《CMOS模拟集成电路设计 复习题一.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《CMOS模拟集成电路设计 复习题一.pptx（15页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、1.以N型MOSFET为例，画出相应的I-V特性曲线，即IDS与 VDS,VGS的关系，并标出MOSFET的线性区和饱和区范围，给出各区域成立的条件 第1页/共15页2.画出一个典型P阱CMOS工艺反向器的垂直剖面示意图，要求器件的各个端口正确连接输入、输出、电源电位和地电位第2页/共15页3.什么是MOSFET小信号跨导，给出饱和区MOSFET小信号跨导的三种表达形式 第3页/共15页4.什么是 MOSFET的亚阈区，指出亚阈区的电流与栅源电压的关系第4页/共15页1.解释什么是体效应？在初步分析MOSFET的时候我们假设衬底和源级是接到地的。而实际上当VBVS时，器件仍能正常工作，但是随着
2、VSB的增加，阈值电压VTH会随之增加，这种体电位（相对于源）的变化影响阈值电压的效应称为体效应，也称为“背栅效应”2.解释什么是沟道长度调制效应？当沟道发生夹断后，如果VDS继续增大，有效沟道长度L会随之减小，导致漏源电流 Id的大小略有上升。这一效应成为“沟道”第5页/共15页4.图(a)是什么结构？图(b)忽略了沟道调制效应和体效应。如果体效应不能忽略，请画出Vin和Vout的关系曲线，并作出解释。第6页/共15页第7页/共15页5.图中MOS管的作用是什么？应该工作在什么工作区？第8页/共15页即NMOS开关不能传递最高电位，仅对低电位是比较理想的开关相对的，PMOS开关不能传递最低电位，仅对高电位是比较理想的开关第9页/共15页第10页/共15页6.计算电路的小信号增益第11页/共15页7.画出下图的小信号等效电路，推导Rin的表达式 第12页/共15页8.第13页/共15页第14页/共15页感谢您的观看。第15页/共15页