《现代电源技术功率变换部分教程学习教案.pptx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《现代电源技术功率变换部分教程学习教案.pptx（24页珍藏版）》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、现代现代(xindi)电源技术功率变换部分教程电源技术功率变换部分教程第一页，共24页。第一章第一章 现代电源技术概述现代电源技术概述(i sh)(i sh)1 11 1 电源技术的现状与发展电源技术的现状与发展 1-1-1 1-1-1 功率半导体技术的现状与发展功率半导体技术的现状与发展 1-1-2 1-1-2 电源技术的新进展电源技术的新进展 1 12 2 电源的构成及特点电源的构成及特点 1-2-1 1-2-1 现代电源的构成原理及特点现代电源的构成原理及特点 1-2-2 1-2-2 开关电源的分类开关电源的分类 1-2-3 1-2-3 开关电源常用的拓扑结构开关电源常用的拓扑结构 1-
2、2-4 1-2-4 电源主要参数分析电源主要参数分析第二章第二章 电源中的电力电子器件与基础电路电源中的电力电子器件与基础电路 2 21 1 电力电子器件电力电子器件 2 22 2 基础电路基础电路 2-2-1 EMI 2-2-1 EMI滤波电路滤波电路 2-2-2 2-2-2 整流与滤波电路整流与滤波电路 2-2-3 2-2-3 功率变换电路功率变换电路 2-2-4 2-2-4 控制与驱动电路控制与驱动电路 2-2-5 2-2-5 保护电路保护电路 第1页/共24页第二页，共24页。1 12 2 电源的构成与分类电源的构成与分类1 1 开关电源的基本构成开关电源的基本构成开关电源的基本电路开
3、关电源的基本电路(dinl)(dinl)如图如图2 21 1所示所示输入回路将交流输入电压整流成为较平滑的直流高压输入回路将交流输入电压整流成为较平滑的直流高压功率变换器将直流高压变换为频率大于功率变换器将直流高压变换为频率大于20KHZ20KHZ的高频脉冲电压的高频脉冲电压整流及滤波电路整流及滤波电路(dinl)(dinl)将高频脉冲电压转换稳定的直流输出电压将高频脉冲电压转换稳定的直流输出电压PWMPWM控制器控制器将输出直流电压进行取样控制功率器件的驱动脉冲宽度，从而调整开通时将输出直流电压进行取样控制功率器件的驱动脉冲宽度，从而调整开通时 间以使输出电压可调且稳定。间以使输出电压可调且
4、稳定。2 2 开关电源的特点开关电源的特点（1 1）重量轻，体积小）重量轻，体积小 采用高频技术，去掉了工频变压器，在同等的输出功率下，体积。重量可缩减采用高频技术，去掉了工频变压器，在同等的输出功率下，体积。重量可缩减 10/110/1 （2 2）功率因数高）功率因数高 经经PFCPFC的开关电源功率因数一般都在的开关电源功率因数一般都在0 0。9393以上而且不受负载的变化以上而且不受负载的变化 影响影响（3 3）可听噪声低）可听噪声低 在线性电源中，工频变压器及滤波电感产生噪声大于在线性电源中，工频变压器及滤波电感产生噪声大于6060分贝，而开分贝，而开 关电源仅为关电源仅为4545分贝
5、左右。分贝左右。第2页/共24页第三页，共24页。第三章第三章 现代电源领域新技术现代电源领域新技术 3 31 PFC1 PFC技术技术 3 32 2 同步整流技术同步整流技术 3 33 3 软开关技术软开关技术 3 34 4 高频磁技术高频磁技术 3 35 5 均流技术均流技术 3 36 DC/DC6 DC/DC变换技术变换技术第四章第四章 电源中的电子变压器电源中的电子变压器 4 41 1 变压器的设计与计算变压器的设计与计算 4 42 2 变压器的典型应用变压器的典型应用第五章第五章 开关电源电磁兼容性所涉及开关电源电磁兼容性所涉及(shj)(shj)的内容的内容 5 51 EMI1 E
6、MI产生的形式产生的形式 5 52 EMS2 EMS的测量的测量 5 53 3 雷电产生的雷电产生的EMPEMP 5 54 ESD4 ESD的性能指标的性能指标第六章第六章 开关电源的设计与应用开关电源的设计与应用第3页/共24页第四页，共24页。第一章第一章 现代电源技术概述现代电源技术概述1 11 1 现代电源技术的现状与发展现代电源技术的现状与发展 现状：先进的电路技术现状：先进的电路技术PFCPFC技术，同步整流技术技术，同步整流技术 ，软开关技术，软开关技术 高频磁技术，均流技术，高频磁技术，均流技术，DC/DCDC/DC技术技术 先进的半导体技术先进的半导体技术PICPIC器件，模
7、块器件器件，模块器件 水平：水平：效率高达效率高达9393 稳压精度稳压精度 0 0。5 5 功率因数功率因数 单相单相 0 0。97970 0。999 999 噪声电压宽频噪声，衡重噪声噪声电压宽频噪声，衡重噪声 发展方向：高效率，小型化，集成化，智能化高可靠性发展方向：高效率，小型化，集成化，智能化高可靠性 1-1-1 1-1-1 功率半导体技术新进展功率半导体技术新进展 功率开关器件发展阶段功率开关器件发展阶段 50 50年代年代 60 60年代年代 70 70年代年代 80 80年代年代 90 90年代年代 可控硅可控硅 SCR SCR 快速晶闸管快速晶闸管 可关断晶闸管可关断晶闸管G
8、TO 1 GTO 1 高压高压GTO GTO 大容量大功率高性能大容量大功率高性能 （晶闸管）（晶闸管）2 IGCT 2 IGCT 省吸收与省吸收与IGBTIGBT结合结合(jih)(jih)3 MCT 3 MCT 优势互补优势互补 （MOSMOS晶闸管）晶闸管）电力晶体管电力晶体管GTR 1 IGBT 1 GTR 1 IGBT 1 高速高速IGBTIGBT 2 2 功率功率MOSFET 2MOSFET 2低电荷功率低电荷功率MOSFETMOSFET 第4页/共24页第五页，共24页。功率二极管的发展功率二极管的发展 PIN PIN功率二极管功率二极管 SBD SBD肖特肖特基势垒功率二极管基
9、势垒功率二极管 耐高压，大电流，耐高压，大电流，极高的开关频率极高的开关频率 低泄漏电流低导通损耗低泄漏电流低导通损耗 开关频率不高开关频率不高 不适于不适于高电压大电流的应用高电压大电流的应用 POWER-IC POWER-IC 器件的发展器件的发展 PWM/MOSFET PWM/MOSFET 二合一二合一IC IC 集功率开关，控制电路，保护集功率开关，控制电路，保护电路与一体，电路与一体，性价比较高。性价比较高。TOPS wich TOPS wich系列二合一功率系列二合一功率IC TOP220,TOP230,TOP250,IC TOP220,TOP230,TOP250,仙童公司仙童公司
10、 5L 5L系列系列 0380 1M 0380 1M系列系列 0880 0880 广泛应用于小家电，通讯设备等广泛应用于小家电，通讯设备等 IGBT IGBT功率模块功率模块 复合功率模块复合功率模块PIM PIM 智能功率模块智能功率模块IPM IPM 电力模块电力模块IPEM IPEM 电力电子电力电子(dinz)(dinz)模块模块PEEBPEEB 水平水平 1200 12001800A 600A1800A 600A 1800-3300V 2000V 1800-3300V 2000V第5页/共24页第六页，共24页。1-1-2 1-1-2 电源领域技术新进展电源领域技术新进展功率因数校正
11、（功率因数校正（PFCPFC）技术）技术 PFC PFC的概念起源于的概念起源于19801980年年 ，重视和推广在，重视和推广在8080年代末，主要制定了年代末，主要制定了IEC555-IEC555-2 2，IEC1000-IEC1000-3-2 3-2 使得研究使得研究 PFC PFC术研究成为术研究成为 电源界热点电源界热点 现在关注：一是二级现在关注：一是二级PFCPFC技术，二是单级技术，二是单级PFCPFC技术技术 同步整流技术同步整流技术同步整流的概念：当输出为低电压大电流时整流损耗成为功率变换器主要损耗所以提出采同步整流的概念：当输出为低电压大电流时整流损耗成为功率变换器主要损
12、耗所以提出采用用(ciyng)(ciyng)低导通电阻的低导通电阻的MOSFETMOSFET进行整流。进行整流。同步整流是通过控制同步整流是通过控制MOSFETMOSFET的驱动电路来利用功率的驱动电路来利用功率MOSFETMOSFET实现整流功能的技术实现整流功能的技术 发展：同步整流技术出现得较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时驱动发展：同步整流技术出现得较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时驱动技术不成熟，可靠性不高。经过几年的发展，同步整流技术已经成熟。由于开发成本技术不成熟，可靠性不高。经过几年的发展，同步整流技术已经成熟。由于开发成本的原因，目前只在技术含量较高的
13、开关电源模块中得到应用。的原因，目前只在技术含量较高的开关电源模块中得到应用。优势：同步整流技术提高了电源效率，它同时给优势：同步整流技术提高了电源效率，它同时给 电源模块带来了许多新的进步。电源模块带来了许多新的进步。同步整流技术符合高效节能的要求，适应新一代芯片电压的要求，有着非常广阔的应同步整流技术符合高效节能的要求，适应新一代芯片电压的要求，有着非常广阔的应用前景。但目前只有较少的公司掌握了该项技术，并且实现的成本也很高，而且还有用前景。但目前只有较少的公司掌握了该项技术，并且实现的成本也很高，而且还有很多应用领域未得到开拓。随着用于同步整流的很多应用领域未得到开拓。随着用于同步整流的
14、MOSFETMOSFET批量投入市场，专用驱动芯片批量投入市场，专用驱动芯片的出现，以及控制技术的不断完善，同步整流技术将成为一种主流电源技术，逐步应的出现，以及控制技术的不断完善，同步整流技术将成为一种主流电源技术，逐步应用于广泛的工业生产领域。用于广泛的工业生产领域。第6页/共24页第七页，共24页。软开关技术软开关技术软开关技术的概念：是利用电容于电感谐振使得开关器件中电流（电压）按正软开关技术的概念：是利用电容于电感谐振使得开关器件中电流（电压）按正弦或准正弦规律弦或准正弦规律变化。当电流过另时，器件关断；当电压过另时，器件开通，实现开关损耗为变化。当电流过另时，器件关断；当电压过另时
15、，器件开通，实现开关损耗为另另软开关技术：可分为软开关技术：可分为1 1，PFM 2,PWM 3,PSPFM 2,PWM 3,PS方式方式发展动态：自发展动态：自2020世纪世纪8080年代中期起，采用年代中期起，采用PWMPWM控制技术的高功率密度控制技术的高功率密度DC/DCDC/DC变换器模块走进了世界市场。如今，已广泛应用在各种领域中。变换器模块走进了世界市场。如今，已广泛应用在各种领域中。19971997年，在年，在已经行了将近已经行了将近3030年的世界范围的软开关基础理论研究之后，美国年的世界范围的软开关基础理论研究之后，美国VicorVicor开关电开关电源公司最先推出了源公司
16、最先推出了VIVI300300系列软开关高密度系列软开关高密度DC/DCDC/DC产品产品(chnpn)(chnpn)。第二代。第二代产品产品(chnpn)(chnpn)是以是以VicorVicor公司有专利权的零电流开关（公司有专利权的零电流开关（ZCSZCS）和零电压开关）和零电压开关（ZVSZVS）软开关控制技术为基础，结合了控制集成、封装、铁氧体、噪音和散）软开关控制技术为基础，结合了控制集成、封装、铁氧体、噪音和散热技术等方面的最新成果，产品热技术等方面的最新成果，产品(chnpn)(chnpn)达到了与理想功率器件极为接近的达到了与理想功率器件极为接近的境地。第二代产品境地。第二代
17、产品(chnpn)(chnpn)与第一代产品与第一代产品(chnpn)(chnpn)相比，功率密度增加了两相比，功率密度增加了两倍，即为倍，即为120W/in3120W/in3。第二代产品。第二代产品(chnpn)(chnpn)的出现预示着它们将是的出现预示着它们将是DC/DCDC/DC变换变换器未来的主流产品器未来的主流产品(chnpn)(chnpn)。DC/DCDC/DC技术技术研究热点：低电压大电流研究热点：低电压大电流第7页/共24页第八页，共24页。高频磁技术：高频磁技术：电力电子高频磁技术是将电力电子技术与磁技术结合起来高频磁技术电力电子高频磁技术是将电力电子技术与磁技术结合起来高
18、频磁技术 是电力电子技术中的重要内容。功率磁元件是所有电源中必不可少的是电力电子技术中的重要内容。功率磁元件是所有电源中必不可少的关键器件。它担负着磁能传递，储存以及滤波功能。其体积和重量关键器件。它担负着磁能传递，储存以及滤波功能。其体积和重量一般占到电路一般占到电路20 20 3030 10 10年内重点发展：高频低功耗高磁导率材料和片式化的表面贴装软年内重点发展：高频低功耗高磁导率材料和片式化的表面贴装软磁磁 材料在非晶软磁金金属和磁记录材料方面，发展纳米材料材料在非晶软磁金金属和磁记录材料方面，发展纳米材料 70 70年代初年代初20KHZ20KHZ电子变压器取代了工频变压器使得变压器
19、体积减小电子变压器取代了工频变压器使得变压器体积减小60608080重量减轻重量减轻75 75 ，目前开关频率，目前开关频率(pnl)(pnl)已从已从20KHZ20KHZ提高提高到到10MHZ,10MHZ,第8页/共24页第九页，共24页。第二章 电源中的电力(dinl)电子器件与基础电路 21 电力(dinl)电子器件第9页/共24页第十页，共24页。22 基础电路2-2-1 EMI滤波电路开关电源设计应考虑抑制干扰，而滤波是一种抑制干扰有效方法，不仅可以抑制传输线上传导干扰，同时对辐射发射也具有显著抑制效果，图2-2-1是开关电源输入级常用一种EMI滤波器电路分析：图22是对共模噪声和差
20、模噪声都有效的滤波器电路。其中，L1、L2、C1为抑制差模噪声回路，L3、C2、C3构成抑制共模噪声回路。L1、L2的铁芯应选择(xunz)不易磁饱和的材料及MF特性优良的铁芯材料。C1使用陶瓷电容或聚酯薄膜电容，应有足够的耐压值，其容量一般取0.220.47uF。L3为共模电感，对共模噪声具有较高的阻抗、较好的抑制效果。第10页/共24页第十一页，共24页。2-2-2 整流与滤波(lb)电路第11页/共24页第十二页，共24页。2-2-3 2-2-3 功率变换电路功率变换电路 在高频开关电源功率转换电路中，单断变换器在高频开关电源功率转换电路中，单断变换器(正激、反激式正激、反激式)与双端变
21、换器（推挽式、半与双端变换器（推挽式、半桥、全桥式）的本质区别，在于其高频变压器的磁芯只工作在第一象限，即处于磁滞回线一边。桥、全桥式）的本质区别，在于其高频变压器的磁芯只工作在第一象限，即处于磁滞回线一边。按变压器的副边开关整流二极管的不同接线方式按变压器的副边开关整流二极管的不同接线方式(fngsh)(fngsh)，单断变换器有两种类型：，单断变换器有两种类型：a.a.单端正激式变换电路单端正激式变换电路 b.b.单端反激式变换电路单端反激式变换电路2.2.3.12.2.3.1单端反激式变换电路单端反激式变换电路 1.1.基本工作原理（下图）基本工作原理（下图）ton ton时，时，Q1Q
22、1通，通，E+E+加在原边加在原边LpLp两端，两端，ipip线形增加，储能；副边线形增加，储能；副边LsLs电压上正下负，电压上正下负，D1D1反偏截反偏截止。止。tofftoff时，时，Q1 Q1截止，截止，ip ip降为，原边降为，原边LpLp两端电压极性反向，副边两端电压极性反向，副边LsLs电压随着变为上负下正，电压随着变为上负下正，D1D1正向导通。此后，储存在变压器中的磁能向负载传递释放电能。正向导通。此后，储存在变压器中的磁能向负载传递释放电能。当单断反激式变换器在原边开关管导通时储存能量，开关管截止时才向负载释放能量，故高当单断反激式变换器在原边开关管导通时储存能量，开关管截
23、止时才向负载释放能量，故高频变压器既起到变压隔离作用，又是电感储能元件。因此，又称单端反激式变换器为频变压器既起到变压隔离作用，又是电感储能元件。因此，又称单端反激式变换器为“电感储电感储能式变换器能式变换器”。2.2.电路特点电路特点 a.a.由于原边、副边的电感量为常数，使原边和副边电流按线形规律升降，其电流工作状态有三由于原边、副边的电感量为常数，使原边和副边电流按线形规律升降，其电流工作状态有三种：非连续态、临界态及连续状态；种：非连续态、临界态及连续状态；b b一般用在小功率场合一般用在小功率场合 c c利用率不高利用率不高注意设计原则：必须使高频变压器磁芯的磁通复位。即：必须让高压
24、开关管在一个周期内的导通和注意设计原则：必须使高频变压器磁芯的磁通复位。即：必须让高压开关管在一个周期内的导通和截止期间，加在高频变压器原边绕组上的伏秒数相等。截止期间，加在高频变压器原边绕组上的伏秒数相等。第12页/共24页第十三页，共24页。单端反激式变换器简图单端反激式变换器简图第13页/共24页第十四页，共24页。2-2-3 2-2-3 功率变换电路功率变换电路2.2.3.22.2.3.2单端正激式变换电路单端正激式变换电路 1.1.基本工作原理基本工作原理Q1Q1导通时，导通时，D1D1导通，电路向负载导通，电路向负载RLRL输送能量，同时输出滤波电感输送能量，同时输出滤波电感L0L
25、0储储存能量；存能量；Q1 Q1截止时，电感截止时，电感L0L0储存能量通过续流二极管储存能量通过续流二极管D2D2向负载释放向负载释放 2.2.电路特点电路特点 a.a.导通时输入馈电给负载，截止时供电给负载；导通时输入馈电给负载，截止时供电给负载；b.N3 b.N3起到去磁复位功能外，同时，与二极管起到去磁复位功能外，同时，与二极管D3D3一起组成箍位电路防止一起组成箍位电路防止Q1Q1截止期间及瞬态过程中高频变压器漏感引起电压尖峰叠加在截止期间及瞬态过程中高频变压器漏感引起电压尖峰叠加在Q1Q1上；上；c.c.若去磁绕组与原边绕组匝数相等，并保持紧耦合，若去磁绕组与原边绕组匝数相等，并保
26、持紧耦合，Q1Q1承受的电压最大为承受的电压最大为2E2E设计中注意原则：由于高频变压器工作在磁滞回线的一侧，必须遵守磁通复设计中注意原则：由于高频变压器工作在磁滞回线的一侧，必须遵守磁通复位原则，即导通脉宽不能超出周期的一半。位原则，即导通脉宽不能超出周期的一半。双管正激并联电路双管正激并联电路 具有输出功率大，输出方波频率加倍，易于滤波，开关具有输出功率大，输出方波频率加倍，易于滤波，开关(kigun)(kigun)管耐压管耐压值减半约等于输入电压值减半约等于输入电压VnVn，取消了变压器去磁绕组等优点，因此广泛应，取消了变压器去磁绕组等优点，因此广泛应用于大功率变换电路中，是可靠性高，制
27、造不复杂的主要电路之一。用于大功率变换电路中，是可靠性高，制造不复杂的主要电路之一。第14页/共24页第十五页，共24页。单端正单端正(dunzhng)(dunzhng)激变换器电路激变换器电路第15页/共24页第十六页，共24页。第16页/共24页第十七页，共24页。2-2-3 2-2-3 功率变换电路功率变换电路2.2.3.32.2.3.3推挽式功率变换电路（推挽式功率变换电路（3434）1.1.基本工作原理基本工作原理VT1VT1、VT2VT2中交替导通时，中交替导通时，W1W1和和W2W2有相应的电流有相应的电流(dinli)(dinli)流过，变换器二次侧将有功流过，变换器二次侧将有
28、功率输出。率输出。2.2.电路特点电路特点 a a由于功率开关器件的发射极共地，无须隔离基极驱动电路，简化由于功率开关器件的发射极共地，无须隔离基极驱动电路，简化 b b两个功率开关器件轮流导通可获得较大的功率输出；两个功率开关器件轮流导通可获得较大的功率输出；c c功率开关的耐压值应当大于功率开关的耐压值应当大于2Vin2Vin2.2.3.42.2.3.4全桥式功率变换电路全桥式功率变换电路 1.1.基本工作原理基本工作原理 变压器连接在四桥臂中间，相对的两对功率开关器件变压器连接在四桥臂中间，相对的两对功率开关器件VT1-VT4VT1-VT4和和VT2-VT3VT2-VT3交替导交替导通或
29、截止，使变压器的二次侧有功率输出。通或截止，使变压器的二次侧有功率输出。当功率开关器件当功率开关器件VT1-VT4VT1-VT4导通时，导通时，VT2-VT3 VT2-VT3则截止，这时，则截止，这时，VT2-VT3 VT2-VT3两端承受两端承受的电压为输入电压的电压为输入电压VinVin，在功率开关器件关断过程中产生的尖峰电压被二极管，在功率开关器件关断过程中产生的尖峰电压被二极管VD1VD4VD1VD4钳位于输入电压钳位于输入电压VinVin。2.2.电路特点电路特点 1 1）全桥式功率开关器件的耐压值只要大于）全桥式功率开关器件的耐压值只要大于VinmaxVinmax即可即可 2 2）
30、使用钳位二极管）使用钳位二极管VD1VD4VD1VD4，有利于提高电源效率；，有利于提高电源效率；3 3）电路使用了四个功率开关器件，四组驱动电路需要隔离。）电路使用了四个功率开关器件，四组驱动电路需要隔离。应用：主要应用于大功率变换电路中，由于驱动电路复杂且均需隔离，因此在电路设计和工应用：主要应用于大功率变换电路中，由于驱动电路复杂且均需隔离，因此在电路设计和工艺结构布局中要有足够的考虑。艺结构布局中要有足够的考虑。第17页/共24页第十八页，共24页。推挽推挽(tu wn)(tu wn)功率变换电路功率变换电路第18页/共24页第十九页，共24页。全桥功率变换全桥功率变换(binhun)
31、(binhun)电路电路第19页/共24页第二十页，共24页。2-2-3 功率变换电路2.2.3.5半桥式功率变换电路 1.基本工作原理 与全桥功率变换电路相比，两个功率器件改为两个容量相等的电容代替。C1和C2的主要作用是实现静态时的分压，使 Va=Vin/2。2.电路特点当VT1导通、VT2截止时，电源向C2充电；当VT2导通、VT1截止时，输入电流向C1充电。VT1导通、VT2截止时，VT2两端承受的电压为输入直流电压Vin。这也是开关管承受的最大电压。2.电路特点 a.在高频变压器上施加的电压只有全桥功率变换电路的一半，在同等功率输出的条件下，半桥开关管的工作电流需要增加一倍；b.突出
32、优点，具有抗不平衡能力；应用：中等功率容量的电源；串联型半桥功率变换电路，可降低耐压要求；采用并联方式(fngsh)，可增大输出电流的容量第20页/共24页第二十一页，共24页。半桥功率半桥功率(gngl)(gngl)变换电路变换电路第21页/共24页第二十二页，共24页。.功率变换电路的比较与应用功率变换电路的比较与应用.变压器利用率变压器利用率单端正激反激变换器次芯中磁滞回线仅在第一象限内变化，变压器利用率底；单端正激反激变换器次芯中磁滞回线仅在第一象限内变化，变压器利用率底；推挽式、全桥式、半桥式功率变换电路用的磁芯在全磁滞回线工作。利用率高，在输出同等推挽式、全桥式、半桥式功率变换电路
33、用的磁芯在全磁滞回线工作。利用率高，在输出同等功率的条件下所用的磁芯体积相应缩小；功率的条件下所用的磁芯体积相应缩小；.对功率器件的要求对功率器件的要求 推挽式、全桥式、半桥式功率变换电路的功率开关器件在一个周期内各导通一次承受的电推挽式、全桥式、半桥式功率变换电路的功率开关器件在一个周期内各导通一次承受的电流相对较小，并且在功率变换电路二次输出整流后的准方波也将成倍增加，使直流脉动成流相对较小，并且在功率变换电路二次输出整流后的准方波也将成倍增加，使直流脉动成分相应减少。分相应减少。在单端式和推挽式功率变换电路中，功率开关器件的耐压值为输入直流电压的两倍；在单端式和推挽式功率变换电路中，功率
34、开关器件的耐压值为输入直流电压的两倍；在桥式功率变换电路中，耐压值仅等于输入电压值。在桥式功率变换电路中，耐压值仅等于输入电压值。.对控制驱动电路的要求对控制驱动电路的要求 推挽式、全桥式、半桥式变换电路其驱动脉冲必须小于，同时要有一定的死区。死推挽式、全桥式、半桥式变换电路其驱动脉冲必须小于，同时要有一定的死区。死区持续时间应当略微大于功率开关器件的存储时间，以防止直通。区持续时间应当略微大于功率开关器件的存储时间，以防止直通。单端正激反激变换器无需专门的死区控制。单端正激反激变换器无需专门的死区控制。从驱动电路的要求看，桥式功率变换电路需要隔离从驱动电路的要求看，桥式功率变换电路需要隔离(gl)(gl)，故工艺结构和布局设计考虑较为，故工艺结构和布局设计考虑较为复杂。复杂。第22页/共24页第二十三页，共24页。2-2-5 保护(boh)电路第23页/共24页第二十四页，共24页。