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1、半导体材料的光吸收 若吸收的能量大于半导体材料的禁带宽度，就有可能使电子从价带跃迁到导带，从而产生电子空穴对，这种吸收为本征吸收。半导体材料中光的吸收导致了非平衡载流子产生，总的载流子浓度增加，电导率增大，称为半导体材料的光电导现象。第1页/共37页半导体材料的光吸收本征吸收直接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量不变。直接带隙半导体：砷化镓间接跃迁半导体中价带中的电子跃迁到导带上时动量发生变化。间接带隙半导体：硅，锗通常，间接带隙半导体的吸收系数要比间接带隙半导体的吸收系数低23个数量级。第2页/共37页半导体材料的光吸收半导体吸收本征吸收激子吸收载流子吸收杂质吸收晶格吸收光子能量小光
2、子能量小于禁带宽度于禁带宽度时，依然有时，依然有可能存在吸可能存在吸收。收。第3页/共37页第4页/共37页第5页/共37页第6页/共37页第7页/共37页第8页/共37页第9页/共37页第10页/共37页第11页/共37页第12页/共37页第13页/共37页第14页/共37页第15页/共37页第16页/共37页第17页/共37页第18页/共37页第19页/共37页第20页/共37页第21页/共37页第22页/共37页第23页/共37页第24页/共37页第25页/共37页第26页/共37页第27页/共37页第28页/共37页第29页/共37页第30页/共37页第31页/共37页第32页/共37页第33页/共37页第34页/共37页第35页/共37页第36页/共37页感谢您的观看。第37页/共37页