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1、电子技术基础电子技术基础二极管 三极管1.1.二极管（二极管（DiodeDiode）Diode结构，外观，符号 PN结合Diode是锗或硅的单品里使结晶成晶体，P型半导体部分 和N型半导体部分连接做出的。这内部的原理结构如上图是二极管，电极是P向端子，（阳极）N向端子（阴极）构成。-1-PNAKAKPN圈磊蜡傈磊hall自由电子AK阴极波段阳极阴极一 半导体二极管（Diode）特性：具有单向导电性的半导体器件。半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间且具有导电能力受外界条件（光照、温升）及杂质影响极大的特点的一类物质叫半导体（Semiconductor)。分类用 途：检波二极管、混频二极管、参放二
2、极管、开关二 极管、稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管。材 料：锗二极管、硅二极管。结 构：点触二极管、面触二极管。工作原理：隧道二极管、变容二极管、雪崩二极管等。常用二极管特性表 名称原理、特点 用途整流二极管多用硅半导体制成、利用PN结单向导电性能把交流电变为脉动电流，即整流检波二极管常用点接触式、高频特性好把调制在高频电磁波上的低频信号检出来稳压二极管得用二极管反向击穿时，二端电压不变原理稳压限幅，过载保护，开关条件，广泛用于稳压电源装置中开关二极管利用正偏压时二极管电阻很小，反偏压时电阻很大的单向导电性在电路中对电流进行控制，起到“接通”或“关断”的开关作用变容二极管利用P
3、N结电容随加到期管子上的反向电压大小而变化的特性在调谐等电路中取代可变电容器高压硅堆把多只硅整流器件的芯片串联关起来形成一个整体的高压整流器件用于高频、高压整流电路阻尼二极管反向恢复时间小，能随较高的反向击穿电压和较大峰值电流，既能在高频下工作又具有较低的正向电压降多用于电视机行扫描电路中的阻尼、整流电路发光二极管正向电压为1.5-3V时，只要正向电流通过可发光用于指示，可驵成数字或符号的LED娄码管二极管命名规定第一部分用数字2表示二极管；第二部分表示材料和极性用字母表示，如下：第三部分类型用字母表示，如下：根据国家标准GB-249-74，半导体二极管型号由五部分组成：字母 A B C D
4、含义N型，锗材料P型，锗材料N型，硅材料P型，硅材料字母 含义 字母 含义字母 含义 P普通管 Z 整流管 U光电器件 V微波管 L整流堆 K开关管 W稳压管 S隧道管 B雪崩管 C参量管 N阻尼管第四部分用序号用数字表示；第五部分规格用字母表示。例：2CN1 表示 N型硅阻尼二极管二极管的主要技术参数二极管的主要技术参数 二极管的主要电气参数有最大整流电流、反向击穿电压、反向饱和电流和最高工作频率等。稳压二极管还有稳压电压稳压电流和温度系数。二极管好坏的判断方法可以通过测量正反向电阻的大小，检查二极管性能的好坏。锗管用R100档测量，硅管用R1K档测量。正反向电阻相差越大越好。一般二极管的正
5、向电阻大约在100-600欧姆之间，反向电阻大约在几百千欧以上。如果测得正向电阻无穷大，表示二极管断开；如果测得正反向电阻为零，表示二极管短路；如果正反向电阻差不多，这样二极管也是坏的。检查发光二极管的简单方法 使用数字万用表，将档位选在测量二极管的档位上，红笔接二极管的正极，黑笔接二极管的负极。如果发光，则说明发光二极管是好的，如果不发光，则说明发光二极管不良。Diode的不良判定 （使用法参照）测定顺序 万用表电阻Range调为*1 K。测定笔（红色与黑色）接触调零。测试的Diode的正级（A）黑对黑笔，负极（K）对红笔（顺方向TSET）指针不到0处停在中间就好。（按Diode特性有所不同
6、）相反（A）对红笔，负极对黑笔（逆方向测试）指针不动就好。zener Diode是逆方向TSET时电压低的时候指针上去一点。发光二极管（LED:Light Emitting Diode）的TEST时放*1 range里后作顺 方向实验时高就良好。顺方向TEST逆方向TEST正极负极三极管三极管(Transistor)三极管是由两个制作在一起的PN结加上相应的引出电极引线及封装组成。三极管具有放大作用，可组成放大、振荡及各种功能的电子电路。常用三极管可分为硅三极管和锗三极管；按结构分为点接触型和面接触型；按生产工艺分为合金型和扩散型、台面型和平面型等；按工作频率分为低频、高频和开关三极管；依工作
7、功率又分为小功率、中功率、大功率三极管；从外形结构上分为小功率金属封装、大功率金属封装、塑料封装等多种；按导电性又分为PNP型和NPN型。-1-3）Transistor种类CEBECBECBECBEBCEBCEBCECBEBCEBCCEBE C BE C B E:发射极（Emitter）B:基极（Base）C:集电极（Collector）ECBECB三极管命名规定三极管型号由五部分组成第一部分用数字3表示三极管；第二部分表示材料和极性，用字母表示，如下：第三部分类型用字母表示，如下：字母 A B C D E含义PNP，锗NPN，锗PNP，硅NPN，硅化合物材料字母 含义 X低频小功率管（f3M
8、z,Pc1W)G高频小功率管 D低频大功率管 A高频在功率管第四部分序号；第五部分规格号。例：3AG11C 表示 锗PNP型高频小功率三极管主要技术参数 表征三极管的特性参数很多，可分为三类，即直流参数，交流参数和极限参数。直流参数包括：共射直流放大系数、集电极-基极反向饱和电流ICBO、集电极-发射极反向截止电流ICEO。交流参数包括：共射极交流放大系数、共基极交流放大系数、物征频率fTE。极限参数包括：集电极最大允许电流ICM、集电极-发射极击穿电压U（BR）CEO集电极最大允许功率损耗PCM。三极管电极判定三极管电极判定一、电极判定（1）判定基极将万用表拨在R100或R1K档上，用黑表笔
9、接触某一脚，用红表笔分别接触另两个管脚，如表头读数都小（约几千欧）则与黑表笔接触的是基极，同时，可知管子为NPN型，反之用红表笔接触某一脚，用黑表笔分别接触另两个管脚，如表头读数都小（约几百欧）则与红表笔接触的是基极 （3）判断集电极、发射极 以NPN型的管子为例，确定基极后，假定其余的两只脚中的一只是集电极，将黑表笔接到此脚上，红表笔则接到假定的发射极上用手指把假设的集电极和已知的基极捏起来，（但不要相碰）看表的指示并记下读数。而后再做相反的假设，即把原来 假设为集电极的假设为发射极。作同样的测试并记下阻值读数。比较两次读数的大小，若前者的阻值较小，说明前者的假设是对的，那么黑棒接的一只脚就是集电极，剩下的一只脚便是发射极。若需判别的PNP型晶体管，仍用上述方法，但必须把表棒的极性对调一下。三极管好坏的判断三极管好坏的判断 在上面的测量中，如果发现PN结正向电阻为无穷大，则为内部断路；如果PN结反向电阻为零，或者集电极和发射极之间的电阻为零，则是晶体管击穿；如果PN结的正反电阻相差不大，或者集电极与发射极之间的电阻很小，这样的晶体管基本上是坏的。END