《光伏探测器详解.ppt》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光伏探测器详解.ppt(35页珍藏版)》请在taowenge.com淘文阁网|工程机械CAD图纸|机械工程制图|CAD装配图下载|SolidWorks_CaTia_CAD_UG_PROE_设计图分享下载上搜索。
1、光光电子技子技术课堂展示堂展示光光电探探测器器光伏探光伏探测器器 利用半导体PN结光伏效应制成的器件称为光伏探测器,也称结型光电器件。探测器主要用于测量检查,控制跟踪,图像测量和分析等方面。这类器件品种众多,但它们的原理都是相同的,所以在性质上有许多相近的地方。这类器件品种很多,其中包括:光电池、光电二极管、光电晶体管、光电场效应管、PIN管、雪崩光电二极管、光可控硅、阵列式光电器件、象限式光电器件、位置敏感探测器(PSD)、光电耦合器件等。一、三种工作模式(1)零偏置的光伏工作模式若p-n结电路接负载电阻RL,如图,有光照射时,则在p-n结内出现两种相反的电流:光激发产生的电子空穴对,在内建
2、电场作用下形成的光生电流Ip,它与光照有关,其方向与p-n结反向饱和电流I0相同;光生电流流过负载产生电压降,相当于在p-n结施加正向偏置电压,从而产生电流ID。流过负载的总电流是两者之差:(2)反向偏置的光电导工作模式无光照时电阻很大,电流很小;有光照时,电阻变小,电流变大,而且流过它的光电流随照度变化而变化。类似光电导器件。(3)正向偏置的工作模式呈单向导电性,和普通二极管一样,光电效应无法体现。无光照时,伏安特性曲线与一般二极管的伏安特性曲线相同;受光照后,产生光电流,方向与I0相同,因此曲线将沿电流轴向下平移,平移的幅度与光照度的变化成正比。二、光伏探测器的伏安特性第一象限:正向偏置工
3、作模式,光电流不起作用,这一区域工作没有意义。第三象限:反向偏置光电导工作模式第四象限:零偏压光伏工作模式。有光照时,若PN结外电路接上负载电阻,如图所示,在PN结内将出现两种方向相反的电流:一种是光激发产生的电子-空穴对形成的光生电流,它与光照有关,其方向与PN结方向饱和电流 相同;另一种是光生电流 流过负载电阻 产生电压降,相当于在PN结施加正向偏置电压,从而产生正向电流,总电流 是两者之差,即流过负载的总电流为:上式中的光电流 正比于光照度,比例常数 称为光照灵敏度,即:当负载电阻 断开时,称 端对 端电压为开路电压 ,则近似地有 三、三、光伏探光伏探测器的偏置器的偏置电路路1、自偏置电
4、路 光电池工作时无外加偏压,直接与负载电阻连接。其输出电流I流过外加电路负载电阻产生的压降 就是它自身的正向偏压,故称为自偏压,其电路称为自偏置电路,电路图如下图所示。因此光电池回路方程为:2、零伏偏置电路 光伏探测器在自偏置的情况下,若负载电阻为零,自偏压为零;或者在光伏探测器在反偏置的情况下,反偏压很小或接近零。这两种情况下都是零伏偏置或接近于零伏偏置,对应的偏置电路都称为零伏偏置电路。光伏探测器采用零伏偏置电路时,它的 1/f噪声最小,暗电流为零,可以获得较高的信噪比。因此反向饱和电流小,正、反向特性好的光伏探测器也常用零偏置电路,可避免偏置电路引入的噪声。四、光伏探四、光伏探测器的性能
5、参数器的性能参数1、响应率2、噪声3、比探测率4、光谱特性5、频率响应及响应时间6、温度特性1、响、响应率率由此可知,光伏探测器的响应率与器件的工作温度 及少数载流子浓度和扩散有关,而与器件的外偏压无关,这是与光电导探测器的不相同的。2、噪声、噪声3、比探比探测率率光伏探测器 可表示为 零偏电阻往往也是光伏探测器的一个重要参数,它直接反应了器件性能的优劣。当光伏探测器受热噪声限制时,提高探测率 的关键在于提高结电阻和界面积的乘积和降低探测器的工作温度 当光伏探测器受背景噪声限制时,提高探测率主要在与采用减小探测器视场角等办法来减少探测器接收的背景光子数4、光光谱特性特性 和其他选择性光子探测器
6、一样,光伏探测器的响应率随人射光波长而变化。近红外和可见光波段所用的光伏探测器材料多是硅和锗5、频率响率响应及响及响应时间6、温度特性、温度特性五光电探测器应用1.光电池及应用 光电池是一种无需外加偏压就能将光能转换成电能的光伏探测器。光电池可以分为两大类:太阳能光电池和测量光电池。太阳能光电池主要用作电源,对它的要求是转换效率高、成本低,由于它具有结构简单、体积小、重量轻、可靠性高、寿命长、在空间能直接利用太阳能转换电能的特点,因而不仅仅成为航天工业上的重要电源,还被广泛地应用于供电困难的场所和人们日常生活中。测量光电池的主要应用时作为光电探测用,即在不加偏置的情况下将光信号转换成电信号,对
7、它的要求是线性范围宽、灵敏度高、光谱响应合适、稳定性好、寿命长,被广泛应用在光度、色度、光学精密计量和测验试中(1)光电池的结构 光电池是用单晶硅组成的,在一块N型硅片上扩散P型杂质,形成一个扩散np结;或在P型硅片扩散N型杂质,形成pn结,在焊上两个电极。P端为光电池正极,N端为负极,一般在地面上应用作光电探测器的多为np型。pn型硅光电池具有较强的抗辐射能力,适合空间应用,作为航天的太阳能电池。下图为是硅光电池结 构示意图。(2)光电池的应用主要有两个方面,一是作为光电探测器件,二是将太阳能转变为电能。利用光电池作为探测器件,有着光敏面积打,频率响应高,光电流随照度线性变化等特点。因此,它
8、既能作为开关应用,也可以用于线性测量。如用在光电读数、光电开关、光栅测量技术、激光准直,电影还音等装置上。利用光电池将太阳能变成电能,目前主要是使用硅光电池,因为他能耐较强的辐射,转换效率较其它光电池高。实际应用中,把硅光电池单体经串联、并联组成电池组,与镍镉蓄电池配合,可作为卫星、微波站、野外灯塔、航标灯、无人气象站等无输电线路地区的电源供给。2.光电二极管随着光电子技术的发展,光信号在探测灵敏度、光谱响应范围及频率特性等方面要求越来越高。光电二极管的工作原理同光电池一样,都是基于P-N结的光伏效应工作的。但是,它与光电池相比有所不同:掺杂浓度较低,电阻率较高,结区面积小,通常多工作于反偏置
9、状态。因此,光电二极管的内建电场很强,结区较厚,结电容小,因而频率特性比光电池好,但其光电流比光电池肖达多,一般多为微安级。(1)硅光二极管的结构。(2)其他应用:A、PIN光电二极管 在P-N结之间加一本征层(I层),这种器件称为PIN光电二极管,又称耗尽层型光电二极管。只要适当控制本征层厚度,使它近似等于反偏压下耗尽层宽度,就可以使相应波长范围和频率相应得到改善。PIN硅光电二极管使常用的耗尽层光伏探测器。它是采用高阻纯硅材料及离子漂移技术形成一个没有杂质的本征层,厚度为500m左右其结构如下:为了更好的使用方便及更好发挥光电二极管在系统中的最佳性能,设计和制作PIN-FET微型组件是发展
10、趋势。这种器件是含有小面积、小电容的光电二极管与高输入阻抗的场效益管前置放大器组合体,其中所有引线长度及杂散电容都做得非常小。由于电容小,输入阻抗高,可以大大降低热噪声,这种组件还具有供电电压低,工作十分稳定,使用方便的特点。PIN光电二极管的上述优点,使它在光通信、光雷达及其它要求快速光电自动控制系统中得到非常广泛的应用。B、雪崩光电二极管(APD)普通的硅光电二极管和PIN光电二极管是没有内增益的光伏探测器,而在光探测器系统中的实际应用中,大多是对微光信号进行探测,采用具有内增益的光探测器将有助于对微弱光信号的探测。雪崩光电二极管是具有内增益的光伏探测器,它是利用光生载流子在高电场区内的雪
11、崩效应而获得光电流增益的,它具有灵敏度高,相应快等优点。用于制作雪崩二极管的材料主要是硅和锗,实际的器件具有极短的响应时间,即数以千兆的相应频率,高达100到1000的增益,所以在光纤通讯、激光测距、激光雷达和光纤传感器等领域得到了广泛的应用。3.光电三极管利用雪崩倍增效应可获得具有增益的半导体光电二极管(APD),而采用一般晶体管放大原理,可得到另一种具有电流内增益的光伏探测器,即光电三极管。它与普通的双极晶体管十分相似,都是有两个十分靠近的P-N结发射结和集电结构成,并均具有电流放大作用。为了充分吸收光子,光电三极管则需要一个较大的受光面,所以,它的响应频率远低于光电二极管。光电三极管是一
12、种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管,因此,结构与一般晶体管相类似,但也有特殊地方。如图所示,图e、b、c分别表示光电三极管的发射极、基极和集电极。正常工作时保证基极集电极结(b-c结)为反偏压状态,并作为受光结 光电三极管的工作有两个过程:一个光电转换;二是光电流放大。光电转换与一般光电二极管相同,当集电极加上相对发射极为正向电压而基极开路时,则基极集电极结处于反偏状态。无光照时由于激发而产生的少数载流子,电阻从基极进入集电极,空穴则从集电极移向基极,在外电路中有电流流过。当无光照射基区时,在该区产生电子-空穴对,光生电子在内电场作用下漂移到集电极,形成电流。与此同时,空穴则
13、留在基区,使基极的电位升高,发射极便有大量的电子经基极流向集电极。应用:无基极引线的光电三极管。它是依靠光的“注入”,把集电结光电二极管的光电流加以放大,从而在集电极回路中得到一个被放大的光生电流。“注入”的光强不同,得到的光生电流不同。无基极引线光电三极管实际应用时有电流控制和电压控制两种电路。在无光照的情况下,其暗电流很小,对于相应速度要求不高的开关电路,可以直接将灵敏的继电器串联在基极回路上。即可以比较方便地实现光电自动控制。有基极引线的光电三极管。有基极引线的光电三极管适用于高速开关电路和调制光的探测。六总结(1)、利用半导体光伏效应制作的器件称为光伏探测器。常用的有光电池、光电二极管
14、(PD)、PIN光电二极管(PIN PD)、雪崩二极管(APD)和光电三极管等单元光伏探测器。其中,PIN光电二极管和雪崩二极管是高响应速度的光伏探测器,光电三极管和雪崩二极管是具有内增益的光伏探测器。(2)、光伏探测器有光电导和光伏两种工作模式,即分别对应反向偏压和自偏压两种状态。光电二极管大多工作在光电导模式,而光电池大多工作在光伏模式。模式(3)、光伏探测器的光电特性不仅与材料有关,同时也与光照范围、负载大小、外加电压等条件有关。(4)、光伏探测器的偏置电路有自偏置电路、零伏偏置电路和反向偏置电路等三种形式。(5)、光伏探测器与光电导探测器的比较:它不具备内增益,响应率与外加电压无关;光伏探测器响应时间主要由载流子到结区的扩散时间决定其扩散时间通常短于截流子寿命;光伏效应对光吸收为本征吸收,而光电导效应可以本征吸收,也可以本征吸收。所以光伏探测器光谱响应的长波限一般为中远红外区,而杂质光电导探测器可以延伸到红外区。谢谢观赏