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1、第三章第三章 双极型晶体管的频率特性双极型晶体管的频率特性3.1 晶体管晶体管交流电流放大系数交流电流放大系数与与频率参数频率参数3.2 晶体管的晶体管的交流特性交流特性分析分析3.3 晶体管的晶体管的高频参数高频参数及及等效电路等效电路3.4 高频下晶体管中高频下晶体管中载流子的输运载流子的输运及及中间参数中间参数3.5 晶体管电流放大系数的频率关系晶体管电流放大系数的频率关系3.6 晶体管的晶体管的高频功率增益高频功率增益3.7 工作条件工作条件对晶体管对晶体管fT、KPm的影响的影响1一、交流短路电流放大系数一、交流短路电流放大系数共基极交流短路电流放大系数：共基极交流短路电流放大系数：
2、共发射极极交流短路电流放大系数：共发射极极交流短路电流放大系数：两者之间的关系：两者之间的关系：3.1 晶体管交流电流放大系数与频率参数晶体管交流电流放大系数与频率参数2二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数 截止频率截止频率 f：共基极电流放大系数减小到低频值的共基极电流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值所对应的频率值 截止频率截止频率 f ：共发射极电流放大系数减小到低频值的共发射极电流放大系数减小到低频值的 所对应的频率值所对应的频率值3特征频率特征频率fT：共发射极交流短路电流放大系数为共发射极交流短路电流放大系数为1时时 对应的工作频率对应的工作频率最高振荡频率最高振荡频率fM
3、：功率增益为功率增益为1时对应的频率时对应的频率二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数4二、晶体管的频率参数二、晶体管的频率参数5 3.2 晶体管的交流特性分析晶体管的交流特性分析 晶体管在实际应用时大多是在直流偏压上叠加晶体管在实际应用时大多是在直流偏压上叠加上交流小信号，即作用在结上的总电压应为交、直上交流小信号，即作用在结上的总电压应为交、直流两部分电压之和，如果所叠加的交流信号为正弦流两部分电压之和，如果所叠加的交流信号为正弦波则波则作用在发射结上的总电压为：作用在发射结上的总电压为：作用在集电结上的总电压为：作用在集电结上的总电压为：6注意：一维模型中规定的电流方向注意：一维模型中
4、规定的电流方向 与与npn管管实际电流反向相反实际电流反向相反7一、均匀基区晶体管（以一、均匀基区晶体管（以npn管为例）管为例）交流信号作用下交流信号作用下基区电子一维扩散方程基区电子一维扩散方程基区电子密度分布基区电子密度分布（直流、交流叠加）（直流、交流叠加）分解与时间有关项分解与时间有关项和与时间无关项和与时间无关项基区电子电流密度基区电子电流密度交流分量交流分量通过发射结的空穴通过发射结的空穴电流密度交流分量电流密度交流分量交流信号作用下交流信号作用下发射区空穴一维扩散方程发射区空穴一维扩散方程均匀基区晶体管均匀基区晶体管交流电流交流电流-电压方程电压方程高高频频参参数数频频率率特特
5、性性8一、均匀基区晶体管（以一、均匀基区晶体管（以npn管为例）管为例）在在交流信号作用下基区电子的一维扩散方程：交流信号作用下基区电子的一维扩散方程：910边界条件：边界条件：x=0 0时，时，边界条件：边界条件：x=Wb其中：其中：1112通过基区的电子电流密度交流分量通过基区的电子电流密度交流分量同理，可求出通过发射结的空穴电流密度的交流分量同理，可求出通过发射结的空穴电流密度的交流分量13通过发射结的交流电流分量：通过发射结的交流电流分量：集电极电流的交流分量：集电极电流的交流分量：此二式即为此二式即为均匀基区晶体管交流电流均匀基区晶体管交流电流电压方程电压方程14基区宽变效应：基区宽
6、度随结电压变化而变化，从而引起输出电流的变化计入基区宽变效应：计入基区宽变效应：15二、缓变基区晶体管二、缓变基区晶体管基区电子的一维连续性方程基区电子的一维连续性方程16 3.3 晶体管的高频参数及等效电路晶体管的高频参数及等效电路一、晶体管高频一、晶体管高频Y参数及其等效电路参数及其等效电路二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路将晶体管看作四端网络来讨论其高频特性（输入、输将晶体管看作四端网络来讨论其高频特性（输入、输出关系）出关系）描述四端网络的高频参数（方程组）有描述四端网络的高频参数（方程组）有Y参数参数短路导纳参数短路导纳参数Z参数参数开路阻抗参数开路阻抗参
7、数h参数参数混合参数混合参数S参数参数散射参数散射参数 等等Y参数的表达形式与晶体管的参数的表达形式与晶体管的I-V方程一致，可直接由方程一致，可直接由I-V方程得到，且物理意义明显方程得到，且物理意义明显h参数更符合晶体管的实际特点，易于实际测量参数更符合晶体管的实际特点，易于实际测量17晶体管高频参数是高频特性方程组中的一组参数晶体管高频参数是高频特性方程组中的一组参数一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性参数相联系参数相联系另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与外电路的关系，使晶体管的外电路的关系
8、，使晶体管的CAD及计算机模拟得及计算机模拟得以实现以实现 3.3 晶体管的高频参数及等效电路晶体管的高频参数及等效电路18一、晶体管高频一、晶体管高频Y参数及其等效电路参数及其等效电路由由交流交流I-V方程可以直接得到最基本的方程可以直接得到最基本的Y参数，称为参数，称为本征参数本征参数加上（必要的）非本征参数构成较完整的高频等效电路加上（必要的）非本征参数构成较完整的高频等效电路19由由连续性方连续性方程所得，称程所得，称本征本征Y参数，参数，且没有频率且没有频率限制限制201、共基极本征输入导纳、共基极本征输入导纳Ycei输出端交流短路时，输入端交流电流幅输出端交流短路时，输入端交流电流
9、幅值随输入电压的变化值随输入电压的变化1)设设=1，即忽略，即忽略IpE2)认为认为 Wb/Lnb为一阶无穷小，展开双曲函数，略为一阶无穷小，展开双曲函数，略去高次项，还原去高次项，还原Cn21222、共基极本征输出导纳、共基极本征输出导纳Ycci输入端交流短路时，输出端交流电流幅输入端交流短路时，输出端交流电流幅值随输出电压的变化值随输出电压的变化233、共基极本征正向转移导纳、共基极本征正向转移导纳Ycei输出端交流短路时，输入端交流电压对输出端交流短路时，输入端交流电压对输出端交流电流的影响输出端交流电流的影响说明：正向转移导纳可看作将输入导纳转移到说明：正向转移导纳可看作将输入导纳转移
10、到 （被（被 放大了的）输出端的等效导纳，或放大了的）输出端的等效导纳，或 者说，是输出端输出的，被放大了的输者说，是输出端输出的，被放大了的输 入导纳入导纳 即：由输入电压即：由输入电压ue输入电流输入电流Ie输出电流输出电流Ic244、共基极本征反向转移导纳、共基极本征反向转移导纳Yeci输入端交流短路时，输出端交流电压对输入端交流短路时，输出端交流电压对输入端电流的影响输入端电流的影响25无量纲，称为无量纲，称为电压反馈系数电压反馈系数当保持发射极交流开路时，即当保持发射极交流开路时，即Ie=0，IE不变，不变，集电极电压变化对发射极电压的影响集电极电压变化对发射极电压的影响也称也称反向
11、电压放大系数反向电压放大系数发发射射极极交交流流开开路路，意意味味着着发发射射极极电电流流维维持持直直流流偏偏置置电电流流不不变变（恒恒流流），当当VcVc时时，Wb产产生生Wb的的变变化化，引引起起基基区区少少子子分分布布变变化化，为为了了使使IE不变不变(Ie=0)，应有应有VE使使nE变化变化nEn(x)nEnb(x)xn(x)262728二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路29二、晶体管高频二、晶体管高频h参数及其等效电路参数及其等效电路1、共基极、共基极h参数及其等效电路参数及其等效电路输入端电压为两部分电压串联输入端电压为两部分电压串联输入电流在输入阻抗上
12、的压降输入电流在输入阻抗上的压降输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电压对输入回路的反作用（电压源）输出电流为两部分电流并联输出电流为两部分电流并联被放大的输入电流（电流源）被放大的输入电流（电流源）输出电压在输出阻抗上产生的电流输出电压在输出阻抗上产生的电流+-+-iehrbucichibhfbIchobbec30h参数与参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，因而其间可以互相转换电压关系，因而其间可以互相转换低频时可忽略电容效应低频时可忽略电容效应高频时可忽略基区宽变效应高频时可忽略基区宽变效应3132 h11和h12的意义 h21
13、和h22的意义2、共发射极、共发射极h参数及其等效电路参数及其等效电路h参参数数都都是是小小信信号号参参数数，即即微变参数或交流参数。微变参数或交流参数。h参参数数与与工工作作点点有有关关，在在放放大区基本不变。大区基本不变。h参参数数都都是是微微变变参参数数，所所以以只适合对交流小信号的分析只适合对交流小信号的分析33目的目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系）方法方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数）实质实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用）3.4 高频下晶体管中载流子的输运过程高频下晶体管中载流子的输运过程发射结发射发射结
14、发射基区输运基区输运集电结收集集电结收集集电极输出集电极输出34一、发射效率及发射结延迟时间一、发射效率及发射结延迟时间对对CTe进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致进行充、放电的电流对输出没有贡献，导致降低降低35因re、CTe并联，具有等电压关系发射极截止角频率发射结延迟时间CTe的作用的作用：1、对、对 Ie的分流作用使发射效率幅的分流作用使发射效率幅 值随频率升高而下降值随频率升高而下降 2、RC延迟作用使注入电流滞后于延迟作用使注入电流滞后于 输入电流一个相位角输入电流一个相位角36二、基区输运系数及基区渡越时间二、基区输运系数及基区渡越时间基区输运系数随信号频率升高而减小：基区输
15、运系数随信号频率升高而减小：实质是高频信号首先对发射结扩散电容充放实质是高频信号首先对发射结扩散电容充放电（基区积累电荷的数量改变），这一电流仅电（基区积累电荷的数量改变），这一电流仅形成基极电流，对输出电流没有贡献，导致输形成基极电流，对输出电流没有贡献，导致输运系数降低及信号延迟运系数降低及信号延迟2004.00.0037二、基区输运系数及基区渡越时间二、基区输运系数及基区渡越时间注意：以集电极交流短注意：以集电极交流短路为条件路为条件，即，即uc=038进行整理、简化，得对对均匀基区均匀基区m0.22对对基区杂质按指数分基区杂质按指数分布的缓变基区晶体管布的缓变基区晶体管39对于均匀基区
16、，如果展开双曲函对于均匀基区，如果展开双曲函数后取一级近似，则有数后取一级近似，则有比较上两式，有比较上两式，有因re和Cde并联等电压，则有40对于均匀基区渡越时间有以下三个表达式：对于均匀基区渡越时间有以下三个表达式：m的实质是基区少子建立准稳态分布的弛豫时间的实质是基区少子建立准稳态分布的弛豫时间 由于不同的近似或省略造成系数上的差别，其本由于不同的近似或省略造成系数上的差别，其本质都是发射结扩散电容充放电（改变基区积累的电荷质都是发射结扩散电容充放电（改变基区积累的电荷数）引起基区渡越延迟时间，即基区渡越时间。数）引起基区渡越延迟时间，即基区渡越时间。41 发射结上电压的交变同时引起C
17、De和CTe的充放电，这两部分电容的充放电电流最后均转变成基极电流，使总发射极电流随频率升高而增大，发射效率下降。在等效电路上CTe 和CDe 是并联的，但实质上CTe 反映的电荷变化发生在eb结势垒区，而CDe反映的电荷变化发生在基区中。发射结等效电路发射结等效电路42三、集电结势垒输运系数及渡越时间三、集电结势垒输运系数及渡越时间 通过基区输运到集电结通过基区输运到集电结势垒边界的载流子，在反偏势垒边界的载流子，在反偏集电结空间电荷区强电场作集电结空间电荷区强电场作用下漂移通过空间电荷区，用下漂移通过空间电荷区，同时产生同时产生幅值的下降和相移幅值的下降和相移，其实质是交流信号作用其实质是
18、交流信号作用下，集电结空间电荷区边界下，集电结空间电荷区边界平移，载流子对空间电荷区平移，载流子对空间电荷区充放电而引起的充放电而引起的正正半周半周负半周负半周集电结空间电荷区没有交流信号没有交流信号43负半周负半周集电结空间电荷区没有交流信号没有交流信号正正半周半周电子穿过集电结空间电荷区电子穿过集电结空间电荷区引起其中电荷分布的变化引起其中电荷分布的变化直流时，这种变化是稳定的，直流时，这种变化是稳定的，小注入下可以忽略（耗尽层小注入下可以忽略（耗尽层近似）近似）交流时，这种变化是交变的交流时，这种变化是交变的在信号在信号正半周正半周，流入电子（负电荷），流入电子（负电荷）密度增大密度增大
19、，负电荷区电，负电荷区电荷密度荷密度增大增大，正电荷区电荷密度，正电荷区电荷密度减小减小；一定的结电压下，前；一定的结电压下，前者者变窄变窄，后者，后者变宽变宽在信号在信号负半周负半周，流入电子（负电荷），流入电子（负电荷）密度减小密度减小，负电荷区电负电荷区电荷密度荷密度减小减小，正电荷区电荷密度，正电荷区电荷密度增大增大；一定的结电压下，前；一定的结电压下，前者者变宽变宽，后者，后者变窄变窄正负电荷区宽度的变化由载流子的流动实现，相当于电容的正负电荷区宽度的变化由载流子的流动实现，相当于电容的充、放电，电子由穿过集电区的电子流分流，空穴由基极电充、放电，电子由穿过集电区的电子流分流，空穴由
20、基极电流提供流提供44关于集电结势垒渡越时间（空间电荷区延迟时间）有平行板电容器模型晶体管原理张屏英 周佑谟单边突变结模型微电子技术基础曹培栋参考Qd=Q/2模型双极型和场效应晶体管自学附加电场的电力线终止在极板上，使极板上感应出相应的电荷极板a上感应正电荷，对应基极电流提供的空穴极板b上感应正电荷，对应集电区侧空间电荷区展宽，电子流出，形成传导电流因此，运动电荷尚未到达b极板，极板上已因感应而产生传导电流集电结空间电荷区是载流子耗尽的高阻区，相当于平行板电容器空间电荷区边界相当于电容器的极板空间电荷区宽度相当于电容器极板间距离集电结电压相当于板间所加电压输出端交流短路时，板间电压为集电结反向
21、偏置电压若有一面密度为Qs的电荷层在板间电场作用下，以速度v由a向b运动运动电荷产生徙动电流Qv电荷层前后产生附加电场Ea、EbEaEbQsab基区基区集电区集电区速度速度v0 xx1xmcVCB4546以上讨论的是一个电荷薄层在集电结空间电荷区运动的情况以上讨论的是一个电荷薄层在集电结空间电荷区运动的情况474849集电结势垒延迟时间等于载流子穿越空间电荷区所需延迟时间的一半集电极电流并不是渡越势垒的载流子到达集电极“极板”才产生的，当载流子还在穿越空间电荷区的过程中，就在集电极产生了感应电流集电极电流是空间电荷区内运动的载流子在集电极所产生的感应电流的平均表现当信号波长远大于势垒区宽度时，
22、所得才结果成立50四、集电区倍增因子与集电极延迟时间四、集电区倍增因子与集电极延迟时间1.集电极电流在集电极串联电阻上的压降形成电场，该集电极电流在集电极串联电阻上的压降形成电场，该电场促进少子空穴流向集电结，使集电极电流增大。电场促进少子空穴流向集电结，使集电极电流增大。一般情况下可认为一般情况下可认为集电区倍增因子集电区倍增因子等于等于12.输出端交流短路时，集电极串联电阻输出端交流短路时，集电极串联电阻rcs上的交流压降上的交流压降引起集电结势垒电容引起集电结势垒电容CTc两端电压交变，导致其充放电两端电压交变，导致其充放电电流对输出电流分流，使输出电流减小电流对输出电流分流，使输出电流
23、减小3.定义定义集电极衰减因子集电极衰减因子4.集电极截止角频率集电极截止角频率5.集电极延迟时间集电极延迟时间6.集电结势垒输运和集电极延迟同时发生在集电结势垒集电结势垒输运和集电极延迟同时发生在集电结势垒区中，只是从物理概念上分别讨论区中，只是从物理概念上分别讨论51交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷量的变化交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷量的变化交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电结势垒电容上电压交变结势垒电容上电压交变两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流并产生延迟并产生
24、延迟两者同时发生在集电结中两者同时发生在集电结中Vbc恒定恒定（交流短路）（交流短路）rcs集集电电极极CinciciCTe52 交变信号作用下交变信号作用下晶体管各部分电容充放电使晶体管各部分电容充放电使载流子运动产生载流子运动产生延迟延迟；充放电电流的分流作用使充放电电流的分流作用使输出电流幅值下降输出电流幅值下降，电流放大系数下降电流放大系数下降发射结势垒电容发射结势垒电容充放电引起充放电引起发射效率下降和注入发射效率下降和注入基区的电流延迟基区的电流延迟发射结扩散电容发射结扩散电容充放电使充放电使基区输运系数下降和基基区输运系数下降和基区渡越延迟区渡越延迟集电结势垒电容集电结势垒电容因
25、交变电流改变其中电荷量及因交变电流改变其中电荷量及串联电阻上压降改变其两端电压而分别产生串联电阻上压降改变其两端电压而分别产生集电集电结势垒渡越延迟结势垒渡越延迟和和集电极延迟集电极延迟535455 3.5 晶体管电流放大系数与频率的关系晶体管电流放大系数与频率的关系一、共基极运用一、共基极运用其中其中56二、共发射极运用二、共发射极运用（一）（一）随随频率的变化频率的变化是是c、b短路短路是是c c、e e短路短路57代入、代入、整理、整理、化简化简比较上两式有比较上两式有高频端高频端放大系数幅值与放大系数幅值与工作频率成反比工作频率成反比满足满足6dB/倍频程倍频程5859（二）讨论（二）
26、讨论 共发射极截止频率远低于共基极截共发射极截止频率远低于共基极截止频率，特征频率略小于共基极截止频率，特征频率略小于共基极截止频率，随频率增高，止频率，随频率增高，下降的速下降的速度比度比的下降速度快。的下降速度快。2、时时，基基极极电电流流的的主主要要成成分分是是充充、放放电电电电流流，而而在低频情况下在低频情况下，基极电流主要是复合电流，基极电流主要是复合电流。60三、影响三、影响fT的的因素和提高因素和提高fT的途径的途径1、基区渡越时间、基区渡越时间2、发射结延迟时间、发射结延迟时间3、集电结势垒渡越时间、集电结势垒渡越时间 和集电极延迟时间和集电极延迟时间 远小于前两项远小于前两项
27、提高提高fT的的措施措施一般最大，是一般最大，是fT的主要限制因素的主要限制因素Wb增大一倍，增大一倍，t tb增大增大4倍倍提提高高基基区区杂杂质质浓浓度度梯梯度度，增增大大电电场场因因子子，自自建建电电场场的的漂漂移移作作用用将将使使t tb减减小小；但但表表面面浓浓度度增增大大将将减减小小Dnb，又使又使t tb增大，故增大，故=25 特特征征频频率率fT是是晶晶体体管管最最重重要要的的也也是是最最实实用用的的高高频频参参数数之之一一，因因为为它它不不仅仅仅仅是是晶晶体体管管作作电电流流放放大大用用的的最最高高频频率率极极限限，也也直直接接影影响响着着晶晶体体管管高高频频下下的的功功率率
28、放放大大能能力力和和开开关关特特性性。因因而而在在设设计与制造中总是设法提高其数值。计与制造中总是设法提高其数值。61提高提高fT的措施的措施减薄基区宽度，可采用浅结扩散或离子注入技术。减薄基区宽度，可采用浅结扩散或离子注入技术。降低基区掺杂浓度降低基区掺杂浓度Nb以提高以提高Dnb；适当提高基区杂质浓度梯；适当提高基区杂质浓度梯度以建立一定的基区自建电场。度以建立一定的基区自建电场。减小结面积减小结面积Ae、Ac，以减小结电容。，以减小结电容。减小集电区电阻及厚度，采用外延结构，以减小减小集电区电阻及厚度，采用外延结构，以减小xmc及及rs，但，但集电区电阻率及外延层厚度的选择要照顾到对击穿
29、电压的影集电区电阻率及外延层厚度的选择要照顾到对击穿电压的影响。响。做好做好Al电极欧姆接触。电极欧姆接触。注意管壳的设汁及选择，以减小杂散电容。注意管壳的设汁及选择，以减小杂散电容。在结构参数均相同时，在结构参数均相同时，npn管较管较pnp管有较高的管有较高的fT(DnDp)。62 3.6 晶体管的高频功率增益晶体管的高频功率增益一、最佳高频功率增益一、最佳高频功率增益KPm 为了得到晶体管最大有用功率增益，输入端和输出端为了得到晶体管最大有用功率增益，输入端和输出端必须满足必须满足共轭匹配共轭匹配条件。在满足阻抗匹配时的最大功率增条件。在满足阻抗匹配时的最大功率增益称为益称为最佳功率增益
30、最佳功率增益。功率增益取决于电流放大系数，故与工作频率有关。功率增益取决于电流放大系数，故与工作频率有关。63输入、输出端满足共轭匹配条件时，可获得最大功率增益输入、输出端满足共轭匹配条件时，可获得最大功率增益输入端为纯电阻性匹配，输出端输出阻抗为容性。阻抗为：输入端为纯电阻性匹配，输出端输出阻抗为容性。阻抗为：要求负载阻抗为：要求负载阻抗为：!64上式上式说明，说明，KPm与与fT成成正比，与正比，与rb、Cc成成反比，与反比，与f 2成反比成反比随随f上升，上升，KPm下降，下降，f增大一倍，增大一倍，KPm下降为下降为1/4（-6dB）即即-6dB/倍频程倍频程65可见可见fT并不能作为
31、晶体管是否具有功率放大能力的判据并不能作为晶体管是否具有功率放大能力的判据二、高频优值和最高振荡频率二、高频优值和最高振荡频率当当KPm=1时，时，fM称为晶体管的最高振荡频率功率放大的最高频率称为晶体管的高频优值66三、提高功率增益或最高振荡频率的途径三、提高功率增益或最高振荡频率的途径提高提高Kpm、fM、fM2三者是一致的，不外乎是提高三者是一致的，不外乎是提高fT，减少基区电阻减少基区电阻rb，输出电容输出电容Cc及发射极引线电感及发射极引线电感Le等等1、浅结扩散、浅结扩散2、浓硼扩散、浓硼扩散3、减少输出电容、减少输出电容Cc4、减少发射极引线电感、减少发射极引线电感Le浅结扩散既
32、可获得薄的基区宽浅结扩散既可获得薄的基区宽度，又可有效减小基区方块阻度，又可有效减小基区方块阻67 3.7 工作条件对晶体管工作条件对晶体管fT、Kpm的影响的影响一、对一、对fT的影响的影响1.工作电压工作电压Vce对对fT的影响的影响2.工作电流工作电流Ic对对fT的影响的影响1.工作电压工作电压Vce对对Kpm的影响的影响 2.工作电流工作电流Ic对对Kpm的影响的影响二、对二、对Kpm的影响的影响 工工作作条条件件包包括括工工作作电电压压和和工工作作电电流流，通通过过结结电电容容、结结电电导导（阻阻）、势势垒垒宽宽度度和和基基区区宽宽度度等等参参数影响频率参数数影响频率参数681.工作
33、电压工作电压Vce对对fT的影响的影响2.工作电流工作电流Ic对对fT的影响的影响fT fT 随随Vce ,fT:Vce Vcb xmc Wb t tb Vce Vcb CTc t tc Vce Vcb Ecb v vsl t td 随随Vce,fT :v vsl后，后，xmc t td t tb、t tc变化不大变化不大fT fT 随随Ic ,fT:Ic Ie re t te 随随Ic,fT :发生发生有效基区扩展效应有效基区扩展效应Wb t tb 691.工作电压工作电压Vce对对Kpm的影响的影响2.工作电流工作电流Ic对对Kpm的影响的影响随随Vce ,Kpm:Vce Vcb xmc Cc Vce Vcb xmc Wb rb 随随Vce,Kpm 上升变缓上升变缓:Vce xmc扩展变缓扩展变缓x1扩展变缓扩展变缓Wb 变缓，变缓，Cc 变缓变缓随随fT的变化的变化70