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1、本文为本文为 WordWord版本，下载可任意编辑版本，下载可任意编辑1：试验原理依据芯片工艺尺寸，选择适当的放大倍数，用带 CCD 摄像头的显微镜对芯片进行拍照。以行列式对芯片进行图像采集。留意调平芯试验报告芯片解剖试验报告 1片，留意拍照时的清楚度。2：试验内容试验时间：采集去封装后金属层照片。同组人员：四、试验步骤一、试验目的1.打开拍照电脑、显微镜、电动平台。1学习芯片拍照的方法。2.将载物台粗调焦旋钮逆时针旋转究竟即载物台最低，当2掌控拍照主要操作。心取下载物台四英寸硅片平方在桌上，用塑料镊子当心翼翼的将裸片3.能够正确运用显微镜和电动平台放到硅片靠中心的位置上，将硅片放到载物台。二
2、、试验仪器设备3.当心移动硅片尽量将芯片平整。1：去封装后的芯片4.打开拍照软件，建立新拍照任务，选择适当倍数，并调整到2：芯片图像采集电子显微镜和电动平台显示图像。此处选择 20 倍物镜，即拍 200 倍照片3：试验用 PC，和图像采集软件。5.将显微镜物镜旋转到最低倍 5*，渐渐载物台粗调整旋钮使载三、试验原理和内容第 1 页 共 5 页实验报告芯片解剖实验报告实验报告芯片解剖实验报告本文为本文为 WordWord版本，下载可任意编辑版本，下载可任意编辑物台渐渐上升，直到有模糊图像，这时需要当心调整载物台位置，直至看到图像最清楚。6.观测图像，将芯片调平方法仔细听取指导老师讲解。10.观测
3、整体效果，观测是否有严峻错位现象。假如有严峻错位，要进行重拍。11.保存图像，关闭拍照工程。12.将显微镜物镜顺时针跳到最低倍(即：5*。13.逆时针旋转粗调焦旋钮，使载物台下降到最低。14.用手柄调整载物台，到居中位置。15.关闭显微镜、电动平台和 PC 机。五、试验数据采集后的芯片金属层图片如下：六、结果及分析1：试验掌控了芯片金属层拍照的方法，电动平台和电子显微镜的运用，熟识了图像采集软件的运用方法。2：在拍摄金属层图像时，每拍完一行照片要进行检查，由于芯片有余曝光和聚焦的差异，可能会使某些照片不清楚，对后面的金属层拼接照成困难。所以拍完一行后要对其进行检查，对不符合标准的照片进行重新拍
4、照。3：拍照是要保证芯片全部在采集视野里，依据四点确定一个四边形平面，要确定芯片的四个角在采集视野里，就可以保证整个芯片都在采集视野里。4：拍照时的倍数选择要与工程辨别率保持全都，过大或过小会引起芯片在整个视野里的辨别率，不能达到合适的效果，所以采纳相同的倍数，保证芯片的在视野图像大小合适。试验报告芯片解剖试验报告 2学 号：姓 名：第 2 页 共 5 页本文为本文为 WordWord版本，下载可任意编辑版本，下载可任意编辑教 师：年 6 月 28 日试验一 去塑胶芯片的封装试验时间：同组人员：一、试验目的1.了解集成电路封装知识，集成电路封装类型。2.了解集成电路工艺流程。3.掌控化学去封装
5、的方法。二、试验仪器设备1：烧杯，镊子，电炉。2：发烟硝酸，弄硫酸，芯片。3：超纯水等其他设备。三、试验原理和内容试验原理：1.传统封装：塑料封装、陶瓷封装1塑料封装环氧树脂聚合物双列直插 DIP、单列直插 SIP、双列表面安装式封装 SOP、四边形扁平封装 QFP 具有 J 型管脚的塑料电极芯片载体 PLCC、小形状 J引线塑料封装 SOJ2陶瓷封装具有气密性好，高牢靠性或者大功率A.耐熔陶瓷三氧化二铝和适当玻璃浆料：针栅阵列 PGA、陶瓷扁平封装 FPGB.薄层陶瓷：无引线陶瓷封装 LCCC2.集成电路工艺1标准双极性工艺2CMOS 工艺第 3 页 共 5 页本文为本文为 WordWord
6、版本，下载可任意编辑版本，下载可任意编辑3BiCMOS 工艺3.去封装1陶瓷封装一般用刀片划开。2.塑料封装化学方法腐蚀，沸煮。1发烟硝酸 煮小火 2030 分钟2浓硫酸 沸煮 3050 分钟试验内容：四、试验步骤1.打开抽风柜电源，打开抽风柜。2.将要去封装的芯片去掉引脚放入有柄石英烧杯中。3.带上塑胶手套，在药品台上去浓硝酸。向石英烧杯中注入适量浓硝酸。操作时肯定留意安全4.将石英烧杯放到电炉上加热，记录加热时间。留意：火不要太大5.观测烧杯中的改变，并做好记录。6.取出去封装的芯片并清洗芯片，在显微镜下观测腐蚀效果。7.等完成腐蚀后，对废液进行处理。五、试验数据1：开始放入芯片，煮大约2
7、 分钟，发烟硝酸即与塑胶封转起反应，此时溶液颜色开始变黑。2：继续煮芯片，发觉塑胶封装开始大量溶解，溶液颜色变浑浊。3：大约二十五分钟，芯片塑胶部分已经基本去除。4：取下烧杯，看到闪亮的芯片伴有反光，此时芯片塑胶已经基本去除。六、结果及分析第 4 页 共 5 页本文为本文为 WordWord版本，下载可任意编辑版本，下载可任意编辑1：加热芯片前要事先用钳子把芯片的金属引脚去除，由于此时假如不去除，它会与酸反应，消耗酸液。2：在芯片去塑胶封装的时候，加热肯定要小火加热，由于发烟盐酸是易挥发物质，假如采纳大火加热，其中的酸累物质变会分解挥发，引起简单浓度变低，进而可能照成芯片去封装不完全，或者去封装速度较慢的状况。3：通过试验，了解了去塑胶封装的基本方法，和去封装的一般步骤。第 5 页 共 5 页