17.5 VLSI设计中的问题一、成本问题 VLSI的成本包括：设计费用、制造费用及此过程中工程师的工资。二、设计正确性要求 设计的正确性是IC设计中最基本的要求。IC设计一旦完成并送交制造厂生产后，再发现有错误，就需要重新制版、重新流片，这会造成巨大的损失。因此，要保证100的设计正确性。三、设计过程集成化 计算机在集成电路设计中的作用是不可取代的。如果说集成电路在最初
28、发展阶段可以用手工进行设计的话。那麽，如今集成电路设计离开计算机进行辅助设计是无法实现的。第53页，此课件共68页哦n由于IC设计这一独特的限制，就需要有功能更强、性能更好的EDA设计工具将整个集成电路设计过程统一考虑，前后呼应，从全局的观点使系统设计达到最优。n 目前，实际上计算机辅助设计软件及工具几乎渗透了VLSI设计的各个步骤中：工艺模拟、器件模拟、电路分析、逻辑验证、版图验证及参数提取、布图工具、综合工具、计算机辅助设计、封装工具.。四、VLSI设计的可测试性问题 测试在VLSI设计中是一个十分重要的课题。测试的意义在于检查电路是否能按设计要求正常工作。随着VLSI功能的日趋复杂，测试
29、费用所占的比例明显增大，虽然芯片测试是在VLSI生产过程当中进行的，但是为了减小测试所需要的资源，往往在电路设计阶段就要考虑其可测试性的问题，增强测试的简易性。具体做法是在已有的逻辑设计基础上添加一些专门用于测试的辅助电路。第54页，此课件共68页哦17.6 VLSI的设计方法nVLSI设计方法学旨在人工干预设计与CAD工具之间的交互过程中取得尽可能高的设计效率。一、VLSI设计的一般形式 层次式设计是VLSI设计中最广泛使用的方法，它可以简化VLSI设计的复杂性。层次式设计方法分为自顶向下和自底向上两种方法。P5，图1.4给出了这两种层次设计的示意图。层次化设计分为三个域：行为域、结构域和几
30、何域。二、IC层次式设计方法(自顶向下的设计方法例子)系统级、功能级、寄存器传输级、门级、电路级、版图级（物理级）。第55页，此课件共68页哦VLSI设计描述设计描述第56页，此课件共68页哦n计算机描述语言：对于不同的设计层次，都需要用计算机来进行辅助设计。因此，需要有一套计算机能处理的语言来描述设计结果和设计要求。nVHDL(Very High-speed Integrated Circuit Hardware Description Language)。n SPICE是一种用于电路分析的软件工具，它本身规定了一套电路描述方法。nDEF/LEF及YAL都是专门用于布图设计的电路描述语言。n
31、CIF是一种几何描述语言，它用来描述物理版图，该语言是工业界的标准格式，它与另外的两种版图描述语言GDS2、EDIF之间可以相互转换。第57页，此课件共68页哦17.7设计系统的结构框架设计系统的结构框架 n设计系统是一个统一的、协同的、集成化的以数据库为核心的系统。1、统一的数据库。2、操作的协同性3、结构的开放性4、系统的可移植性 n整个软件系统可安装到不同的硬件平台上。这样可组成一个由不同型号工作站所组成的设计系统而共享同一设计数据。也可由低价的个人计算机PC和高性能的工件站共同组成一个系统。第58页，此课件共68页哦17.8传统的集成电路设计方法和现代集成电路的设计方法 一、传统的集成
32、电路制造技术的特点n晶体管和集成电路制造技术发展的初期阶段，集成电路工艺制造技术的进步领先于集成电路的设计技术。n落后的标志：自动化程度极低，各工序环节都处在半自动，甚至是人工控制的层次上。n集成度：每只管芯芯片总面积之内所集成的晶体管个数。n芯片设计所完成的工作电路的线路级设计，逻辑及逻辑功能级设计，器件参数级设计，工艺参数级工艺条件层次上的设计，版图设计，掩膜制造，管芯制造，封装工序，成品测试。第59页，此课件共68页哦传统的设计方法传统的设计方法“自顶向下自顶向下”的设计方法的设计方法顶：集成电路产品用户的要求。下：由电路用户的应用要求出发逐步地细化到制造工艺条件的设计。n先由集成电路的
33、生产厂家根据用户所提出的电路产品的功能要求进行模块组合以完成该产品的逻辑功能设计，在此基础上再着手单元(或称门级)电路的调整、选择与设计，然后以当前的“集成度”水平为主要依据来确定芯片面积，进行电路联线的布局设计及掩模的设计和制造。与此同时，以单元电路的性能参数为指标，确定器件的特性参数并进行器件结构参数的设计。最后，进行工艺条件的估算及工艺条件的设计，这一过程将伴随着反复的投片和工艺参数的提取实验。第60页，此课件共68页哦第61页，此课件共68页哦集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授否否是是行为设计行为设计结构设计结构设计逻辑设计逻辑设计电路设计电
34、路设计版图设计版图设计是是否否否否自顶向下的设计方法自顶向下的设计方法正向设计集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授否否否否否否功能分析功能分析逻辑设计逻辑设计版图设计版图设计是是是是版图解析版图解析电路图提取电路图提取结构修改结构修改电路设计电路设计是是是是逆向设计第62页，此课件共68页哦2、现代的设计方法现代的设计方法“由底向上由底向上”的设计的设计方法方法 现代的设计方法是利用现有的IC通用器件来从下而上组合成一个新的系统。即：在系统划分和分解的基础上先进行单元设计，在单元精心设计后逐步向上进行功能块、子系统设计以至到最终的系统总称。第63页，此
35、课件共68页哦集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授否否是是系统划分、分解系统划分、分解单元设计单元设计功能块设计功能块设计子系统设计子系统设计系统总成系统总成是是否否否否由底向上的设计方法由底向上的设计方法集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授否否否否是是是是版图解析版图解析电路图提取电路图提取功能分析功能分析单元设计单元设计功能块设计功能块设计子系统设计子系统设计系统设计系统设计是是是是正向设计正向设计逆向设计逆向设计第64页，此课件共68页哦3、两者的比较n传统的集成电路制造工艺设计方法是基于传统的经验估算，
36、反复进行投片实验来取得工艺条件的。显然传统的工艺设计方法不仅设计误差大，设计周期长，而且设计费用高。n现代先进的集成电路制造工艺设计方法则在依据科学的理论模型前提下，利用计算机的高速运算来优化出最佳的工艺条件和工艺参数以达到较高的准确性。第65页，此课件共68页哦集成电路设计与制造的主要流程框架设计设计芯片检测芯片检测单晶、外单晶、外延材料延材料掩膜版掩膜版芯片制造芯片制造过程过程封装封装测试测试系系统统需需求求第66页，此课件共68页哦集成电路的设计过程：集成电路的设计过程：设计创意设计创意 +仿真验证仿真验证集成电路芯片设计过程框架集成电路芯片设计过程框架From 吉利久教授吉利久教授是是功能要求功能要求行为设计（行为设计（VHDL）行为仿真行为仿真综合、优化综合、优化网表网表时序仿真时序仿真布局布线布局布线版图版图后仿真后仿真否否是是否否否否是是Sing off第67页，此课件共68页哦ASIC设计流程第68页，此课件共68页哦