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1、集成电路工艺和版图设计概述Jian FangIC Design Center,UESTCIC常用术语园片：硅片芯片(Chip,Die)：6、8：硅（园）片直径：1 25.4mm6150mm;8200mm;12300mm;亚微米1m的设计规范深亚微米 0反型层 沟道源（Source）S漏（Drain）D栅（Gate）G栅氧化层厚度：50埃1000埃（5nm100nm）VT阈值电压电压控制N N沟沟MOSMOS（NMOSNMOS）P型衬底，受主杂质；栅上加正电压，表面吸引电子，反型，电子通道；漏加正电压，电子从源区经N沟道到达漏区，器件开通。N衬底p+p+漏源栅栅氧化层场氧化层沟道P P沟沟MOS
2、MOS（PMOSPMOS）GDSVTVGSID+-VDS 0 N型衬底，施主杂质，电子导电；栅上加负电压，表面吸引空穴，反型，空穴通道；漏加负电压，空穴从源区经P沟道到达漏区，器件开通。CMOS CMOS：Complementary Symmetry Metal Oxide Semiconductor 互补对称金属氧化物半导体特点：低功耗VSSVDDVoViCMOS倒相器PMOSNMOSI/OI/OVDDVSSCCCMOS传输门N-SiP+P+n+n+P-阱DDVoVGVSSSSVDDCMOS倒相器截面图CMOS倒相器版图pwellactivepolyN+implantP+implantomi
3、contactmetalA NMOS ExamplepwellPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光光MASK PwellNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶MASK PwellNtype SiSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶SiO2Ntype SiSiO2SiO2PwellpwellactivePwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶MASK activeMASK Active
4、Si3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶MASK activeMASK ActiveSi3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2光刻胶光刻胶光刻胶光刻胶Si3N4Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellSi3N4Ntype SiSiO2Pwell场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellNtype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpolyactivepwellpolyPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetal
5、Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶Ntype SiSiO2PwellSiO2MASK poly场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwell光刻胶光刻胶polyNtype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpolyNtype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpolyactivepwellpolyN+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalNtype SiSi
6、O2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶Ntype SiSiO2PwellSiO2场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwell光刻胶光刻胶polyN+implantS/DactivepwellpolyP+implantPwellActivePolyN+implantP+implantOmicontactMetalNtype SiSiO2PwellSiO2MASK N+场氧场氧场氧场氧场氧场氧PwellPwellpoly光刻胶光刻胶光光S/D9、静夜四无邻，荒居旧业贫。3月-233月-23Tuesday,March 14,202310、
7、雨中黄叶树，灯下白头人。01:52:2701:52:2701:523/14/2023 1:52:27 AM11、以我独沈久，愧君相见频。3月-2301:52:2701:52Mar-2314-Mar-2312、故人江海别，几度隔山川。01:52:2701:52:2701:52Tuesday,March 14,202313、乍见翻疑梦，相悲各问年。3月-233月-2301:52:2701:52:27March 14,202314、他乡生白发，旧国见青山。14 三月 20231:52:27 上午01:52:273月-2315、比不了得就不比，得不到的就不要。三月 231:52 上午3月-2301:5
8、2March 14,202316、行动出成果，工作出财富。2023/3/14 1:52:2701:52:2714 March 202317、做前，能够环视四周；做时，你只能或者最好沿着以脚为起点的射线向前。1:52:27 上午1:52 上午01:52:273月-239、没有失败，只有暂时停止成功！。3月-233月-23Tuesday,March 14,202310、很多事情努力了未必有结果，但是不努力却什么改变也没有。01:52:2701:52:2701:523/14/2023 1:52:27 AM11、成功就是日复一日那一点点小小努力的积累。3月-2301:52:2701:52Mar-231
9、4-Mar-2312、世间成事，不求其绝对圆满，留一份不足，可得无限完美。01:52:2701:52:2701:52Tuesday,March 14,202313、不知香积寺，数里入云峰。3月-233月-2301:52:2701:52:27March 14,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。14 三月 20231:52:27 上午01:52:273月-2315、楚塞三湘接，荆门九派通。三月 231:52 上午3月-2301:52March 14,202316、少年十五二十时，步行夺得胡马骑。2023/3/14 1:52:2701:52:2714 March 2023
10、17、空山新雨后，天气晚来秋。1:52:27 上午1:52 上午01:52:273月-239、杨柳散和风，青山澹吾虑。3月-233月-23Tuesday,March 14,202310、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。01:52:2701:52:2701:523/14/2023 1:52:27 AM11、越是没有本领的就越加自命不凡。3月-2301:52:2701:52Mar-2314-Mar-2312、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。01:52:2701:52:2701:52Tuesday,March 14,202313、知人者智，自知者明。胜人者有力，自胜者强。3月-233月-2
11、301:52:2701:52:27March 14,202314、意志坚强的人能把世界放在手中像泥块一样任意揉捏。14 三月 20231:52:27 上午01:52:273月-2315、最具挑战性的挑战莫过于提升自我。三月 231:52 上午3月-2301:52March 14,202316、业余生活要有意义，不要越轨。2023/3/14 1:52:2701:52:2714 March 202317、一个人即使已登上顶峰，也仍要自强不息。1:52:27 上午1:52 上午01:52:273月-23MOMODA POWERPOINTLorem ipsum dolor sit amet,consectetur adipiscing elit.Fusce id urna blandit,eleifend nulla ac,fringilla purus.Nulla iaculis tempor felis ut cursus.感感 谢谢 您您 的的 下下 载载 观观 看看专家告诉