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1、泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告宁波关于成立薄膜设备公司宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告可行性报告xxxxxx 投资管理公司投资管理公司泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告报告说明报告说明xxx 投资管理公司主要由 xx 公司和 xx 有限公司共同出资成立。其中：xx 公司出资 226.00 万元，占 xxx 投资管理公司 20%股份；xx 有限公司出资 904 万元，占 xxx 投资管理公司 80%股份。根据谨慎财务估算，项目总投资 7527.15 万元，其中：建设投资6076.24 万元，占项目总投资的 80.72%；建设期利息 68.43 万元，占项目总投资的 0.
2、91%；流动资金 1382.48 万元，占项目总投资的18.37%。项目正常运营每年营业收入 14700.00 万元，综合总成本费用12096.10 万元，净利润 1904.65 万元，财务内部收益率 19.22%，财务净现值 1962.31 万元，全部投资回收期 5.76 年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。ALD 技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在 45nm 技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛应用于栅极介质层、金属栅极制备。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其
3、数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录目录泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告第一章第一章 筹建公司基本信息筹建公司基本信息.8一、公司名称.8二、注册资本.8三、注册地址.8四、主要经营范围.8五、主要股东.8公司合并资产负债表主要数据.9公司合并利润表主要数据.9公司合并资产负债表主要数据.11公司合并利润表主要数据.11六、项目概况.12第二章第二章 公司组建方案公司组建方案.15一、公司经营宗旨.15二、公司的目标、主要职责.15三、公司组建方式.16四、公司管理体制.16五、部门职责及权限.17六、核心人员介绍.21七、财务会计制度.22第
4、三章第三章 市场预测市场预测.26一、半导体设备行业.26二、半导体薄膜沉积设备的发展情况.29泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告第四章第四章 背景及必要性背景及必要性.36一、光伏行业概览.36二、薄膜沉积技术概况.37三、深度融入新发展格局，建设国内国际双循环枢纽.41第五章第五章 发展规划发展规划.45一、公司发展规划.45二、保障措施.46第六章第六章 法人治理法人治理.49一、股东权利及义务.49二、董事.52三、高级管理人员.58四、监事.61第七章第七章 环保分析环保分析.63一、编制依据.63二、建设期大气环境影响分析.63三、建设期水环境影响分析.65四、建设期固体
5、废弃物环境影响分析.66五、建设期声环境影响分析.66六、环境管理分析.67七、结论.68八、建议.69第八章第八章 选址方案选址方案.70泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告一、项目选址原则.70二、建设区基本情况.70三、着力建设三大科创高地，打造高水平创新型城市.74四、项目选址综合评价.76第九章第九章 风险评估风险评估.77一、项目风险分析.77二、项目风险对策.79第十章第十章 投资方案投资方案.81一、投资估算的依据和说明.81二、建设投资估算.82建设投资估算表.84三、建设期利息.84建设期利息估算表.84四、流动资金.86流动资金估算表.86五、总投资.87总投资及
6、构成一览表.87六、资金筹措与投资计划.88项目投资计划与资金筹措一览表.89第十一章第十一章 进度计划进度计划.90一、项目进度安排.90项目实施进度计划一览表.90泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告二、项目实施保障措施.91第十二章第十二章 经济效益分析经济效益分析.92一、经济评价财务测算.92营业收入、税金及附加和增值税估算表.92综合总成本费用估算表.93固定资产折旧费估算表.94无形资产和其他资产摊销估算表.95利润及利润分配表.97二、项目盈利能力分析.97项目投资现金流量表.99三、偿债能力分析.100借款还本付息计划表.101第十三章第十三章 总结总结.103第十四
7、章第十四章 附表附表.105主要经济指标一览表.105建设投资估算表.106建设期利息估算表.107固定资产投资估算表.108流动资金估算表.109总投资及构成一览表.110项目投资计划与资金筹措一览表.111营业收入、税金及附加和增值税估算表.112泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告综合总成本费用估算表.112固定资产折旧费估算表.113无形资产和其他资产摊销估算表.114利润及利润分配表.115项目投资现金流量表.116借款还本付息计划表.117建筑工程投资一览表.118项目实施进度计划一览表.119主要设备购置一览表.120能耗分析一览表.120泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公
8、司可行性报告第一章第一章 筹建公司基本信息筹建公司基本信息一、公司名称公司名称xxx 投资管理公司（以工商登记信息为准）二、注册资本注册资本1130 万元三、注册地址注册地址宁波 xxx四、主要经营范围主要经营范围经营范围：从事薄膜设备相关业务（企业依法自主选择经营项目，开展经营活动；依法须经批准的项目，经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动；不得从事本市产业政策禁止和限制类项目的经营活动。）五、主要股东主要股东xxx 投资管理公司主要由 xx 公司和 xx 有限公司发起成立。（一）（一）xxxx 公司基本情况公司基本情况1、公司简介泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告经过多年的发展
9、，公司拥有雄厚的技术实力，丰富的生产经营管理经验和可靠的产品质量保证体系，综合实力进一步增强。公司将继续提升供应链构建与管理、新技术新工艺新材料应用研发。集团成立至今，始终坚持以人为本、质量第一、自主创新、持续改进，以技术领先求发展的方针。展望未来，公司将围绕企业发展目标的实现，在“梦想、责任、忠诚、一流”核心价值观的指引下，围绕业务体系、管控体系和人才队伍体系重塑，推动体制机制改革和管理及业务模式的创新，加强团队能力建设，提升核心竞争力，努力把公司打造成为国内一流的供应链管理平台。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月
10、月20192019 年年 1212 月月20182018 年年 1212 月月资产总额2836.832269.462127.62负债总额965.35772.28724.01股东权益合计1871.481497.181403.61公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告项目项目20202020 年度年度20192019 年度年度20182018 年度年度营业收入9896.977917.587422.73营业利润1548.131238.501161.10利润总额1359.771087.821019.83净利润1019.83795.47734.28归属于
11、母公司所有者的净利润1019.83795.47734.28（二）（二）xxxx 有限公司基本情况有限公司基本情况1、公司简介公司在“政府引导、市场主导、社会参与”的总体原则基础上，坚持优化结构，提质增效。不断促进企业改变粗放型发展模式和管理方式，补齐生态环境保护不足和区域发展不协调的短板，走绿色、协调和可持续发展道路，不断优化供给结构，提高发展质量和效益。牢固树立并切实贯彻创新、协调、绿色、开放、共享的发展理念，以提质增效为中心，以提升创新能力为主线，降成本、补短板，推进供给侧结构性改革。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告公司满怀信心，发扬“正直、诚信、务实、创新”的企业精神和“追求
12、卓越，回报社会”的企业宗旨，以优良的产品服务、可靠的质量、一流的服务为客户提供更多更好的优质产品及服务。2、主要财务数据公司合并资产负债表主要数据公司合并资产负债表主要数据项目项目20202020 年年 1212 月月20192019 年年 1212 月月20182018 年年 1212 月月资产总额2836.832269.462127.62负债总额965.35772.28724.01股东权益合计1871.481497.181403.61公司合并利润表主要数据公司合并利润表主要数据项目项目20202020 年度年度20192019 年度年度20182018 年度年度营业收入9896.97791
13、7.587422.73营业利润1548.131238.501161.10利润总额1359.771087.821019.83净利润1019.83795.47734.28归属于母公司所有者的净利润1019.83795.47734.28泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告六、项目概况项目概况（一）投资路径（一）投资路径xxx 投资管理公司主要从事关于成立薄膜设备公司的投资建设与运营管理。（二）项目提出的理由（二）项目提出的理由通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高 k 材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN 替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高
14、 k 栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高 k 栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。（三）项目选址（三）项目选址项目选址位于 xxx，占地面积约 23.00 亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。（四）生产规模（四）生产规模项目建成后，形成年产 xx 套薄膜设备的生产能力。（五）建设规模（五）建设规模泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告项目建筑面积 24498.95，其中：生产工程 17803.45，仓储工程 3334.93，行政办公及生活服务设施 2687.14，公共工
15、程673.43。（六）项目投资（六）项目投资根据谨慎财务估算，项目总投资 7527.15 万元，其中：建设投资6076.24 万元，占项目总投资的 80.72%；建设期利息 68.43 万元，占项目总投资的 0.91%；流动资金 1382.48 万元，占项目总投资的18.37%。（七）经济效益（正常经营年份）（七）经济效益（正常经营年份）1、营业收入（SP）：14700.00 万元。2、综合总成本费用（TC）：12096.10 万元。3、净利润（NP）：1904.65 万元。4、全部投资回收期（Pt）：5.76 年。5、财务内部收益率：19.22%。6、财务净现值：1962.31 万元。（八）
16、项目进度规划（八）项目进度规划项目建设期限规划 12 个月。（九）项目综合评价（九）项目综合评价泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告第二章第二章 公司组建方案公司组建方案一、公司经营宗旨公司经营宗旨公司通过整合资源，实现产品化、智能化和平台化。二、公司的目标、主要职责公司的目标、主要职责（一）目标（一）目标近期目标：深化企业改革，加快结构调整，优化资源配置，加强企业管理，建立现代企业制度；精干主业，分离辅业，增强企业市场
17、竞争力，加快发展；提高企业经济效益，完善管理制度及运营网络。远期目标：探索模式创新、制度创新、管理创新的产业发展新思路。坚持发展自主品牌，提升企业核心竞争力。此外，面向国际、国内两个市场，优化资源配置，实施多元化战略，向产业集团化发展，力争利用 3-5 年的时间把公司建设成具有先进管理水平和较强市场竞争实力的大型企业集团。（二）主要职责（二）主要职责1、执行国家法律、法规和产业政策，在国家宏观调控和行业监管下，以市场需求为导向，依法自主经营。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告2、根据国家和地方产业政策、薄膜设备行业发展规划和市场需求，制定并组织实施公司的发展战略、中长期发展规划、年度
18、计划和重大经营决策。3、深化企业改革，加快结构调整，转换企业经营机制，建立现代企业制度，强化内部管理，促进企业可持续发展。4、指导和加强企业思想政治工作和精神文明建设，统一管理公司的名称、商标、商誉等无形资产，搞好公司企业文化建设。5、在保证股东企业合法权益和自身发展需要的前提下，公司可依照公司法等有关规定，集中资产收益，用于再投入和结构调整。三、公司组建方式公司组建方式xxx 投资管理公司主要由 xx 公司和 xx 有限公司共同出资成立。其中：xx 公司出资 226.00 万元，占 xxx 投资管理公司 20%股份；xx 有限公司出资 904 万元，占 xxx 投资管理公司 80%股份。四、
19、公司管理体制公司管理体制xxx 投资管理公司实行董事会领导下的总经理负责制，各部门按其规定的职能范围，履行各自的管理服务职能，而且直接对总经理负责；公司建立完善的营销、供应、生产和品质管理体系，确立各部门相应的经济责任目标，加强产品质量和定额目标管理，确保公司生产泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告经营正常、有效、稳定、安全、持续运行，有力促进企业的高效、健康、快速发展。总经理的主要职责如下：1、全面领导企业的日常工作；对企业的产品质量负责；向本公司职工传达满足顾客和法律法规要求的重要性；2、制定并正式批准颁布本公司的质量方针和质量目标，采取有效措施，保证各级人员理解质量方针并坚持贯彻
20、执行；3、负责策划、建立本公司的质量管理体系，批准发布本公司的质量手册；4、明确所有与质量有关的职能部门和人员的职责权限和相互关系；5、确保质量管理体系运行所必要的资源配备；6、任命管理者代表，并为其有效开展工作提供支持；7、定期组织并主持对质量管理体系的管理评审，以确保其持续的适宜性、充分性和有效性。五、部门职责及权限部门职责及权限（一）综合管理部（一）综合管理部1、协助管理者代表组织建立文件化质量体系，并使其有效运行和持续改进。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告2、协助管理者代表，组织内部质量管理体系审核。3、负责本公司文件（包括记录）的管理和控制。4、负责本公司员工培训的管理，
21、制订并实施员工培训计划。5、参与识别并确定为实现产品符合性所需的工作环境，并对工作环境中与产品符合性有关的条件加以管理。（二）财务部（二）财务部1、参与制定本公司财务制度及相应的实施细则。2、参与本公司的工程项目可信性研究和项目评估中的财务分析工作。3、负责董事会及总经理所需的财务数据资料的整理编报。4、负责对财务工作有关的外部及政府部门，如税务局、财政局、银行、会计事务所等联络、沟通工作。5、负责资金管理、调度。编制月、季、年度财务情况说明分析，向公司领导报告公司经营情况。6、负责销售统计、复核工作，每月负责编制销售应收款报表，并督促销售部及时催交楼款。负责销售楼款的收款工作，并及时送交银行
22、。7、负责每月转账凭证的编制，汇总所有的记账凭证。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告8、负责公司总长及所有明细分类账的记账、结账、核对，每月 5日前完成会计报表的编制，并及时清理应收、应付款项。9、协助出纳做好楼款的收款工作，并配合销售部门做好销售分析工作。10、负责公司全年的会计报表、帐薄装订及会计资料保管工作。11、负责银行财务管理，负责支票等有关结算凭证的购买、领用及保管，办理银行收付业务。12、负责先进管理，审核收付原始凭证。13、负责编制银行收付凭证、现金收付凭证，登记银行存款及现金日记账，月末与银行对账单和对银行存款余额，并编制余额调节表。14、负责公司员工工资的发放工作
23、，现金收付工作。（三）投资发展部（三）投资发展部1、调查、搜集、整理有关市场信息，并提出投资建议。2、拟定公司年度投资计划及中长期投资计划。3、负责投资项目的储备、筛选、投资项目的可行性研究工作。4、负责经董事会批准的投资项目的筹建工作。5、按照国家产业政策，负责公司产业结构、投资结构的调整。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告6、及时完成领导交办的其他事项。（四）销售部（四）销售部1、协助总经理制定和分解年度销售目标和销售成本控制指标，并负责具体落实。2、依据公司年度销售指标，明确营销策略，制定营销计划和拓展销售网络，并对任务进行分解，策划组织实施销售工作，确保实现预期目标。3、负责
24、收集市场信息，分析市场动向、销售动态、市场竞争发展状况等，并定期将信息报送商务发展部。4、负责按产品销售合同规定收款和催收，并将相关收款情况报送商务发展部。5、定期不定期走访客户，整理和归纳客户资料，掌握客户情况，进行有效的客户管理。6、制定并组织填写各类销售统计报表，并将相关数据及时报送商务发展部总经理。7、负责市场物资信息的收集和调查预测，建立起牢固可靠的物资供应网络，不断开辟和优化物资供应渠道。8、负责收集产品供应商信息，并对供应商进行质量、技术和供就能力进行评估，根据公司需求计划，编制与之相配套的采购计划，并泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告进行采购谈判和产品采购，保证产品供
25、应及时，确保产品价格合理、质量符合要求。9、建立发运流程，设计最佳运输路线、运输工具，选择合格的运输商，严格按公司下达的发运成本预算进行有效管理，定期分析费用开支，查找超支、节支原因并实施控制。10、负责对部门员工进行业务素质、产品知识培训和考核等工作，不断培养、挖掘、引进销售人才，建设高素质的销售队伍。六、核心人员介绍核心人员介绍1、龙 xx，1974 年出生，研究生学历。2002 年 6 月至 2006 年 8 月就职于 xxx 有限责任公司；2006 年 8 月至 2011 年 3 月，任 xxx 有限责任公司销售部副经理。2011 年 3 月至今历任公司监事、销售部副部长、部长；201
26、9 年 8 月至今任公司监事会主席。2、王 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1959 年出生，大专学历，高级工程师职称。2003 年 2 月至 2004 年 7 月在 xxx 股份有限公司兼任技术顾问；2004 年 8 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司总工程师。2018 年 3 月至今任公司董事、副总经理、总工程师。3、莫 xx，1957 年出生，大专学历。1994 年 5 月至 2002 年 6 月就职于 xxx 有限公司；2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2018 年 3 月至今任公司董事。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性
27、报告4、严 xx，中国国籍，1977 年出生，本科学历。2018 年 9 月至今历任公司办公室主任，2017 年 8 月至今任公司监事。5、孔 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1961 年出生，本科学历，高级工程师。2002 年 11 月至今任 xxx 总经理。2017 年 8 月至今任公司独立董事。6、陶 xx，中国国籍，1976 年出生，本科学历。2003 年 5 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2003 年 11 月至2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司执行董事、总经理；2004 年 4 月至2011 年 9 月任 xxx 有限责任公司执行董事
28、、总经理。2018 年 3 月起至今任公司董事长、总经理。7、黎 xx，中国国籍，1978 年出生，本科学历，中国注册会计师。2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事、2015 年 9 月至今任 xxx 有限公司董事。2019 年 1 月至今任公司独立董事。8、武 xx，中国国籍，无永久境外居留权，1971 年出生，本科学历，中级会计师职称。2002 年 6 月至 2011 年 4 月任 xxx 有限责任公司董事。2003 年 11 月至 2011 年 3 月任 xxx 有限责任公司财务经理。2017 年 3 月至今任公司董事、副总经理、财务总监。七、财务会计制度财务会计制度（一）财务
29、会计制度泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告1、公司依照法律、行政法规和国家有关部门的规定，制定公司的财务会计制度。2、公司年度财务会计报告、半年度财务会计报告和季度财务会计报告按照有关法律、行政法规及部门规章的规定进行编制。3、公司除法定的会计账簿外，将不另立会计账簿。公司的资产，不以任何个人名义开立账户存储。4、公司分配当年税后利润时，提取利润的 10%列入公司法定公积金。公司法定公积金累计额为公司注册资本的 50%以上的，可以不再提取。公司的法定公积金不足以弥补以前年度亏损的，在依照前款规定提取法定公积金之前，应当先用当年利润弥补亏损。公司从税后利润中提取法定公积金后，经股东大会
30、决议，还可以从税后利润中提取任意公积金。公司弥补亏损和提取公积金后所余税后利润，按照股东持有的股份比例分配，但本章程规定不按持股比例分配的除外。股东大会违反前款规定，在公司弥补亏损和提取法定公积金之前向股东分配利润的，股东必须将违反规定分配的利润退还公司。公司持有的本公司股份不参与分配利润。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告5、公司的公积金用于弥补公司的亏损、扩大公司生产经营或者转为增加公司资本。但是，资本公积金将不用于弥补公司的亏损。法定公积金转为资本时，所留存的该项公积金将不少于转增前公司注册资本的 25%。6、公司股东大会对利润分配方案作出决议后，公司董事会须在股东大会召开后
31、2 个月内完成股利（或股份）的派发事项。7、公司可以采取现金方式分配股利。公司将实行持续、稳定的利润分配办法，并遵守下列规定：（1）公司的利润分配应重视对投资者的合理投资回报；在有条件的情况下，公司可以进行中期现金分红；（2）原则上公司最近三年以现金方式累计分配的利润不少于最近3 年实现的年均可分配利润的 30%；但具体的年度利润分配方案仍需由董事会根据公司经营状况拟订合适的现金分配比例，报公司股东大会审议；（3）存在股东违规占用公司资金情况的，公司应当扣减该股东所分配的现金红利，以偿还其占用的资金。（二）内部审计1、公司实行内部审计制度，配备专职审计人员，对公司财务收支和经济活动进行内部审计
32、监督。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告2、公司内部审计制度和审计人员的职责，应当经董事会批准后实施。审计负责人向董事会负责并报告工作。第三节会计师事务所的聘任3、公司聘用会计师事务所必须由股东大会决定，董事会不得在股东大会决定前委任会计师事务所。4、公司保证向聘用的会计师事务所提供真实、完整的会计凭证、会计账簿、财务会计报告及其他会计资料，不得拒绝、隐匿、谎报。5、会计师事务所的审计费用由股东大会决定。6、公司解聘或者不再续聘会计师事务所时，提前 30 天事先通知会计师事务所，公司股东大会就解聘会计师事务所进行表决时，允许会计师事务所陈述意见。会计师事务所提出辞聘的，应当向股东大会
33、说明公司有无不当情形。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告第三章第三章 市场预测市场预测一、半导体设备行业半导体设备行业1、半导体设备发展基本情况及特点半导体设备主要包括前道工艺设备和后道工艺设备，前道工艺设备为晶圆制造设备，后道工艺设备包括封装设备和测试设备，其他类型设备主要包括硅片生长设备等。其中晶圆前道工艺设备整体占比超过 80%，是半导体设备行业最核心的组成部分。前道工艺主要包括七大步骤分别为热处理（氧化/扩散/退火）、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜沉积、清洗与抛光、金属化。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转
34、移到光刻胶，刻蚀工艺系把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。制造芯片的过程需要数十层光罩，集成电路制造主要是通过薄膜沉积、光刻和刻蚀三大工艺循环，把所有光罩的图形逐层转移到晶圆上。因此，半导体制造过程可以理解为循环进行“加减法”。薄膜沉积作为“加法工艺”，与光刻和“减法工艺”刻蚀，共同构成了半导体制造过程中不可或缺的生产工艺。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告从晶圆厂的投资构成来看，刻蚀设备、光刻设备、薄膜沉积设备是集成电路前道生产工艺中最重要的三类设备。其中，薄膜沉积设备投资额占晶圆厂投资总额的 16%，占晶圆制造设备投资总额的 21%。2、全球半导
35、体设备行业发展情况2013 年以来，随着全球半导体行业整体景气度的提升，半导体设备市场也呈增长趋势。根据 SEMI 统计，全球半导体设备销售额从 2013年的约 318 亿美元增长至 2020 年的 712 亿美元，年均复合增长率约为12.20%。由于半导体专用设备行业对制造工艺和标准要求严格，行业进入的技术壁垒、市场壁垒和客户认知壁垒较高，全球半导体设备市场集中度较高。目前全球前十大半导体设备制造商主要集中在美国、日本和荷兰。根据 VLSIResearch 数据，2020 年全球半导体设备前十名厂商合计实现销售收入 708 亿美元，市占率为 76.63%。中国半导体设备厂商因发展起步较晚，目
36、前尚未进入全球行业前列。3、中国半导体设备行业发展概况（1）中国大陆成为全球第一大半导体设备需求市场从需求端分析，根据 SEMI 统计数据，2013-2020 年半导体设备在大陆销售额的年复合增长率达到 27.59%，2020 年在全球半导体市场大泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告幅下跌的态势下依然逆势增长，在中国大陆的销售额达到 187.2 亿美元，发展势头良好。（2）顶尖设备仍依赖进口2020 年中国大陆已经成为最大的半导体设备市场，但全球前十五名设备商中尚没有中国企业。中国半导体设备明显落后于美国、荷兰、日本等国。据中国电子专用设备工业协会数据统计，2020 年国产半导体设备销
37、售额约为 213 亿元，自给率约为 17.5%，其中集成电路设备自给率仅有 5%左右，技术含量最高的集成电路前道设备则自给率更低，与不断增长的需求市场形成了较大的缺口，国产化率增长空间巨大。中国半导体设备大量依赖进口不仅严重影响我国半导体的产业发展，也对我国电子信息安全造成重大隐患，中国半导体设备国产替代、自主可控需求迫切。（3）半导体设备发展趋势向好集成电路尺寸及线宽的缩小、产品结构的立体化及生产工艺的复杂化等因素都对半导体设备行业提出了更高的要求和更多的需求。尺寸缩减趋势重点推动光刻设备的进步，3D 结构化趋势重点推动刻蚀、薄膜设备的进步。两因素共同推动了集成电路整体结构的复杂化，进而推动
38、化学机械研磨、清洗、离子注入、检测等其他设备的进步，并为半导体核心装备的发展提供了广阔的市场空间。除此之外，功率器泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告件、光电子等领域市场的发展和市场需求的提升，也将不断刺激半导体设备市场需求。受多个下游市场需求增长的共同驱动，半导体设备市场预计将持续保持增长势头，市场前景良好。2021 年 7 月，SEMI 发布半导体制造设备年中总预测，预测原始设备制造商全球半导体制造设备销售额相比 2020 年的 711 亿美元，2021 年增长 34%至 953 亿美元，2022 年将创下超过 1,000 亿美元的新高。二、半导体薄膜沉积设备的发展情况半导体薄膜沉
39、积设备的发展情况1、半导体薄膜沉积设备行业发展情况（1）薄膜沉积设备市场规模持续增长根据 MaximizeMarketResearch 数据统计，全球半导体薄膜沉积设备市场规模从 2017 年的 125 亿美元扩大至 2020 年的 172 亿美元，年复合增长率为 11.2%。预计至 2025 年市场规模可达 340 亿美元。（2）薄膜沉积设备国产化率低我国半导体设备经过最近几年快速发展，在部分领域已有一定的进步，但整体国产设备特别在核心设备化上的国产化率仍然较低，半导体薄膜沉积设备行业基本由 AMAT、ASM、Lam、TEL 等国际巨头垄断。近年来随着国家对半导体产业的持续投入及部分民营企业
40、的兴起，我国半导体制造体系和产业生态得以建立和完善。半导体薄膜沉泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告积设备的国产化率虽然由 2016 年的 5%提升至 2020 年的 8%，但总体占比尤其是中高端产品占比较低。（3）各类薄膜沉积设备发展态势从半导体薄膜沉积设备的细分市场上来看，CVD 设备占比 56%，PVD 设备市占率 23%，其次是 ALD 及其他镀膜设备。在半导体制程进入28nm 后，由于器件结构不断缩小且更为 3D 立体化，生产过程中需要实现厚度更薄的膜层，以及在更为立体的器件表面均匀镀膜。在此背景下，ALD 技术凭借优异的三维共形性、大面积成膜的均匀性和精确的膜厚控制等特点，
41、技术优势愈加明显，在半导体薄膜沉积环节的市场占有率也将持续提高。2、ALD 技术在半导体薄膜沉积设备中的典型应用情况ALD 技术在高 k 材料、金属栅、电容电极、金属互联、TSV、浅层沟道隔等工艺中均存在大量应用，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、第三代化合物半导体等领域。（1）ALD 典型应用高介电常数金属栅极（HKMG）工艺晶体管是构成逻辑电路、微处理器及记忆元件的基本单元，漏电一直是影响其良率、性能和功耗的重要影响因素。在半导体晶圆制程进入 65nm 及之前，集成电路主要通过沉积 SiO2 薄膜形成栅极介电质减少漏电；随着集成电路尺寸不断缩小，特别是制程 28nm 之后，传统泓域咨询/宁波关
42、于成立薄膜设备公司可行性报告的 SiO2 栅介质层物理厚度缩小至 1 纳米以下，达到了其物理极限，产生明显的量子隧穿效应和多晶硅耗尽效应，导致漏电流急剧增加，器件性能急剧恶化。通过引入高介电常数金属栅极（HKMG）工艺，可以解决上述问题，即采用高 k 材料替代传统的二氧化硅栅极氧化层作为栅极介质层，TiN 替代传统的多晶硅栅极作为金属栅极，高 k 栅氧化层与金属栅极的组合使用，不仅能够大幅减小栅极漏电流，同时因高 k 栅氧化层的等效氧化物厚度较薄，还能有效减低栅极电容。ALD 技术凭借其精确的膜厚控制、均匀性和致密性的特点，自从英特尔在 45nm 技术节点将应用于栅介质薄膜制造工艺后，就被广泛
43、应用于栅极介质层、金属栅极制备。（2）ALD 典型应用电容和电极材料集成电路 2D 存储器件的线宽已接近物理极限，NAND 闪存已进入3D 时代。目前 64 层 3DNAND 闪存已进入量产阶段，128 层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至 500 层，技术工艺还会持续推进。3DNAND 制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是 80：1 的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告ALD 技术最早应用于 DRAM 存储器件的超高深宽比
44、的电容电极制作工艺。随着 3DNAND 和 DRAM 相关技术的不断发展，等效氧化物厚度进一步下降，3DNAND 和 DRAM 电容呈现高深宽比结构，在这种情况下，高k 电容材料和电容电极的沉积只有具备优异填隙性和共形性的 ALD 技术才可以满足。除此之外，新型存储器也在快速发展，与闪存和 DRAM 相比，新型存储器一般具有更高的写入速度和更长的读写寿命。以铁电存储器（FeRAM）为例，其由电容和场效应管构成，其中电容为在两个电极板中间沉淀的一层晶态的铁电晶体薄膜，该薄膜对于厚度、质量均有非常高的要求，ALD 技术可以较好地满足技术指标。（3）ALD 典型应用金属互联阻挡层金属互联即在集成电路
45、片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用 ALD 的主要驱动力在于随着制程进步、TSV 等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD 技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。3、半导体薄膜沉积设备发展趋势（1）半导体行业景气度带动设备需求增长泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。薄膜沉积设备
46、行业一方面长期受益于全球半导体需求增加与产线产能的扩充，另一方面受益于技术演进带来的增长机遇，包括制程进步、多重曝光与3DNAND 存储技术，全球半导体薄膜沉积设备市场规模将因此高速增长。MaximizeMarketResearch 预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在 2025 年将从 2020 年的 172 亿美元扩大至 340 亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。（2）进口替代空间巨大近年来，在国家政策的拉动和支持下，我国半导体产业快速发展，整体实力显著提升，设计、制造能力与国际先进水平不断缩小，但半导体先进设备制造仍然相对薄弱。中国制造 2025对于半导体设备国产化提出明确要求：在
47、 2020 年之前，90-32nm 工艺设备国产化率达到 50%，实现 90nm 光刻机国产化，封测关键设备国产化率达到50%。在 2025 年之前，20-14nm 工艺设备国产化率达到 30%，实现浸没式光刻机国产化。为推动我国半导体产业的发展，国家先后设立国家重大专项和国家集成电路基金，国家集成电路基金首期募资 1,387 亿元，二期募资超过 2,000 亿元。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告伴随着国家鼓励类产业政策和产业投资基金不断的落实与实施，本土半导体及其设备制造业迎来了前所未有的发展契机，而薄膜沉积设备作为半导体制造的核心设备，将会迎来巨大的进口替代市场空间。（3）薄膜
48、要求提高衍生设备需求在晶圆制造过程中，薄膜发挥着形成导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、阻挡刻蚀等重要作用。由于芯片的线宽越来越窄、结构越来越复杂，薄膜性能参数精细化要求也随之提高，如先进制程的前段工艺对薄膜均匀性、颗粒数量控制、金属污染控制的要求逐步提高，台阶覆盖能力强、薄膜厚度控制精准的 ALD 设备因此被引入产线。（4）先进制程增加导致设备市场攀升随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。在 90nmCMOS 工艺大约需要 40
49、道薄膜沉积工序。在3nmFinFET 工艺产线，则超过 100 道薄膜沉积工序，涉及的薄膜材料由6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告只有薄膜沉积设备的不断创新和进步才能支撑集成电路制造工艺向更小制程发展。目前，半导体行业的薄膜沉积设备中，PVD 设备与 CVD 设备均已初步实现国产化，而 ALD 设备作为先进制程所必须的工艺设备，在大规模量产方面国内厂商尚未形成突破。当技术节点向 14 纳米甚至更小的方向升级时，与 PVD 设备和 CVD 设备相比，ALD 设备的必要性更加凸显。目前，基于供应链安全考虑，国内设备制造商
50、正面临更多的机会。面对半导体设备向高精度化与高集成化方向发展的趋势，以及国产化进程加快的背景下，国产半导体 ALD 设备迎来前所未有的发展契机。泓域咨询/宁波关于成立薄膜设备公司可行性报告第四章第四章 背景及必要性背景及必要性一、光伏行业概览光伏行业概览1、光伏产业链情况光伏产业链从上到下依次为：晶体硅料的生产和硅棒、硅锭、硅片的加工制作；光伏电池片的生产加工；光伏电池组件的制作；光伏应用（包括电站项目开发、电站系统的集成和运营）。2、光伏行业发展概况2010 年以来，全球太阳能光伏产业进入了高速发展期，太阳能光伏年装机容量快速增长，上游相关行业也得到迅速发展。2011 年至2020 年的 1