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1、第二章逻辑门电路基础第二章逻辑门电路基础第1页，共79页，编辑于2022年，星期二作 业n2-2n2-3n2-5(1,2)n2-18n2-19(c,d,e)5第2页，共79页，编辑于2022年，星期二本章主要内容本章主要内容n n第一节第一节 二极管、三极管的开关特性二极管、三极管的开关特性n n第二节第二节 二极管逻辑门电路二极管逻辑门电路n n第三节第三节 TTL逻辑门电路逻辑门电路n n第四节第四节 射极耦合逻辑射极耦合逻辑门电路门电路n n第五节第五节 CMOS逻辑门电路逻辑门电路n n第六节第六节 各种逻辑的门电路之间的接口问题各种逻辑的门电路之间的接口问题5第3页，共79页，编辑于
2、2022年，星期二第一节第一节 二极管、三极管的开关特性二极管、三极管的开关特性一、二极管的开关特性一、二极管的开关特性（一）二极管的静态开关特性（一）二极管的静态开关特性（二）二极管的动态开关特性（二）二极管的动态开关特性（三）（三）二极管的近似直流等效电路二极管的近似直流等效电路5第4页，共79页，编辑于2022年，星期二5（一）二极管的静态开关特性（一）二极管的静态开关特性 二极管正偏时导通，管压降为二极管正偏时导通，管压降为0V0V，流过二极管的电，流过二极管的电流大小决定于外电路，相当于开关闭合。二极管反偏时流大小决定于外电路，相当于开关闭合。二极管反偏时截止，流过二极管的电流为截止
3、，流过二极管的电流为0 0，相当于开关打开，二极，相当于开关打开，二极管两端电压的大小决定于外电路。这就是二极管的静态管两端电压的大小决定于外电路。这就是二极管的静态开关特性。开关特性。二极管的静态开关特性是指二极管稳定地处于导通和二极管的静态开关特性是指二极管稳定地处于导通和稳定处于截止时的特性。稳定处于截止时的特性。第5页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）二极管的动态开关特性（二）二极管的动态开关特性给二极管电路加入一个方波信号，电流的波形怎样呢？给二极管电路加入一个方波信号，电流的波形怎样呢？二极管的动态开关特性是指二极管从一个状态到另一个状二极管的动态开关特性是指二极管从一个状
4、态到另一个状态的过渡过程中的特性。态的过渡过程中的特性。5第6页，共79页，编辑于2022年，星期二5t treret ts s十十t tt t称为反向恢复时间称为反向恢复时间t ts s为存储时间为存储时间t tt t为渡越时间为渡越时间1.1.1.1.反向恢复过程反向恢复过程反向恢复过程反向恢复过程 通常把二极管从通常把二极管从通常把二极管从通常把二极管从正向导通转为反向截正向导通转为反向截正向导通转为反向截正向导通转为反向截止所经历的转换过程止所经历的转换过程称为反向恢复过程。称为反向恢复过程。称为反向恢复过程。称为反向恢复过程。第7页，共79页，编辑于2022年，星期二产生反向恢复过程
5、的原因：电荷存储效应产生反向恢复过程的原因：电荷存储效应 反向恢复时间反向恢复时间反向恢复时间反向恢复时间t trere就是存储电荷消散所需要的时间。就是存储电荷消散所需要的时间。就是存储电荷消散所需要的时间。就是存储电荷消散所需要的时间。同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这同理，二极管从截止转为正向导通也需要时间，这段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得段时间称为开通时间。开通时间比反向恢复时间要小得多，一般可以忽略不计。多，一般可以忽略不计。5第8页，共79页，编辑于2022年，星期二2.2.对输入信号对输入信号vi i的要求的要求输入信号输入信号vi的负半周的宽度应大于
6、的负半周的宽度应大于tre，这样二极管，这样二极管才具有单向导电性。若小于，二极管还没有到达才具有单向导电性。若小于，二极管还没有到达截止状态，就又必须随输入脉冲而导通，从而失截止状态，就又必须随输入脉冲而导通，从而失去单向导电性。去单向导电性。输入信号输入信号vi的正半周的宽度要求比较低。的正半周的宽度要求比较低。输入信号输入信号vi的频率不可太高，由的频率不可太高，由tre时间决定。时间决定。5第9页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）二极管的近似直流等效电路（三）二极管的近似直流等效电路正向时正向时反向时反向时5第10页，共79页，编辑于2022年，星期二二、双极型三极管的开关特性
7、二、双极型三极管的开关特性（一）双极型三极管的静态开关特性（一）双极型三极管的静态开关特性（二）双极型三极管的动态开关特性（二）双极型三极管的动态开关特性 三极管的动态开关特性是指三极管从一个状态到三极管的动态开关特性是指三极管从一个状态到另一个状态的过渡过程中的特性。另一个状态的过渡过程中的特性。三极管的静态开关特性是指三极管稳定地处三极管的静态开关特性是指三极管稳定地处于饱和或截止状态时的特性。于饱和或截止状态时的特性。5（三）三极管的的似直流等效电路（三）三极管的的似直流等效电路第11页，共79页，编辑于2022年，星期二（一）双极型三极管的静态开关特性（一）双极型三极管的静态开关特性判
8、断三极管工作状态的解题思路：判断三极管工作状态的解题思路：（1 1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管的发射结电压，若发射结的发射结电压，若发射结的发射结电压，若发射结的发射结电压，若发射结反偏反偏反偏反偏或或或或零偏零偏零偏零偏或或或或小于死区电压值小于死区电压值小于死区电压值小于死区电压值，则三，则三，则三，则三极管极管极管极管截止截止截止截止。若发射结。若发射结。若发射结。若发射结正偏正偏正偏正偏，则三极管可能处于，则三极管可
9、能处于，则三极管可能处于，则三极管可能处于放大放大放大放大状态或处于状态或处于状态或处于状态或处于饱和饱和饱和饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（状态，需要进一步判断。进入步骤（状态，需要进一步判断。进入步骤（状态，需要进一步判断。进入步骤（2 2）。）。）。）。（2 2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态三极管处于临界饱和状
10、态（三极管既可以认为是处于饱和状态三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域，此时三极管既有饱和状态时的特征此时三极管既有饱和状态时的特征此时三极管既有饱和状态时的特征此时三极管既有饱和状态时的特征V VCESCES=0.3V=0.3V，又有放大状态，又有放大状态，又有放大状态，又有放大状态时的特征时的特征时的特征时的特征I IC C=IIB B），求此时三极管的集电极临
11、界饱和电流），求此时三极管的集电极临界饱和电流），求此时三极管的集电极临界饱和电流），求此时三极管的集电极临界饱和电流I ICS CS，进而求出基极临界饱和电流，进而求出基极临界饱和电流，进而求出基极临界饱和电流，进而求出基极临界饱和电流I IBS BS。集电极临界饱和电流。集电极临界饱和电流。集电极临界饱和电流。集电极临界饱和电流I ICSCS是三极管的集电极可能流过的最大电流。是三极管的集电极可能流过的最大电流。是三极管的集电极可能流过的最大电流。是三极管的集电极可能流过的最大电流。（3 3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中
12、）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中实际流动的电流实际流动的电流实际流动的电流实际流动的电流i iB B。（4 4）比较）比较）比较）比较i iB B和和和和I IBSBS的大小：的大小：的大小：的大小：若若若若i iB B I IBSBS（或者（或者（或者（或者 i iB B I ICSCS），则三极管处于），则三极管处于），则三极管处于），则三极管处于饱和饱和饱和饱和状态。状态。状态。状态。若若若若i iB B I IBSBS（或者（或者（或者（或者 i iB B I ICSCS），则三极管处于），则三极管处于），则三极管处于
13、），则三极管处于放大放大放大放大状态。状态。状态。状态。5第12页，共79页，编辑于2022年，星期二例例2-1 判断图电路中三极管的状态，其中判断图电路中三极管的状态，其中Rb=2k，RC=2k，VCC=12V，=50。将三极管拿开，将三极管拿开，发射结零偏，所以发射结零偏，所以三极管截止。三极管截止。5第13页，共79页，编辑于2022年，星期二例例2-2 电路及参数如图所示，三极管的电路及参数如图所示，三极管的VBE=0.7V，60，输入电压，输入电压vi取值取值3V和和-2V。（1）当）当vi3V时判断三极管的状态，并求出时判断三极管的状态，并求出iC和和vo的值。的值。（2）当）当v
14、i-2V时判断三极管的状态，并求出时判断三极管的状态，并求出iC和和vo的值。的值。5第14页，共79页，编辑于2022年，星期二5解：（解：（1）vi3V 因为因为iBIBS 所以三极所以三极管处于饱和状态，如右图管处于饱和状态，如右图中的中的E点所示。点所示。第15页，共79页，编辑于2022年，星期二（2）vi-2V 因为因为vBE tonn n输入信号输入信号vi的负半周的宽度的负半周的宽度 toff几个时间概念几个时间概念5第20页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）三极管的近似直流等效电路（三）三极管的近似直流等效电路正向时正向时反向时反向时5第21页，共79页，编辑于202
15、2年，星期二三、三、MOS管的开关特性管的开关特性（一）（一）MOS管的静态开关特性管的静态开关特性viVT时，管子处于线性电阻时，管子处于线性电阻区，区，vo=0。5第22页，共79页，编辑于2022年，星期二MOS管相当于一个由管相当于一个由vGS控制的控制的无触点开关。无触点开关。MOS管工作在可变电阻区，管工作在可变电阻区，相当于开关相当于开关“闭合闭合”，输出为低电平。输出为低电平。MOS管截止，管截止，相当于开关相当于开关“断开断开”输出为低电平。输出为低电平。1.当输入为低电平时：当输入为低电平时：2.当输入为高电平时：当输入为高电平时：（二）（二）MOS管的动态开关特性管的动态
16、开关特性5第23页，共79页，编辑于2022年，星期二第二节第二节 二极管逻辑门电路二极管逻辑门电路n n概念概念高电平：高电平：电压在电压在3.5V-5.0V，用，用H表示表示低电平：低电平：电压在电压在0V-1.5V，用，用L表示表示正逻辑体制正逻辑体制负逻辑体制负逻辑体制5第24页，共79页，编辑于2022年，星期二正逻辑体制和负逻辑体制正逻辑体制和负逻辑体制正逻辑体制正逻辑体制:将高电平用逻辑将高电平用逻辑1 1表示，低电平用逻辑表示，低电平用逻辑0 0表示表示负逻辑体制负逻辑体制:将高电平用逻辑将高电平用逻辑0 0表示，低电平用逻辑表示，低电平用逻辑1 1表示表示5第25页，共79页
17、，编辑于2022年，星期二一、正与门电路一、正与门电路5第26页，共79页，编辑于2022年，星期二正逻辑体制正逻辑体制逻辑符号逻辑符号逻辑表达式逻辑表达式5第27页，共79页，编辑于2022年，星期二负逻辑体制负逻辑体制逻辑符号逻辑符号逻辑表达式逻辑表达式5第28页，共79页，编辑于2022年，星期二二、正或门电路二、正或门电路5第29页，共79页，编辑于2022年，星期二正逻辑体制正逻辑体制负逻辑体制呢负逻辑体制呢?5第30页，共79页，编辑于2022年，星期二三、非门电路三、非门电路5第31页，共79页，编辑于2022年，星期二 二二极极管管逻逻辑辑门门电电路路，电电路路结结构构简简单单
18、，简简单单的的串串联联连连接接就就可可以以实实现现更更复复杂杂的的逻逻辑辑运运算算，但但是是这这些些电电路路的的输输出出电电阻阻大大，带带载载能能力力差差，开开关关性性能能不不理理想想，所所以以引引入入TTLTTL逻辑门电路。逻辑门电路。5第三节第三节 TTL逻辑门电路逻辑门电路与非与非或非或非第32页，共79页，编辑于2022年，星期二第三节第三节 TTL逻辑门电路逻辑门电路TTL集成电路分为：集成电路分为：74系列：用于民用电子产品的设计和生产，系列：用于民用电子产品的设计和生产，工作温度为工作温度为0-70。54系列：用于军用电子产品的设计和生产，系列：用于军用电子产品的设计和生产，工作
19、温度为工作温度为-55-+125。TTL的含义：的含义：Transistor Transistor Logic 5 TTL逻辑门电路由若干双极型三极管逻辑门电路由若干双极型三极管(BJT)和电阻组成。和电阻组成。第33页，共79页，编辑于2022年，星期二一、标准生产工艺的一、标准生产工艺的TTLTTL非门的工作原理非门的工作原理 TTL：Transistor Transistor Logic 输出级输出级T3、D、T4和和Rc4构成推拉式的输出构成推拉式的输出级。用于提高开关速级。用于提高开关速度和带负载能力。度和带负载能力。中间级中间级T2和电阻和电阻Rc2、Re2组成，从组成，从T2的集
20、的集电结和发射极同时输电结和发射极同时输出两个相位相反的信出两个相位相反的信号，作为号，作为T3和和T4输出输出级的驱动信号；级的驱动信号；输入级输入级T1和电阻和电阻Rb1组成。用于提高电组成。用于提高电路的开关速度路的开关速度5第34页，共79页，编辑于2022年，星期二5（一）输入（一）输入VI为高电平为高电平3.6V时时VB1=5VVBE1=1.4VVB1=4.3VVB1=2.1V倒置状态倒置状态Vo=0.3VVC2=1V饱和饱和饱和饱和截止截止截止截止，输出为低电平输出为低电平0.3V开门开门第35页，共79页，编辑于2022年，星期二5（二）输入（二）输入VI为低电平为低电平0.3
21、V 时时VB1=5VVBE1=4.7VVB1=1V饱和饱和Vo=3.6VVB4=5V截止截止截止截止饱和饱和导通导通，输出为高电平输出为高电平3.6V关门关门第36页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）标准生产工艺的（三）标准生产工艺的TTL非门的电路结构特点非门的电路结构特点1 1、输入级采用三极管以提高工作速度。、输入级采用三极管以提高工作速度。2 2 2 2、采采采采用用用用了了了了推推推推拉拉拉拉式式式式输输输输出出出出级级级级，输输输输出出出出阻阻阻阻抗抗抗抗比比比比较较较较小小小小，可可可可迅迅迅迅速速速速给给给给负载电容充放电负载电容充放电负载电容充放电负载电容充放电,提高
22、开关速度和带负载能力。提高开关速度和带负载能力。提高开关速度和带负载能力。提高开关速度和带负载能力。5第37页，共79页，编辑于2022年，星期二二、二、TTLTTL非门的电压传输特性曲线和电路参数非门的电压传输特性曲线和电路参数（一）电压传输特性曲线（一）电压传输特性曲线截止区截止区过渡区过渡区饱和区饱和区5开门开门关门关门输出高电平输出高电平标准输出高电平标准输出高电平V VSHSH输出低电平输出低电平标准输出低电平标准输出低电平V VSLSL输入高电平输入高电平开门电平开门电平输入低电平输入低电平关门电平关门电平第38页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）从电压传输特性曲线上可以得
23、出的电路参数（二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数（二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数（二）从电压传输特性曲线上可以得出的电路参数1输出高电平输出高电平VOHOH（2.4V-5V2.4V-5V之间，典型值为之间，典型值为之间，典型值为之间，典型值为3.4V3.4V）2 2标准输出高电平标准输出高电平标准输出高电平标准输出高电平VSH V OHOH（minmin）（2.4V2.4V）3输出低电平输出低电平V VOLOL（0V-0.4V0V-0.4V之间，典型值为之间，典型值为之间，典型值为之间，典型值为0.2V0.2V）4 4标准输出低电平标准输出低电平标准输出低电平标准输出低电平
24、VSL V V OL（max）（0.4V）5 5输入高电平输入高电平输入高电平输入高电平V VIH IH（2V-5V之间）之间）6输入高电平的下限输入高电平的下限 V VIHIH（minmin）(开门电平开门电平开门电平开门电平VON）（）（）（）（2V2V）7输入低电平输入低电平V VILIL （0V-0.8V0V-0.8V之间）之间）之间）之间）8输入低电平的上限输入低电平的上限V V IL（max）（关门电平（关门电平（关门电平（关门电平V VOFFOFF）（）（）（）（0.8V0.8V）9噪声容限电压噪声容限电压（1 1）输入高电平噪声容限电压）输入高电平噪声容限电压）输入高电平噪声容
25、限电压）输入高电平噪声容限电压(最大允许负向干扰电压最大允许负向干扰电压最大允许负向干扰电压最大允许负向干扰电压)（2）输入低电平噪声容限电压）输入低电平噪声容限电压(最大允许正向干扰电压最大允许正向干扰电压)5第39页，共79页，编辑于2022年，星期二输入高电平噪声容限输入高电平噪声容限最大允许负向干扰电压最大允许负向干扰电压VNHV OH（min）-VON V OH（min）-V IH（min）2.4V-2.0V0.4V。输入低电平噪声容限输入低电平噪声容限最大允许正向干扰电压最大允许正向干扰电压VNLV OFF-V OL（max）V IL（max）-V OL（max）0.8V-0.4V
26、0.4V。59 9噪声容限电压噪声容限电压0.4V0.8V2.4V2.0V第40页，共79页，编辑于2022年，星期二三、三、TTL非门输入特性和从其上可以得出的参数非门输入特性和从其上可以得出的参数5第41页，共79页，编辑于2022年，星期二1输入低电平电流输入低电平电流IIL非门输入特性曲线非门输入特性曲线VB1=1V5 当门电路的输入当门电路的输入端接低电平时，从门端接低电平时，从门电路输入端流出的电电路输入端流出的电流。流。第42页，共79页，编辑于2022年，星期二2输入高电平电流输入高电平电流IIHVB1=2.1V倒置状态倒置状态 输入高电平电流输入高电平电流IIH是三级管是三级
27、管VT1的发射的发射结反向饱和电流，值很结反向饱和电流，值很小，几乎为小，几乎为0。5 当门电路的输入端当门电路的输入端接高电平时，流入输入端接高电平时，流入输入端的电流。的电流。第43页，共79页，编辑于2022年，星期二四、四、TTL非门的输入负载特性和从其上可以得非门的输入负载特性和从其上可以得出的参数出的参数vI的极限值为的极限值为1.4V。5第44页，共79页，编辑于2022年，星期二1关门电阻关门电阻ROFF2开门电阻开门电阻RON三极管三极管VT3处于关门状态处于关门状态SN7404：三极管三极管VT3处于开门状态处于开门状态SN7404：Ri应该大于应该大于4805第45页，共
28、79页，编辑于2022年，星期二五、五、TTL非门的输出负载特性和从其上可以得非门的输出负载特性和从其上可以得出的参数出的参数（一）（一）TTL非门的低电平输出负载特性非门的低电平输出负载特性驱动门驱动门负载门负载门6第46页，共79页，编辑于2022年，星期二2最大输出低电平电流最大输出低电平电流I OL（max)3 3输出低电平时的扇出系数输出低电平时的扇出系数灌电流负载灌电流负载1TTL非门的低电平输非门的低电平输出特性曲线出特性曲线 把驱动门对应标准输出低电平把驱动门对应标准输出低电平USL时，灌入其输出时，灌入其输出端的电流。端的电流。6第47页，共79页，编辑于2022年，星期二（
29、二）（二）TTL非门的高电平输出负载特性非门的高电平输出负载特性驱动门驱动门负载门负载门6第48页，共79页，编辑于2022年，星期二2最大输出高电平电流最大输出高电平电流I OH（max）3输出高电平时的扇出系数输出高电平时的扇出系数1TTL非门的低电平非门的低电平输出特性曲线输出特性曲线拉电流负载拉电流负载 把驱动门对应标准输出高电平把驱动门对应标准输出高电平USH时拉出其输出端的电时拉出其输出端的电流。流。6第49页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）扇出系数（三）扇出系数 一般一般NOLNOH，常取两者中的较小，常取两者中的较小值作为门电路的扇出系数，用值作为门电路的扇出系数，用
30、NO表示。表示。输出低电平时的扇出系数输出低电平时的扇出系数输出高电平时的扇出系数输出高电平时的扇出系数6第50页，共79页，编辑于2022年，星期二六、传输延迟时间六、传输延迟时间截止延迟时间截止延迟时间tPHL输出信号输出信号vo由高电平转为低电平的时间。由高电平转为低电平的时间。导通延迟时间导通延迟时间 tPLH 输出信号输出信号vo由低电平转为高电平的时间。一由低电平转为高电平的时间。一般般tPLH tPHL。非门的传输延迟时间非门的传输延迟时间tpd是是tPHL和和tPLH的平均值。的平均值。一般一般TTL非门传输延迟时间非门传输延迟时间tpd的值为几纳秒十几个纳秒。的值为几纳秒十几
31、个纳秒。6第51页，共79页，编辑于2022年，星期二七、功率损耗（功耗）七、功率损耗（功耗）PD和功耗和功耗-延时积延时积DP1.1.功率损耗功率损耗静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电静态功耗：指的是当电路没有状态转换时的功耗，即门电路空载时电源总电流路空载时电源总电流I ID D与电源电压与电源电压V VDDDD的乘积，静态功耗比的乘积，静态功耗比较低，因此较低，因此CMOSCMOS电路广泛用于要求功耗较低或电池供电的设电路广泛用于要求功耗较低或电池供电的设备，如笔记本、手机等。备，如笔记本、手机等。动态功耗：指的是电路在输出状态转换时的功耗。动态功耗：指的是电路在输出状态
32、转换时的功耗。静态功耗静态功耗动态功耗动态功耗6 对于对于TTLTTL门电路来说，静态功耗是主要的。门电路来说，静态功耗是主要的。CMOSCMOS电路的电路的静态功耗非常低，主要是动态功耗。静态功耗非常低，主要是动态功耗。第52页，共79页，编辑于2022年，星期二2.延时延时 功耗积功耗积 是速度功耗综合性的指标。延时是速度功耗综合性的指标。延时 功耗积功耗积，用符号，用符号DP表示。表示。PD为门电路的功耗为门电路的功耗 一个逻辑门电路的一个逻辑门电路的DP值越小，它的特性越接近理值越小，它的特性越接近理想情况。想情况。6第53页，共79页，编辑于2022年，星期二小小 结结第二章第二章
33、逻辑门电路基础逻辑门电路基础 第一节第一节第一节第一节 二极管、三极管的开关特性二极管、三极管的开关特性二极管、三极管的开关特性二极管、三极管的开关特性 静态开关特性和动态开关特性静态开关特性和动态开关特性静态开关特性和动态开关特性静态开关特性和动态开关特性电子开关电子开关电子开关电子开关 第二节第二节 二极管逻辑门电路二极管逻辑门电路 高电平、低电平高电平、低电平 正逻辑体制、负逻辑体制正逻辑体制、负逻辑体制 与门、或门、非门与门、或门、非门与门、或门、非门与门、或门、非门 第三节第三节 TTL逻辑门电路逻辑门电路 标准生产工艺的标准生产工艺的标准生产工艺的标准生产工艺的TTLTTL非门的组
34、成和工作原理非门的组成和工作原理非门的组成和工作原理非门的组成和工作原理 主要参数：主要参数：VOHOH、VOLOL、VSH(V(VOH(min)OH(min)、V VSLSL(VOL(max)OL(max)、VIH、V VIL、VON(V(VIH(min)、VOFFOFF(VIL(max)IL(max)、V VNH、VNLNL、I IIL、IIH、RONON、ROFF、N NOO（N NOL、NOH）、）、tPDPD、PD、DP第54页，共79页，编辑于2022年，星期二TTL门电路芯片的封装门电路芯片的封装八、其它逻辑功能的八、其它逻辑功能的TTL门电路门电路6第55页，共79页，编辑于2
35、022年，星期二（一）（一）TTL正与非门正与非门6第56页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）（二）TTL正或非门正或非门6A+BA+B第57页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）（三）TTL正与或非门正与或非门6AB+CDAB+CD第58页，共79页，编辑于2022年，星期二（四）（四）TTL异或门异或门6A+BABAB+A+B第59页，共79页，编辑于2022年，星期二九、集电极开路（九、集电极开路（OC）的）的TTL门电路门电路引入引入（一）普通的（一）普通的TTL门电路输出端门电路输出端直接相连的后果直接相连的后果使得输出为使得输出为低电平的逻低电平的逻辑门的输出辑门的输
36、出级损坏级损坏6第60页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）集电极开路的（二）集电极开路的TTL门电路门电路6第61页，共79页，编辑于2022年，星期二（三）集电极开路的（三）集电极开路的TTL门电路可以实现线与运算门电路可以实现线与运算使用时的外电路连接上拉电阻使用时的外电路连接上拉电阻R RP P线与可以实现与或非运算线与可以实现与或非运算6第62页，共79页，编辑于2022年，星期二外接上拉电阻值的计算方法外接上拉电阻值的计算方法 OC门上拉电阻最大值的计算门上拉电阻最大值的计算 为保证为保证OC与非门输出的高电平不低于高电平的下限与非门输出的高电平不低于高电平的下限VOH(mi
37、n)，Rp的值不能选得太大，即要保证的值不能选得太大，即要保证 Rp(max)=6第63页，共79页，编辑于2022年，星期二OC门上拉电阻最小值的计算门上拉电阻最小值的计算。应当确保在最不利的情况应当确保在最不利的情况下，即只有一个下，即只有一个OC与非门的与非门的输出级三极管输出级三极管T3处于饱和状处于饱和状态。这时所有负载电流全部态。这时所有负载电流全部流入唯一的那个处于饱和状流入唯一的那个处于饱和状态的输出级三极管态的输出级三极管T3的集电的集电极，输出的低电平要低于输极，输出的低电平要低于输出低电平的上限出低电平的上限V OL(max)。R p(min)=OC门上拉电阻门上拉电阻R
38、P的取值应在的取值应在RP（min）和和RP（max）之间之间6第64页，共79页，编辑于2022年，星期二特别提醒：特别提醒：在上面计算上拉电阻最小值和最大值在上面计算上拉电阻最小值和最大值时，应使时，应使驱动门驱动门的输出高、低电平满足其的输出高、低电平满足其要求，而不是以要求，而不是以输入门输入门的输入高、低电平的输入高、低电平满足其要求。因为，还要考虑连接输入和满足其要求。因为，还要考虑连接输入和输出信号的导线上应该有一定的抗干扰能输出信号的导线上应该有一定的抗干扰能力。力。6第65页，共79页，编辑于2022年，星期二十、十、TTL三态输出门电路三态输出门电路*（一）（一）TTL三态
39、输出的与非门电路的工作原理三态输出的与非门电路的工作原理三态门的真值表三态门的真值表三态门的逻辑符号三态门的逻辑符号6第66页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）（二）TTL三态输出门电路的应用三态输出门电路的应用六个子部件六个子部件两两之间建两两之间建立连接立连接六个子部件通六个子部件通过总线建立连过总线建立连接接单向总线单向总线三态门实三态门实现数据双现数据双向传输向传输6第67页，共79页，编辑于2022年，星期二十一、其它生产工艺类型的十一、其它生产工艺类型的TTLTTL门电路门电路6第68页，共79页，编辑于2022年，星期二第五节第五节 CMOS门电路门电路一、一、CMOS反
40、相器反相器-complementary工作管工作管负载管负载管CMOS逻辑门电路是由逻辑门电路是由N沟道沟道MOSFET和和P沟道沟道MOSFET互补而成。互补而成。VTN=2 VVTP=2 V1.CMOS反相器反相器的结构和工作原理的结构和工作原理6第69页，共79页，编辑于2022年，星期二2.2.CMOS的特点的特点3.3.CMOS的电压传输特性的电压传输特性（1）工作速度快）工作速度快（2）静态功耗低）静态功耗低（3）扇出系数大）扇出系数大6第70页，共79页，编辑于2022年，星期二二、其它的二、其它的CMOS门电路门电路（一）（一）CMOS传输门传输门 逻辑符号逻辑符号电路电路 传
41、输门中传输门中TP和和TN的衬底分别接的衬底分别接-5V-5V和和+5V+5V，输入信号的，输入信号的变化范围为变化范围为-5V-5V +5V+5V。C=0C=0的电平值为的电平值为-5V5V，C=1C=1的电平值为的电平值为+5V+5V，开启电压，开启电压VVTN=3V，VVTP=-3V。当当C=0时，时，TP和和TN均均截止，截止，TG关闭关闭C=1时，时，TG工作。工作。6双向模拟开关双向模拟开关第71页，共79页，编辑于2022年，星期二（二）（二）CMOS与非门与非门1.1.电路结构电路结构 2.2.工作原理工作原理 VTN=2 VVTP=2 V6第72页，共79页，编辑于2022年
42、，星期二（三）（三）CMOS或非门或非门1.1.电路结构电路结构 2.2.工作原理工作原理 VTN=2 VVTP=2 V6第73页，共79页，编辑于2022年，星期二（四）（四）CMOS异或门异或门1.1.电路结构电路结构 6第74页，共79页，编辑于2022年，星期二 2.驱驱动动器器件件的的输输出出电电压压必必须须处处在在负负载载器器件件所所要要求求的的输输入入电电压范围，包括高、低电压值（属于压范围，包括高、低电压值（属于电压兼容性电压兼容性的问题）。的问题）。在数字电路或系统的设计中，往往将在数字电路或系统的设计中，往往将TTL和和CMOS两种器件两种器件混合使用，以满足工作速度或者功
43、耗指标的要求。由于每种器混合使用，以满足工作速度或者功耗指标的要求。由于每种器件的电压和电流参数各不相同，因而在这两种器件连接时，驱件的电压和电流参数各不相同，因而在这两种器件连接时，驱动器件和负载器件动器件和负载器件要满足要满足以下两个条件：以下两个条件：1.驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流和驱动器件必须对负载器件提供足够大的拉电流和灌电灌电流流（属于（属于门电路的扇出数门电路的扇出数问题）；问题）；第六节第六节 各种工艺的逻辑门之间的接口问题各种工艺的逻辑门之间的接口问题6第75页，共79页，编辑于2022年，星期二VOH（min）VIH（min）VOL（max）VIL（max）I
44、OH（max）IIH（总）（总）IOL（max）IIL（总）（总）驱动电路必须能为负载电路提供足够的驱驱动电路必须能为负载电路提供足够的驱动电流动电流 驱动电路必须能为负载电路提供合乎相应驱动电路必须能为负载电路提供合乎相应标准的高、低电平标准的高、低电平驱动门驱动门负载门负载门 一、一、TTL与与CMOS器件之间的接口问题器件之间的接口问题6第76页，共79页，编辑于2022年，星期二（2 2 2 2）对对对对于于于于负负负负载载载载电电电电流流流流较较较较大大大大，可可可可将将将将多多多多个个个个门门门门并并并并联联联联作作作作为为为为驱驱驱驱动动动动器器器器，也也也也可可可可在在在在门门
45、门门电电电电路路路路输输输输出端接三极管，以提高负载能力。出端接三极管，以提高负载能力。出端接三极管，以提高负载能力。出端接三极管，以提高负载能力。1 1、多余输入端的处理、多余输入端的处理（1 1）对于负载电流较小，对于负载电流较小，用门电路直接驱动，如显示用门电路直接驱动，如显示器件或继电器器件或继电器 二、二、TTL和和CMOS电路带负载时的接口问题电路带负载时的接口问题6第77页，共79页，编辑于2022年，星期二（2 2 2 2）对对对对于于于于或或或或非非非非门门门门及及及及或或或或门门门门，多多多多余余余余输输输输入入入入端端端端应应应应接接接接低低低低电电电电平平平平，比比比比
46、如如如如直直直直接接接接接接接接地地地地；也也也也可可可可以以以以与与与与有有有有用用用用的的的的输输输输入入入入端端端端并并并并联联联联使用。使用。使用。使用。1 1、多余输入端的处理、多余输入端的处理（1 1）对于与非门及与门，多余输入）对于与非门及与门，多余输入端应接端应接高电平高电平，比如直接接电源，比如直接接电源正端，或通过一个上拉电阻（正端，或通过一个上拉电阻（1 13kW3kW）接电源正端；在前级驱）接电源正端；在前级驱动能力允许时，也可以与有用动能力允许时，也可以与有用的输入端并联使用。的输入端并联使用。三、门电路多余输入端的处理三、门电路多余输入端的处理*6第78页，共79页
47、，编辑于2022年，星期二本章小结本章小结 1.目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型型三极管组成，简称三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由集成电路；另一类由MOSFET构成，简称构成，简称MOS集成电路。集成电路。2.TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用推集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用推拉式结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负拉式结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。在载的能力。在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外
48、，系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外，还有还有集电极开路门集电极开路门和和三态门三态门。3.MOS集成电路常用的是两种结构。一种是集成电路常用的是两种结构。一种是CMOS 门电路，另门电路，另一类是一类是NMOS门电路。与门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成接近，已成为数字集成电路的发展方向。电路的发展方向。4.为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和和CMOS各个系列产品的各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。类型电路间的接口问题及抗干扰问题。6第79页，共79页，编辑于2022年，星期二