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1、第2 3 卷 第6 期 Vo 1 2 3 No 6 材料科学 与 工程学报 J o u r n a l o f Ma t e r i a l s S c i e n c e&En g i n e e r i n g 文 章 编 号：1 6 7 3 2 8 1 2(2 0 0 5】0 6 0 9 1 5 0 4 总 第 9 8 期 De c 2005 Z n O低压压敏电阻陶瓷材料研究进展 赵 鸣，王卫民，张 昌松，张慧君，刘 向春，田长生(1 西北3-业大学材料科学与3-程学院，陕西 西安7 1 0 0 7 2；2 内蒙古科技大学材料科学与 T程学院，内蒙古 包 头0 1 4 0 1 0】【摘
2、 要】本文详细介绍了不同体系的Z n O低压压敏电阻材料特点及各自的局限性，并且对 Z n O压敏电阻向低压 化发展趋势下出现的材料低 温烧结技 术进 行了评述。最后 在总结 以往 研究的基础 上提 出了若干 Z n O低 压压敏 电阻材 料组份设计上的原则，可为压敏电阻及其它电子陶瓷材料的研究提供一定的指导意义。【关键词】低压 Z n O压敏电阻；低温烧结；配方设计 中图 分 类 号：T M2 8 6 文献 标 识 码：A Pr e s e n t De v e l o p me n t o f Lo w Vo l t a g e Zn O Va r i s t o r Ce r a mi
3、c s ZHAO M i n g 一，W ANG W e i mi n ，ZHANG Ch a n g s o ng ，Z HANG Hu i j u n L I U Xi a n g c h u n ，T I AN Ch a n g s h e n g (1 T h e Ma t e r i a l S c i e n c e a n d En g i n e e rin g c o H e g e o f No r t h we s t P o l y t e c h n i q u e Un i v e r s i t y。X i f tn 7 1 0 0 7 2；2T h e Ma t
4、 e r i a l Sci e n c e a n d En g l n e e rin g c o l l e g e o f I n n e r Mo n g o fi a Sci e n c e a n d T e c h n o l o g y Un i v e r s i t y，B a o t o u 0 1 401 0，Ch i n a)【A b s t r a c t】T h i s p a p e r p r e s e n t s a t e c h n i c a l r e v i e w o f m a t e ri a l c h a r a c t e ri s
5、 t i c s o f d i f f e r e n t s y s t e m s o f Z n O l o w-v o l t a g e v a ri s t o r c e r a m i c，a s we l l a s a r e e x a mi n a t i o n o f l o w t e mp e r a t u r e s i n t e r i n g t e c h n o l o g i e s u s e d i n t h e f a b ric a t i o n o f l o w v o l t a g e Zn O v a r i s t o
6、r c e r a mi cTh e n i n t h e l i g h t o f p e e r r e s e a r c h e s i n t h i s r e a l m，s e v e r a l g ui d e l i n e s，wh i c h c a n b e us e d i n t h e d e s i g n o f l o w v o l t a g e Zn O v a ris t o r，a r e g i v e n o u t a t t h e e n d o f t hi s a r t i c l e【K e y w o r d s】l
7、o w v o l t a g e Z n O v a ri s t o r；d o p a n t s；l o w t e m p e r a t u r e s i n t e r i n g 1 引 言 随着 电子 电路 领域 集成度 的 提高，各 种电子 元器 件 的 驱动电压及耐压 值逐渐 下 降，与此 同时，由 于静 电、电磁脉 冲(如人体静 电放电一 E S D)等原 因导致的单 一器件误操 作或 损坏造 成的整个集 成电路 出现误操 作或损坏 的机率也 大大 增加。因此在 现代集 成 电路应 用 中，需 要用大 量 的低压 压敏电阻吸收在电路 内部 或外部 的浪 涌电 压或 电
8、流，对集 成电路进行保 护，因此低 压压敏 电阻 有着 广阔 的市场 应 用 前景。多层 Z n O低压压敏电阻具有体积 小，通流容量 大，响 应速度快，限压特性 好和温度特性 优 良，适 合表面 安装等特 点，完全适应了这方面的需求。低 压 Z n O压敏 电阻材料 的研究以高压 Z n O压 敏电 阻材料 的研 究和 发展 为基础，是 继 Z n O材料被用于制备高压压敏电阻之 后的又一 重要发展 方向 。多层 Z n O低压压 敏 电阻采 用与 独石 型多层 电容 器相类 似的结 构，由 陶瓷材 料 的内电 极材料 共烧 而成。生 产中为降低生产成本，要 求陶 瓷材料 应具 有相对 较
9、低 的烧 结温度，这样有利于采用成 本更 低的、贵金 属(如 P t、P b等)含量少 的内电极材 料。因此 在低压 化发 展趋势下，Z n 0 压敏 电阻材料 除了应具有高 的非线性、均匀 的显微结 构，同 时还 应具有尽可能低 的烧结温度。2 低压 Z n O压敏 陶瓷 的材料体 系 目前 发展比较 成熟 的 Z n 0压敏 电阻材料 主要 有 以下 三 个体 系：(1)z n B i 系；(2)z n v系；(3)z n P r 系。z n B i 系 Z n O 压敏电阻材料是 目前 研究 最透彻、应 用最 广泛 的压 敏 电阻 材料。主要缺 点是烧结 温度较高，同时 主要 成份 B
10、i 2 O 具有 很 高的活性(熔 点约 8 2 5)，烧结过程中易挥发导致材料的 成份 波动，同时也容易和 内电极材料中的 P d 或 A g 反应而降 低材料性能，因此其 在低 压压敏 电阻 方 面的应用 受 到一 定 的限制。与 z n B i 系材料 相 比，z n P r 系材料 具有 更好 的压 敏特性，非线性系数最高可达成 6 5 ，现 已被用于制造 几 百千伏变电站的电涌放电器。缺 点是材料 的烧结 温度高(大于 1 2 5 0)，而 且 成 本 昂 贵。相 同纯 度 的原 料一 氧 化 镨 收 稿 日期：2 0 0 4 1 2 2 1；修 订 日期：2 0 0 5 0 3 0
11、 4 基金项 目：航空基金资助项 目(0 2 G 5 3 0 4 4)作者简 介：赵鸣(1 9 7 3一)，男 辽宁绥中人，博士研究生 讲师，从事功能陶瓷材料制备及功能特性方面研究 维普资讯 http:/ 9l 6 材 料科 学与 工程学 报 2 0 0 5年 1 2月 (P r 2 O )价格 比氧化钒(V：O )的价格高 出 5 O倍，所 以这会在 一定程度上限制 z n P r 系 材料在 实际 中的推 广和 应用。但 目前商用 Z n O低压压敏电阻 中，P r 2 O 的用量一般 都不会超 过 0 5 m o 1。这样将 由于采用 P r，O 作原料而上升 的成 本，平均在单个体 积
12、很小、重 量很轻 的 多层压 敏 电阻上后 将是 微不足道的。(以广东丰华 高科生 产 的 0 6 0 3型低压 压敏 电 阻为为例，其单个体积仅 为 1 m m ，重 量约 为 0，O 1 g，由原 料 变化导致的成本上升将 不到一分 钱 只)。因此，只要能在保 证性能的同时，切实降低 z n P r 系材料 的烧结 温度，z n P r 系 材料是制备低压压敏电阻用的非 常有希望的候选 材料。z n v系材料是唯一 可以在 9 0 0 下烧结 的压敏 电阻材料“，这使其成为 目前最适合低压应用 的压敏 电阻材料。其组 成 相对简单时压敏特性 并不优 越。，要 想获得 高性 能的 压敏 陶瓷
13、，必须 在 Z n V系 材 料 中继续 添 加 多种 金 属 氧化 物 掺 杂，如 M n o 4、c o 2 O 、N a 2 O(以 N a C O 或 N a H C O 形 式 添 加)等，来改善其 压敏 特性 和老化特 性，以及 s 1)2 O 、c 等 来改善组织均 匀性。但有 时掺 杂 的引入(主 要是 S b：O )会 导致材料烧结温 度升 高。由此可见，实 现材 料 的烧结 过程 的低温化是 Z n O基压敏电阻材料所面临的共 同的课题。3 降低 烧结温度 的途径及技术 Z n O多层低压压敏电阻的制备工 艺为：原料准备一流延 料 浆一 流延成膜一 冲片一 内电极 印刷一叠
14、 片成块一 切割一 排胶一烧成一上 端面 电极一 性能 测试，降低 材料 的烧 结温 度可以从原料准备 和烧成 这两道工序人手。3 1 原料准备 阶段降低烧结温度的途径 Z n O基压敏电阻陶瓷材料 的烧结过 程是 典型 的液相烧 结。烧结 过程 中，原 料的粒 度越 小、表 面活性 越高，在烧 结 过程 中获得 的驱 动力越大，陶瓷 越容易在 较低 的温度 下 烧结。因此，许多研究者通过溶胶 凝胶法、共沉淀烧法等湿 化学方法，制备粒子 半径 小、表面 活性 高的 Z n O粉 体，并 以 此为原料制备出了可低温烧结 的、高性能的压敏电阻材料。3 1 1 溶胶 凝 胶(S o 1 G e 1)
15、法 这种 方法 已经被 广泛 应 用于包 括 Z n O在 内的 多种 电子 陶瓷 器件原料粉体 的制备研 究中。该 方法采用按既定 比例 的金属醇盐混合配成 一 定浓度 和 P H值 的胶体，经陈化 收缩后制成凝 胶，然后经 洗 涤、干燥等工序，制成 大小均 匀 的、纳 米级 的粉体 原 料。根 据刘素琴。加 的研究结 果，采用 S o 1 G e l 法 制得的 Z n O粉体 粒 度在 4 O8 0 n m之内(球磨 法制 得的粉 料直径 通常 为 1 m)，大小分布均匀。以此 为原 料的 z n B i 系 多组 份陶 瓷原料 粉 体经 3 0 0 预烧后，烧 结可在 9 0 0 一1
16、 3 0 0 范 围内进行，最 佳 烧 结 温 度 降 至 1 2 0 0，非 线 性 指 数 为 2 8。Y a n q i u Q H u a n g 用 S o 1 G e l 法结 合旋 转喷 镀，在硅 衬底 上制 备 了在 7 5 0。C下可以烧结 成瓷 的、厚 度仅 2 m，压敏 电压为 4 V ra m、非线性系数为 2 2的薄膜型 压敏 电阻。目前 S o 1 G e l 法仅 在 某些特 定成份 的电子 陶瓷生 产中得 到应 用，并没有 在压 敏 电阻材 料的生 产 中得 到广 泛 的应用。其主要 原 因有 三：一 是 由于金属醇盐 价格 昂贵、种类有 限；二、生 产成本 高
17、；三、对于不同规格、掺杂元 素不同的产 品，必 须对溶胶 的配制及 陈化 等多道工 序做 出相应 的调整，使生产工艺复杂化。3 1 2 共沉 淀法 共沉 淀法是将组份元素 的可溶性盐类 按一 定比例配制成溶液，再加入相 应的沉 降剂如碳 酸氢铵、乙醇胺等，使各组份的元 素共 同形 成沉淀，并通过 调节溶液 的 P H值、浓度等途 径控 制沉 淀粉体 的性能。然 后经 洗涤、过滤后，得到混合均匀的、半径小(可达 2 0 0 n m 以下)粒 度分 布均一的氧化物复 合原料 粉体。复合粉 体 可以 在 9 0 0 下 烧结(z n B j 系)。与传统工 艺相 比，用共 沉淀法制 得的相 同 成份
18、的 Z n O压敏 电阻具有非线性 高、漏 电流小，晶界势 垒高 等特点。由于采 用可 溶性 盐类 作原 料，与前一 种 方法 相比，其生产成 本稍 低，但 是在 原料组 成 复杂 时，各种 沉淀 产生时间难 以同步，大大 降低 原料粉体 成份 的均 匀性，最终 必然导致器件性能的分散性加大。另外 制 备 小 半 径、高 活 性 粉 体 的 方 法 还 有 蒸 发 凝 结 、金属有机 聚合 物加 热分 解 等 方法，和上述 方 法一 样具有工艺难控制、需要 额外 添加设 备的缺点，因此并没有 在 Z n O压敏 电阻的生 产 中得 到广 泛的推 广 和应用，目前压 敏 电阻 的生产主要还是 以
19、传统 的干法生产为主。干法 即通 常所说 的氧 化物破碎法，其工艺 简单，成 本低廉。其缺点是制备的粉料 颗粒尺寸 大、均 匀性差，且容 易引入球磨介质污染等问题。随着高能球 磨和在球 磨介 质 及球磨罐 内壁包 附有机衬料、以及 引进喷雾造 粒等技 术，使 上述问题在很 大程度 上得 到缓 解。采 用干 法工艺，由于没 有 了湿法在烧结 驱动 力和表 面活 性方 面的优 势，因此 从原 料 准备 的角度来考虑 降低烧结温 度就 只能通过改 变原有 的 配方设计或 引入低熔点 的化合物或烧结助剂来进行。3 1 3 引入低熔点 的化合物或烧结助剂 通过引入低熔 点 化合 物或烧结 助剂来 降低材
20、 料烧结温 度的方法 是利用 液 相烧结 原理来达 到降 低材料 烧结 温度 的 目的，其依 然属 于 掺杂改性 的范畴。Z n O基压 敏电阻材料 中的掺杂元 素大 体 可以分成两类：a)非线性形成元素，如 B j、v、B a、P r、P b；b)改 性元 素，如非线 性促进元 素 Mn、C o、N b、Mo、N i、S b等和改 善 老化特性 元 素 、K、M L a、N d、s m、E u。上 述列 举 的掺 杂 元 素的氧化物中，B i 2 O，、V 2 、B。O，、P b O本身 就是低熔点 的 氧化物(熔点 分别 为：8 2 5 、6 8 5 、4 6 5、8 8 0)。由 于氧
21、化物粉体在烧结 过程 中通 常是 在熔 点之 下就 开始熔 化，所 以即便是在单独引入 情况 下，它们 也可 以起 到液 相烧结 降 低材料的烧结温度的作 用。另外一 些氧化 物则 可以 和 Z n O 或其它的组份一起形成低熔点化合 物(通 常是共 晶)或玻璃 相，例 如 B i 2 O 和 Z n O 在 7 5 0 ，B i2 O 和 A 1 2 O 在 8 1 0 、V 2 O 5和 B a O 在 5 3 0 ，P b O、B 2 O 、S i O 2组 成 的玻 璃 相 在 6 0 0 之下都可 以有液相 生成，它们 的共 同引入 同样有 降低 烧结温度 的作 用。例 如，吴 隽
22、在组 成 为：9 8 5 m o l Z n O 0 5 to o l V 2 O 。1 m o l M n O 2的 组 份 中继 续 添 加 了 6 w t (P b O+B：O )玻璃后，材料可 以在 8 0 0 下 经 4个小时烧结，非线性系数为 2 2 5，漏 电流为 7 6 1 0 A c m 。另据 一份 美 国专利川 的报导，在类似组份 中添加 1 01 5 w t 的 P b B s i 玻璃 料，材料的烧结 温度 可 以降低 到 9 0 0 以下，所 获得 维普资讯 http:/ 第 2 3 卷第 6期 赵鸣，等 Z n O低 压压 敏电阻陶瓷材料研究进展 9 1 7 的瓷
23、体的非线性 系数可 以达 到 3 5。因此 只要合理 利用、配 置上述各种有利 于低温烧 结 的因素，制 备压 敏 电阻的 三个 体系 的材料，理论 上都有进一步 降低烧结温度 的可 能性。掺杂元素 的引人形式也会对 材料 的烧结产生 影响。以 s b为例，当以氧化物形式 在 z n B i 系 材料 中添加 时，材 料 的 非线 性 在 改 善 的 同 时，烧 结 温 度 会 大 幅 增 高(大 于 1 2 5 0 o C)。“。主 要 原 因 是 S b，O 从 5 0 0o C左 右 开 始 挥发、沉积在 Z n O表面，形成 一层阻 碍 Z n O晶粒与外 界 的 传质过程 的非 晶阻
24、挡层。其对晶粒 生长 的阻碍作用 一直到 9 0 0 o C 时与 Z n O反 应 生成 Z n s 1)2 O，：尖 晶石 相 后才 会 结 束。若将 B i O 和 s b 2 O 在 5 5 5 o C 进行保温近 6小时的预处理后，再进行复合添加，上述 由于 s b 2 O 的挥发导致的对 晶粒成长 的阻碍作用就会大大降低。s b 掺杂使 材料烧结 温度 上升 的问题在 z n v系材料研 究中也同样存在，这非常不利于 压敏 电阻 材料 的 低压 应用。笔 者采 用 类 似方 法，将 V，O s b，O 按既定的 比例配料、球磨 后，在 6 0 0 C以上进 行大 于 l 小 时 的
25、预 处 理，炉 冷 后 按 比例 在 Z n V Mn C o S b五 元 系 压 敏 电阻 中取代原有 的 s b 2 O ，再按传 统 工艺 在 9 0 0 C烧结 4小 时，可 以获 得相对密 度达理论 密度 9 7 以上的高致密 度压 敏电阻材料，具 体进展 情况 笔者将 在 随后 的文 章 中与 以报 道。掺杂物是 否 要进 行 预先 的 处理 视 材料 的 具体 情 况而 定。如 B i O 和 A 1 2 O 共 晶 温 度 为 8 l 0 o C，A 1 O 的 熔 点 为 2 0 5 0 o C；V，O 和 B，O 可 以 因 配 比不 同，在 6 7 5 o C 4 6
26、0 o C的 范围内形成无限置换型 固溶 体，B i，的熔点 为 4 6 0 C，所 以 在 z n B i 系材料中掺杂 A 1 O 时，先将 B i O 和 A 1：O 合成低 熔点共晶添加，比单独 添加 A 1 O 更有 利，而在 z n v系材料 中掺杂微量 的 B，O ，则单独 掺杂 比与预合 成后 再复合 掺杂 更有利。此外，掺杂物 以碳 酸盐、碳 酸氢盐 或是硝 酸盐 等形 式时，由于上述盐类 在烧结 中低温 阶段 就会 开始分解，产生 的氧化物尺寸更 细小、分 布更 均匀，活性 更高，所 以如 果相 应工 艺参数控制得 当，使分解反应 产生 的气 体完全排 出，材 料就 可以在
27、更低 的温度下获得 更加致 密均匀 的烧 结体。王 守 国 以硝酸盐或酒石酸盐的形式引人掺杂，在 4 0 0 C 进行 热分解，其它的工 艺与传统 氧化物 陶瓷 制备方 法相 同，最终 可获得晶粒更均匀，通 流能力加倍 的压敏 电阻材料。3 2从烧结工艺入手降低 烧结温度 与普通烧结工艺相 比，由于微波 的作用，陶瓷 晶粒的成 长可获得额外 的驱动力，素坯体 中气孔 也更容 易排 出，所 以 采用微波烧结工艺 可 以使陶 瓷材料 在更 短 的时 间内，更低 的温 度下 烧 结 成 瓷。WA N C HU I L E E 以 Z n B i 系 的 材 料 为 例，以 1 2 0 o C m i
28、 n的速 率升 温至 1 0 0 0 o C，然 后直 接 以 1 4 0 o C m i n的速率降温至室 温。最终试 样 的密度 可以达 到理 论密 度 的 9 5 以上。同一组份的材料，采用普通烧 结方式，要想 达到 同样 的致密 度与 同样 的性 能，则需 采用较 低 的升 温速 率和较高 的保温温度和保温时间(5 m i n，1 2 0 0 C，6 O m i n)。从上述可 以看 出，经济高 效 是微波 烧结 技术 的最 大特 点，但这方面的研究 还主要 集 中在 块体 Z n O压 敏电阻 的制 备上。在低压多层 压敏 电阻制备 中采 用该技 术，微波 的振 动作用会不会使排胶后
29、 的素坯体 分层、破裂，在相对较 短的 时间 内，由瓷体材料 和 电极材 料之 间 的不 同线 收缩 率导 致 的内应力 积累会不会 使烧结 的试 样 分层 开裂等 问题，都 将 是 研 究者 日后 需 要 面对 的 问题。4 低压压敏 电阻配方设 计 关 于在压 敏电阻材料 的配方选择 中应遵 守什么样 的原 则，很少有研究涉 及。但从 以往 的研 究 和上述 的 分析 中可 以看出，在上述三类不同体系 的压敏 电阻材料 中，存 在着以 下 共 同点：1)首先这三类压敏 电阻 的显 微结构 主要 由 Z n O晶粒和 非常少量 的晶界相组成，晶界层的厚度小于 2 0 0 k；2)Z n O和
30、体 系中的非线性形成元素(如 B i、V、P r)和其它 的一些非线性促进 元素(如 N b、C o、M o 等)的氧化 物组 成的 平衡相 图上，在高温 相区 的组成 大都是 由 Z n O和某 种液 相 组 成：3)非线性 形 成元素 都 以高价 的形 式 出现，保证 在烧结 后期，在晶界上 由于受主态的作用形成耗损层。4)非线性形成元素(B i、v、P r)和 非线性 促进元 素(C o O、M o 等)的 氧化物 之间，也往 往形成 液相，以 V，O 和 C o O为 例，从图 l 所示 的二者 的平衡相 图中可 以看到 在富 V，O 侧，当温度大于 6 3 0 C 后，就会有 液相
31、出现；5)非线性促进元素通常都有 较小 的离 子半径，如 c o“、Mn“、Mo“，它们 的离 子半 径分别为：6 5 p m、6 7 p m、6 9 p m。这 样 它们就可 以很 容易溶 人 晶界或 Z n O晶粒 当 中，达 到掺 杂 改性 的 目的。图 1 V2 O 5 C o O平 衡 相 图 F i g 1 T h e e q u il i b r i u m p h a s e d i a g r a m o f V 2 O 5 一 C o O(C B r i s 1 9 5 7)通过 以上共 同点 的分 析，Z n O基 压敏 电阻材料组 份设 计可以遵循 以下的原则：1 材料
32、组 成 以 Z n O为 主，所 选择 非线性 形成元 素 中必 须包括价 态(3)高价掺杂元素(如：B i、P r、V)；2 烧结 过程 中掺杂 物可 以和 Z n O反 应生 成液相，保 证 掺杂物在烧结过程 中和 Z n O晶粒 有 良好 的浸润 性；成份 的 选择范 围以亚共 晶 区为 宜，保证不 过多 地改 变 Z n O主 晶相 的性质，同时数量上应可以保证形成 高阻晶界相；3 非线性促进元素 以具 有较小 离子半径 的过 渡金属元 维普资讯 http:/ 9 1 8 材料 科学 与工 程学 报 2 0 0 5 年 1 2 月 素 为主；4 当掺杂物的熔 点低于其 和原料 中的其它
33、掺杂 物形成 的共晶产物 的熔 点时。应采 取单 独 添加 的形式，反 之，则可 以以预合成低熔点化合物 的形式进行添加；5 引 入 的 玻 璃 相 除 了 应 具 有 较 低 的 熔 点 之 外，还 应 满 足上述对掺杂物 的要求。5 结束语 随着科技 的发 展，对 Z n O压 敏 电阻材 料的研 究 还有 待 进 一 步 加深。Z n O压 敏 电 阻 的 低 压 化、片式 化 是 目前 应 用 的 主要趋势。伴随着低 压化 的过 程，Z n O压敏 电阻材料低 温烧 结技术正逐渐成为研究热点。如何在 低温化 的同时保证 和 提高材料的综合性能将是摆在研究 者面前 的重要课 题。在 逐步
34、认清各组成成份 对材 料 的显微结 构、宏观 性能 影 响规 律的基础上，逐步 总结 完善 Z n O压敏 电阻材料 的组 份设 计 的指导原则是研究理论化过程中 不可或 缺的组成 部分。对 于以上问题的研究，必将 会逐 步拓 宽 Z n O压 敏 电阻应用 领 域，加速其市 场 化进 程，并 最终 为整 个社 会 带来 更 大 的价 值。2 3 4 5 6 7 8 9 1 O 1 2 参 考 文 献 R P u y a n eAp p l i c a t i o n s a n d p r o d u c t d e v e l o p me t n i n v a r i s t o r
35、s【J j J o u rnal o f Ma t e r i a l s P r o c e s s i n g T e c h n o l o g y，1 9 9 5，5 5：2 6 82 7 7 张道礼 式 叠层 压敏 电阻器 的 发展 和应 用 J 现 代技 术 陶 瓷，1 9 9 8，4：3 1 3 6 张丛春，周东祥，龚树 萍 低压 Z n O压敏 电阻材料研究及 发展 概况 J 功能材料，2 0 0 1，3 2(4)：3 4 3 3 4 7 曲远方 功能陶瓷 材料 M 化学工业 出版社，材 料科学与工 程 出版 中心联合出版 发行，北 京：2 0 0 3年 6月第一 版：1 8
36、5 】9 7 S B e mi k，N D a n e u，A R e i c n i k I n v e rs io n b o u n d a r y in d u c e d g r a i n g r o w t h i n T iO 2 o r s b 2 O 3 d o p e d Z n O b a s e d v a r i s t o r c e r a m i c s J j J o u r n a l o f t h e E u r o pea n C e r a m i c S oci e t y，2 0 0 4，a r ti c l e i n p r e s s 章
37、天金，周东祥，龚树萍，姜胜林 籽晶法 制备低 压 Z n O压敏 电阻器 J 电子元件与材料，1 9 9 8，1 7(4)：1 01 2 王兰义 层 片式 Z n O压敏 电阻器 的现状与发展方 向 J ，电子 元件与材料，2 0 0 3 2 2(7)：4 24 5 Ke n S AT O，e t a1 E l e c tr i c at C o n d u c t i o n o f Zn O Va r i s t o r s u n d e r C o n ti n u o u s DC S t r e s s l J j J P NJ A P P LPH YS1 9 8 0，9(5)：9
38、 0 9 91 7 Y i n g-C h u n g CHE N，e t a1 G r a i n G r o wth a n d El e c t r i c al Pro pe r t i e s i n Z n O Va r i s t o r wit h Va r i o u s Vale n e e S t a t e s o f Ad d it io n s【J j J P NJ A P P LP HYS J a n u a r y 1 9 91，3 0(1)：8 49 o 薛泉林 叠层压敏 电阻器 的近期研制动 向 J 电子元 件与材 料，1 9 9 8，1 7(3)：2 5
39、2 8 H O O N WO O N A H M，C H O O N-H Y U N P A R K，e t a1 J j J OU R N A L OF MA T ER I AL S S CI EN C E L En RS，2 0 0 0，1 9：2 7 4 12 7 4 9 HO ON WOO NAHM，J O NG-AH P ARK，e t a1【J j J OUR NAL OF MA TE RI AL S S C I E NC E，2 0 0 4，3 9 1 3 j 冯如 璋 功能 材料 学概论 M 1 7 8 3 0 73 0 9 冶 金 工 业 出 版 社，2 0 0 0：1 7
40、5 1 4 付明，周 东祥，龚树 萍 Z n O V 2 O 系压敏 电阻器 的掺 杂改性 J 电子元件与材料，1 9 9 9，2 32 5 1 5 H e r i b e r t o P f e i e l K e v i n MK n o w l e s J J o u rnal of t h e E u r o pean C e r a mi c S o c i e t y，2 0 0 4，2 4：1 1 9 91 2 0 3【1 6 j J y h K u a n g T S A I，T a i-B o r WU Mi c r o s tr u c t u r e and n o n
41、o h mic p r o p e rt ie s o f Z n O-V 2 O 5 c e r a m i c s J j J p n J A p p 1 P h y s ，1 9 9 5，3 4：6 4 5 264 5 7 1 7 H u e y H o o n H n g ，P o h L i n g C h a n E ff e c t s o f Mn 0 2 d o p i n ginV 2 O 5-d o ped Z n O v a r i s t o r s y s t e m l J j M a t e r i al s C h e mis tr y a n d P h y
42、 s i c s，2 0 0 2，7 5：6 16 6【1 8 j D a v i d RC l a r k V a r i s t o r C e r a m i c s【J j J A m C e r a mS o c ，1 9 9 9，8 2(3)：4 8 55 2 0 1 9 袁方利，黄淑兰，李晋林 液相掺杂对 Z n O压敏电阻器性能的 影响 J 电子元件与材料，1 9 9 8，1 7(3)：1 21 4 2 O 刘素琴 S o 1 G e l 法制备 Z n O压 敏陶瓷及其 电性能 J 无机材 料学报，2 0 0 0，1 5(2)：3 7 63 8 0 2 1 j Y anq i
43、 u QH u ang，e t a1P r e p a r a t i o n a n d p r o per t i e s o f Z n O-b a s e d c e r a m i c fi l m s f o r l o w v o l ta g e v a r i s t o r s b y n o v e l s o l-g e l p r oce s s【J j M a te ri al s S c i e n c e and E n n e e ri n g，2 0 0 1，B 8 6：2 3 2-2 3 6 2 2 陈艺锋，唐谟 堂，张保 平，杨 声海 湿 法合成 氧化锌
44、压 敏电阻 粉体的现状与展 望 J 电子元件与材料，2 0 0 4，2 3(1)2 3 彭忠东 共沉法制备掺杂氧化锌压敏 陶瓷粉料 的研究 J 中 国有色金属学报，2 0 0 0，1 0(4)5 7 95 8 3 2 4 j J u n Wu，C h a n g s h e n g X i e ，J u n h u i H u，e t a11 J j J o u r n al o f t h e E uro pe a n C e r a mi c S o c i e t y，2 0 0 4，2 4：3 6 3 53 64 1 【2 5 j D u r 6 n，P ，C a pel，F ，T a
45、 a a j，J ，Mo ure，C 1 J j J A m C r e a m S o c ，2 0 0 1，8 4：1 6 611 6 6 8 2 6 吴隽 掺杂 Z n O V 2 O 压敏 电阻材料的低温烧结 J 无机材料 学 报，2 0 0 2。1 9(1)：2 3 92 4 3 1 2 7 【P j U n i t e d S t a t e s P a t e n t：5 9 7 3 5 8 9【2 8 J C h i-Y e n S H E N，e t a1 T h e E ff e c t o f A n t i m o n y O x i d e o n t h e E l
46、 e c tr i c al Pro perti e s a n d S t a b i l i t y o fZ n O V a r i s to r s l J j J p n JAp p 1 P h y s ，1 9 9 3，3 2：1 1 4 71 1 5 3 1 2 9 j S l a v k o B e mi k a Th e c h a r a c t e ri s t i c s o f Z n O-B i2 O 3 一 b a s e d v a r i s t o r c e r a mi c s d o ped wi th Y2 Os a n d v a r y i n
47、g a mo u n t s o f S b：O s【J J J o u r nal o ft h e E uro pe an C e r a mi c S o c i e t y，2 0 0 4，2 4：1 1 9 51 1 9 8 1 3 O j M ash a h im I T O，e t a1 T h e s b 2 0 3 a d d it io n e ff e c t o n s i n t e r i n g Z n O and Z n O+B i 2 0 【J j J p n J A p p 1 P h y s，1 9 9 7，3 6：1 4 6 01 4 6 4 3 1 H
48、 u e y H o o n H n g，K e vi n MK n o w l e s C h a r a c t e r i s a t i o n o f Z n 3(V O 4)2 P h ase s i n V 2 O s d o ped Z n O V a r i s t o r s J j J o u r n al o f t h e E u r o pean C e r a mi c S o c i e t y，1 9 9 9，1 9：7 2 17 2 6 3 2 王守国 溶盐热解 法制备 Z n O压敏 电阻 J 西北大学学报(自 然科学 版)，2 0 0 0，3 0(2)：
49、1 0 61 0 8 【3 3 j WA N-C H U I L E E，K U O S H U N G L I U，I-N A N L I NN o n l i n e ar e l e c t ric al p r o pertie s o f Zn O v a r i s t o r s f ast-fi r e d b y u s i n g mil l i me t e r-w a v e s i n t e rin g p r oce s s【J j J OURN AL 0F MA TE R I A L S S C I EN CE，2 0 0 0，3 5：4 8 4 14 8 4 7 维普资讯 http:/