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1、第九章工艺集成第1页，本讲稿共14页主要内容集成电路中的无源器件双极型工艺MOSFET技术MESFET技术MEMS技术第2页，本讲稿共14页9.1 无源单元集成电路的电阻集成电路的电容集成电路的电感 三种无源器件制造工艺过程请大家自学第3页，本讲稿共14页PN结隔离双极型集成电路制造工艺 衬底制备（=8-13cm，P型,（111）晶面，300-400m）埋层氧化（埋层扩散的掩蔽膜，1-1.5m；埋层作用降低集电极串联电阻）埋层光刻（刻埋层扩散区窗口）埋层扩散（N+,R20/）工艺流程工艺流程第4页，本讲稿共14页SiO2P-si衬底衬底砷离子注入砷离子注入埋层注入第5页，本讲稿共14页外延（N
2、型Si，=0.3-0.5cm，8-10m）外延层N型外延层型外延层n+埋层埋层第6页，本讲稿共14页（6）隔离光刻（刻隔离墙扩散窗口）N型外延层型外延层n+埋层埋层光刻胶光刻胶SiO2Si3N4隔离光刻隔离光刻第7页，本讲稿共14页（7）隔离扩散（形成P+型隔离墙：P+扩散要穿透外延层与P-Si衬底连通，将N型外延层分割成若干独立得“岛”；两步扩散）N型外延层型外延层n+埋层埋层沟道隔断区硼离子注入沟道隔断区硼离子注入第8页，本讲稿共14页n+埋层埋层nnSiO2P+沟道沟道隔断区隔断区（8）隔离氧化（隔离扩散的掩蔽膜，）隔离氧化（隔离扩散的掩蔽膜，0.6-1m）氧化物隔离第9页，本讲稿共14
3、页（9）形成基区（基区扩散掩蔽膜：0.5-0.8m；nnSiO2P+沟道沟道隔断区隔断区P基区基区基区硼离子注入基区硼离子注入基区硼离子注入形成基区基区硼离子注入形成基区（10）基区扩散（预淀积硼；硼再分布/氧化，氧化得到发射区磷扩散的掩蔽膜，0.5-0.6m；）第10页，本讲稿共14页（1111）发射区光刻（刻出发射区、集电区窗口）发射区光刻（刻出发射区、集电区窗口）（1212）发射区扩散（磷预淀积；再分布）发射区扩散（磷预淀积；再分布/三次氧化）三次氧化）nnSiO2P+沟道沟道隔断区隔断区P基区基区发射区区磷离子注入发射区区磷离子注入N+发射区发射区光刻胶光刻胶发射区与集电区扩散发射区与集电区扩散第11页，本讲稿共14页（13）刻引线孔（刻出电极引线欧姆接 触窗口）（14）蒸铝（真空蒸高纯Al）（15）铝反刻（刻蚀掉电极引线以外的铝层）第12页，本讲稿共14页P+沟道沟道隔断区隔断区nnSiO2P基区基区发射区电极发射区电极基区电极基区电极集电区电集电区电极极n-p-n型晶体管第13页，本讲稿共14页工艺流程（16）初测（17）划片（18）烧结（19）键合（20）中测（21）封帽（22）工艺筛选（23）总测（24）打印、包装、入库。第14页，本讲稿共14页